книги / Наноструктуры и наноматериалы. Синтез, свойства и применение

Рис. 8.33. Диэлектрическая постоянная сегнетоэлектриков увеличивается с уменьшением размера зерен и достигает максимума при диаметре ~1 мкм, а затем уменьшается с даль­ нейшим уменьшением размера зерен или толщины пленки [Т.М. Shaw, S. Trolier-McKin- stry, and P.C. McIntyre, Ann. Rev. Mater. Sci. 30, 263 (2000)].

ведут себя не так, как традиционные парамагнетики, и поэтому называются су­ перпарамагнетиками.

Ферромагнитные частицы нанометровых размеров, содержащие до7У= 105 ато­ мов, ферромагнитно связанных обменными взаимодействиями, образуют один до­ мен каждая [212] с большим значением магнитного момента р - вплоть до 105 маг­ нетонов Бора рв. Было показано [213], что поведение этих кластеров или частиц при повышенных температурах может быть описано так же, как парамагнитных атомов или молекул, только с большими магнитными моментами. Намагничива­ ние однодоменных частиц в термодинамически равновесных условиях происхо­ дит аналогично намагничиванию атомарного парамагнетика при любой величине поля, за тем исключением, что отдельные магнитные моменты чрезвычайно ве­ лики, что проявляется в огромной восприимчивости. Рабочее определение супер­ парамагнетизма должно включать, по меньшей мере, два требования. Во-первых, на кривой намагничивания должен отсутствовать гистерезис, так как это не тер­ мически равновесный параметр. Во-вторых, кривая намагничивания изотропного образца должна зависеть от температуры таким образом, чтобы кривые, снятые при различных температурах, приблизительно совпадали друг с другом, будучи изображены в координатах HIT после коррекции на температурную зависимость спонтанного намагничивания.

Впервые существование суперпарамагнетизма было предсказано в малых фер­ ромагнитных частицах, размеры которых меньше некоторого критического [214].

По оценкам, критический радиус равен 15 нм для сферических образцов обычных ферромагнитных материалов [215]. О первых наблюдениях суперпарамагнитных свойств в частицах никеля, диспергированных в матрице из оксида кремния, сооб­ щалось еще в 1954 г. [216]. На рис. 8.34 показаны типичные кривые намагниченно­ сти частиц железа размером 2,2 нм, диспергированных в ртути при различных тем­ пературах, и приблизительное совпадение кривых, построенных для 77 К и 200 К, в координатах Н/Т [217]. При низких температурах становится важным спаривание спина с осью магнитной анизотропии системы [218]. Спин стремится выстроиться вдоль определенной оси кристалла. Например, объемный кобальт с гексагональной структурой с плотной упаковкой является одноосным анизотропным кристаллом.

8.5. Заключение

Для изучения наноматериалов и наноструктур применяется множество ме­ тодов диагностики свойств и аналитического определения состава, в этой главе рассмотрено лишь несколько широко используемых методов. В исследовании на­ номатериалов находят применение методы диагностики как объема, так и поверх­ ности. Однако такие методы исследования объема тел, как рентгеновская диф­ ракция и метод изотерм сорбции газов, используются для получения совокупной информации о наноматериалах. Они не предоставляют данные об индивидуаль­ ных наночастицах или мезопорах. Так как многие наноматериалы имеют однород­ ный химический состав и структуру, методы диагностики объема используются чрезвычайно широко. Методы диагностики поверхности, такие как СЗМ и ПЭМ, предоставляют возможность изучения отдельных наноструктур. Например, по­ верхностная и внутренняя кристалличность и химический состав нанокристаллов могут быть исследованы с использованием ПЭМ высокого разрешения. Методы диагностики объема и поверхности дополняют друг друга при исследовании на­ номатериалов.

