книги / Наноструктуры и наноматериалы. Синтез, свойства и применение

нальна D. Таким образом, для осуществления самосборки Vдолжно быть сравнимо с кТ. Если V« кТ, движущая сила самосборки отсутствует. С другой стороны, если

V» кТ, частицы будут агрегировать. Для формирования упорядоченных ансамблей

сдальним порядком межчастичное взаимодействие должно быть достаточно силь­ ным, для того чтобы заставить наночастицы собираться в упорядоченные струк­ туры, но одновременно достаточно слабыми, для того чтобы не позволить им спе­ каться [177]. Узкое распределение по размерам является еще одним необходимым условием формирования дальнего порядка [178]. Однако и другие факторы, такие как химия поверхности и покровный материал и природа наночастицы, играют важ­ ные роли [179]. Например, полупроводники характеризуются существенно более малыми силами межчастичного дисперсионного притяжения, чем металлические наночастицы, и, следовательно, для образования упорядоченных массивов/ансамблей в их случае необходимо более узкое распределение по размерам.

Вработе [179] подробно рассмотрен синтез сверхрешеток, структурными эле­ ментами которых являются наночастицы, из коллоидных суспензий. Можно легко сформировать как двумерные, так и трехмерные сверхрешетки с объемноцентрированной кубической (ОЦК), гранецентрированной кубической (ГЦК) и гексаго­ нальной плотноупакованной (ГПУ) структурами [180]. Когда капля коллоидного раствора, содержащего частицы, помещается на сетку ПЭМ и раствору предо­ ставляется возможность испаряться, происходит спонтанное образование упоря­ доченных трехмерных ансамблей частиц оксида железа [181, 182]. Оказывается, характер упаковки наночастиц зависит от формы и морфологии граней частиц и органических молекул, которыми покрыты различные грани.

7.5.3. Сборка под действием сил сдвигового течения

В работе [164] была проведена сборка одномерных наноструктур, структурны­ ми элементами которых являются нанонити, в функциональные сети, сочетая упо­ рядочение в струях с методами нанесения рисунка на поверхность. Нанонити из GaP, InP и Si были суспензированы в растворе этанола. Суспензии нанонитей про­ пускали через струйные канальные структуры, образованные между шаблоном из полидиметилсилоксана и плоской подложкой. Параллельные и поперечные ряды нанопроволок могут быть легко получены с помощью прямого и последующего поперечного пропусканий соответственно. Все эти нанонити выстроены вдоль на­ правления течения на сотни микрометров. Было также обнаружено, что степень упорядочения можно регулировать скоростью потока. Такая самосборка может быть объяснена сдвиговым течением [183,184]. А именно, течение в канале около поверхности подложки напоминает сдвиговое течение и выстраивает нанонити вдоль направления течения, до того как они успевают иммобилизоваться на под­ ложке. Более высокие скорости течения обеспечивают большие силы со стороны сдвигового течения и, следовательно, ведут к лучшему упорядочению. Увеличе­ ние времени осаждения приводит к уменьшению расстояния между собранными

ансамблями нанонитей. Более того, скорость осаждения и, следовательно, зави­ симость среднего расстояния от времени сильно зависит от химической функци­ ональности поверхности.

7.5.4. Сборка в электрическом поле

В работах [185-187] изучено влияние электрического поля на сборку металлическихнаностержней,углеродныхнанотрубокиметаллическихнанонитей.Какпоказановработе [187], неоднородное переменноеэлектрическое поленапряженностью от 1 до 14-104 В/см способно прецизионно выстраивать металлические нанонити диаметром 70-350 нм в коллоидной суспензии (в качестве растворителя выступа­ ет изопропиловый спирт) между двумя изготовленными посредством литографии металлическими штифтами. Выстраивание нанонитей между электродами про­ исходит благодаря силам, которые направляют нанонити в область большей на­ пряженности электрического поля. Металлические нанонити легко поляризуются в переменном электрическом поле благодаря разделению зарядов на поверхности нанонитей. Так как нанонити поляризуются сильнее, чем диэлектрическая среда, на них действует электрофоретическая сила, которая вызывает результирующее движение в направлении увеличения напряженности поля [188]. При приближе­ нии нанонитей к электродам напряженность электрического поля между электро­ дами и кончиками нанонитей увеличивается обратно пропорционально расстоя­ нию, и такая большая близкодействующая сила не только выстраивает, но и соеди­ няет металлические нанонити с электродами. Посредством такого электрофоре­ тического осаждения могут быть сформированы упорядоченные гексагональные монослои из 14-нанометровых наночастиц [189, 190].

