Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Наноструктуры и наноматериалы. Синтез, свойства и применение

.pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
40.53 Mб
Скачать

492

Глава 9

233.A. Feaver, S. Sepehri, P. Shamberger, A. Stowe, T. Autrey, and G Cao. J. Phys. Chem. B ill, 7469 (2007).

234.A. Gutowska, L. Li, Y. Shin, C.M. Wang, X.S. Li, J.C. Linehan, R.S. Smith, B.D. Kay, B.S. W. Shaw, M. Gutowski, and T. Autrey, Angew. Chem. Ini. Ed 44, 3578

(2005).

235.L.D. Hicks and M.S. Dresselhaus, Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 47,

12727 (1993).

236.В. Yoo, F. Xiao, K.N. Bozhilov, J. Herman, M.A. Ryan, and N.V. Myung, Adv. Mater. 19, 296 (2007).

237.W. Wang, F. Jia, Q. Huang, and J. Zhang, Microeleeiron. Eng. 11,223 (2005).

238.X.B. Zhao, X.H. Ji, Y.H. Zhang, and B.H. Lu, J. Alloys Comp. 368, 349 (2004).

239.C. Jin, X. Xiang, C. Jia, W. Liu, W. Cai, L. Yao, and X. Li. J. Phys. Chem. B108, 1844(2004).

240.A.I. Hochbaum, R. Chen. R.D. Delgado, W. Liang. E.C. Garnett, M. Najarian, A. Majumdar, and P. Yang, Nature 451, 163 (2008).

241.A.R. Abramson, W.C. Kim, S.T. Huxtable, H. Yan, Y. Wu, A. Majumdar, C.-L. Tien, and P. Yang, J. Microelectromechan. Syst. 13, 505 (2004).

242.F. Li, C. Hu, Y. Xiong, B. Wan, W. Yan, and M. Zhang, J. Phys. Chem. C 112,

16130(2008).

243.G. Tai, B. Zhou, and W. Guo, J. Phys. Chem. C 112, 11314 (2008).

244.D.-A. Borca-Tasciuc, G. Chen, A. Prieto, M.S. Martin-Gonzalez, A. Stacy, T. Sands, M.A. Ryan, and J.P. Fleurial, Appl. Phys. Lett. 85, (2004).

245.N. Mingo. Appl. Phys. Lett. 84, (2004).

246.C.-H. Lee, G-C. Yi, Y.M. Zuev, and P. Kim, Appl. Phys. Lett. 94,022106 (2009).

247.N.B. Duarte, G.D. Mahan, and S. Tadigadapa, Nano Lett. 9,617 (2009).

248.T. Markussen. A.-P. Jauho, and M. Brandbyge, Phys. Rev. B79, 035415 (2009).

249.L.H. Cumbal and A.K. SenGupta, Ind. Eng. Chew. Res. 44, 600 (2005).

250.J. Chen, M. Liu, L. Zhang, J. Zhang, and L. Jin, Water Res. 37, 3815 (2003).

251.M. Ibanescu, Y. Fink, S. Fan, E.L. Thomas, and J.D. Joannopoulos, Science 289, 415 (2000).

252.J. Ouellette, The Industry Physicist, p. 14, December 2001/January 2002.

253.A. Mekis, J.C. Chen, I. Kurland, S. Fan, P.R. Villeneuve, and J.D. Joannopoulos,

Phys. Rev. Lett. 77, 3787 (1999).

254.J.D. Joannopoulos, R.D. Meade, and J.N. Winn, Photonic Crystals, Princeton Uni­

versity Press, Princeton, NJ, 1995.

255.E. Yablonovitch, Phys. Rev. Lett. 58,2059 (1987).

256.S. John, Phys. Rev. Lett. 58, 2486 (1987).

257.E. Yablonovitch, T.J. Gmitter, and K.M. Leung, Phys. Rev. Lett. 67, 2295 (1991).

258.A. Polman and P. Wiltzius, MRS Bull. 26,608 (2001).

