книги / Наноструктуры и наноматериалы. Синтез, свойства и применение

травление радиационных треков 283 травление сфокусированным ионным пуч­

ком 339 транзисторы 15-17, 435, 453, 455, 460

транзисторы на углеродных нанотрубках 188, 454

трековая слюда 165 туннелирование электронов 344, 352, 430,

436, 478 туннельная проводимость 435, 438

туннельные переходы 356, 373, 437, 454 турбулентное течение 212

углеродный аэрогель 309, 474 углеродные волокна 465, 475 углеродные нановолокна 474, 475

углеродные нанотрубки (CNT) 12, 24, 131133, 165, 187, 188, 191, 264, 265, 267, 274, 309-311, 373, 435, 436,454, 456, 464-466, 473, 474

углеродные фуллерены 17, 23, 264, 265 угол смачивания 149 удельная площадь поверхности 400

ультразвуковая обработка 92,105, 116, 147, 175, 336,337

ультразвуковое воздействие 79, 374 ультразвуковое распыление 253 упорядоченные мезопористые биоактив­

ные стекла 283 упорядоченные мезопористые материалы

17,22, 23, 247,257,274-276, 278, 282 упорядоченные мезопористые сложные

оксиды металлов 280 упругое рассеяние 431,435 упруго-пластичность 419

уравнение Кельвина 39, 151, 158,401 уравнение Лапласа 285 уравнение Нернста 44, 166, 168, 251,252 уравнение Томпсона 432 уравнение Холла-Петча 308, 418 уравнение Хюккеля 177 уравнение Юнга 38 уравнение Юнга-Лапласа условие Рэлея 331

устройства оптического переключения и логические устройства 460

фазовая сегрегация (сегрегация (разделе­ ние) фаз) 13, 63, 106

фазосдвигающая маска (фазовая маска, фазосдвигатель, регулятор фазы) 191,

333

ферромагнетики 86, 188 441 ферроэлектрики (сегнетоэлектрики) 413,

439 физическая адсорбция (физадсорбция) 30,

31,44, 56, 400, 473,475, физическое осаждение из газовой (паро­

вой) фазы (PVD) 213, 219 формула Шеррера 387 флокулят 92 флокуляция 52, 92, 308 флотационные силы 370

флуоресценция 97, 404,408, 425 фосфоресценция 404 фотогальванические элементы 466 фотолиз 227 фотолитическое (фотохимическое) осаж­

дение 346, 376,429 фотолитография 327, 329, 331, 332, 334,

360, 361 фотолитография в контактной моде (кон­

тактная фотолитография) 331, 334 фотолитография с фазовым сдвигом 333 фотолюминесценция 118,404,405,427,429 фотонная запрещенная зона (ФЗЗ, FBG)

246,313,480 фотонный кристалл 13, 14, 24, 312, 313,

480,481 фоторезист (резист) 254, 329-334, 348

фотохимическое (фотолитическое) осаж­ дение 346, 376,429

фоточувствительный полимер 329 фотоэлектрохимические ячейки 24,452,

466,468 фуллереновые композиты 264

фуллереновые кристаллы 265, 267 фуллерены 17, 23, 264-267 фуллериты 267 функция Бесселя 369

формирование трещин 256, 257

химическая адсорбция (хемосорбция) 30, 31, 56,240, 376, 400,473,475

химическая инфильтрация из газовой фазы

(CVI) 228

химические полевые транзисторы (НЕМFET) 453

электрофоретическое осаждение 132,176, 178,179-181,373

электрохимическая ячейка 79,308 электрохимические методы 268 электрохимическое осаждение (электроли­

тическое осаждение, электроосаждение, катодное осаждение) 13,132,165, 168170, 251,252,269, 355

электрохимическое осаждение из газовой фазы (EVD) 228

электрохимическое травление 165 эмиссионная спектроскопия 462 эмульсионная полимеризация 116, 300,

301 энергетический барьер 67-69, 111, 112,

141,204-206, 344,351,352 энергия «гофрировки» 351 энергия упругой деформации 206 энтропия 29, 45, 57, 59 эпитаксиальная агрегация 293 эпитаксиальный рост 152, 205, 208 эпитаксия 208

эффузионные ячейки (ячейки Кнудсена) 216

ячейки Кнудсена (эффузионные ячейки) 216

ВаТЮ3 101,115,179, 181, 233,413,414, 416,417

ВеТЮ3-нанонити 173-175, 184 Вьнанонити184 СТАВ 278,279

F-грани 139,140 К-грани 139

LIGA-технология 328, 376 МСМ-41 276,282,283 МСМ-48 276

S-грани 139 ТЮ2-нанотрубки 131, 132 ТОРО 92,95 ТОР 92,95, 120

TOPSe 92 ТОРТе 92

УОх-нанотрубки 131

AACVD (аэрозольное химическое осажде­ ние из газовой фазы) 225,227

AES (оже-электронная спектроскопия, ОЭС) 216,406,408,409

AFM (атомно-силовая микроскопия, ACM) 17, 23, 191,327, 343, 346-348,352, 386, 396,463