Физические свойства наноматериалов могут заметно отличаться от свойств их объемных аналогов. Особые физические свойства наноматериалов возникают изза различных фундаментальных причин. Например, огромная энергия поверхно­ сти приводит к уменьшению термической устойчивости и суперпарамагнетизму. Повышенное поверхностное рассеяние отвечает за уменьшение электропровод­ ности. Размерное ограничение ведет к изменению как электронных, так и опти­ ческих свойств наноматериалов. Понижение размера способствует более высоко­ му совершенству и, таким образом, улучшает механические свойства объемных наноструктурированных материалов, однако влияние размера на механические свойства объемных наноструктурированных материалов гораздо сложнее, так как определяется и свойствами границ зерен, и напряжениями.

Литература

1.B.D. Cullity and S.R. Stock, Elements o fX-Ray Diffraction, 3rd edn., Prentice Hall, Upper Saddle River, NJ, 2001.

2.L.H. Schwartz and J.B. Cohen, Diffraction From Materials, Springer-Verlag, Ber­ lin, 1987.

3.L. Reimer, Scanning Electron Microscopy, Springer-Verlag, Berlin, 1985.

4.A.S. Nowick (ed), Electron Microscopy o f Materials: An Introduction, Academic Press, New York, 1980.

5.J.W. Edington, Practical Electron Microscopy in Materials, van Nostrand Reinhold, New York, 1976.

6.Z.L. Wang, Reflected Electron Microscopy and Spectroscopyfor Surface Analysis,

Cambridge University Press, Cambridge, 1996.

7.D. Bonnell (ed.), Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, Wiley-VCH, New York, 2001.

8. C.R. Brundle, C.A. Evans, Jr., and S. Wilson (eds.), Encyclopedia o f Materials Characterization, Butterworth-Heinemann, Stoneham, MA, 1992.

9.J.C. Vickerman, Surface Analysis: The Principle Techniques, John Wiley and Sons, New York, 1997.

10.A. Segmuller and M. Murakami, Analytical Techniquesfor Thin Films, eds. K.N. Tu and R. Rosenberg, Academic Press, San Diego, CA, p. 143,1988.

11.L.S. Birks and H. Friedman, J. Appl. Phys. 17, 687 (1946).

12.A. Segmuller and M. Murakami, in Thin Films From Free Atoms and Particles, ed. K.J. Klabunde, Academic Press, Orlando, FL, p. 325,1985.

13.A.A. Guzelian, J.E.B. Katari, A.V. Kadavanich, U. Banin, K. Hamad, E. Juban, A.P. Alivisatos, R.H. Wolters, C.C. Arnold, and J.R. Heath,J. Phys. Chem. 100,7212 (1996).

14.O. Glatter and O. Kratky, Small Angle X-Ray Scattering, Academic Press, New York, 1982.

15.A. Guinier and G. Foumet, SmallAngle Scattering o fX-Rays, John Wiley and Sons, New York, 1955.

16.N.S. Andreev, E.A. Porai-Koshits, and O.V. Mazurin, Phase Separation in Glass, eds. O.V. Mazurin and E.A. Porai-Koshits, North-Holland, Amsterdam, p. 67,1984.

17.C.R. Kagan, C.B. Murray, and M.G Bawendi, Phys. Rev. B54, 8633 (1996).

18.B.A. Korgel and D. Fitzmaurice, Phys. Rev. B59, 14191 (1999).

19.C.B. Murray, C.R. Kagan, and M.G. Bawendi, Anna. Rev. Mater. Sci. 30,545 (2000). 20. G. Porod. Kolloid, Z. 124, 83 (1951).

21. G. Porod, Kolloid, Z. 125,51 (1952).

22. P. Debye and A.M. Bueche. J. Appl. Phys. 20,518 (1949).

23. A.E. Suliman, Y.W. Tang, and L. Xu, Sol. Energ. Mat. Sol. C 91,1658 (2007).

24. M.S. Akhtar, M.A. Khan, M.S. Jeon, and O.B. Yang, Electrochim. Acta 53, 7869 (2008).

25. C.F. Lin, H. Lin, J.B. Li, and X. Li, J. Alloys Compd. 462, 175 (2008).

26.Y.F. Hsu. Y.Y. Xi, C.T. Yip, A.B. Djurisic, and W.K. Chan, J. Appl. Phys. 103, 083114 (2008).

