книги / Наноструктуры и наноматериалы. Синтез, свойства и применение

дифракции рентгеновских лучей (рентге­ новская дифракция, РД, XRD) 24, 80,

147,171, 175, 180, 386-388, 392,443 дифракция Фраунгофера 332 дифракция Френеля 332

диффузионно-ограниченное доращивание (диффузионно-ограниченный рост; рост, ограниченный диффузией) 55,71, 80, 98, 101,103

диффузионный барьер 55, 75, 78, 83, 84, 91,93,96,101,122, 306

диффузный слой 46,176,252 длина волны де-Бройля 425,434

длина экранирования Дебая-Хюккеля 46 доменные структуры 441 доращивание (последующий рост) 64, 65,

69,70,75,79, 91,93,101, 103,106,122, 135, 205

доставка лекарственных средств 282 455 дуговое испарение 269 дуговой разряд 161, 266-268, 270

жидкометаллический источник ионов (LM-source) 338

жидкостная хроматография 266

закон Брэгга 387 закон Мура 15 закон Порода 390

закрепленные полимеры 56, 57, 59 замена генов 455 замена растворителя 287

заполнение матриц 181, 183, 185 заполнение растворами 184 затравочная нуклеация 86 затухающие (эванесцентные) волны 348 зеркальное рассеяние 431 золь 101,177, 179, 183, 184, 253, 285

золь-гель-метод 99-101, 285, 280,283, 290, 303, 304, 470

золь-гель пленки 253, 257, 472 золь-гель-процесс 107, 119, 179, 183, 184,

239, 253, 276, 283,285, 286, 304, 306, 308,312,468,470,471

золь-гель-технология 65, 178, 257,473,474 зона дальнего поля (дальняя зона) 349, 350

иерархически структурированные мезопористые материалы 282

изотерма адсорбции 400,443,482 иммерсионные силы 370 иммобилизация ферментов 241 импринт-штамп 365 импульсное элекгроосаждение 170 индексы Миллера 33

инженерия запрещенной зоны 120,237, 458

инструментарий молекулярной электро­ ники 455

интеркаляционные соединения 306-308 интеркаляционный метод 273 интеркаляция 309,312 инфракрасная (ИК) спектроскопия 405

инфракрасная фурье-спектроскопия (Fou­ rier Transform Infrared Spectroscopy, FTIR) 406

инфракрасные фотодетекторы на кванто­ вых ямах 460

ионная имплантация 309, 341 ионная спектроскопия 386,408 ионно-лучевая литография 191

ионно-селективные полевые транзисторы

(ISFET) 453

ионный обмен 308 ионы, определяющие заряд (коионы) 44,

45, 50, 176 ионное покрытие 219

испарение 36, 116, 132, 140, 148, 160, 203, 213,255,268,412

испарение в дуговом разряде 215, 268 испарительное осаждение 213, 219, 220 истирание 308 источники электронов на основе полевой

эмиссии (полевые эмиттеры) 464

кантилевер 463,464 капиллярная конденсация 401 капиллярное микролитье 362

капиллярные силы (силы, обусловленные капиллярными взаимодействиями) 183, 239, 240, 285, 287, 288, 313, 347, 362, 368-370, 387,476

каталитический рост углеродных нанотру­ бок 271

катионные ПАВ 275 катод 79, 168, 268-303, 176,178, 179, 218,

252, 308,470 катодное осаждение (электрохимическое

осаждение, электролитическое осаж­ дение, электроосаждение) 13, 132,165, 168-170,251,252,269,355

катодно-лучевая трубка 393,465 катодолюминесценция 404 квантоворазмерный эффект 427,428 квантовые резисторы 274 квантовые точки 13, 14,63, 64, 67, 106,

112, 114, 119, 386,429,460,462 квантовые ямы 217,459,460,462 квантовый конфайнмент 460 кинетически-ограниченный рост 114 кластеры Аи55 454 кнудсеновская диффузия 228 ковалентно-связанная сборка 373

коионы (ионы, определяющие заряд) 44, 45, 50, 176

колебательная спектроскопия 402 коллоидные дисперсии 14, 54,65, 75, 97,

177, 385 коллоидные дисперсии металлов 75, 91

коллоиды диоксида кремния 98 компоненты наращиваемого вещества

(ростовые компоненты) 55,64,68-72, 74, 75, 83, 85, 91,93, 101,105,120, 122,204-207, 213,217-219,224,246

