книги из ГПНТБ / Кремниевые планарные транзисторы
..pdfГлава первая
ОС Н О В Ы П Л А Н А Р Н О Й ТЕХНОЛОГИИ
1.1.Особенности пленарных приборов
Современные кремниевые планарные транзисторы составляют широкий класс приборов с различными параметрами и областями применения.
Наиболее широко распространены транзисторы общего приме нения. Они характеризуются невысокими рабочими напряжениями, предельными частотами порядка сотен мегагерц и рассчитаны на токи от единиц до десятков миллиампер. Мощность таких транзис торов лежит в пределах от 50 мВт до 1—3 Вт. В пределах своего клас са транзисторы общего применения имеют некоторые отличия, свя занные в основном с диапазонами рабочих токов и предельных ча стот, что приводит к непринципиальным различиям в геометрии активных областей и параметрах материала подложки.
Мощные планарные транзисторы — это, как правило, приборы специального применения, отличающиеся большими рабочими тока ми — от единиц до десятков ампер. Рабочие напряжения их и пре дельные частоты того же порядка, что и у транзисторов общего при менения. Мощные транзисторы, рассчитанные на рабочие напряже ния порядка нескольких сотен вольт, выделяют обычно в отдельный класс высоковольтных планарных транзисторов, а мощные транзис торы с предельными частотами от 300 МГц и выше составляют класс мощных СВЧ транзисторов.
Мощные СВЧ транзисторы появились несколько позднее планарной технологии, однако, несмотря на это, к настоящему времени они образуют обширный класс приборов, работающих в диапазоне частот до нескольких гигагерц и отдающих мощность десятки, а на частотах до 1 ГГц — сотни ватт.
Отдельно можно выделить высоковольтные планарные транзис торы, для которых рабочие напряжения составляют сотни вольт. Большинство транзисторов этого класса рассчитано на малые токи и являются приборами малой и средней мощности. Существуют так же мощные высоковольтные транзисторы с рабочими токами до не скольких ампер. Рассмотренные классы приборов сложились исто рически по мере разработки технологических приемов, конструкций приборов, а также совершенствования технологии произодства планарных транзисторов.
Полезно сравнить кремниевые планарные транзисторы по основ ным параметрам с их предшественниками, начиная от первых образ-
10
цов точечных германиевых приборов, далее со сплавными и мезадиффузионными на основе германия и кремния. В табл. 1.1 представ лены диапазоны рабочих напряжений, токов и предельных частот для всех четырех типов транзисторов. В ней показано, что кремни евые планарные транзисторы превосходят по основным параметрам все имеющиеся типы приборов. Исключение представляют лишь высоковольтные приборы, в которых меза-диффузионные транзисто ры имеют более широкий диапазон рабочих напряжений. Следует отметить также, что изготовление мощных планарных транзисторов связано с заметными трудностями по сравнению с производством их по меза-диффузионной технологии, однако планарные приборы име ют значительные преимущества с точки зрения надежности и тех нологичности, что привело к их широкому распространению.
|
|
|
|
Т а б л и ц а 1.1 |
|
Рабочие |
|
Т о к |
П р е д е л ь н ы е |
Тип прибора |
н а п р я ж е н и я , |
|
частоты |
|
|
в |
|
|
|
Первые образцы точечных |
До 10 |
1—2 мА |
10—200 кГц |
|
транзисторов |
|
10 мА—5 А |
1,5 МГц |
|
Сплавные |
20—100 |
|||
Меза-диффузионные |
100—1500 |
до |
10 А |
до 500 МГц |
Планарные |
10—500 |
до |
10 А |
до 10 ГГц |
Планарные приборы обладают специфическими свойствами. Планарный транзистор (рис. 1.1) характеризуется прежде всего тем, что р-п переходы база — коллектор и эмиттер •— база выходят на поверхность кристалла в одной плоскости («плане»), откуда и произошло название «планарный».