27.W. Chen, H.F. Zhang, I.M. Hsing, and S.H. Yang, Electrochem. Commun. 11, 1057 (2009).

28.M. von Heimendahl, Electron Microscopy o f Materials: An Introduction, ed. A.S. Nowick, Academic Press, New York, p. 1, 1980.

29.A.N. Goldstein, C.M. Echer, and A.P. Alivisatos, Science 256,1425 (1992).

30.Z.L. Wang, Adv. Mater. 12, 1295 (2000).

31.P. Poncharal, Z.L. Wang, D. Ugarte, and W.A. de Heer, Science 283, 1516 (1999).

32.Z.L. Wang. P. Poncharal, and W.A. de Heer, J. Phys. Chem. Solids 61,1025 (2000).

33.M.S. Wang, I. Kaplan-Ashiri, X.L. Wei, R. Rosentsveig, H.D. Wagner, R. Tenne, and L.M. Peng, Nano Res. 1, 22 (2008).

34.G. Binnig, H. Rohrer, C. Gerber, and E. Weibel, Phys. Rev. Lett. 49,57 (1982).

35.G. Binnig, C.F. Quate, and Ch. Gerber, Phys. Rev. Lett. 56, 930 (1986).

36.R.S. Howland and M.D. Kirk, in Encyclopedia o fMaterials Characterization, eds. C.R. Brundle, C.A. Evans, Jr., and S. Wilson, Butterworth-Heinemann, Stoneham, MA, p. 85, 1992.

37.G. Binnig, H. Rohrer, C. Gerber, and E. Weibel, Phys. Rev. Lett. 50,120 (1983).

38.A.N. Chaika and A.N. Myagkov, J. Phys. Conf. Set: 100,012020 (2008).

39.H.P. Lang, M. Hegner, E. Meyer, and Ch. Gerber, Nanotechnology 13, R29 (2002).

40.U. Hartmann, Annu. Rev. Mater. Sci. 29,53 (1999).

41.A. Majumdar, Annu. Rev. Mater. Sci. 29,505 (1999).

42.C.C. Williams, Annu. Rev. Mater. Sci. 29,471 (1999).

43.M. Fujihira, Annu. Rev. Mater. Sci. 29, 353 (1999).

44.E. Betzig and J.K. Trautman, Science 257, 189 (1992).

45.R. Kopelman and W.H. Tan, Appl. Spec. Rev. 29,39 (1994).

46.H. Heiselmann and D.W. Pohl, Appl. Phys. A 59,89 (1994).

47.J.W.P. Hsu, MRSBull. 22,27 (1997).

48.P.F. Barbara, D.M. Adams, and D.B. O’Connor, Annu. Rev. Mater. Sci. 29,433( 1999).

49.E. Betzig, J.K. Trautman, T.D. Harris, J.S. Weiner, and L. Kostelak, Science 251,1469 (1991).

50.F. Zenhausem, Y. Martin, and H.K. Wickramasinghe, Science 269, 1083 (1995).

51.D.M. Young and A.D. Crowell, Physical Adsorption o f Gases. Butterworths, Lon­ don, 1962.

52.C. Orr, Jr. and J.M. Dallavalle, Fine Particle Measurement: Size, Surface, and Pore Volume, MacMillan, New York, 1959

53.G.M. Pajonk, Appl. Cata. 72,217 (1991).

54.C.D. Volpe, S. Dire, and Z. Pagani, J. Non-Cryst. Solids 209, 51 (1997).

55.S. Brunauer, The Adsorption o f Gases and Vapors, Princeton University Press, Princeton, NJ, 1945.

56.J.R. Anderson, Structure o fMetallic Catalysts, Academic Press, London, 1975.