конвекция 212 константа Гамакера 48

контактная печать (печать в контактной моде) (contactprinting, ink contactprint­ ing, inking) 329

контактная фотолитография (фотолитогра­ фия в контактной моде) 331, 334

контактный угол 111,112 коэрцитивная сила 91,313

коэффициент аккомодации 135-137,140, 141, 149, 151

коэффициент поверхностной диффузии 136

кремниевые колонны (столбики) 481 кремнийорганические производные 241 критическая концентрация мицеллообра-

зования (ККМ) 275-277 критическая толщина покрытия 256 критическая точка растворителя 287 критический размер ядер 204 критический энергетический барьер 68,

111

ксерогель 274,283,285

кулоновская блокада 430,435,437,454 кулоновская лестница 435-437 кулоновское заряжение 435 кэппинг-материал (полимерная «шуба»,

полимерный стабилизатор) 75,76,78, 79, 85,91,115,117,120,

лавинные фотодиоды 460 лазерная абляция 157,160,215,268,376 лазерное осаждение 346

лазерно-стимулированное химическое осаждение из газовой фазы (LECVD)

225

лазеры 17,270, 332,459,462,480 лазеры на квантовых точках 461 лазеры на квантовых ямах 459 ламинарное течение 212 ленгмюровские пленки 247,248 линия Стокса (стоксова линия) 406

литий-ионные аккумуляторы 309, 312,469 литография 14, 63, 132, 191, 327, 328,454 литография глубокого ультрафиолета

(ТУФ, DUV) 332

литография жесткого ультрафиолета (EUV)

332 литография на нейтральных атомных пуч­

ках 341 литография с использованием сфоку­

сированного ионного пучка (FIB-

литография) 327,338 литье 362

литье с переносом микрорисунка 362 логические элементы 454 локальное окисление и пассивация 355

локальное химическое осаждение из газо­ вой фазы 355

люминесценция 119,188,404,427,462

магнетронное распыление 219,470 магнитно-силовая микроскопия 398 макропористый 274,311,312, 314 малоугловое рентгеновское рассеяние

(МРР, SAXS) 24,389-391

масс-спектрометрия вторичных ионов (МСВИ, SIMS) 409

матрица (темплат) 114,131,132,257 матрицы на основе ДНК (ДНК-матрицы)

188,189 матричная (темплатная, шаблонная) сбор­

ка 328, 374

матричное (темплатное) электроосаждение 13,64, 175, 470, 471,477

матричное электрофоретическое осажде­ ние 179

матричный (темплатный) синтез 23, 114, 119, 132, 164, 169, 170, 470, 473 мезопористые материалы 17, 22, 23, 165,

257, 264, 274, 276, 278, 280, 282, 283, 390, 474

мезопористый 17, 185, 271, 280-284, 311, 452, 467, 468

межмолекулярная проводимость 439 межплоскостное расстояние 387 мембрана из анодного оксида алюминия

165 мембранный метод 300

металлические наночастицы 75, 79, 85, 91, 93, 107, 110, 114, 371-373, 410-413, 421, 422, 424, 428, 429, 435, 436,452, 455, 456, 483

метод вертикального лифта (вертикальное нанесение) 248

метод голографической литографии 481 метод зонда Кельвина 399 метод извлечения 247 методика Фарадея 315

метод испарения-конденсации (процесс испарения-конденсации, процесс «пар -кристалл» (ПК)) 132-134, 140,142144, 148,158-160

метод круговой амплификации (RCA) 189

метод матричного электроосаждения золя 181, 182

метод матричного электрохимического осаждения 175

метод послойного складывания 481 метод растворения-конденсации 132, 133,

148 метод химической газовой инфильтрации

309 метод Шефера 250

метод Штебера 299 метод FIB-CVD 341

механизм каталитического роста 272 механическая прочность 288,410,415,

418,419,465 механические свойства 24,42, 257, 308,

415,418,419,443 микроконтактная печать 361

микрообработка эксимерным лазером 376 микропористые материалы 274, 288 микроскопия динамических сил 399 микроскопия модуля упругости 399 микроскопия электростатических сил