7.5.5. Ковалентно-связанная сборка

Другой подход к рациональному конструированию сложных ансамблей нано­ частиц и нанонитей состоит в использовании традиционных органических мето­ дов синтеза для соединения наноструктур ковалентными связями. Разумный вы­ бор функциональности координирующих лигандов позволяет управлять сборкой за счет химической реакционной способности, причем весьма своеобразно. Кова­ лентно-собранные частицы или стержни образуют необратимые и намного более стабильные поперечные связи, однако в них трудно достичь дальнего порядка. Обычно такие ковалентно-связанные ансамбли используются в приборах, в кото­ рых необходим ближний порядок, таких как одноэлектронные туннельные перехо­ ды, наноэлектроды или подложки для наблюдения поверхностно-усиленного ком­ бинационного рассеяния света (SERS). Например, золотые наночастицы, покрытые дитиолами, могут самособираться в трехмерные ансамбли [191]. Закрепление ме­ таллических наночастиц на полимерах с помощью функционализированных ал-

коксисиланов является удобным способом присоединения металлических наноча­ стиц к твердым поверхностям, который используется для формирования золотых и серебряных коллоидных пленок, присоединенных к твердым основаниям [192, 193]. Поверхность подложек также может быть модифицирована органическими молекулами и терминирована специфическими активными группами или лиган­ дами, для того чтобы проводить сборку, избирательную к подложкам [194, 195]. Далее, если на поверхность подложки нанесен рисунок, можно получить самособранную структуру, соответствующую рисунку [196, 197].

7.5.6. Сборка в гравитационном поле

Седиментация в гравитационном поле является еще одним явлением, исполь­ зуемым в самосборке наночастиц [198], а также при выращивании коллоидных кристаллов [199]. Для выращивания высокоупорядоченных коллоидных кристал­ лов необходимо тщательно подобрать ряд параметров, к которым относятся разме­ ры и плотность частиц и скорость седиментации. Процесс седиментации должен быть достаточно медленным, для того чтобы коллоиды, сконцентрировавшиеся на дне контейнера, претерпевали фазовый переход твердых сфер беспорядок-по­ рядок с образованием трехмерно-упорядоченной структуры [200, 201]. Основной недостаток процесса седиментации состоит в сложности управления морфоло­ гией верхнего слоя и количеством слоев. Кроме того, завершение седиментации требует относительно длительного времени.

7.5.7. Темплатная сборка

Идея темплатной (матричной, шаблонной) сборки заключается во введении поверхностного или пространственного ограничения в самосборку. Исследова­ ны различные подходы. Например, поверхностное ограничение, обеспечиваемое жидкими капельками, используется для сборки коллоидных частиц или других микроскопических структурных элементов в сферические объекты [202, 203]. Упорядоченные рельефы на твердых поверхностях использовались для выращи­ вания коллоидных кристаллов [204,205]. Топографические рисунки из монослоев используются для осаждения коллоидных частиц на выбранные области на твер­ дой подложке [206]. С целью применения в самосборке коллоидных кристаллов исследованы также жидкостные струйные ячейки [207, 208].

Другие силы могут также играть важную роль в процессе самосборки. Напри­ мер, в самосборке сферических частиц в плотноупакованные структуры использу­ ется ультразвуковое воздействие. Магнитное поле, подобно электрическому полю, является еще одним типом воздействия, применимым в направленной самосборке магнитных наноструктур. На рис. 7.30 представлены СЭМ-изображения различ­ ных структур, изготовленных темплатной сборкой [209].

7.6.Другие методы изготовления микрообъектов

Вэтом разделе мы вкратце обобщим несколько важных методов изготовления топографических рисунков микронных размеров.

Прямая лазерная запись - это технология, соединяющая лазерное осаждение и перенос изображения с высоким разрешением для изготовления рельефных микро­ структур из широкого спектра материалов [210-213]. Например, лазерное осажде­ ние можно использовать для производства топографических рисунков из затравоч­ ных материалов для неэлектрохимического нанесения покрытий [214]. Полимери­ зация с помощью лазера помогает изготавливать топографические микроструктуры из полимеров [215]. Стереолиторафия, основанная на лазерной обработке, может быть использована для изготовления трехмерных микроструктур [216,217].