57.C. Fantini, A. Jorio, A.R Santos, V.S.T. Peressinotto, and M.A. Pimenta. Chem. Phys. Lett. 439, 138 (2007).

58.A. Jorio et al„ Phys. Rev. B72, 075207 (2005).

59.C. Colvard, Encyclopedia o f Materials Characterization, eds. C.R. Brundle, C.A. Evans, Jr., and S. Wilson. Butterworth-Heinemann, Stoneham, MA, p. 373, 1992.

60.C.R. Kagan, C.B. Murray, and M.G Bawendi, Phys. Rev. B54, 8633 (1996).

61.Al. L. Efros and M. Rosen, Annu. Rev. Mater. Set. 30,475 (2000).

62.W.B. White, Encyclopedia o f Materials Characterization, eds. C.R. Brundle, C.A. Evans. Jr., and S. Wilson, Butterworth-Heinemann, Stoneham. MA, p. 428, 1992.

63.M. Orhring, The Materials Science o f Thin Films, Academic Press, San Diego, CA. 1992.

64.J.R. Bird and J.S. Williams (eds.), Ion Beams for Materials Analysis, Academic Press, San Diego, CA, 1989.

65.A.W. Benninghoven, E.G. Rudenauer, and H.W. Werner, Secondary Ion Mass Spec­ trometry — Basic Concepts, InstrumentedAspects, Applications and Trends, Wiley, New York, 1987.

66.P. Pawlow, Z Phys. Chem. 65, 1 (1909) and 65, 545 (1909).

67.K.J. Hanszen, Z Phys. 157, 523 (1960).

68.Ph. Buffat and J-P. Borel, Phys. Rev. A13,2287 (1976).

69.C. Herring, Structure and Properties o fSolid Surfaces, University of Chicago, Chi­ cago, IL, p. 24, 1952.

70.W.W. Mullins, Metal Surfaces: Structure Energetics and Kinetics. The American Society for Metals, Metals Park, OH, p. 28,1962.

71.S. Ino and S. Ogawa, J. Phys. Soc. Jpn. 22, 1365 (1967).

72.S. Ogawa and S. Ino, J. Vac. Sci. Technol. 6, 527 (1969).

73.N.T. Gladkich, R. Niedermayer, and K. Spiegel, Phys. Stat. Sol. 15,181 (1966).

74.M. Blackman and A.E. Curzon, Structure andProperties o fThin Films, Wiley. New York, 1959.

75.B.T. Boiko, A.T. Pugachev, and Y.M. Bratsykhin, Sov. Phys. Sol. State 10,2832 (1969).

76.M. Takagi, J. Phys. Soc. Jpn. 9, 359 (1954).

77.R.E. Newnham, K.R. Udayakumar, and S. Trolier-McKinstry, Chemical Processing o fAdvanced Materials, eds. L.L. Hench and J.K. West, John Wiley and Sons, New York, p. 379, 1992.

78.K. Ishikawa, K. Yoshikawa, and N. Okada, Phys. Rev. B37, 5852 (1988).

79.Q. Jiang, X.F. Cui, and M. Zhao, Appl. Phys. A 78, 703 (2004).

80.S. Link. C. Burda, M.B. Mohamed, B. Nikoobakht, and M.A. El-Sayed, Phys. Rev. B61, 6086 (2000).

81.Y. Wu and P. Yang, Appl. Phys. Lett. 77,43 (2000).

82.Y. Wu and P. Yang, Adv. Mater. 13, 520 (2001).

83.D. Quere, J.-M.D. Meglio, and F. Brochard-Wyart, Science 249, 1256 (1990).

84.G. Arlt, D. Hennings, and G. de With, J. Appl. Phys. 58, 1619 (1985).

85.C. Herring and J.K. Gait, Phys. Rev. 85, 1060 (1952).

86.V.G. Lyuttsau, Yu.M. Fishman, and I.L. Svetlov, Sov. Phys. Crsytallogr. 10, 707(1966).