Области базы и эмиттера получают диффузией соответствующих примесей (обычно бора и фосфора) в подложку (кремний п-типа). Диффузия этих примесей проводится не по всей поверхности под- *
ложки, а лишь в отдельные ее участки, что также является |
харак |
терным для планарных приборов. В планарной технологии, |
таким |
образом, используется так называемая локальная диффузия с при менением масок, обеспечивающих избирательное введение примесей.
В кремниевых планарных транзисторах наиболее распростра нена окисная маскировка при локальной диффузии, сущность ко торой заключается в создании сплошной маскирующей пленки оки-
Рис. 1.1. Структура планарного п-р-п тран зистора:
/ — высокоомный коллекторный |
слой |
п-типа; 2 — |
||
д и ф ф у з и о н н а я б а з а |
р-типа; |
3 |
— д и ф ф у з и о н н ы й |
|
эмиттерный слой; 4 |
— алюминиевая |
металлизация |
||
по эмиттеру; |
5 — слой |
окисла |
S i O s . |
11
си кремния по всей поверхности будущей планарной структуры с по следующим вытравливанием участков этой пленки, в которые затем проводится диффузия. Окись кремния является маской для бора, фосфора и некоторых других элементов благодаря большой разнице в коэффициентах диффузии этих примесей для окисла и кремния. Поэтому, вырастив окисную пленку нужной толщины, можно для каждого режима обеспечить локализацию диффузии, т. е. в от крытые участки кремниевой подложки диффузия пройдет на нужную глубину при заданной концентрации, в то время как в маскирующую пленку атомы примеси внедрятся лишь на небольшое расстояние от поверхности.
Такой способ локализации диффузии ведет к появлению искрив ленных участков р-п перехода по периферии. На границе окисной маски диффузия идет не только в глубь материала, но и вдоль поверхности под маску. В первом приближении проникновение при меси параллельно поверхности («боковая диффузия») можно считать равным глубине диффузии на незамаскированном участке поверх ности. Таким образом, при локальной диффузии в планарных при борах р-п переходы имеют искривленные участки с радиусом кри визны, приблизительно равным глубине их залегания, и выходящие на поверхность под окисной маской.
Эта особенность планарных приборов имеет свои положитель ные стороны, заключающиеся прежде всего в том, что р-п переходы не загрязняются в процессе последующих технологических опера ций. Кроме того, заключительные стадии изготовления планарной структуры обычно имеют целью создание на базе окисной маски пас сивирующего слоя, что обеспечивает высокую надежность и стабиль ность параметров планарных транзисторов.
Имеются, однако, и отрицательные последствия «боковой диф фузии», вызывающей искривление р-п перехода, которое приводит к снижению пробивных напряжений планарных р-п переходов.
Маскировка поверхности при диффузии проводится не только при создании базовой области, но и при диффузии в эмиттер. В свя зи с этим для планарной технологии характерна диффузия в две ста дии. Во время первой стадии вводятся примеси, а во время второй — не только перераспределяются примеси, но и создается4 окисная мас ка под следующую диффузию. Вторая стадия диффузии в планарной технологии осуществляется поэтому в окислительной среде; пере распределение примеси идет с одновременным окислением поверх ности кремния, что не только во многом определяет режимы диффу зии, но и в значительной степени изменяет процесс перераспределе ния примеси.
Спецификой планарной технологии является также создание рельефа по окисной пленке с помощью фотолитографии. Поэтому в планарной технологии важны не только методы получения окисных масок, но и вопросы фотолитографии.