Два основных метода осаждения, в которых используются реагенты в газовой фазе, - это пиролитическое (или термохимическое) осаждение и фотолитическое (или фотохимическое) осаждение. В первом случае подложку нагревают для раз­ ложения газов на поверхности [218, 219]. Во втором - молекулы в газовой фазе или молекулы, которые слабо связаны с поверхностью или пленкой, непосред­ ственно диссоциируют на подложке за счет электронных переходов при погло­ щении фотонов [220-222]. Различные химические реакции, идущие в этих двух случаях, имеют свои преимущества и недостатки для процесса записи. Например, пиролитическое осаждение более чувствительно к подложке, но позволяет полу­ чить осажденное покрытие с лучшей микроструктурой и свойствами. Фотолити­ ческое осаждение нечувствительно к подложке и позволяет получить высокую реакционную избирательность, так как химические реакции эффективно возбуж­ даются лазерным излучением.

LIGA-технология (акроним составлен из начальных букв немецких слов

Litographie, Galvanoformung и Abformung - литография, гальваностегия, формов­ ка) является технологией, объединяющей рентгеновскую (или синхротронную) литографию, гальваностегию и формовку для изготовления микроструктур с большими значениями отношения высоты к ширине и сравнительно большими размерами деталей [223, 224]. Хотя для этого метода может быть приспособле­ но стандартное оборудование для экспонирования ультрафиолетом, для структур толще 200 мкм требуются специальная оптика и системы юстировки.

Микрообработка {micromachining) эксимерным лазером - это технология,

основанная на лазерной абляции [225, 226]. Все типы материалов можно подвер­ гать стандартной абляции, включая полимеры, стекла, керамику и металлы. Ми­ нимальный размер деталей, которые можно получить этим методом, ограничива­ ется дифракцией и тепло- и массопереносом.

7.7.Заключение

Вэтой главе обсуждены различные методы изготовления микро- и нанострук­ тур. Хотя литографические методы не отличаются новизной, при непрерывном

усовершенствовании их можно использовать в массовом производстве нанострук­ тур. С помощью стандартных отработанных процедур уже могут быть получены детали размерами менее 100 нм, и ожидается, что их размеры будут продолжать уменьшаться. Ограничение подходов «сверху вниз» состоит в повреждении по­ верхностей изготовленных наноструктур. Такие поверхностные повреждения за­ метно влияют на физические свойства и, следовательно, на функционирование формируемых наноструктур и наноустройств.

СЗМ-наноманипуляции и нанолитография являются сравнительно новыми методами, которые сулят перспективы изготовления наноструктур из атомов и молекул в качестве структурных элементов, однако эти процессы чрезвычайно медленны, что препятствует их использованию в массовом производстве. Боль­ шая часть проделанной к настоящему моменту работы заключается в разработке концепций. Мягкая литография является еще одной сравнительно новой техноло­ гией, которая найдет свое место в изготовлении наноструктур и наноустройств. Нет никакого сомнения в том, что самосборка сыграет решающую роль в изготов­ лении макроразмерных структур и устройств, с использованием молекул, наноча­ стиц и нанонитей в качестве основных структурных элементов. Впереди - необъ­ ятный простор неизведанного.

Литература

1.L.F. Thompson, in Introduction to Microlithography, eds., L.F. Thompson, C.G. Willson, and M J. Bowden, The American Chemical Society, Washington, DC, p. 1, 1983.

2.W.M. Moreau, Semiconductor Lithography: Principles and Materials, Plenum, New York, 1988.

3.K. Suzuki, S. Matsui, and Y. Ochiai, Sub-Half-Micron Lithographyfor ULSIs, Cam­ bridge University Press, Cambridge, 2000.

4.M. Gentili, C. Giovannella, and S. Selci, Nanolithography: A Borderland between STM, EB, IB, andX-Ray Lithographies, Kluwer, Dordrecht, The Netherlands, 1993.

5.D. Brambley, B. Martin, and P.D. Prewett, Adv. Mater: Optics Electron. 4 ,55 (1994).

6. M.V Klein, Optics, Wiley, New York, 1970.

7.D. Qin, Y.N. Xia, J.A. Rogers, R.J. Jackman, X.M. Zhao, and G.M. Whitesides, Top. Curr. Chem. 194, 1 (1998).