87.A. Nohara, Jpn. J. Appl. Phys. 21, 1287 (1982).

88.Z. Gyulai, Z. Phys. 138, 317 (1954).

89.S.S. Brenner, Growth andPerfection o fCrystals, eds. R.H. Doremus, B.W. Roberts, and D. Turnbull, John Wiley and Sons, New York, p. 157,1958.

90.RD. Bayer and R.E. Cooper, J. Mater. Sci. 2, 233 (1967).

91.E.W. Wong, RE. Sheehan, and CM. Lieber, Science 277, 1971 (1997).

92.R.E. Marszalek, W.J. Greenleaf, H. Li, A.F. Oberhauser, and J.M. Fernandez, PNAS 97, 6282 (2000).

93.P. Poncharal. Z.L. Wang, D. Ugarte, and W.A. de Heer, Science 283, 1513 (1999).

94.E.O. Hall, Proc. Phys. Soc. London 64B, 747 (1951).

95.N.J. Petch, J. Iron Steel Inst. 174,25 (1953).

96.C. Suryanarayana, D. Mukhopadhyay, S.N. Patankar, and F.H. Froes, J. Mater. Res. 7,2114(1992).

97.J.R. Weertman, M. Niedzielka, and C. Youngdhl, MechanicalProperties and Defor­ mation Behavior o fMaterials Having Ultra-Fine Microstructures. Kluwer. Boston, MA, p. 241, 1993.

98.G.E. Fougere, J.R. Weertman, and R.W. Siegel, NanoStruct. Mater. 3,379 (1993).

99.R.W. Siegel, Mater. Sci. Eng. A168, 189 (1993).

100.Y. Wang, M. Chen, F. Zhou, and E. Ma, Nature 419,912 (2003).

101.R.Z. Valiev, I.V. Alexandrov, Y.T. Zhu, and T.C. Lowe, J. Mater. Res. 17,5 (2002).

102.A.H. Chokshi, A. Rosen, J. Karch, and H. Gleiter, Scripta Metallurgica 23, 1679 (1989).

103.H. Hahn, P. Mondal, and K.A. Padmanabhan, NanoStruct. Mater. 9, 603 (1997).

104.J.E. Carsley, J. Ning, W.W. Milligan, S.A. Hackney, and E.C. Aifantis, NanoStruct. Mater. 5,441 (1995).

105.D.A. Konstantinidis and E.C. Aifantis, NanoStruct. Mater. 10,1111 (1998).

106.X.Y. Qin, X.J. Wu, and L.D. Zhang, NanoStruct. Mater. 5, 101 (1995).

107.A. Kumpmann, B. Gunther, and H.D. Kunze, Mechanical Properties and Deforma­ tion Behavior o f Materials Having Ultra-Fine Microstructures, Kluwer, Boston, MA, p. 309, 1993.

108.J.C.S. Jang and C.C. Koch, Scripta Metallurgica et Materialia 24, 1599 (1990)

109.G.D. Hughes, S.D. Smith. C.S. Pande, H.R. Johnson, and R.W. Armstrong, Scripta Metallurgica 20,93 (1986).

110.K.A. Padmanabhan, Mater. Sci. Eng. A304,200 (2001).

111.H. Holler and R.S. Averback, Scripta Metallurgica et Materialia 24,2401 (1990).

112.M.J. Mayo, R.W. Siegel, Y.X. Liao, and W.D. N ix,/. Mater. Res. 7,973 (1992).

113.Y. Champion, C. Langlois, S. Guerin-Mailly, P. Langlois, J. Bonnentien, and M.J. Hytch, Science 300,310 (2003).

114.M. Chen, E. Ma, K.J. Hemker, H. Sheng. Y Wang, and X. Chen, Science 300, 1275 (2003).

115.M. Kerker, The Scattering o fLight and OtherElectromagnetic Radiation, Academic Press, New York, 1969.