398, 399 микроэлектромеханические системы 439 микроэмульсионный метод 64, 114, 115 микроэмульсия 114, 115, 143 минерализующий агент 289 мицелообразование 247, 275-277

мицеллы 12, 64, 114-116, 247, 274-278, 280 мицеллярный синтез 64, 114, 115 мишень постоянного тока 218 многостенные углеродные нанотрубки

267,310 модель Гиббса 411

модель обмена зарядом 357 модель потенциала сил изображения 357 модель Томпсона 431 модуль Юнга 257, 419 молекула С60 267

молекулярная электроника 24,453,454 молекулярная эпитаксия (молекулярное

наслаивание, осаждение атомных сло­ ев, атомная эпитаксия, наращивание атомных слоев, химическое осаждение атомных слоев из газовой фазы) (ALD)

13, 14,23,203,231-237,258, 312 молекулярное течение 211 молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ,

МВБ) 14, 64, 112,237, 258, 460,

молекулярные метки 457 молекулярный человечек 19,21 молярный коэффициент экстинкции 425

монодисперсные наночастицы 65, 70, 75, 93,101

мономолекулярная электроника 456 мономолекулярные транзисторы 454 монослои 13, 15,22,23, 91,182,203, 216,

230, 236,239, 241,243-248,297, 332, 360-362,374,438,453,454

монослои жирных кислот 438 монослойный рост 72 мультипольное приближение 422 мягкая литография 328,360 мягкие органические эластомеры 334

накопление примесей 30, 31

нанесение пленок 215, 218, 277,279 нанесение погружением (окунанием) 253,

277, 279 нанесение покрытия 254, 297, 314, 376

нанесение центрифугированием 253-255 нанобиотехнология 456 наноботы 16, 24, 455,456 нановолокна 132, 191 нановискеры 131, 132

нанозернистые материалы 308, 309 наноимпринт (наноимпринт-литография,

нанопечатная литография, тиснение) 63, 328, 364-367, 454

нанокабели 131, 471, 472 нанокабели «жила в оболочке» 471 нанокольца 143

нанокомпозиты 63, 89, 90, 166, 191, 192, 308-311,473,465-477

нанокомпьютер 454 нанокристаллы 17, 24, 88, 90, 93, 94, 96,

98, 120-122, 146, 281, 368, 456, 457 нанокристаллы InP 93, 95, 427 наноламинат 236 наноленты 141-143

нанолитография 18,23, 327, 328, 343, 348, 355, 367

наноманипуляции 23, 327, 328, 343, 348, 350, 352, 355

наномедицина 16,452,455 наномеханические сенсорные устройства

463 нанонити 13,18, 23,131-134,139-194,239,

251, 264, 271, 309, 328, 343, 367, 372, 373, 386, 396,413,414,417,425-429, 431,432,434

нанонити из аморфного кварца 161 нанонити III-V соединений 153 нанонити Ag 145

нанонити ВаТЮ3 146, 147 нанонити GaAs 153, 156,162-164 нанонити GaN 161, 162,432 нанонити GaP 153, 155-157, 372

нанонити Ge 152, 153, 155-157,160,161, 185

нанонити G e02161

нанонити InP 153, 157,162, 372,429 нанонити Si 152,153, 161, 372,429,434 нанонитиТЮ, 179

нанонити ZnO 143, 144,160,187

нанопинцеты 348,462 нанороботы 12, 16, 455 наносенсоры 348, 462,464

наностержни 132, 133, 139-141, 144,151, 173, 186, 271,368,414

наностержни ТЮ2 179,183 нанотрубки 12, 17, 23, 131-133, 148, 165,

170-172, 181-185, 187-189, 191, 311, 471,455

наноструктуры «ядро в оболочке» CdSe/ CdS 121, 122

наноструктуры «ядро в оболочке» CdSe/ ZnS 120

нанотехнология 11-14, 16-19, 22, 385, 386, 396, 455, 456,466

нанохирургия 455 наночастицы 13, 17, 22, 24, 31, 34, 35, 42,

43, 48, 55, 63-65, 67, 70, 71, 73, 74, 80, 82, 103, 105, 106, 110, 112, 114, 118, 122, 147, 176-179, 185, 191, 239, 246, 253, 264, 280, 297, 328, 354,367, 369, 372-374, 385, 387,389,424,425,435, 441,443,454,470,476,479

