Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

книги из ГПНТБ / Кремниевые планарные транзисторы

..pdf

Скачиваний:

Добавлен:

25.10.2023

Размер:

17.57 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 910 / 3410 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 > Следующая >>>

Из равенства (3.40) следует, что величина W6 логарифмически зависит от напряжения Uк р.п.

Для сравнения следует указать, что в бездрейфовых транзисто рах коэффициент переноса ß n изменяется с толщиной квазинейтраль ной базы W6 по параболическому закону [53]: ß„ б е з д р = = 1 ~~ ( ~ ) > поскольку в этих транзисторах эмиттерный ток обратно пропорцио

нален толщине квазинейтральной	базы [53]:
D пп	ехр (Ua „	„/œT)	(3.41)
I n (xl) = qS0-H-JL	Р ^ Э Р - П /	" Т ) -	(3.41)

Зависимость величины W6 от коллекторного напряжения здесь бо лее сильная, чем в случае дрейфовых транзисторов. Например, для п+-р-п+ сплавного бездрейфового транзистора имеем

_ ш

щ-б

2еео(сРк^\икР-п\

Wo-W6o-y

где Na6

— концентрация акцепторов в высокоомной базе. Подстав

ляя выражение (3.38) в (3.28), можно найти коэффициент

усиления

по току

Л о т :

Я с т = І ( 1 - Ѵ в ) +

Ѵп- W6LJLl(xl)]-K

(3.42а)

числителе формулы

(3.42а) мы

положили приближенно,

что

ß n Y „ = 1,

поскольку

ß n , уп

« 1. Если коэффициент

инжекции

уп

очень

мало отличается

от

1 (1 — уп)

<^ уп-

W6La/Ll(xl),

тогда

B0T&Lan{x'a)/W6La.

(3.426)

бездрейфовых

транзисторах

коэффициент

усиления

по

току

ß c T

бездр

П Р И

Тп = 1 равен

5 с

т б

е з д р = 2 ( L n / № 6 ) 2 .

Следовательно,

при

одинаковых

значениях

толщины квазинейтральной

базы

и диффузионной длины Ьп

для электронов при уп

= 1 коэффициент

усиления

. йстдр

в дрейфовом триоде больше аналогичного коэффи

циента

в бездрейфовом

триоде

W6/2La

раз

(ВСТдр

ß 0 T 6 e 3

H P ) .

Это

объясняется

следующим.

Выражения

для

рекомбинационной составляющей базового

тока

/ б а

для

обоих

типов

транзисторов

почти одинаковы

[см.

формулы

(3.37а)

и (3.376)]. Плотность же электронного

тока

дрейфовом

транзисторе

при

одинаковых

значениях

величин

п(х'э), 5Э , W6

всегда больше, чем в бездрейфовом, поскольку в зна

менатель выражения (3.23) входит величина L a , которая при обыч

ных смещениях \| UK р.п \| g. 20В меньше толщины			квазинейтральной
базы, входящей в выражение (3.41).
До сих пор мы рассматривали случай		малых уровней инжек
ции в	базе дрейфового триода (п{х^)ІNа{хк)	<	1)-	При	больших'
токах	эмиттера и в режиме насыщения (см. гл. 4),			когда	эмиттер-

ный и коллекторный р-п переходы смещены в прямом направле нии, может реализоваться случай высоких уровней инжекции [n{xl)l(Nа(хІ) •— Nd{x%)) > 1]. Тогда согласно [46] плотность эмит терного тока вычисляется по формуле

\Іп\ = 2дПп	dn	(х)	2qD*	(3.43
	dx

поскольку исчезает ускоряющее поле в базе, созданное неравномер ным распределением примесей, а диффузионная и дрейфовая со ставляющие электронного тока становятся примерно одинаковыми. Рекомбннационная составляющая базового тока теперь определяет ся из соотношения, справедливого для бездрейфовых транзисторов:

I5A	= qSa[n{xl)Wbl2xl\,		(3.44)
где %*п — время жизни	электронов в базе		при высоких уровнях
инжекции, причем оно может отличаться			от тп (времени жизни
для малых уровней инжекции п(хі)іЫа(х'л)			< 1).
Из формул (3.43) и (3.44) легко получить выражение для ко
эффициента переноса при больших		токах:
	ß n = l - V a	(W6/Llf,	(3.45)

где Ln = V D*nx*n — диффузионная длина электронов, a D„ — ко эффициент диффузии в базе при высоких уровнях инжекции. Если время жизни %п возрастает с уровнем инжекции n(xl)l[N а(хІ) —•

— Nа\х"э)\, то коэффициенты переноса при малых и больших уров нях инжекции [равенства (3.38) и (3.45)] могут иметь близкие зна чения.