Пассивация р-п переходов кремниевых планарных транзисто ров также имеет свои особенности. В отличие от транзисторов дру-
12
гих типов планарные транзисторы пассивируются |
на ранних ста |
|
диях технологического цикла. |
|
|
Если для меза-диффузионных приборов требуется формирование |
||
«структуры, затем тщательная очистка поверхности |
и ее |
пассивация |
на конечной стадии изготовления, причем обычно каждая |
структура |
пассивируется индивидуально, то в планарной технологии первая же
операция — окисление |
подложки — препятствует |
последующе |
||
му загрязнению р-п переходов, поскольку места выхода р-п |
пере |
|||
ходов на поверхность формируются под окисной пленкой. |
|
|||
Окончательная пассивация р-п переходов происходит на за |
||||
ключительных этапах изготовления структур и в большинстве |
слу |
|||
чаев проводится |
одновременно с перераспределением эмиттерной |
|||
примеси. Преимуществом |
планарной технологии |
является |
груп |
|
повая пассивация |
структур, что в значительной степени снижает |
трудоемкость изготовления приборов. Кроме того, появляется воз можность отбраковки структур на пластине по основным пара метрам, что позволяет иметь высокий выход годных приборов на наиболее трудоемких сборочных операциях.
1.2. Технологический цикл изготовления типового планарного транзистора
Чтобы составить представление о производственном цикле изготовления планарного транзистора, рассмотрим типовой про цесс изготовления п-р-п транзистора общего применения (рис. 1.2). В левой части рис. 1.2 показана последовательность фотолитогра фических операций, в средней части — термические процессы и спра ва — для наглядности — сечение одиночной структуры после каж дой операции.
Исходным материалом для изготовления планарного транзис тора служит пластина п-кремния (либо п-п+ структура — при изготовлении транзистора с низкоомным коллектором). В зависи
мости от требований к параметрам |
транзистора кремний берется |
с удельным сопротивлением от долей |
Ом • см до нескольких Ом X |
X см. Толщина высокоомного слоя в планарно-эпитаксиальном транзисторе составляет обычно 10—20 мкм при толщине всей плас тины 150—200 мкм.
Поскольку планарно-эпитаксиальные транзисторы получили наибольшее распространение, остановимся несколько подробнее на основных вопросах получения эпитаксиальных пленок.
Для получения эпитаксиальных пленок используются различ ные технологические методы. Наибольшее распространение, одна ко, получили методы выращивания из газовой фазы — водородное восстановление тетрахлорида кремния, а также водородное восста новление трихлорсилана и термическое разложение моносилана. Относительно низкие скорости роста, обеспечивающие совершен ство структуры и возможность точного контроля толщины эпитаксиального слоя, простота управления такими параметрами, как тем-
13
пература кристаллизации и концентрация реагирующих агентов, ••— таковы основные достоинства этих методов.
Наиболее технологичным и распространенным методом эпитаксиального выращивания является метод восстановления тетрахлорида кремния водородом при температуре 1150—1250° С.
Основными преимуществами данного метода являются:
— достаточно изученные термодинамика и кинетика процессов замещения;
—хорошая воспроизводимость электрофизических характе ристик получаемых эпитаксиальных структур;
—технологичность производства исходных реактивов высо кой чистоты;
—сравнительно низкая себестоимость пленок.
Чтобы получить эпитаксиальные структуры с заданным удель ным сопротивлением (или определенным характером распределе-
Химоораоотка
перед
окислением
/
фотолитогра
фия
и
фотолитогра
фия
Ш
фотолитогра
фия
Напыление
алюминия
ІУ
фотолитогра - фия
Окисление |
n-Si |
|
Диффузия
ібора
1
Диффузия
фосфора
S P-Si J
n-Si
Рис. 1.2. Схема изготовления маломощного п-р-п транзистора.
14
ния примесей), их легируют во время процесса эпитаксиального выращивания с помощью трехбромистого бора (ВВг3 ) — для созда ния слоев р-типа и треххлористого фосфора (РС13) — для создания слоев /г-типа. Данные соединения обладают близкой к тетрахлори^ ду упругостью паров, что облегчает расчет и контроль концентра ции примесей в газовой фазе и пленке,
В общем случае лучшее качество эпитаксиальных пленок до стигается при высоких температурах и малых скоростях осаждения. Значительную роль при этом играет подготовка поверхности под-1 ложки, на которую происходит наращивание эпитаксиального слоя, поскольку именно она определяет совершенство кристаллообразова ния во время роста. Разного рода нарушения структуры поверхности (дислокации, механические повреждения, примеси, адсорбирован ные или хемосорбированные поверхностью, остатки окисной пленки) вызывают образование центров кристаллизации и, как следствие, — дефектов.