8.S. Okazaki, J. Vac. Sci. Technol. B 9,2829 (1991).

9.C.G. Willson, in Introduction to Microlithography, eds. L.F. Thompson, C.G. Willson, and M.J. Bowden, The American Chemical Society, Washington, DC, p. 87, 1983.

10.C.C. Davis, W.A. Atia, A. Gungor, D.L. Mazzoni, S. Pilevar, and I.I. Smolyaninov, Laser Phys. 7, 243 (1997).

11.M.K. Herndon, R.T. Collins, R.E. Hollinsworth, P.R. Larson, and M.B. Johnson,

Appl. Phys. Lett. 74, 141 (1999).

12.T. Ito and S. Okazaki, Nature 406, 1027 (2000).

13.J.E. Bjorkholm, J. Bokor, L. Lichner, R.R. Freeman, J. Gregus, T.E. Jewell, W.M. Mansfield, A.A. MacDowell, E.L. Raab, W.T. Silfvast, L.H. Szeto, D.M. Tennant, W.K. Waskiewicz, D.L. White, D.L. Windt, O.R. Wood II, and J.H. Binning, J. Vac. Sci. Technol. B8, 1509(1990).

14.A. Kumar, N.A. Abbot, E. Kim, H.A. Biebuyck, and G.M. Whitesides, Acc. Chem. Res. 28,219(1995).

15.A. Ulman, An Introduction to Ultrathin Organic Films: From Langmuir-Blodgett to Self-Assembly, Academic Press, San Diego, CA, 1991.

16.J. Huang, D.A. Dahlgren, and J.C. Hemminger, Langmuir 10, 626 (1994).

17.K.C. Chan,T. Kim, J.K. Schoer, and R.M. Crooks, J. Am. Chem. Soc. 117,5875 (1995).

18.M.D. Levnson, N.S. Viswanathan, and R.A. Simpson, IEEE Trans. Electron Devices

19.T. Tananka, S. Uchino, N. Hasegawa, T. Yamanaka, T. Terasawa, and S. Okazaki,

20.J.A. Rogers, K.E. Paul, RJ. Jackman, and G.W. Whitesides, J. Vac. Sci. Technol. B16, 59 (1998).

21.J. Aizenberg, J.A. Rogers, K.E. Paul, and G.M. Whitesides, Appl. Opt. 37,2145 (1998).

22.J. Aizenberg, J.A. Rogers, K.E. Paul, and G.M. Whitesides, Appl. Phys. Lett. 71, 3773 (1997).

23.J.A. Rogers, K.E. Paul, RJ. Jackman, and G.M. Whitesides, Appl. Phys. Lett. 70, 2658 (1997).

24.J.L. Wilbur, E. Kim, Y. Xia, and G.M. Whitesides, Adv. Mater. 7,649 (1995).

25.J.A. Rogers, K.E. Paul, RJ. Jackman, and G.M. Whitesides, J. Vac. Sci. Technol. B16, 59 (1998).

26.G.R. Brewer, Electron-Beam Technology in Microelectronic Fabrication, Academic Press, New York, 1980.

27.W. Chen and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 62, 1499 (1993).

28.H.G. Craighead, R.E. Howard, L.D. Jackel, and P.M. Mankievich, Appl. Phys. Lett. 42,38(1983).

29.S.Y. Chou, Proc. IEEE 85,652 (1997).

30.T.H.P. Chang and W.C. Nixon, J. Sci. Instrum. 44,230 (1967).

31.C. Vieu, F. Carcenac, A. Pepin, Y. Chen, M. Mejias, A. Lebib, L. Manin-Ferlazzo, L. Couraud, and H. Lunois, Appl. Surf. Sci. 164, 111 (2000).

32.S. Yesin, D.G. Hasko, and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 78,2760 (2001).

33.L.F. Thompson and M J. Bowden, in Introduction to Microlithography, eds. L.F. Thompson, C.G. Willson, and M J. Bowden, The American Chemical Society, Washington, DC, p. 15, 1983.

34.D.L. Spears and H.I. Smith, Solid State Technol. 15,21 (1972).

35.G. Simon, A.M. Haghiri-Gosnet, J. Boumeix, D. Decanini, Y. Chen, F. Rousseaux, H. Launios, and B. Vidal, J. Vac. Sci. Technol. B15,2489 (1997).