3.4. Коэффициент инжекции

По определению, интегральный коэффициент инжекции эмит терного р-п перехода в п-р-п дрейфовом транзисторе равен

- _	W )	7 п К )	g .
где 1тр.п — Іп{х'э)	— Іп(х'э)	— составляющая эмиттерного	тока, об

условленная рекомбинацией электронов и дырок внутри самого эмиттерного р-п перехода, а Ір(х'э) — дырочная инжекционная со ставляющая. При достаточно больших прямых смещениях в крем ниевых транзисторах (U3P.n > 0,5 В) эмиттерный р-п переход становится достаточно узким, а потенциальный барьер небольшим (фкэ — ^ Э Р - Л < 0 , 3 В) и вероятность рекомбинации носителей в области перехода оказывается меньше вероятности надбарьерного перехода—инжекции. Экспериментальные исследования крем ниевых планарных приборов в работах [54] и [55] действительно

свидетельствуют	о малом	вкладе рекомбинационной составляющей
1т р-п при больших плотностях тока (\| /„ I >			10 А/см2 ).	ІР(х'э)
Вычислим	дырочную	инжекционную	составляющую

из уравнения непрерывности для концентрации дырок р(х) в эмит-

терном

слое

п-типа:

djp(x)ldx

= — qàp(x)/Tp(x),

(3.47)

где

/р(х) =

qiip(x)E(x)Ap(x)

—

qDp(x)[dAp(x)/dx]

— плотность

ды

рочного

тока;

Ар(х)

р(х) —

рп(х)

— избыточная

концентрация

дырок

при

протекании

эмиттерного

тока;

рп(х)

—

njl[Nd(x)

—

— Na(x)]

— равновесная

концентрация

дырок. Поскольку

рп(х)^.

103 с м - 3

при

Nd(x)

—

Na(x)

1017

с м - 3 ,

а р(х)

при

обычных

плотностях

эмиттерного

тока

| / п

| >

1 А/см2

на

много

порядков

больше

Рп(х),

то àp(x)

р(х).

отличие

от бездрейфового

тран

зистора со сплавным эмиттером, имеющим однородное распределе

ние примеси, в дрейфовом транзисторе			существует тормозящее
поле Е(х) при 0 <	х <	х'э (см. рис. 3.1) для дырок,		инжектирован
ных из базы, равное
Е(х)	=	— q>T(d/dx) lnWd(x)	— Na(x)].	(3.48)
Впервые выражения для дырочной составляющей эмиттерного
тока и коэффициента		инжекции у п дрейфового транзистора были

получены в работе [56] в предположении, что рекомбинация дырок в эмиттерном слое отсутствует, т. е. т р = оо. Однако сильное тор мозящее поле Е(х) концентрирует дырки в тонком слое вблизи эмит терного р-п перехода и рекомбинация становится важным факто ром, определяющим величину плотности тока jp(x). Поэтому в [56] значения составляющей Ір{х'э) оказываются в 10 и более раз ниже, чем в работах [48, 57, 58], где используется конечное время жизни дырок Тр. В [57] приводятся полученные с помощью ЭВМ зависимо сти величины ß v = упІ(\ — у п ) от отношения поверхностных кон

центраций	эмиттерной и базовой примесей Nsd/Nsa,	а также от кон
центрации	примеси в высокоомном коллекторном слое для частного

случая распределения примесей по дополнительной функции оши


бок. В работах	[48, 58]		получены аналитические					выражения	для
коэффициента ßY = уп/(\				—	у п	) и Ір(х'э)	при аппроксимации		рас
пределения результирующей					примеси		в эмиттере параболой		вида
Nd{x) — Nа{х)	=	П(хэ0	—	х)6.		Предполагается,		что параметр ô
принимает значения (2 ^				ô ^		4) в реальных транзисторах. Со
ставляющая тока эмиттера Ір(х'э)						оказалась равной
	P V	3 J	4	9	Ф І : І £ ( * ; ) І « ( І - І / О )			V
где Е(х'э) — напряженность поля на границе эмиттерного р-п									пере
хода и квазинейтрального эмиттерного слоя.
Проведем расчет дырочной составляющей тока для случая
экспоненциального		распределения доноров (3.1),						которое является

более	характерным для кремниевых		планарных транзисторов в об
ласти	( х 1 < л ; < Х э ) (Nd(xi)	= 5- Ю1 9 см- *),		чем	параболическое
приближение, принятое в		работах	[48, 58].	Из	двух уравнений

(3.47) и (3.48) легко получается уравнение для плотности дыроч

ного

тока

d2 ір(х)

Е(х)

djp(x)

ip(x)

О,

(3.50)

dx2

где

Lp — .

^р,lp.р — средняя диффузионная длина

дырок

области

{х1<х<х'э),

Dp=-[Dp(x'3)-\-0,(^)1/2=

1 , 8 с м 2 / с п р и Т = 3 0 0 К ,

по

скольку

согласно

рис. 3.36 \хр

=-- 100 см2 /В-с

при Nd(x'3)-{-

Na(x'3)=

- 1 0 1 8 с м - 3

и | і р

= 50 смя /В• с

при Nd(x1)

= 5-19*9 см-3 .

Явное выражение для тормозящего поля Е(х) можно найти,

подставив в равенство (3.48) выражения

(3.1)

(3.3) для

Nd(x)

Na(x):

хэо

— х

Е(х)

exp

L .d

(3.51a)

4>і

L d

1—exp

Так

как

(хэо- - х ) > ( х э 0

— х'э)

и обычно {x.ê0

— x'3)lLd%

то (3.51а)

упрощается:

E/q>Tœl/Ld,

(3.516)

т. е. тормозящее поле для дырок в области (х1

х<і х'э)

оказывается

почти постоянным.

