- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
8.15Характеристики фотоприемников
Фотоприемники являются приборами, реагирующими на поток излучения и эта реакция описывается рядом характеристик:
1.Вольт-амперная характеристика отражает зависимость тока, проходящего в цепи фотоприемника, от напряжения на нем, т. е. , - общий ток.
2.Спектральная характеристика - определяет реакцию фотоприемника на воздействие излучения с различной длиной волны. Она определяет спектральную область применения приемника, а также его спектральную и интегральную чувствительность.
3.Энергетическая (световая) характеристика отражает зависимость фотоответа от интенсивности возбуждающего потока излучения. Эта характеристика может иметь конкретный вид как ампер-ватная, вольт-ватная, люкс-амперная характеристики.
Энергетической характеристикой называют также зависимость интегральной и спектральной чувствительности приемника от интенсивности засветки.
4.Температурные характеристики определяют зависимость таких параметров фотоприемника, как темновой ток, темновое сопротивление, чувствительность от температуры окружающей среды. Рабочая область температур регламентируется соответствующими техническими условиями эксплуатации, где оговариваются значения основных параметров в крайних точках рабочих температур при номинальном напряжении питания фотоприемника.
Температурный коэффициент фототока определяется соотношением:
%
где I1 и I2 - световой ток при температуре Т1 и Т2 соответственно.
5.Пороговые характеристики описывают способность фотоприемника реагировать на световые сигналы слабой интенсивности. Пороговые характеристики в значительной степени определяются собственными шумами прибора, которые представляют флуктуации тока в отсутствие засветки.
Шумы могут иметь следующие природы:
- тепловой или белый шум проявляется в виде беспорядочных колебаний на выводах фотоприемника;
- генерационно-рекомбинационный (дробовый) шум определяется флуктуацией концентрации и времени жизни носителей заряда.
- радиационный шум обусловлен случайными флуктуациями потока излучения.
6.Частотные характеристики определяют зависимость фоточув-ствительности от частоты модуляции света. Они являются характеристикой инерционности фотоприемника.
Фотоприемники характеризуются следующими параметрами:
1. Рабочее напряжение фотоприемника Up- постоянное напряжение, приложенное к фотоприемнику, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной работе.
2. Максимально допустимое напряжение Umax -максимальное значение постоянного напряжения, при котором отключение параметров прибора от номинальных значений не превышает установленных пределов.
3. Мощность рассеивания, выделяемая при прохождении фототока, определяющий разогрев фотоприемника. Каждый фотоприемник характеризуется определенным значением максимальной мощности рассеивания, которое не должно превышаться.
4. Тепловое сопротивление RT -сопротивление фотоприемника в отсутствие падающего на него излучения.
5. Дифференциальное сопротивление RД - отношение малых приращений напряжения и тока на фотоприемнике.
6. Темновой ток фотоприемника IT - ток, проходящий через фотоприемник при указанном напряжении питания на нем в отсутствии падающего на него излучения.
7. Коротковолновая (длинноволновая) граница спектральной чувствительности - наименьшая (наибольшая) длина волны монохроматического излучения, при котором монохроматическая чувствительность фотоприемника равна 0,1 ее максимального значения.
Динамический диапазон линейности (в децибелах) - характеризует область значении лучистого потока Ф от Фmax до Фmin, для которой энергетическая характеристика линейна:
.
9. Максимум спектральной характеристики фотоприемника - длина волны, соответствующая максимальной чувствительности фотоприемника.
10. Токовая фоточувствительность Si (А/лк или А/Вт) - определяет значение фототока, создаваемого единичным потоком излучения.
11. Вольтовая чувствительность Su - характеризует значение сигнала в вольтах, отнесенные к единице падающего потока излучения. Единица измерения (В/Вт) или (В/лк).
Токовая и вольтовая чувствительности называются интегральными, если они характеризуют чувствительность к интегральному потоку излучения, и монохроматическими если характеризуют фоточувствительность к монохроматическому излучению.
12. Пороговая чувсвительность Рпор определяет уровень мощности светового потока, при котором сигнал равен шуму.
13. Инерционность фотоприемников характеризуется постоянными времён нарастания фронта н и спада сп фотоответа при импульсной засветке. Ими определяются предельные рабочие частоты модуляции света, при котором не происходит заметного уменьшения фотоответа.
14. Напряжение шума фотоприемника Uш - среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи фотоприемника в указанной полосе частот.
15.Ток шума фотоприемника Iш - среднее квадратичное значение флуктуации тока, проходящего через фотоприемник в указанной полосе частот.
16. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного фотоприемника Кф.с - отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном фотоприемнике и напряжению фотосигнала с соседнего облученного элемента, определяемое на линейном участке энергетической характеристики и рабочим напряжением во всех элементах.