36.T. Kitayama, K. Itoga,Y. Watanabe, and S. Uzawa, J. Vac. Sci. Technol. B18, 2950

(2000).

37.V.E. Krohn and G.R. Ringo, Appl. Phys. Lett. 27,479 (1975).

38.P.D. Prewett and G.L.R. Mair (eds.), Focused Ion Beams from Liquid Metal Ion Sources, Wiley, New York, 1991.

39.Т.М. Hall, A. Wagner, and L.F. Thompson, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1889 (1979).

40.R.L. Seliger, R.L. Kubena, R.D. Olney, J.W. Ward, and V. Wang, J. Vac. Sci. Tech­ nol. 16, 1610 (1979).

41.L.W. Swanson, G.A. Schwind, andA.E. Bell, J. Appl. Phys. 51, 3453 (1980).

42.E. Miyauchi, H. Arimoto, H. Hashimoto, T. Furuya, and T. Utsumi, Jpn. J. Appl.

Phys. 22, L287 (1983).

43.5. Matsui, Y. Kojima, Y. Ochiai, andT. Honda, J. Vac. Sci. Technol. B9,2622 (1991).

44.S. Matsui and Y. Ochiai, Nanotechnology 7, 247 (1996).

45.A. Wargner, J.R Levin, J.L. Mauer, RG. Blauner, SJ. Kirch, and F. Longo, J. Vac. Sci. B8, 1557 (1990).

46.S. Khizroev, J.A. Bain, and D. Litvinov, Nanotechnology 13, 619 (2002).

47.T. Hoshino, K. Watanabe, R. Kometani, T. Morita, K. Kanda, Y. Haruyama, T. Kaito,

J.Fujita, M. Ishida, Y. Ochiai, and S. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B21,2732, (2003).

48.S. Matsui, T. Kaito, J.-I. Fujita, M. Komuro, K. Kanda, and Y. Haruyama, J. Vac. Sci. Technol. B18, 3181 (2000).

49.G. Timp, R.E. Behringer, D.M. Tennant, J.E. Cunningham, M. Prentiss, and K.K. Berggren, Phys. Rev. Lett. 69, 1636 (1992).

50.JJ. McClelland, R.E. Scholten, E.C. Palm, and R.J. Celotta, Science 262,877 (1993).

51.R.W. MaGowan, D.M. Giltner, and S.A. Lee, Opt. Lett. 20, 2535 (1995).

52.U . Drodofsky, J. Stuhler, B. Brezger, Th. Schulze, M. Drewsen, T. Pfau, and J. Mlynek, Microelectron. Eng. 35, 285 (1997).

53.K.K. Berggren, A. Bard, J.L. Wilbur, J.D. Gillaspy, A.G. Helg, J.J. McClelland, S.L. Rolston, W.D. Phillips, M. Prentiss, and G.M. Whitesides, Science 269,1255 (1995).

54.S. Nowak, T. Pfau, and J. Mlynek, Appl. Phys. B: Lasers Opt. 63, 3 (1996).

55.M. Kreis, F. Lison, D. Haubrich, D. Meschede, S. Nowak, T. Pfau, and J. Mlynek,

Appl. Phys. B: Lasers Opt. 63, 649 (1996).

56.C.S. Adams, M. Sigel, and J. Mlynek, Phys. Rep. 240, 143 (1994).

57.J. Dalibard and C. Cohen-Tannoudji, J. Opt. Soc. Am. B2, 1701 (1985).

58.H. Metcalf and P. van der Straten, Phys. Rep. 244,203 (1994).

59.B. Brezger, Th. Schulze, U. Drodofsky, J. Stuhler, S. Nowak, T. Pfau, and J. Mlynek,

J.Vac. Sci. Technol. B15,2905 (1997).

60.P.K. Hansma and J. Tersoff, J. Appl. Phys. 61, R1 (1987).

61.J.D. Jackson, Classical Electrodynamics, John Wiley and Sons, New York, 1998.

62.A. Zangwill, Physics at Surfaces, Cambridge University Press, Cambridge, 1988.

63.D.A. Bonnell and B.D. Huey, in Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, ed. D. Bonnell, Wiley-VCH, New York, p. 7, 2001.

64.G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, and E. Weibel, Phys. Rev. Lett. 49, 57 (1982).