наночастицы золота (наночастицы Au/Auнаночастицы) 13,16, 76-78, 80, 81, 107, 191, 315, 353, 373,385,421,422,425, 428,437,454

наночастицы металлических сплавов 86, 115

наночастицы «ядро в оболочке» 33,119 наночастицы Ag 79, 83, 85-87, 106-110,

113,188, 297-301

наночастицы CdS 92,96, 117,414,415 наночастицы CdSe 114, 116, 118-120, 122 наночастицы Си 107, 108

наночастицы CdxZn, xSe 107 наночастицы Fe30 4 118 наночастицы GaAs 96, 106, 112, 114 наночастицы GaInP2 96 наночастицы GaN 98

наночастицы InP 93, 986, 388 наночастицы PbS 96 наночастицы Pd 78, 80, 114

наночастицы Pt 83, 85, 86,114,145,146 наночастицы Rh 78

наночастицы Y20 3 118 наночастицы Y20 3:Eu 103 наночастицы ZnO 105,179 наночастицы ZnS 118,119

наночастицы Zr02 118 наночастицы a-Fe20 3103,105 наночастицы p-FeO(OH) 105 наноэлекгроника 453,454 напыление 17

наращивание атомных слоев (атомная эпи­ таксия, осаждение атомных слоев, хи­ мическое осаждение атомных слоев из газовой фазы, молекулярная эпитаксия, молекулярное наслаивание) (ALD) 13,

14, 23,203,231-237, 258,312 неадсорбирующийся полимер 56 негомогенные напряжения 387 неионные ПАВ 143, 275 неоксидные полупроводниковые наноча­

стицы 91 неупругое рассеяние 431-433

обработка керамики 36 обратимая спонтанная поляризация 493

обратное рассеяние электронов 335 объем пор 274, 283, 288, 291, 400, 401,

474 огрубление поверхности (поверхностное

огрубление) 33, 34 однородное упругое напряжение 387

одностенные углеродные нанотрубки 267270,436, 454,455,465,466

одноэлектронные транзисторы (SETs) 435,

437,454 оже-рекомбинация 460

оже-электронная спектроскопия (ОЭС, AES) 216,406,408,409

оже-электроны 393, 407,408 окисление окиси углерода 457 окисление углеводов 457

оксид индия-олова (ITO) 280, 282 оксидные наночастицы 75, 98,101, 103,

114, 118, 301 олигонуклеотиды 456,457 оперативная память 454 оптическая спектроскопия 402 оптические метки 456 оптический компьютер 480

оптическое поглощение 94, 402-405,411, 421,424,427

органические аэрогели 288 органически модифицированная керамика

(Ormocers) 303

органически модифицированные силикаты

(Ormosils) 303

органометаллическая эпитаксия из газовой фазы (химическое осаждение из паров металлоорганических соединений)

225-227 органо-неорганические гибридные цеоли­

ты 296 органо-неорганические гибриды (гибрид­

ные органо-неорганические материа­ лы) 99-101, 174, 246, 253, 257,286, 303306, 309

органо-неорганические композиты 309 ориентированные углеродные нанотрубки

270,271 осаждение без электрического тока 170

осаждение из газовой фазы 88,119,185, 203,297

осаждение атомных слоев (атомная эпи­ таксия, наращивание атомных слоев, химическое осаждение атомных слоев из газовой фазы, молекулярная эпитак­ сия, молекулярное наслаивание) (ALD)

13, 14,23, 203,231-237,258,312 осаждение нейтральных атомных пучков с

использованием световых сил 343 осаждение посредством центрифугирова­

ния 185 осаждение чередующихся слоев 236

осмотический поток 53 осмотический эффект 60

оствальдовское созревание (созревание Оствальда) 22, 35-37,41-43, 78, 91, 93, 98, 103, 122, 145

острия для полевой электронной эмиссии 274

островково-послойный рост 112, 204-206 отравление примесями 134, 144, 148 отрицательное дифференциальное сопро­

тивление 454 ОЦК 372 очистка 273

ПАВ (поверхностно-активные вещества) 22,31, 97,103, 114,116, 143,145,239, 241,242,244,246,257,274-281,369

