- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
3Газовые лазеры
3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
В газовых лазерах в качестве активной среды применяются газовые среды, а накачка осуществляется с помощью электрического разряда. Это связано с тем, что уширение энергетических уровней в газах довольно мало и использование оптической накачки с помощью ламп, имеющих непрерывный спектр, было бы очень неэффективно.
Для газовых лазеров характерна высокая направленность и монохроматичность, которая обусловлена дискретностью ряда энергетических уровней в газовых средах. Однако, из-за относительно малой плотности возбужденных частиц, удельный энергосъем у газовых лазеров существенно ниже, чем у твердотельных лазеров. Для получения большой выходной мощности используют протяженные активные среды.
К особенностям газовых лазеров также можно отнести высокий коэффициент полезного действия КПД (КПД 30%) и широкую область генерации.
Как правило, конструктивно газовый лазер имеет вид герметичной трубки со смесью газов, помещенный в полусферический резонатор c зеркалами З1 и З2.
Рис.3.1. Конструкция газового лазера.
Трубка (кварцевая) длиной от нескольких сантиметров до нескольких метров подвергается сложной технологической обработке, затем откачивается и наполняется газом или смесью газов. Внутри трубки, как показано на рисунке, устанавливаются электроды для создания разряда в газовой среде. Если для возбуждения лазера используется высокочастотный разряд, то применяются внешние электроды. По расположению внешних электродов схемы накачки делятся на продольные и поперечные. В газовом лазере с продольной схемой накачки трубка охвачена двумя кольцами, расположенными на некотором расстоянии друг от друга, куда подается напряжение. Во втором случае трубка помещается между двумя параллельными электродами.
Рис.3.2. Газовые лазеры с внешними электродами.
Торцы газоразрядной трубки закрываются плоскопараллельными стеклянными или кварцевыми пластинками, составляющими с осью резонатора угол Брюстера. Установка торцевых пластин под углом Брюстера приводит, во-первых, к уменьшению порога генерации и, во-вторых, позволяет получить на выходе плоскополяризованное лазерное излучение.
Для возбуждения лазера используют стационарный разряд:
-дуговой разряд (плотность тока j 103 А\см2, степень ионизации =10%);
-тлеющий разряд (плотность тока j 10-5 10-1А\ см2, степень ионизации =10-4 10-3 %) - это разряд постоянным током и высокочастотный разряд.
После приложения к электродам напряжения, в объеме газа образуется плазма, состоящая из нейтральных атомов, электронов, положительных и отрицательных ионов. Положительные ионы начинают двигаться к катоду, а быстрые электроны и отрицательные ионы - к аноду.
Газовые лазеры можно подразделить на следующие разновидности: газовые лазеры на нейтральных атомах (гелий-неоновый лазер); ионные газовые лазеры (аргоновый лазер); молекулярные лазеры (СО2-лазер).
3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
В плазме газового разряда все частицы находятся в непрерывном хаотическом тепловом движении, но и имеется дрейф заряженных частиц в направлениях расположения электродов. В процессе хаотического движения частиц возможны как упругие, так и неупругие соударения частиц газа.
Перевод атомов (ионов) в плазме газового разряда в возбужденные состояния происходит в результате неупругих соударений. Возможны следующие процессы передачи энергии при таких столкновениях:
а) Прямое электронное возбуждение.
Быстрый электрон сталкивается с атомом (с ионом), находящимся в основном состоянии, передает ему часть своей кинетической энергии, в результате чего атом переходит в возбужденное состояние. Схема этого процесса записывается в виде: е* + А е + А* , где обозначены е – электрон; е* - быстрый электрон; А и А* - атом в основном и возбужденном состоянии.
б) Ступенчатое электронное возбуждение или соударения 1-го рода.
При таком механизме возбуждения электрон при столкновении с возбужденным атомом (ионом) передает ему свою энергию и, тем самым, переводит его на более высокий энергетический уровень. Схема процесса передачи энергии в данном случае записывается как: е* + А* е + А** . Столкновение 1-го рода приводит к преобразованию кинетической энергии электрона в потенциальную энергию атома.
в) Резонансная передача энергии или соударения 2-го рода.
В газовой смеси при соударении возбужденного атома одного газа с атомом другого газа, находящегося в невозбужденном состоянии, возможна резонансная передача энергии от первого атома ко второму атому. Схема реализации этого процесса: А*+В А+В*, где А, В, В* и А* - атомы в основном и возбужденном состоянии.
Рис3.3. Схема реализации резонансной передачи энергии.
Необходимыми условиями для реализации данного процесса является:
- близкое расположение уровней сталкивающихся атомов ( Е=ЕА-ЕВ принимает минимальное значение);
- концентрация атомов А много больше концентрации атомов В (nА>>nВ);
- возбужденный уровень атома А должен быть метастабильным (большое время жизни).
Атом, находящийся в возбужденном состоянии, может перейти на более низкие энергетические уровни, включая основной, благодаря следующим четырем процессам:
1) столкновениям возбужденного атома с электроном, при котором атом отдает свою энергию электрону;
2) столкновениям между атомами в газовой смеси, состоящей более чем из одной компоненты;
3) столкновениям атома со стенками газоразрядной трубки;
4) спонтанному излучению.