- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
1.11.3 Дифракционная теория
Строгое рассмотрение электромагнитного поля в открытом резонаторе основывается на системе уравнений Максвелла с заданными граничными условиями на зеркалах. Лазерные резонаторы имеют ту особенность, что их характерные размеры (длина резонатора, радиусы кривизны и апертуры зеркал) намного превышают длину волны излучения. Исходя из этого, можно считать, что электромагнитное поле в резонаторе является поперечным, однородно поляризованным. Для вычисления его стационарного распределения на поверхности одного из зеркал в виде интеграла от поля заданного на поверхности другого зеркала, можно воспользоваться скалярной формой принципа Гюйгенса-Френеля. Такие расчеты были впервые проведены Фоксом и Ли.
Рис. 1.23. К расчету плоскопараллельного резонатора с помощью дифракционного интеграла Кирхгофа.
Поле UР в любой р-ой зоне Френеля второго зеркала, обусловленное освещенным первым зеркалом, описывается поверхностным интегралом (дифракционный интеграл Кирхгофа):
(1.91)
где - вектор распространения волны в среде; - расстояние от точки на первом зеркале до точки наблюдения: θ - угол между и перпендикуляром к поверхности первого зеркала; U0-поле в плоскости первого зеркала. Моды резонатора соответствуют стационарным решениям интеграла (1.91).
Структуру поля для разных мод рассчитывают методом последовательных приближений с использованием ЭВМ. Следует отметить, что метод последовательных приближений здесь в некоторой степени адекватен самому физическому процессу в резонаторе при нарастании количества отражений. На рисунке 1.25 представлен результат расчета Фокса и Ли для амплитуды поля в точке x=a/2 на поверхности одного из зеркал в зависимости от числа отражений. Видно, что с увеличением количества отражений амплитуда поля принимает постоянное значение. После N прохождений, когда установился стационарный режим, можно написать соотношение: υ(x,y), где γ - комплексная постоянная, υ(x,y)-функция установившегося распределения. Подставляя ее в (1.91), получим: . Поскольку υN+1=υN, индексы в дальнейшем будем опускать и для нахождения структуры поля на поверхности зеркал, получаем интегральное уравнение: (1.92)
Собственные функции υmn(x,y), являющиеся решением интегрального уравнения (1.92) при соответствующих значениях γmn (собственные значения), характеризуют структуру поля на поверхности зеркал резонатора и обозначаются как колебания типа TEMmn. (рис.1.25). Каждая поперечная мода включает в себя ряд продольных мод, которым соответствуют разные q.
|
Рис.1.24. Изменение амплитуды поля в зависимости от числа прохождений. |
Для прямоугольных зеркал индекс m означает число изменений направления поля вдоль оси x, а индекс n – вдоль оси y. В случае круговых зеркал n означает число изменений направления поля по окружности (для фиксированного радиуса), а m- вдоль радиуса.
Логарифм собственных значений γmn является комплексной величиной
lnγmn=βmn+i(αmn+kL), (1.93)
где βmn определяет затухание за один проход, связанное с дифракционными потерями для каждой моды резонатора; αmn определяет фазовый сдвиг за один проход, который прибавляется к геометрическому фазовому сдвигу.
Параметр βmn характеризует добротность резонатора: . (1.94)
Из условия резонанса можно определить собственные частоты мод, которые выражаются через αmn: . (1.95)
Таким образом, решение интегрального уравнения (1.92) для соответствующей конфигурации оптического резонатора дает информацию о структуре поля, резонансных частотах и дифракционных потерях резонатора. Заметим, что это уравнение имеет общий характер. Оно не связано с конкретной конфигурацией резонатора и формой зеркал и поэтому пригодно не только для плоских зеркал (резонатор Фабри-Перо), но и для зеркал иной формы (в частности, сферических).
На рис.1.26 показано распределение интенсивности для поперечных мод TEMmn открытого резонатора.
Рис.1.25.Конфигурация электрического поля различных мод для квадратных зеркал.
|
Рис.1.26. Структуры электрических полей поперечных типов колебаний оптического резонатора.
|