ПАВ-матрицирование 23 параллельные процессы 350,351 парамагнетик 441,442

ПДМС (полидиметилсилоксан) 191, 361364, 372

первый (основной) минимум 51 перестройка (реконструкция) поверхности

20, 30-32, 345, 378 пересыщение 64-69, 82, 91, 93, 102,103,

106,110, 120, 122,133-135,140, 150, 152, 161, 163,204,416

переход металл-полупроводник 434 переходное течение 212 переход огрубления 33, 34, 59

переход порядок-беспорядок 250 переход сегнетоэлектрик-параэлектрик

413, 440 перпендикулярные процессы 350, 352

перьевая нанолитография 367, 368 печать в контактной моде (контактная

печать) (contactprinting, ink contact printing, inking) 329

печать с зазором (бесконтактная печать, бесконтактная литография, proximity printing) 329, 331

пиролиз 13, 65, 91, 97, 185, 190, 213, 220, 227, 268, 288

пиролиз аэрозолей (спрей-пиролиз) 64, 114, 118, 119

пиролитический рост 273 пиролитическое (термохимическое) осаж­

дение 376 плазма в режиме электронного циклотрон­

ного резонанса 226 плазменное травление 219

плазмохимическое осаждения из газовой (паровой) фазы (химическое осажде­ ние из газовой фазы, стимулированное плазмой, ПХГФО, PECVD) 219, 225,

226, 268 плазменные колебания 424,483

плазменные волноводы 480-483 пленка ZnS 231 -233

пленки Ленгмюра-Блоджетт (пленки ЛБ) 22, 241,247,248, 332, 352

пленки ТЮ2468,469 плоские поверхности 139

плоский приборный дисплей 465 плоскость Гельмгольца 46 плоскость скольжения 176, 177

плотность молекулярного потока осаждае­ мого вещества 210

плохой растворитель 55, 58-60 ПММА (полиметилметакрилат) 107-109,

304.312.359 поверхности с уступами 139

поверхностная диффузия 36, 134, 136, 207, 217.359

поверхностная диффузия в градиентном поле 358

поверхностная плотность атомов 28, 137 поверхностная плотность заряда 43,44, 50,

51, 176 поверхностная релаксация 29-31, 165,217

поверхностная энергия 22,26-37,43,60, 61,66-68, 110,111,137, 140, 151, 152, 155,206, 308,400,410,414,441

поверхностно-активные вещества (ПАВ) 22,31,97,103,114,116,143, 145,239, 241,242,244,246,257,274-281, 369

поверхностное огрубление (огрубление поверхности) 33,34

поверхностное рассеяние (рассеяние на поверхности) 18,410,424,430-433,443

поверхностно-усиленное комбинационное рассеяние света (SERS) 373

поверхностный плазменный (плазменный) резонанс 410,420-422, 425,482

поверхностный потенциал 4, 359 поверхность роста (ростовая поверхность)

72, 134, 135, 137, 141, 145, 219, 152, 178, 204, 207, 215, 223-225, 272

подходы «сверху вниз» 14, 18, 19, 63, 116, 132, 327, 377

подходы «снизу вверх» 12,14, 18, 19, 63, 116, 132, 327,416

полевая диффузия 351

полевая ионная микроскопия, (ПИМ, FIM)

356 полевая эмиссия 17, 274, 336, 356, 358,

359,464-466 полевое испарение 351, 352,356,358

полевой эмиссионный микроскоп 154,156, 171

полевые транзисторы (FET) 15,188,453,

455 полевые эмиттеры (источники электронов

на основе полевой эмиссии) 464 поливинилацетат (ПВА) 76,78 поливинилбензохлорид (PVBC) 301 поливиниловый спирт (ПВС) 84

поливинилпирролидон (ПВП) 76, 84, 85, 145, 190

полигетероциклические волокна 439 полидивинилбензол (PDVB) 301 полидиметилсилоксан (ПДМС) 191, 361-

364, 372 поликарбонатные мембраны 165

полимерная «шуба» (полимерный стаби­ лизатор, кэппинг-материал) 75, 76, 78, 79, 85,91, 115, 117, 120

полимерные коллоиды 116, 117 полимерные нановолокна 131, 185, 189,

410, 438 полимерные нанотрубки 172, 185

полимерные наночастицы 114, 116, 117 полимерные слои 55, 57-60, 302, 303 полимерные трековые мембраны 165 полиметилметакрилат (ПММА) 107-109,