259.S.Y. Lin, J.G. Fleming, D.L. Hetherington, B.K. Smith, R. Biswas, K.M. Ho, M.M. Sigalas, W. Zubrzycki, S.R. Kurtz, and J. Bur, Nature 394, 251 (1998).

260.S. Noda, K. Tomoda, N. Yamamoto, and A. Chutinan, Science 289, 604 (2000).

261.A. Bimer, R.B. Wehrspohn, U. Gosele, and K. Busch, Adv. Mater. 13, 377 (2001).

Применение наноматериалов

493

262.М.С. Wanke, О. Lehmann, К. Muller, Q.Z. Wen, and М. Stuke, Science 275,1284 (1997).

263.M. Campbell, D.N. Sharp, M.T. Harrison, R.G. Denning, and A.J. Turberfield, Na­

ture 404, 53 (2000).

264.J.E.G.J. Wijnhoven and W. Vos, Science 281, 802 (1998).

265.Y. Xia, B. Gates, Y. Yin, and Y. Lu, Adv. Mater. 12,693 (2000).

266.T. Zijlstra, E. van der Drift, M.J.A. de Dood, E. Snoeks, and A. Polman, J. Vac. Sci. Technol. B17,2734 (1999).

267.J.D. Joannopoulos, P.R. Villeneuve, and S. Fan, Nature 386, 143 (1997).

268.S.A. Maicr, M.L. Brongersma, P.G Kik, S. Meltzer, A.A.G. Requicha, and H.A. Atwater, ЛЛ. Muter. 13, 1501 (2001).

269.M. Quinten, A. Leitner, J.R. Krenn, and F.R. Aussenegg. Opt. Lett. 23,1331 (1998).

270.M.L. Brongersma, J.W. Harlman, and H.A. Atwater, Phys. Rev. B62, R16356

(2000).

271. J.R. Krenn, A. Dercux, J.C. Weeber, E. Bourillot, Y. Lacroute, J.R Goudonnet, G. Sehider, W. Gotschy, A. Leitner, F.R. Aussenegg, and C. Girard, Phys. Rev. Lett. 82, 2590(1999).

П рилож ение 1

Периодическая таблица элементов

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

____18

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

He

1.0079

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13

14

15

16

17

4.0026

3

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

6

7

8

9

10

Li

Be

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В

C

N

0

F

Ne

6.941

9.0122

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.811

12.011

14.007

15.999

18.998

20.180

11

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13

14

15

16

17

18

Na

Mg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A1

Si

P

S

Cl

Ar

22.990

24.305

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

26.982

28.086

30.974

32.065

35.453

39.948

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

К

Ca

Sc

Ti

V

Cr

Mn

Fe

Co

Ni

Cu

Zn

Ga

Ge

As

Se

Br

Kr

39.098

40.078

44.956

47.867

50.942

51.996

54.938

55.845

58.933

58.693

63.546

65.409

69.723

72.64

74.922

78.96

79.904

83.798

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

51

52

53

54

Rb

Sr

Y

Zr

Nb

Mo

Tc

Ru

Rh

Pd

Ag

Cd

In

Sn

Sb

Те

I

Xe

85.468

87.62

88.906

91.224

92.906

95.94

(98)

101.07

102.91

106.42

107.87

112.41

114.82

118.71

121.76

127.60

126.90

131.29

55

56

57-71

72

73

74

75

76

77

78

79

80

81

82

83

84

85

86

Cs

Ba

H f

Та

W

Re

Os

Ir

Pt

Au

Hg

Tl

Pb

Bi

Po

At

Rn

132.91

137.33

178.49

180.95

183.84

186.21

190.23

192.22

195.08

196.97

200.59

204.38

207.2

208.98

(209)

(210)

(222)

87

88

89-103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

 

114

 

 

 

 

Fr

Ra

 

R f

Db

Sg

Bh

Hs

Mt

Ds

Uuu

Uub

 

Uuq

 

 

 

 

(223)

(226)

#

(261)

(262)

(266)

(264)

(277)

(268)

(281)

