- •А.Г. Акманов, б.Г. Шакиров оСновы квантовых и оптоэлектронных приборов
- •Введение
- •1 Физические основы лазеров
- •1.1Оптическое излучение
- •1.2Энергетические состояния квантовой системы. Населенности квантовых уровней
- •1.3Элементарные процессы взаимодействия оптического излучения с веществом
- •Спонтанные переходы
- •Вынужденные переходы
- •Спонтанное излучение
- •1.4Основы теории формы и ширины линии излучения
- •Доплеровское уширение
- •1.5Коэффициенты Эйнштейна. Термодинамическое рассмотрение
- •1.6Квантовое усиление в среде
- •1.7Квантовый генератор (лазер)
- •1.8Методы инверсии населенностей квантовых уровней
- •1.9Метод оптической накачки
- •1.10Кинетические уравнения для населенностей уровней
- •1.11 Оптические резонаторы
- •1.11.1 Добротность открытого резонатора
- •1.11.2 Волновая теория открытого резонатора
- •1.11.3 Дифракционная теория
- •1.11.4 Геометрическая теория открытого резонатора
- •Типы оптических резонаторов
- •1.11.5 Селекция типов колебаний
- •2Твердотельные лазеры
- •2.1Рубиновый лазер
- •2.2Неодимовые лазеры
- •2.3Устройство твердотельного лазера
- •2.4Система оптической накачки
- •2.5Электрическая схема питания лазера
- •2.6Режимы работы твердотельных лазеров
- •Режим свободной генерации
- •Режим модулированной добротности
- •Режим синхронизации мод
- •3Газовые лазеры
- •3.1Принцип работы и конструкция газовых лазеров
- •3.2Инверсия населенностей в плазме газового разряда
- •3.3Гелий – неоновый лазер
- •3.4Аргоновый лазер
- •3.5Со2-лазер
- •4Полупроводниковые лазеры
- •4.1Физические основы работы полупроводникового лазера
- •4.1.1Энергетические состояния в полупроводниках
- •4.1.2 Излучательные и безызлучательные переходы.
- •4.1.2Условие усиления электромагнитной волны в полупроводнике
- •4.2Инжекционный полупроводниковый лазер на гомопереходе
- •4.3Инжекционный полупроводниковый лазер на гетеропереходе
- •4.4Характеристики и параметры полупроводниковых лазеров
- •4.5Применения полупроводниковых лазеров
- •5Оптические модуляторы
- •5.1Электрооптические модуляторы
- •Линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах
- •Фазовая и амплитудная модуляция света в одноосных кристаллах. Модуляционная характеристика электрооптического модулятора
- •Режимы работы и конструктивные особенности электрооптических модуляторов
- •5.2Акустооптические модуляторы
- •5.3Магнитооптические модуляторы
- •6Волоконно-оптические усилители
- •6.1Принцип работы волоконно-оптических усилителей
- •6.2Устройство и схемы волоконно-оптических усилителей
- •6.3Характеристики и параметры волоконно-оптических усилителей.
- •7Основы нелинейной оптики
- •7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
- •7.2Генерация оптических гармоник, суммарных и разностных частот
- •7.3Фазовый синхронизм в одноосных кристаллах
- •7.4Самофокусировка света
- •7.5Двухфотонное поглощение
- •7.6Вынужденное комбинационное рассеивание света
- •8Элементы оптоэлектронных приборов
- •8.1Физические основы работы полупроводниковых светоизлучающих диодов
- •8.2Внутренний и внешний квантовые выходы
- •8.3Потери излучения в светоизлучающем диоде
- •8.4Излучательная и спектральная характеристики светоизлучающего диода
- •8.5Модуляционная характеристика светоизлучающего диода
- •8.6Параметры и электрические характеристики светоизлучающего диода
- •8.7Конструкции излучающего диода и эффективность связи с волоконным световодом
- •8.8Принцип работы полупроводниковых фотоприемников
- •8.9 Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость
- •8.10Скорость оптической генерации носителей заряда
- •8.11Процессы рекомбинации носителей заряда
- •8.12Основное характеристическое соотношение фотопроводимости
- •8.13Процессы релаксации
- •8.14Фоточувствительность. Фототок. Усиление фототока
- •8.15Характеристики фотоприемников
- •8.16Фотодиоды
- •Лавинные фотодиоды
- •Параметры лавинного фотодиода лфд-2-а
- •8.17Фототранзисторы
- •8.18Фототиристоры
- •8.19Фоторезисторы
- •Список литературы
- •Содержание
7Основы нелинейной оптики
Световые волны, полученные с помощью обычных тепловых источников, не оказывают заметного влияния на оптические свойства среды, в которой они распространяются. Это обусловлено тем, что напряженность электрического поля в световой волне пренебрежимо мала по сравнению с напряженностью внутреннего поля в среде. Внутреннее поле – микроскопическое поле, действующее на электроны в атомах. В атомах диэлектриков оно имеет порядок ~109 В/см, а в полупроводниках ~107 В/см. Вследствие этого при распространении света, полученного от тепловых источников, оптические свойства среды не зависят от интенсивности поля световой волны. По этой причине распространение таких волн описывается линейными дифференциальными уравнениями, а такие системы называются линейными. Следовательно, классическую оптику с тепловыми источниками можно назвать линейной оптикой. Для линейных систем выполняется так называемый принцип суперпозиции. Это означает, что различные волны распространяются в среде независимо друг от друга.