65.G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, and E. Weibel, Phys. Rev. Lett. 50, 120 (1983).

66.G. Binnig, C.F. Quate, and Ch. Gerber, Phys. Rev. Lett. 56, 930 (1986).

67.J.N. Israelachevili, Intermodular and Surface Forces, Academic Press, San Diego, CA, 1992.

68.H.K. Wickramsinghe, Scientific American, October, p. 98, 1989.

69.E.A. Ash and G. Nichols, Nature 237, 510 (1972).

70.U.Ch. Fischer, J. Vac. Sci. Technol. B3, 386 (1985).

71.A. Lewis, M. Isaacson, A. Murray, and A. Harootunian, Biophys. J. 41,405a (1983).

72.G.A. Massey, Appl. Opt. 23, 658 (1984).

73.J. Massanell, N. Garcia, and A. Zlatkin, Opt. Lett. 21, 12 (1996).

74.S. Davy and M. Spajer, Appl. Phys. Lett. 69, 3306 (1996).

75.1.1. Smolyaninov, D.L. Mazzoni, and C.C. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 3859 (1995).

76.M.K. Herndon, R.T. Collins, R.E. Hollingsworth, R.R. Larson, and M.B. Johnson,

Appl. Phys. Lett. 74, 141 (1999).

77.U. Dtirig, D.W. Pohl, and F. Rohner, J. Appl. Phys. 59, 3318 (1986).

78.P. Hoffmann, B. Dutoit, and R.P. Salathe, Ultramicroscopy 61, 165 (1995).

79.T. Saiki, S. Mononobe, M. Ohtsu, N. Saito, and J. Kusano, Appl. Phys. Lett. 68,2612 (1996).

80.G.A. Valaskovic, M. Holton, and G.H. Morrison, Appl. Opt. 34, 1215 (1995).

81.D.M. Eigler and E.K. Schweizer, Nature 344, 524 (1990).

82.J.A. Stroscio and D.M. Eigler, Science 254, 1319 (1991).

83.T.T. Tsong and G.L. Kellogg, Phys. Rev. B12, 1343 (1975).

84.S.C. Wang and T.T. Tsong, Phys. Rev. B26, 6470 (1982).

85.L.J. Whitman, J.A. Stroscio, R.A. Dragoset, and R.J. Celotta, Science 251, 1206 (1991).

86.New Scientist 129, p. 20 (23 February 1991).

87.P.F. Schewe (ed.), Physics News in 1990, The American Institute of Physics, New York, p. 73 and cover, 1990.

88.R. Gomer, IBMJ. Res. Dev. 30, 428 (1986).

89.1. -W. Lyo and P. Avouris, Science 253, 173 (1991).

90.K.S. Ralls, D.C. Ralph, and R.A. Buhrman, Phys. Rev. B40, 11561 (1989).

91.D.M. Eigler, C.P. Lutz, and W.E. Rudge, Nature 352, 600 (1991).

92.S.W. Hla, L. Bartels, G. Meyer, and K.H. Rieder, Phys. Rev. Lett. 85,2777 (2000).

93.K. Takimoto, H. Kawade, E. Kishi, K. Yano, K. Sakai, K. Hatanaka, K. Eguchi, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 61, 3032 (1992).

94.C. Baur, A. Bugacov, B.E. Koel, A. Madhukar, N. Montoya, T.R. Ramachandran, A.A.G. Requicha, R. Resch, and P. Will, Nanotechnology 9, 360 (1998).

95.M.F. Crommie, C.P. Lutz, and D.M. Eigler, Physica D: Nonlinear Phenomena 83, 98 (1995).

96.M.F. Crommie, C.P. Lutz, D.M. Eigler, and E.J. Heller, SurfRev. Lett. 2,127 (1995).

97.M.F. Crommie, C.P. Lutz, and D.M. Eigler, Science 262, 218 (1993).

98.A.E. Gordon, R.T. Fayfield, D.D. Litfin, and T.K. Higman, J. Vac. Sci. Technol. B13, 2805 (1995).

99.E.E. Ehrichs, S. Yoon, and A.L. de Lozanne, Appl. Phys. Lett. 53, 2287 (1988).

100.F.R.F. Fan and A.J. Bard, J. Electrochem. Soc. 136, 3216 (1989).

