- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
2.5Электрическая схема питания лазера
На рис.2.8 представлена типовая схема электропитания твердотельного лазера, работающего в импульсном режиме.
Рис.2.8.Электрическая схема: ИП- в/в источник питания,
ГПИ - генератор пусковых импульсов, ИТ - импульсный трансформатор.
Работа схемы происходит в следующем порядке:
1)Заряд накопительной емкости Сн до рабочего напряжения (Up~1 кВ) через цепь Rогр и Сн.
|
Рис.2.9. Эквивалентная схема разрядного контура.
|
2 )После подачи пускового импульса на лампу (для ионизации газа в газоразрядной лампе) происходит разряд Сн через цепь L1, L2 и лампу с внутренним сопротивлением Rл. Эквивалентная электрическая схема разрядной цепи показана на рис.2.9.
Колебательный контур может работать в двух режимах - колебательном и апериодическом. Для работы твердотельного лазера требуется апериодический режим, который реализуется соответствующим подбором параметров контура разряд Сн.
Рис.2.10.Режимы работы колебательного контура: а) колебательный; б) апериодический.
Для этого сопротивление лампы должно лежать в пределах, определяемых условием:
(L/Cн)1/2<Rл<2(L/Cн)1/2 (2.1)
Обычно принимают: Rл≈1,8 (L/Cн)1/2 (2.2)
Сопротивление лампы Rл определяется по формуле Rл =(l/S), где l - длина, S -поперечное сечение, ≈ 0,02 Ом·см - удельное внутреннее сопротивление проводящей ксеноновой лампы. При l=5 см, S=0,2 см2, Rл≈0,5 Ом. Таким образом, при заданных Сн и Rл можно найти расчетное значение индуктивности контура L, которое определяется из формулы: L=(R2лСн)/3,24 (2.3)
Постоянная времени контура ≈RлСн=1.8(L/ Сн)1/2Сн=1,8(LCн)1/2. (2.4)
На рис. 2.11 и 2.12 показаны форма импульса разрядного тока и световой мощности импульса накачки.
Рис.2.11.Форма тока разряда Рис.2.12.Форма импульса накачки.
в контуре.
Если необходимо получить импульсы накачки с формой, близкой к прямоугольной, используют многозвенные контуры.
Рис.2.13.Многозвенный колебательный контур.
При этом ≈ 1,8N(LCн)1/2 , где N- количество звеньев.
2.6Режимы работы твердотельных лазеров
Режимы работы лазеров: непрерывный, квазинепрерывный и импульсный. В непрерывном и квазинепрерывном режимах работы скорость накачки не зависит от времени.
Рис.2.14.Режимы работы лазера: а) непрерывный, б) квазинепрерывный, в) импульсный.
Импульсный режим генерации, который будет здесь рассмотрен, позволяет получать импульсы лазерного излучения длительностью от единиц миллисекунд до десятков пикосекунд, как при генерации одиночных импульсов, так и их последовательности.
Импульсный режим, в свою очередь, подразделяется на три: свободной генерации, модулированной добротности и синхронизации мод.