304,312,359 полислойный рост 72 полупроводники AIIBVI460 полупроводники AIIIBV 459

полупроводниковые наночастицы 65, 91, 94, 116,410,427, 436

полупроводниковый диод с /7-и-переходом 460

полые металлические нанотрубки 170 пористое стекло 165 пористые твердые вещества 274 пористый кремний 165

пористый нанокристаллический ТЮ2 468 порошковая металлургия 36, 420 последующая полимеризация 301 последующий рост (доращивание) 64, 65,

69, 70, 75, 79, 91, 93, 101, 103, 106, 122, 135, 205

послойная самосборка 314 послойный рост 204, 205, 293

построение Вульфа (диаграмма Вульфа) 34, 35, 140

потенциальный барьер отталкивания 51, 52

правило Маттиссена 430 предел текучести 418, 419

прекращение роста (принудительное пре­ кращение роста, терминация роста) 117, 118

промежуточное течение 211, 241 просвечивающая электронная микроско­

пия (ПЭМ, ТЕМ) 17, 24, 89, 90, 154,

175, 186, 238, 282, 343, 386, 395, 396 пространственно-ограниченный синтез

114 противоионы 45-47, 50-54, 176-178

протонная проводимость 433, 434 протонный растворитель 55 процесс испарения-конденсации (метод

испарения-конденсации, процесс пар - кристалл (ПК)) 132-134, 140, 142-144, 148, 158-160

процесс, лимитируемый адсорбцией 135 процесс, лимитируемый ростом поверх­

ности 135 процесс скольжения 351

прямая лазерная запись 376 прямое рассеяние электронов 335 ПЭО 191,192 пятиугольники 265, 273 пятиугольные грани 265

равновесное давление паров 38, 39, 135, 149, 151, 152, 158,213,401

равновесный кристалл 34,140 размерно-селективное осаждение 91-94,

123 размол 63, 308, 309,475

рамановская спектроскопия (спектроско­ пия комбинационного рассеяния света) 406

рамановское рассеяние 441 распознавание молекул 453,456 распыление на постоянном токе (распыли­

тельное осаждение с использованием постоянного тока) 217

распыление на радиочастотах (распыли­ тельное осаждение с использованием электромагнитного поля высокой ча­ стоты, высокочастотное распыление) 217,218, 470

распылительное осаждение 217, 219 распылительное осаждение с использова­

нием электромагнитного поля высокой частоты (распыление на радиочастотах, высокочастотное распыление) 217, 218, 470

распылительное травление 409 рассеяние видимого света 392 рассеяние на границах зерен 430, 432-434

рассеяние на дефектах 430 рассеяние на поверхности (поверхностное

рассеяние) 18,410,430,433,443 рассеяние Стокса 406 рассеяние электронов 335,424,430-433

рассогласование параметров решеток 206, 208

расходуемые матрицы 186 реактивная твердофазная эпитаксия 238

реактивное ионное травление (RIE) 219,

339 реактивное распыление 219

реакции гидролиза и конденсации 99,101, 179,241, 278,280, 285, 303-306

реакции, направляемая матрицей 186 регенерация тканей 455 регулируемое выделение ионов 65, 101,

103 режим ближнего поля 350

режим затухающей волны 350 режим постоянного напряжения 346 режим постоянного тока 345,346

резерфордовское обратное рассеяние (POP,

RBS) 408

резист (фоторезист) 191, 329 реконструкция (перестройка) поверхности

20, 30-32, 345, 378

реконструкция 7 x 7 поверхности Si (111) 398

рекристаллизация под действием напряже­ ния 164

релятивистский эффект 458 рентгеновская дифракция, РД (дифракция

рентгеновских лучей, XRD) 24, 80, 147,

171, 175, 180, 443,386-388, 392 рентгеновская литография 191, 336-339,

376 рентгеновская флуоресценция 404, 408

рентгеновская фотоэлектронная спек­ троскопия (РФЭС, электронная спек­ троскопия для химического анализа, ЭСХА, XPS) 120, 215-216, 407, 408

энерго-дисперсионная рентгеновская спектроскопия (Energy-dispersive X-ray Analysis, EDAX и EDX, Energy-disper­ sive Spectroscopy, EDS) 157, 396,406,