101.R.C. Jaklevic and L. Elbe, Phys. Rev. Lett. 60, 120 (1988).

102.J.P. Rabe and S . Buchholz, Appl. Phys. Lett. 58, 702 (1991).

103.P.A. Fontaine, E. Dubois, and D. Stievenard, J. Appl. Phys. 84, 1776 (1998).

104.Y. Okada, S. Amano, M. Kawabe, and J.S. Harris, J. Appl. Phys. 83, 7998 (1998).

105.В. Legrand and D. Stievenard, Appl. Phys. Lett. 74,4049 (1999).

106.K. Wilderm, C. Quate, D. Adderton, R. Bernstein, and V. Elings, Appl. Phys. Lett. 73, 2527 (1998).

107.K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B.J. Vartanian, and J.S. Harris, Appl. Phys. Lett. 68, 34 (1996).

108.J.W. Lyding, T.C. Shen, J.S. Tucher, and G.C. Abeln, Appl. Phys. Lett. 64, 2010 (1994).

109.B.L. Weeks, A. Vollmer, M.E. Welland, and T. Rayment, Nanotechnolgy 13, 38

(2002).

110.C. Wang, C. Bai, X. Li, G. Shang, I. Lee, X. Wang, X. Qiu, and F. Tian, Appl. Phys. Lett. 69, 348 (1996).

111.T.M. Mayer, D.R Adams, and B.M. Marder, J. Vac. Sci. Technol. B14,2438 (1996).

112.X. Hu, D. Sarid, and R von Blanckenhagen, Nanotechnology 10, 209 (1999).

113.T.T. Tsong, Atom-Probe Field Ion Microscopy, Cambridge University Press, Cam­ bridge, 1990.

114.T.T. Tsong, Phys. Rev. B44, 13703 (1991).

115.G. Gomer and L.W. Swanson, J. Chem. Phys. 38, 1613 (1963).

116.E.W. Muller, Phys. Rev. 102, 618 (1956).

117.E.V. Kimenko andA.G. Naumovets, Sov. Phys. Solid State 13, 25 (1971).

118.E.V Kimenko andA.G. Naumovets, Sov. Phys. Solid State 15, 2181 (1973).

119.H.J. Mamin, P.H. Geuthner, and D. Rugar, Phys. Rev. Lett. 65,2418 (1990).

120.J.S. Foster, J.E. Frommer, and P.C. Amett, Nature 331, 324 (1988).

121.R. Emch, J. Nagami, M.M. Dovek, C.A. Lang, and C.F. Quate, J. Microsc. 152, 129 (1988).

122.Y.Z. Li, R. Vazquez, R. Pinter, R.P. Andres, and R. Reifenberger, Appl. Phys. Lett 54, 1424 (1989).

123.H. Bruckl, R. Ranh, H. Vinzelberg, I. Monch, L. Kretz, and G. Reiss, Surf. Intern. Anal. 25,611 (1997).

124.S. Hu, S. Altmeyer, A. Hamidi, B. Spangenberg, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B16, 1983 (1998).

125.S. Hu, S.A. Hamidi, S. Altmeyer, T. Koster, B. Spangenberg, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B16, 2822 (1998).

126.A. Notargiacomo, V. Foglietti, E. Cianci, G. Capellini, M. Adami, P. Faraci, F. Evangelisti, and C. Nicolini, Nanotechnology 10,458 (1999).

127.VF. Dryakhlushin, A.Yu Klimov, V.V. Rogov, VI. Shashkin, L.V. Sukhodoev, D.G. Volgunov, and N.V. Vostokov, Nanotechnology 11, 188 (2000).

128.Y. Xia, J.A. Rogers, K.E. Paul, and G.M. Whitesides, Chem. Rev. 99,1823 (1999).

129.Y. Xia and G.M. Whitesides, Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 37, 550 (1998).

130.Y. Xia and G.M. Whitesides, Annu. Rev. Mate,: Sci. 28, 153 (1998).

131.R. Jackman, R. Wilbur, and G.M. Whitesides, Science 269, 664 (1995).

132.Y. Xia and G.M. Whitesides, Langmuir 13,2059 (1997).

133.T.P. Moffat and H.J. Yang, J. Electrochem. Soc. 142, L220 (1995).

134.Y. Xia, E. Kim, and G.M. Whitesides, J. Electrochem. Soc. 143, 1070 (1996).