(272)

(285)

 

(289)

 

 

 

 

Лантаноиды

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

* Lanttianide

La

Ce

Pr

Nd

Pm

Sm

Eu

Gd

Tb

Dy

Ho

Er

Tm

Yb

Lu

series

138.91

140.12

140.91

144.24

(145)

150.36

151.96

157.25

158.93

162.50

164.93

167.26

168.93

173.04

174.97

Актиноиды

89

90

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

101

102

103

# Actmide

Ac

Th

Pa

U

Np

Pu

Am

Cm

Bk

C f

Es

Fm

Md

N o

Lr

series

(227)

232.04

231.04

238.03

(237)

(244)

(243)

(247)

(247)

(251)

(252)

(257)

(258)

(259)

(262)

ПРИЛОЖЕНИЯ

П Р И Л О Ж Е Н И Я

495

 

 

 

Приложение 2

Международная система единиц

 

Наименование величины

Единица

Размерность в СИ

Название

Обозначение

Длина

 

метр

м

м

Масса

килограмм

кг

КГ

Время

секунда

с

с

Сила тока

ампер

А

А

Температура

кельвин

К

К

Сила света

кандела

КД

кд

Сила

ньютон

Н

кг-м/с2

Энергия

джоуль

Дж

кг-м2/с2

Давление

паскаль

Па

кг-м/с2

Электрический заряд

кулон

Кл

А с

Мощность

ватт

Вт

кгм2/с2

Напряжение

вольт

В

кг/м2/А2-с3

Электрическое сопротивление

ом

Ом

кгм2/А2-с3

Электрическая емкость

сименс

См

А2-с3/кг-м2

Магнитный поток

вебер

Вб

кг-м2/А с 2

Магнитная индукция

тесла

Тл

кг/А-с2

Индуктивность

генри

Гн

кг/А2-с2

Электрическая емкость

фарад

Ф

А2-с4/кг-м2

496

П Р И Л О Ж Е Н И Я

Приложение 3

Основные физические постоянные

Величина Число Авогадро

Постоянная Больцмана Магнетон Бора Гравитационная постоянная Заряд электрона Масса электрона Постоянная Фарадея

Универсальная газовая постоянная Магнитная постоянная Диэлектрическая постоянная

Постоянная Планка Скорость света в вакууме

Обозначение Значение

К6,023-1023 моль1

к1,38-10'23 Дж/-К

»в 9,27-10-24А-м2

G6,6710 й м3/(кг-с2)

е1,602-10 19 Кл

те

9,11-10"31 кг

F

96,500 Кл/моль

R

8,31 Дж/моль-К

g

 

 

1,257-106Гн/м

£0

8,85-1012Ф/м

h

6,63-1034 Дж-с

со

3-108 м/с

П Р И Л О Ж Е Н И Я

497

Приложение 4

14 основных типов кристаллических объемных решеток (решеток Браве)

КУБИЧЕСКАЯ

А

7

а = Ь = с

*

А.А

а = р = у = 90°

1V- г

простая объемноцентри-

гРа,,счентри-

рованная

рованная

ТЕТРАГО Н АЛ ЬНА Я

а- Ь * с

а= р = у = 90°

простая объемноцентрированная

ОРТОРОМ БИЧЕСКАЯ (РО М БИ ЧЕСКАЯ)

а* Ь * с

а= р = у = 90°

VЬр

/ у .

?

е $

 

простая

объемноцентри- R

гранецентри-

^ оГ н н Г ' I» » """

РО М БО ЭДРИ ЧЕСКАЯ

 

ш

 

 

(ТРИГО Н АЛ ЬН АЯ)

ГЕК САГО Н АЛЬН АЯ

 

а = Ь = с

а = Ь * с

 

а = р = у * 90° < 120е

а = р = 90°

 

 

у = 120°

 

М О Н О КЛ И НН АЯ

ЙКЛИННАЯ

а * Ь * с

а * Ь * с

 

а = у = 90 °^ Р

а * р * у

 

простая

т

базоцентрированная

 