Во избежание этого поверхность кремниевой подложки после технической полировки на тонких алмазных порошках или пастах с размером зерна 0,5—1 мкм и тщательной химической отмывки под вергается газовому травлению в потоке хлористого водорода. Газо вое травление проводят в реакторе эпитаксиального наращивания.
Готовые пластины поступают на термическое окисление. Перед этим процессом поверхность пластин тщательно обрабатывают. Ти повой обработкой является полировка алмазным порошком с разме ром зерна до 0,5 мкм или шлифовка окисью алюминия с последую щим травлением в кислотных полирующих травителях. В приборах специального назначения может быть проведена электрохимическая полировка, дающая высококачественную поверхность. В случае использования эпитаксиальных пленок проводится лишь тщатель ное удаление всевозможных загрязнений, заключающееся в обез жиривании поверхности (в органических растворителях), окисле нии остатков органических загрязнений (в азотной или серной кис лоте и пергидроли) и тщательной промывке в высокочистой воде.
При |
изготовлении прибора с уровнями |
обратных токов порядка |
1 нА |
можно применить дополнительную |
очистку с помощью комп- |
лексообразующих веществ, способных связывать ионные загрязне ния в легко удаляемые комплексы. Очищенные пластины либо высу шивают на центрифуге, либо погружают в чистый, легко испаря ющийся растворитель, удаляемый затем потоком горячего газа не посредственно в момент загрузки пластин в реакционную камеру для термического окисления.
Термическое окисление проводят при температуре около 1200° С
втечение двух-трех часов: вначале в сухом кислороде, затем в атмо сфере увлажненного кислорода и на заключительном этапе — вновь
всухом кислороде. В процессе окисления на поверхности пластин образуется окисная пленка толщиной 0,5—1 мкм.
Первая фотолитография, вскрывающая в окисле «окна» опре деленной для данной конструкции конфигурации под последующую
15
Рис. 1.3. Микрофотографии |
п-р-п |
||||
транзисторной |
структуры |
после |
|||
различных |
фотолитографических |
||||
операций: |
|
|
|
|
|
а — после |
фотолитографии |
п о д |
б а з о в у ю |
||
область; |
б — п о с л е фотолитографии п о д |
||||
эмиттерную |
область; в — после |
фото |
|||
литографии |
п о д |
контактные п л о щ а д к и ; |
|||
г — после |
|
фотолитографии |
на |
алюми |
|
нии |
|
|
|
|
|
диффузию бора для создания базовой области, осуществляется в ти повых режимах. Травление окисла производят в растворе плавико вой кислоты, содержащем фторид аммония. Рельеф (структура) пос ле фотолитографии под базовую область приводится на рис. 1.3, а.
В |
пластины, очищенные химическим способом от остатков |
|||
органических |
соединений, затем |
проводится диффузия |
бора. |
|
Первая |
стадия |
диффузии ведется |
при температуре 900—1000° С*} |
|
в течение от 20 мин до 1 ч. При этом образуется слой р-типа |
глуби |
ной в несколько десятых микрона с поверхностной концентрацией, равной предельной растворимости бора в кремнии при температуре диффузии. После загонки бора пленку боросиликатного стекла сни мают в растворе плавиковой кислоты, пластины промывают в деионизованной воде и загружают в печь для проведения второй стадии диффузии — перераспределения примесей одновременно с окисле нием.
Режим второй стадии: 1050—1250° С в течение нескольких часов. Как и при первом окислении, используется кислородная атмосфера с увлажнением и без увлажнения. По окончании второй стадии про водят контроль диффузии.