ALD (осаждение атомных слоев, нара­ щивание атомных слоев, химическое осаждение атомных слоев из газовой фазы, атомная эпитаксия, молекулярная эпитаксия, молекулярное наслаивание) 13, 14, 23, 203, 231-237, 258, 312

CNT (углеродные нанотрубки) 12, 24, 131133, 165, 187, 188, 191,264, 265, 267, 274, 309-311, 373, 435,436, 454,456, 464-466, 473,474

CSD (химическое осаждение из раствора) 251

CVD (химическое осаждение из газовой (паровой) фазы, ХОГФ) 88, 185, 208. 212, 220-223, 229-231, 237, 270, 272, 273,309, 342, 355,468,481

CVI (химическая инфильтрация из газовой фазы)228

DUV (глубокий ультрафиолет, ГУФ) 332

EDS, Energy-dispersive Spectroscopy, or Energy-dispersive X-ray Analysis, EDAX or EDX (энерго-дисперсионная рентге­ новская спектроскопия) 157,396,406, 409,410

EELS (спектроскопия характеристических энергетических потерь электронов) 396

EUV (жесткий ультрафиолет) 332 EVD (электрохимическое осаждение из

газовой фазы) 228

FBG (фотонная запрещенная зона, ФЗЗ) 246,313,480

FET (полевые транзисторы) 15,188,453,455 FIB (сфокусированный ионный пучок) 338 F/B-литография (литография с использова­ нием сфокусированного ионного пучка,

СИП) 327, 338 /'75-травление 341 /'ТВ-осаждение 341

FIB-CVD-меаод 341

Fourier Transform Infrared Spectros­ copy, FTIR (инфракрасная фурьеспектроскопия) 406

HEMFET (химические полевые транзисто­ ры) 453

HOMO (самая высокая занятая молекуляр­ ная орбиталь) 403

HOPG (высокоориентированный пироли­ тический графит) 112, 113, 356

ISFET (ионно-селективные полевые тран­ зисторы) 453

ITO (оксид индия-олова) 280,282 LECVD (лазерно-стимулированное хими­

ческое осаждение из газовой фазы) 225 LED (светодиоды) 460, 480

LMl-source (жидкометаллический источ­ ник ионов) 338

LPCVD (химическое осаждение из газовой фазы низкого давления) 225

LUMO (самая низкая незанятая молекуляр­ ная орбиталь) 403

MOCVD (органометаллическая эпитаксия из газовой фазы, химическое осаж­ дение из паров металлорганических соединений) 225-227

NSOM, Near-field scanning optical microscopy, or SNOM, scanning near­ field optical microscopy (сканирующая ближнепольная оптическая микроско­ пия, СБОМ, или сканирующая оптиче­ ская микроскопия ближнего поля) 343, 348, 399,400

Ormocers (органически модифицирован­ ная керамика) 303

Ormosils (органически модифицированные силикаты) 303

PDVB (полидивинилбензол) 301

PECVD (химическое осаждение из газовой фазы, стимулированное плазмой (плаз­ мохимическое осаждения из газовой (паровой) фазы, ПХГФО) 219,225,226, 268

proximityprinting (бесконтактная печать, бесконтактная литография, печать с за­ зором) 329, 331

PVBC (поливинилбензохлорид) 301 PVD (физическое осаждение из газовой

(паровой) фазы) 213, 219

PZT (цирконат-титанат свинца, ЦТС) 179, 185, 186

RBS (резерфордовское обратное рассеяние, POP) 408

RCA (метод круговой амплификации) 189 R1E (реактивное ионное травление) 219,

339

SAD (дифракция от ограниченной области) 396

SAM (самособирающиеся (самособранные) монослои) 239, 240, 243, 244, 246

SAXS (малоупювое рентгеновское рассея­ ние, МРР) 24,389,390, 391

SEM (сканирующая электронная микро­ скопия, СЭМ) 24,343, 386,393

SERS (поверхностно-усиленное комбина­ ционное рассеяние света) 373

SET (одноэлектронные транзисторы) 435, 437,454

SIMS (масс-спектрометрия вторичных ио­ нов, МСВИ) 409

SLS («раствор-жидкость-кристалл», РЖК) 162

SPM (сканирующая зондовая микроско­ пия, СЗМ) 17,24,274, 343,348, 398, 396, 462

STM (сканирующая туннельная микроско­ пия, СТМ) 17, 21, 23, 191, 343-346, 355, 386, 396-398

ТЕМ(просвечивающая электронная микроскопия, ПЭМ) 17, 24, 89, 90, 154, 175, 186, 238, 282, 343, 386, 395, 396

THF (тетрагидрофуран, ТГФ) 245 VLS («пар-жидкость-кристалл», ПЖК,

«газ-жидкость-кристалл») 13, 23,148150,162

XPS (рентгеновская фотоэлектронная спек­ троскопия, РФЭС, электронная спек­ троскопия для химического анализа, ЭСХА) 120,215-216,407,408

XRD (дифракции рентгеновских лучей, рентгеновская дифракция, РД) 24, 80, 147, 171, 175, 180, 386-388, 392, 443