С появлением лазерных источников светового излучения, стало возможным получение напряженности электрического поля в световом луче ~108 В/см. При распространении интенсивного лазерного луча в среде нарушается принцип суперпозиции, то есть, различные волны, распространяющиеся в среде, влияют друг на друга и вследствие этого могут наблюдаться так называемые нелинейно-оптические эффекты, характер протекания которых зависит от интенсивности света. К ним относятся генерация оптических гармоник, генерация суммарных и разностных частот, многофотонное поглощение, самофокусировка, вынужденное комбинационное рассеяние и т.д.
Изучением таких эффектов занимается нелинейная оптика.
7.1Поляризация диэлектрика. Нелинейная поляризация
При воздействии на диэлектрик световой волны происходит поляризация диэлектрика. Электрическое поле световой волны вызывает смещение электронных оболочек атомов относительно ядер, в результате атомы приобретают электрический дипольный момент. Такая поляризация диэлектрика называется электронной поляризацией. Наряду с электронной поляризацией возможны ионная (смещение ионов относительно друг друга) и ориентационная (вращение дипольных молекул) поляризации.
Количественно поляризация диэлектрика описывается вектором поляризации , представляющим собой электрический дипольный момент единицы объема среды, наведенный внешним полем. Наведенная поляризация есть ответная реакция среды на внешнее воздействие, которое описывается вектором электрической напряженности световой волны. Если величина поля меняется, то поляризация диэлектрика изменяется аналогичным образом. Связь величин и в линейной оптике имеет вид:
(i,k=1,2,3), (7.1)
где αik – компоненты тензора диэлектрической восприимчивости среды. Соотношение (7.1) называется линейным материальным уравнением. Тензор диэлектрической восприимчивости симметричен и соответствующим поворотом системы координат может быть приведен к диагональному виду: . (7.2)
Для изотропных сред и кристаллов, относящихся к кубической симметрии α11=α22=α33=α и соотношение (7.1) примет простой вид:
=α . (7.3)
Рассмотрим анизотропные кристаллы. Одноосным кристаллам соответствует случай α11=α22≠α33 (оптическая ось совпадает с осью Z), а двуосным кристаллам - α11≠α22≠α33.
В интенсивном световом поле, создаваемом лазером, диэлектрические восприимчивости становятся зависимыми от напряженности поля световой волны и выражение (7.1) превращается в нелинейное материальное уравнение: Pi= (7.4)
Нелинейная поляризация среды (7.4) и обуславливает зависящие от интенсивности оптического излучения нелинейно-оптические явления. Если разложить , входящий в (7.4) в ряд по степеням напряженности , то получим:
= (7.5)
где αik – линейная восприимчивость (тензор 2-го ранга); χikj – квадратичная нелинейная восприимчивость (тензор 3-го ранга); θikjm – кубичная нелинейная восприимчивость (тензор 4-го ранга).
Подставляя (7.5) в (7.4) получаем следующее нелинейное материальное уравнение: (7.6)
или в сокращенной условной форме записи:
Р=Е+Е2+Е3+…=Р(л)+ Р(2)+ Р(3)+… (7.7)
где Р(л) – компонента вектора линейной поляризации, Р(2) – вектор квадратичной поляризации и Р(3) - вектор кубичной поляризации.
Для кристаллов обладающих центром симметрии, а также для жидкостей и газов тензор квадратичной восприимчивости равен нулю, поэтому нелинейность указанных сред определяется в первом порядке кубичной восприимчивостью θ. Эти среды соответственно, называются кубично нелинейными.
В кристаллах с квадратичной восприимчивостью основной вклад в его нелинейную поляризацию вносит квадратичная поляризация, и эти кристаллы называются квадратичными нелинейными средами.