409,410

рентгеноструктурный анализ (PCA) 386 рентгенофазовый анализ (РФА) 386

репликационное литье 362 рост в ограниченном пространстве 64

рост в режиме Странски-Крастанова (островково-послойный) 112,204-206, 462

рост в режиме Фольмера-Вебера (остров­ ковый)! 12, 204,205

рост в режиме Франка-Ван-дер-Мерве (послойный) 112, 204-206

рост в результате испарения (растворения)-конденсации 133,140, 144

рост, вызваемый винтовой дислокацией 140

рост, вызываемый дефектами 140 рост, ингибируемый примесями 140 рост «на кончике» 141,272,273 рост, ограниченный диффузией

(диффузионно-ограниченное доращи­ вание, диффузионно-ограниченный рост) 55,71,80, 98, 101,103

рост, ограниченный поверхностными про­ цессами 71, 72, 110

рост островково-послойный (в режиме Странски-Крастанова) 112, 204-206, 462

рост островковый (в режиме ФольмераВебера) 112, 204, 205

рост «от основания» 272, 273 рост по механизму «пар-жидкость-

кристалл» (ПЖК, VLS, «газ-жидкость-

кристалл») 13, 23, 148-150, 162 рост по механизму «раствор-жидкость-

кристалл» (РЖК, SLS) 162

рост послойный (в режиме Франка-Ван- дер-Мерве) 112, 204-206

рост по спирали 138 ростовая поверхность (поверхность роста)

72, 134, 135, 137, 141, 145, 219, 152, 178, 204, 207, 215, 223-225, 272

ростовые компоненты (компоненты нара­ щиваемого вещества) 64, 144-152, 158, 162, 165,205,207, 225,246

рэлеевская линия 406 рэлеевская нестабильность 414 рэлеевское рассеяние 406

самая высокая занятая молекулярная орби­ таль (HOMO) 403

самая низкая незанятая молекулярная ор­ биталь (LUMO) 403

самоограничивающая природа роста 231 самоочищение 122,410 самоограниченный рост 236 самопроизвольный рост 13, 23, 123, 133 самосборка 239-244, 246, 250, 276, 278,

288, 297, 298, 303, 314, 362, 367-370, 362, 374, 386

самосборка в результате испарения 276, 306

самосборки монодисперсных сферических коллоидных частиц 481

самособирающаяся мультислойная струк­ тура 244

самособирающиеся (самособранные) мо­ нослои (SAM) 239, 240, 243, 244, 246

сборка в гравитационном поле 374 сборка в электрическом поле 373 сборка под действием сил сдвигового те­

чения 372

светодиоды (LED) 460,480 сверхкритическая сушка 285, 287, 288 сверхрешетка 236, 237,477 сверхрешетки, структурными элементами

которых являются наночастицы 372 световые силы 341-343 связи тиол-золото 457 сдвиговое течение 372 сегнетоэластики 441

сегнетоэлектрики (ферроэлектрики) 439442

сегрегация состава 30, 32 сегрегация (разделение) фаз (фазовая се­

грегация)^ 63, 106 седиментация 374

селективное фазовое травление стекла 283

сенсибилизированные красителями сол­ нечные элементы 467

сенсоры 257,314,452-455,466 сенсоры, использующие кантилеверы

ACM 463

сечение экстинкции 424 СЗМ-нанолитография 355 сила Кулона 45

сила притяжения Ван-дер-Ваальса 30,43, 47,48, 54,257,303, 306, 346, 347,398

силы изображения 357

силы, обусловленные капиллярными взаи­ модействиями (капиллярные силы) 183, 239,240, 285, 287, 288, 313, 347, 362, 368-370, 387, 476

силы сдвигового течения 368, 372 силы энтропийного характера 45, 368 сине-зеленые лазеры 460 сине-зеленые светодиоды 460

сканирующая ближнепольная оптическая микроскопия (СБОМ, scanning near­ field optical microscopy, SNOM или near­ field scanning optical microscopy, NSOM,

сканирующая оптическая микроскопия ближнего поля) 343, 348, 399, 400

сканирующая емкостная микроскопия 399 сканирующая зондовая микроскопия

(СЗМ, SPM) 17, 24, 274, 343, 348, 398, 396, 462

сканирующая тепловая микроскопия 399 сканирующая туннельная микроскопия (СТМ, STM) 17, 21,23, 191, 343-346,