116.C.F. Bohren and D.R. Huffman, Adsorption and Scattering o fLight by Small Par­ ticles, Wiley, New York, 1983.

153.М. Huang, S. Мао, Н. Feick, Н. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and R Yang, Science 292, 1897 (2001).

154.Y. Xia, R Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, and H. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003).

155.JJ. Thompson, Proc. Cambridge Phil Soc. 11,120 (1901).

156.K. Fuchs, Proc. Cambridge Phil. Soc. 34, 100 (1938).

157.E.H. Sondheimer, Adv. Phys. 1,1 (1951).

158.M J. Skove and E.P. Stillwell, Appi Phys. Lett. 7,241 (1965).

159.J.C. Hensel, R.T. Tung, J.M. Poate, and E.C. Unterwald, Phys. Rev. Lett. 54, 1840

(1985).

160.K. Ozawa, Y. Sakka, and M. Amano, J. Sol-Gel Sci. Technol. 19, 595 (2000).

161.K. Schwab, E.A. Henriksen, J.M. Worlock, and M.L. Roukes, Nature 404, 974

(2000).

162.A. Buldum, S. Ciraci, and C.Y. Fong, J. Phys. Condens. Matter 12,3349 (2000).

163.S.G. Volz and G. Chen, Appl. Phys. Lett. 75,2056 (1999).

164.Z. Zhang, X. Sun, M.S. Dresselhaus, and J.Y. Ying, Phys. Rev. B61,4850 (2000).

165.S.H. Choi, K.L. Wang, M.S. Leung, G.W. Stupian, N. Presser, B.A. Morgan, R.E. Robertson, M. Abraham, S.W. Chung, J.R. Heath, S.L. Cho, and J.B. Ketterson, J. Vac. Sci. Technol. A18, 1326 (2000).

166.Y. Cui and C.M. Lieber, Science 291, 851 (2001).

167.Y. Wang, X. Duan, Y. Cui, and C.M. Lieber, Nemo Lett. 2, 101 (2002).

168.S.W. Chung, J.Y. Yu, and J.R. Heath, Appl. Phys. Lett. 76,2068 (2000).

169.S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems, Cambridge University

Press, Cambridge, 1995.

170.D.K. Ferry, H.L. Grubin, C.L. Jacoboni, and A.P. Jauho (eds.), Quantum Transport in Ultrasmall Devices, Plenum Press, New York, 1994.

171.B.J. van Wees, H. van Houten, C.W.J. Becnakker, J.G. Williamson, L.P Kouwenhoven, D. van der Marel, and C.T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 60, 848(1988).

172.D.P.E. Smith, Science 269, 371 (1995).

173.D.S. Fisher and P.A. Lee, Phys. Rev. B23, 6851 (1981).

174.H. van Houten and C. Beenakker, Phys. Today, p. 22, 22 July 1996.

175.R. Landauer, Philos. Mag. 21, 863 (1970).

176.W.A. de Heer, S. Frank, and D. Ugarte, Z. Phys. B104,468 (1997).

177.S. Frank, P. Poncharal, Z.L. Wang, and W.A. de Heer, Science 280,1744 (1998).

178.H. Grabert and M.H. Devoret (eds.), Single Charge Tunneling, Plenum, New York,

1992.

179.D.L. Feldheim and C.D. Keating, Chem. Sac. Rev. 27,1 (1998).

180.M.A. Kastner, Phys. Today 46,24 (1993).

181.H. Grabert, Single Charge Tunneling, eds. M.H. Devoret and H. Grabert, Plenum, New York, p. 1, 1992.

182.D.L. Klein, P.L. McEuen, J.E.B. Katari, R. Roth, and A.P. Alivisatos, Appl. Phys.

Lett. 68,2574 (1996).

183. C.T. Black, D.C. Ralph, and M. Tinkham, Phys. Rev. Lett. 76,688 (1996).

184. R.S. Ingram, M.J. Hostetler, R.W. Murray, T.G. Schaaff, J.T. Khoury, R.L. Whetten, T.P. Bigioni, D.K. Guthrie, and RN. First, J. Am. Chem. Soc. 119,9279 (1997).