Вторая фотолитографическая обработка (рис. 1.3, б) локализу
ет будущие эмиттерные области. Режим ее |
аналогичен режиму пре |
|||
дыдущей обработки. Отличие составляет |
лишь совмещение |
второй |
||
*> Здесь и далее даны диапазоны температуры и длительности |
процессов |
|||
диффузии. Д л я |
каждого конкретного типа транзистора диффузионные ре |
|||
жимы |
задаются |
с точностью ± 0 , 5 ° С по температуре и порядка нескольких |
||
секунд |
по времени. |
|
|
16
маски с уже имеющимися рисунками и режим травления окисла, полученного в условиях, отличных от первого окисления. По окон чании фотолитографического процесса появляется возможность вы борочно контролировать пробивное напряжение р-п переходов и выход годных по этому параметру структур.
Диффузия фосфора в эмиттерные «окна» также осуществляется в две стадии в диапазоне температур 870—1050° С для первой ста дии и 1000—1150° С для второй. Режим диффузии фосфора выбира
ется в зависимости от требований к электрическим |
параметрам |
|
транзистора, методика процесса сходна |
с методикой |
диффузии |
бора. |
|
|
После диффузии фосфора образуется |
уже готовая |
структура, |
к которой необходимо создать лишь омические контакты. Для этого, прежде всего, следует вскрыть в окисле контактные площадки (рис. 1.3, в), что производится в процессе третьей фотолитографии. Особенности третьей фотолитографии связаны с уменьшением адге зии фоторезиста к поверхности окисла из-за наличия фосфорно-си- ликатного стекла и разной скорости травления примесно-силикат- ных стекол над областями эмиттера и базы. Для исключения «рас травливания» (травления под резистивной маской) при выполнении третьей фотолитографии необходимо соблюдать особую тщатель ность, а иногда принимать специальные меры вплоть до раздельного вскрытия «окон» под базовый и эмиттерный контакты.
Металлизация структуры осуществляется обычно напылением в вакууме пленки алюминия толщиной 0,5—1,5 мкм. Лишние участ ки пленки (рис. 1.3, г) удаляются в процессе фотолитографии, которая проводится в типовых режимах и различается лишь соста вом травителя (щелочь или ортофосфорная кислота). После послед ней фотолитографии алюминий «вжигают» при 500—550° С в течение нескольких минут в инертной атмосфере для снижения переходных сопротивлений между пленкой металла и кремнием.
Большое внимание при проведении технологического процесса уделяется методам межоперационной транспортировки пластин, хранению заделов пластин в процессе производства и соблюдению технологической дисциплины цикла изготовления структур. Не обходимость тщательного выполнения этих операций обусловлена высокой чувствительностью планарной технологии к неконтроли руемым загрязнениям в процессе изготовления структур, которые могут привести к появлению дефектов и резкому снижению выхода годных приборов.
Основным условием бездефектности изготовляемых планарных структур является введение строго контролируемых сред, в кото рых находятся кремниевые пластины во время технологического цикла, и минимальные выдержки рабочих партий между перечис ленными выше основными операциями.
В соответствии с этим многие операции химической обработки и фотолитографической обработки пластин проводят в обеспыленных боксах (скафандрах) с применением высокочистых_£еактивов. Обес-
пыленная среда (порядка |
нескольких |
пылинок размером |
более |
0,5 мкм в 1 литре воздуха) |
создается путем постоянной фильтрации |
||
очищенного воздуха в рабочем объеме |
скафандра с помощью |
спе |
циальных фильтров. В скафандре создают ламинарный поток чисто го воздуха, препятствующий попаданию загрязнений из окружаю щей среды. Реактивы, применяемые в производстве, там, где это возможно, поступают на рабочие места после дополнительной фи нишной тонкой фильтрации. Это прежде всего относится к реакти вам, используемым при химической обработке пластин и фотолито графии, деионизованной воде и газам, используемым в термических процессах. Передача пластин после химической обработки на тер мические операции, а также после диффузионных процессов на фото литографию осуществляется в герметизированных контейнерах, за грузка в контейнеры и разгрузка — обязательно в обеспыленной среде.