498

П Р И Л О Ж Е Н И Я

 

 

 

 

 

 

 

Приложение 5

 

 

Электромагнитный спектр

Частота

Длина волны

Энергия фотона

Энергия фотона

(Гц)

(м)

 

(эВ)

 

(Дж)

__

10й

кг”

 

_

 

-—

 

 

7-ИЗЛУЧЕНИЕ

 

 

1 МэВ —

106

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— КГ14

 

 

1А —

10'"’

 

 

РЕНТГЕНОВСКИЕ

 

 

1 нм ---

Ю'9

1 кэВ —

10’

ЛУЧИ

 

 

 

 

 

 

УЛЬТРАФИОЛЕТ

_ 10”

 

 

 

 

 

_

 

 

 

 

ю 18

_ JQI4

1 мкм —

104

1 эВ —

10°

Ю-'9

 

 

 

 

 

 

ИНФРАКРАСНОЕ

1 ТГц —

1012

 

 

 

 

ИЗЛУЧЕНИЕ

 

 

 

 

 

 

 

1 см —

10'2

 

 

МИКРОВОЛНЫ

1 ГГц —

10’

~

 

 

 

 

 

_

 

1 М ----

10°

10“

_

 

 

 

 

 

 

 

 

1 МГц —

106

 

 

 

 

10'27

1 КМ—

102

 

 

РАДИОЧАСТОТЫ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 кГц —

10’

 

_ 10'"

 

 

 

 

 

П Р И Л О Ж Е Н И Я

499

Приложение 6

ГРЕЧЕСКИЙ АЛФАВИТ

Символы нижнего регистра используются в звездных обозначениях

Греческое написание

Прочтение

 

Заглавные

Строчные

Английское

Русское

А

а

alpha

альфа

В

Р

beta

бета

Г

Y

gamma

гамма

А

6

delta

дельта

Е

S

epsilon

эпсилон

Z

С

zeta

зета

н

л

eta

эта

0

е

theta

тета

I

i

iota

йота

К

к

kappa

каппа

А

X

lambda

лямбда

М

Р

mu

мю

N

V

nu

ню

т

 

xi

кси

О

о

omicron

омикрон

П

71

Pi

пи

Р

Р

rho

ро

 

 

 

2

а

sigma

сигма

Т

т

tau

тау

Y

и

upsilon

ипсилон

Ф

ф

phi

фи

X

X

chi

хи

¥

Ф

psi

пси

п

со

omega

омега

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

абсорбционная спектроскопия 402 автофобность 362 агломерация 22, 28, 31, 37, 43, 50, 64, 85,

189,411,476 адсорбирующийся полимер 56, 59

адсорбция на поверхности 30, 55, 71, 75 алкантиолы 240, 243, 245 алкилсиланы 241 алкоксиланы 374 алмазные пленки 229, 230

амфифильные молекулы 247, 248 амфотерные ПАВ 275 анизотропный рост 7, 13,23, 133-135, МО-

145, 148 анионные ПАВ 275

анод 76, 79, 168, 169, 178, 179, 465 анодное окисление 132, 165, 283, 355 антиген 456 антистоксова линия 406 антитела 456, 457

апротонный растворитель 55 АСМ-кантилевер 463 АСМ-литография 359

атомная эпитаксия (осаждение атомных слоев, наращивание атомных слоев, хи­ мическое осаждение атомных слоев из газовой фазы, молекулярная эпитаксия, молекулярное наслаивание) (ALD) 13,

14, 23,203, 231-237, 258,312 атомно-силовая микроскопия (ACM, AFM)

17, 23, 191, 327, 343, 346-348, 352, 386, 396,463

аэрогель 283,474,476

аэрозоль 64, 116,227 аэрозольное химическое осаждение из га­

зовой фазы (AACVD) 225,227

аэрозольный синтез 64, 116

бакиболл 265 бакминстерфуллерен 265

баллистическая проводимость 430,435 барьер Шоттки 352 бесконтактная печать (бесконтактная ли­