355, 386, 396-398 сканирующая электронная микроскопия

(СЭМ, SEAL) 24, 343, 386,393 сканирующий акустический микроскоп

348 сканирующий емкостной микроскоп 348

скорость нуклеации 68, 69 слой Гуи 46,47 слой Штерна 46,47, 176

случайные флуктуации уровня легирова­ ния 21

созревание Оствальда (оствальдовское со­ зревание) 22, 35-37,41-43, 78, 91,93, 98,103, 122,145

солнечные элементы 466-469 сольвотермический процесс 145, 188 соотношение Вульфа 411 соотношение Гиббса-Томпсона 40 соотношение де-Бройля 395

спекание 35-37,42,43, 63, 260,286,308, 309

спектральные фильтры высокого разреше­ ния 480

спектроскопия комбинационного рассея­ ния света (римановская спектроскопия) 406

спектроскопия поглощения и испускания 402

спектроскопия резерфордовского обратно­ го рассеяния (POP, RBS) 408

спектроскопия характеристических энер­ гетических потерь электронов (EELS) 396

спиральные наноструктуры 143 спонтанная поляризация 439, 440 спонтанное намагничивание 442 спрей-пиролиз (пиролиз аэрозолей) 64,

114, 118, 119 средняя диффузионная длина 136

средняя длина свободного пробега 209211,216, 223,435

средняя длина свободного пробега элек­ трона 424,425,430-435

средства доставки лекарственных препа­ ратов 283

стабилизированные тиолом золотые нано­ частицы 458

статическая МСВИ 409 статический режим 463 стеклование 171

степпер (установка пошагового экспони­ рования) 365

стерическая стабилизация 43, 54-56, 59, 60 стерическая эксклюзия 50 стоксова линия (линия Стокса) 406

структура «ядро в оболочке» 23, 86, 8891, 98, 119-122, 191, 240,241, 246, 297, 300, 301

струкгуронаправляющий агент 289, 293296

структуры оксид-полимер 297,301 структуры сверхрешетки InGa03(Zn)3 237 структуры «ядро в оболочке» состава золо­

то - оксид кремния 298,299 структуры «ядро в оболочке» типа металл

- полимер 297, 300 ступенчатые поверхности 139 ступенчатый рост 137

ступеньки 106,112,206, 352, 354,416, 436 суперконденсатор 314 суперпарамагнетизм 24,440-443 суперпарамагнетик 442 сусцептор 225

сфокусированный ионный пучок (СИП,

FIB) 338

сшивающие агенты на основе силанов 298 СЭМ-изображение (микрофотография) 20

твердость 418,419 тетрагидрофуран (ТГФ, THF) 96,245 температура Кюри 413,440,441 температура огрубления 34,67

температура стеклования 32, 36,106,108, 365

темплат (матрица) 114,131,132, 257 темплатная (матричная, шаблонная) сбор­

ка 328, 374 темплатное осаждение 64

темплатное (матричное) электроосаждение 470,471,477

темплатный (матричный) синтез 23,114, 119,132,164,169,170,470,473

теневая печать 329 теорема Эйлера 265

теория БКФ (Бертона, Кабрера, Франка) 138

теория Гамакера 371 теория ДЛФО (Дерягина, Ландау, Фервея,

Овербека) 50, 51,54 теория испарения-конденсации 148

теория КСФ (Косселя, Странского, Фольмера) 137

теория Ми 424, 425 теория ступенчатого роста 137

теория Фукса-Зондхаймера 432 теории цепей периодических связей (ЦПС)

137, 139 тепловой режим 463,464

терминация роста (прекращение роста, принудительное прекращение роста) 117,118

термопластичный полимер 364 термохимическое (пиролитическое) осаж­

дение 376 термоэлектрики 24,476 тета-состояние 55

тета-температура Флори-Хаггинса 55 тетраэдры ТЮ4289 технология Ленгмюра-Блоджетт (техноло­

гия ЛБ) 247 наноимпринт (наноимпринт-литография,

нанопечатная литография, тиснение) 63, 328, 364-367, 454

титанат бария 179,413 титанат свинца 413 толщина покрытия

точка нулевого заряда (т.н.з.) 44