Длительное хранение пластин после химической обработки обычно не допускается. Процессы химической обработки, как пра вило, разрабатывают с таким расчетом, чтобы в течение нескольких часов рабочие пластины были обязательно переданы на следующую операцию. В случае непредвиденной задержки пластины проходят дополнительную (обычно менее сложную) обработку и лишь после этого продолжают технологический цикл.
Современный подход к производству планарных приборов тре бует жесткого графика движения рабочих партий по основным опе рациям. Обусловлено это тем, что адгезия фоторезистов максимальна со свежеотожженной окисной пленкой, и только в этом случае можно добиться высоких результатов фотолитографии. Большое значение имеет также сокращение разрыва между первой и второй стадией диффузии, поскольку операцияа введения примесей иногда сопровождается осаждением излишнего количества диффузанта на маскирующую окисную пленку и, как следствие этого, ухудшением ее качества.
Для уменьшения неконтролируемых загрязнений загрузку пластин в диффузионные печи осуществляют через специальные обес пыленные боксы, либо загружают предварительно пластины в рабо чие лодочки, которые затем транспортируются в герметичном контей нере к диффузионной печи, а контейнер стыкуют в момент загрузки с реакционной трубой печи. Уменьшению дефектообразования в зна чительной степени способствует соблюдение жесткого графика обра ботки рабочих камер (труб) печей, в которых проводится диффузия, отжиг держателей пластин непосредственно перед проведением диф фузионных процессов, чистота приспособлений для контроля темпе ратуры, загрузки лодочки и т. д.
Соблюдение рассмотренных выше условий практически пол ностью определяет выход годных изделий при выбранной методике проведения диффузионных и фотолитографических операций.
Перейдем к более подробному описанию основных процессов планарной технологии.
18
1.3. Методы получения и свойства окисных пленок кремния
Планарная технология располагает несколькими методами получения окисных пленок кремния, используемых при диффузии
вкачестве масок. К важнейшим из них можно отнести:
—термическое окисление кремния;
—осаждение окисла кремния с помощью пиролиза силанов;
—анодное окисление в растворах электролита;
—окисление в тлеющем разряде;
—осаждение окисла при помощи химических реакций пере
носа;
— реактивное распыление кремния.
Перечисленные методы, безусловно, имеют определенные досто инства и недостатки при использовании их в производстве полупро водниковых приборов.
Так, например, пиролиз силанов, реактивное распыление и ре акции переноса позволяют получать окисные пленки не только на кремнии, но и на других материалах, что может быть использовано в планарных германиевых приборах, а также в приборах на основе интерметаллических соединений Аш By. Методы низкотемпера турного окисления и реакции переноса используются для создания пассивирующих слоев на структурах с рельефом. Анодное окисле ние может быть успешно применено для создания пленок легиро ванного окисла, что позволяет вести диффузию из таких пленок. Для пассивации структур различной геометрии может быть также использовано реактивное напыление.
Пиролиз силанов используется в планарной технологии на кремнии для получения толстых слоев окисла при низких температу рах, когда термическое окисление неприемлемо из-за существенного изменения параметров диффузионных слоев при температурах окис ления. Применение таких пленок необходимо в специальных типах
транзисторов, |
в частности в СВЧ транзисторах — для уменьшения |
||
суммарной емкости коллектора, |
значительный |
вклад в ко |
|
торую вносит |
емкость контактных |
площадок, |
расположенных |
на окисле. |
|
|
|
Рассматривая кратко технологию пиролитического окисления следует отметить, что наиболее часто применяется два метода: пиро лиз в потоке газа-носителя и вакуумный пиролиз.
В первом методе газ-носитель, проходя через барботер, захва тывает пары силана и поступает в реакционную камеру, представля ющую собой обычно кварцевую трубу, помещенную в печь с тем пературой, достаточной для разложения силана. Наиболее часто используют тетраэтоксисилан, разлагающийся при температурах порядка 700° С. При разложении образуется двуокись кремния, которая осаждается на помещенные в рабочую зону печи кремниевые пластины. Этот метод дает наиболее совершенные по структуре
19-