тография, печать с зазором, proximity printing) 329, 331

биоматериал 101,311,314 биосенсоры 86 биотин-авидин связь 457

ближнепольная контактная фотолитогра­ фия 334

ближнепольная фотолитография 191, 334 ближнепольное взаимодействие 483 ближняя зона 348 бомбардировка ионами 465

броуновское движение 45,47, 51, 54 варизонная структура 459 варизонный омический контакт 460

вертикальное нанесение (метод вертикаль­ ного лифта) 248

виологен 454 вискер 164,415,416

внутримолекулярная проводимость 439 волна де Бройля 15, 341 волноводы 480-483

восстанавливающие реагенты 75, 76, 80 восстановление оксидов азота 457

Предметный указатель

501

восстановление цитратом натрия 298 время пребывания 135 второй (дополнительный) минимум 51

вынужденный гидролиз 65, 101, 103 выпаривание 96 выращивание кристаллов методом Чох-

ральского 34, 150 высокоориентированный пиролитический

графит (HOPG) 112, 113, 356 высокочастотное распыление (распыли­

тельное осаждение с использованием электромагнитного поля высокой ча­ стоты, распыление на радиочастотах) 217,218,470

вязкостное течение 211, 212

гальванический элемент 168, 314 гальваностегия 166, 338, 376 газофазная гидротермальная кристаллиза­

ция 468 гексагональная или кубическая упаковка

цилиндрических мицелл 275 генно-инженерные протеины для неорга­

нических веществ (ГИПН) 315 гетероатомы 295 гетерогенная конденсация 100,280

гетерогенная нуклеация 23, 63,110, 122, 203

гетероструктурный биполярный транзи­ стор 460

гетероструктуры на квантовых точках 460 гетероструктуры с квантовыми ямами 460 гетероэпитаксиальный рост 120,145,

208,462 гетероэпитаксия 205

гибридные органо-неорганические волок­ на 189

гибридные органо-неорганические ма­ териалы (органо-неорганические ги­ бриды) 99-101, 174,246, 253,257, 286, 303-306, 309

гидратированный оксид сурьмы 434 гидрогенизация ненасыщенных углеводо­

родов 457 гидролиз 53, 65, 102, 103, 107, 118, 119,

131, 231, 243, 280, 298, 304, 306 гидротермальный рост 148 гидротермальный синтез 289 гидрофильность 257

гидрофильные взаимодействия 240 гидрофобность 257 гидрофобные взаимодействия 240, 368 гистерезис 442 голографическая литография 481

гомогенная нуклеация 23, 64, 93, 110, 120, 135, 152,205, 220

гомоэпитаксия 205 горизонтальный лифт 249 графен 267,270

графит 88,160,205, 225,265,267,306,473 ГЦК 372 ГПУ 372

дальняя зона (зона дальнего поля) 349, 350 датчики расхода газов 274 двойники 141 двойниковые структуры 412

двойной электрический слой 46, 176 двухфотонная полимеризация 19 дезоксирибонуклеиновая кислота (ДНК)

188, 189,315,403,457 дефекты 8, 19, 32, 63, 94, 112, 133-135, 140,

141, 144, 148, 150, 214, 240, 270, 289, 308, 309, 369, 395,411,416,430,431, 435

дендримеры 445 деполяризующее поле 440 дзета-потенциал 176,177

диаграмма Вульфа (построение Вульфа) 34, 35, 140

диаграмма Ратоне (Ragone) 472 диблок-сополимеры 56, 115,257,278 ДНК (дезоксирибонуклеиновая кислота)

188, 189,315,403,457 ДНК-матрицы (матрицы на основе ДНК)

188,189 динамическая МСВИ 409

динамический режим 463,464 дипольные колебания 422,424 дискретное заряжение 435 дискретные электронные конфигурации

426 дислокации 134, 148

дислокационно-диффузионная теория 141 дисперсионные взаимодействия 371 дифракция быстрых электронов (ДБЭ) 215 дифракция от ограниченной области (SAD)

396