185.S.J. Tans, M.H. Devoret, H.J. Dai, A. Thess, R.E. Smalley, L.J. Geerligs, and C. Dekker, Nature 386,474 (1997).

186.T.A. Fulton and D.J. Dolan, Phys. Rev. Lett. 59, 109 (1987).

187.T. Sato, H. Ahmed, D. Brown, and B.F.G. Johnson, J. Appl. Phys. 82,696 (1997).

188.H. Kuhn, J. Photochem. 10, 111 (1979).

189.Z. Cai, J. Lei, W. Liang, V. Menon, and C.R. Martin, Chem. Mater. 3,960 (1991).

190.F. Jona and G. Shirane, Ferroelectric Crystals, Dover Pub. Inc., New York, 1993.

191.J.F. Scott and C.A. de Araujo, Science 246, 1400 (1989).

192.0. Auciello, J.F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51,22 (1998).

193.L.E. Cross and S. Trolier-McKinstry, Encycl. Appl. Phys. 21,429 (1997).

194.D.L. Polla and L.F. Francis, Mater. Res. Soc. Bull. 21,59 (1996).

195.K. Binder, Ferroelectrics 35,99 (1981).

196.R.R. Mehta, B.D. Silverman, and J.T. Jacobs, J. Appl. Phys. 44,3379 (1973).

197.L.P. Batra, P. Wiirfel, and B.D. Silverman, Phys. Rev. Lett. 30,384 (1973).

198.L.P. Batra, P. Wiirfel, and B.D. Silverman, Phys. Rev. B 8,3257 (1973).

199.R. Kretschmer and K. Binder, Phys. Rev. B20, 1065 (1979).

200.A.J. Bell and A.J. Moulson, Ferroelectrics 54, 147 (1984).

201.K. Binder, Ferroelectrics 73,43 (1987).

202.V.V. Kuleshov, M.G. Radchenko, V.P. Dudkevich, and Eu.G. Fesenko, Cryst. Res. Technol. 18, K56 (1983).

203.P Wiirfel and L.P. Batra, Ferroelectrics 12, 55 (1976).

204.T. Kanata, T. Yoshikawa, and K. Kubota, Solid State Commun. 62,765 (1987).

205.A. Roelofs, T. Schneller, K. Szot, and R. Waser, Nanotechnology 14,250 (2003).

206.T.M. Shaw, S. Trolier-McKinstry, and P.C. McIntyre, Annu. Rev. Mater. Sci. 30,263

(2000).

207.R.E. Newnham, K.R. Udayakumar, and S. Trolier-McKinstry, ChemicalPorcessing o fAdvanced Materials, eds. L.L. Hench and J.K. West, John Wiley and Sons, New York, p. 379, 1992.

208.K. Ishikawa, K. Yoshikawa, and N. Okada, Phys. Rev. B37, 5852 (1988).

209.W. Kanzig, Phys. Rev. 98, 549 (1955).

210.R. Bachmann and K. Bamer, Solid State Commun. 68, 865 (1988).

211.G. Arlt and N.A. Pertsev, J. Appl. Phys. 70,2283 (1991).

212.J.P. Bucher, D.C. Douglass, and L.A. Bloomfield, Phys. Rev. Lett. 66,3052 (1991).

213.C.P Bean and J.D. Livingston, J. Appl. Phys. 30, 120S (1959).

214.J. Frankel and J. Dorfinan, Nature 126,274 (1930).

215.C. Kittel, Phys. Rev. 70,965 (1946).

216.W. Heukelom, J.J. Breeder, and L.L. van Reijen, J. Chim. Phys. 51,474 (1954).

217.C.P. Bean and I.S. Jacobs, J. Appl. Phys. 27, 1448 (1956).

218.P.W. Selwood, Chemisorption and Magnetization, Academic Press, New York, 1975.