В результате (3.50) сводится к дифференциальному

уравнению

2-го порядка с постоянными

коэффициентами:

d2 jp (x)

djp(x)

jp(x)

(3.52)

dx2

L d

Граничными

условиями,

очевидно, будут

dip

(x)

, =

~рп(х'э)ехр(иэр.„/ц>т),

(3.53)

Тр

/ p W U ^ O .

(3.54)

Условие

(3.53) — обычное

граничное условие Шокли

для

р-п

перехода, а условие (3.54) получено из соображений, что в сильном тормозящем поле Е = q>TlLd > 2500 В/см (Ld g 0,1 мкм) дырки накапливаются вблизи границы х'э и дырочный ток jp(x) отличен от нуля вследствие рекомбинации дырок и электронов главным образом

в области	хг<іх <і х'э.	Это позволяет нам не рассматривать область
О < x <	xlt где Ni(x)	> (5 • Ю1 9 ~ 2 • 1020) см"3 . Общее решение

(3.52)

при

LdJLp

1 (либо

L d

0,1

мкм, L p «

1 мкм) имеет

вид

j p

(х) = С1

exp (xlLd)

+ С2 ехр (-—xL/L)).

Из условия (3.54)

получаем, что С 2 = — С х е х р

(x1!Ld)e}ip(x1LdlLip),

а из

(3.53)

находим

С 1 = —

Рп

(*э) е х Р (^э р-л/Фг) Ld

exp j — + — exp

— - ] exp

V L d /

\ Ld

-P„ (4 ) exp (^LP^L ) Lr f exp

поскольку

exp (x'3/Ld)

exp (xJLd)

(LJLp)

exp [ ( x x — Х э ) LJLp].

Таким образом,

/ , M - - £ * W ) « P ( ^ ) ^ « P ( - £ ) X

exp

Л:

—ex

(3.55)

—

U d

Заметим, что из формул (3.55) и (3.47) легко устанавливается и экспоненциальный закон распределения концентрации инжектиро ванных дырок

Ар(х) = рп ( Х э ) е х р		Uэ р-п	ехр ,		Хэ	exp
Ар(х) = рп ( Х э ) е х р							Ld
							Ld
	(*i	— x ) Ld					с/.
- ^ е х р ( ^ Л е х р	(*i	— x ) Ld		=	p n (x;)exp		( U - ^ X
- ^ е х р ( ^ Л е х р				=	p n (x;)exp		( U - ^ X
L d /
X exp			{х'э ~x)		E
X exp

Фт

Наконец, из (3.55) находим дырочную составляющую эмиттерного тока

Рп (Х'а) ыР(Ѵэр-П/<Рт) Ld

или

(3.56)

Р К ' 4 3 Р Ф ^ 1 ^

При сравнении формул (3.49) и (3.56) обращает на себя внима ние довольно существенное их различие:

(х'э);іксп

распр

(à-l)Ld

Ip ( - ^ п а р а б о л распр

хэо

Хэ

Например, при Ld/{x30

— х'э) —

и типичном

значении

<5 =

получим

Ір

(х'э)э

спр/^р1

(Хэ)л

--=2.

' р ѵ^э/эксп

р а с п р / р ѵ^э^царабол

распр

Из

выражения

(3.56)

видно,

что

дырочная

составляющая

Ір(х'э)

убывает с ростом

тормозящего поля

q>T/Ld вследствие

сужения области, в которой концентрируются

инжектированные

дырки. Уменьшение времени жизни дырок

т р

также

увеличивает

дырочный ток, так как возрастает рекомбинация

электронно-дыроч

ных пар в эмиттерном слое.

Теперь, используя выражение (3.23) для плотности электрон

ного тока \}п\{Іп{х'э)

= S a | / „ | ) и

(3.56)

для дырочного

тока Ір{х'э)

при достаточно больших прямых смещениях

{UgP.n

0,5

В),

когда

можно

пренебречь рекомбинацией

в р-п-

переходе

(Іп{х'э)

ln(xl))'вычислим

коэффициент

инжекции

{х'э)

( * э ) / / п {х'э)

Iп

{х'э)

Рп {х'э) Dp La

H',

(3.57)

пр {х'э)

{х'э)

где

H' Tu -^— :

1,7.

(3.58)

0,6

поскольку величина H [см. равенство (3.39)], как указывалось выше,

почти равна 1. При выводе (3.57) и (3.58) учитывалось, что Ір{х'э)

Іп{х'э)

в реальных приборах и

іч

np{x"s)[Na{xl)—Nd{xl)]

Naixl)

Na{xl)

np{xl)\\—

exp

х"э — х.

L„

Заметим

также, что

Рп {х'э) _

Ng {хэ) —

Ыа{х'э)

пр{х'э)

Nd{x'a)-

-Na{x's)

поскольку при больших прямых смещениях эмиттерный р-п пере ход можно считать линейным.

Таким образом, формула (3.57) примет окончательный вид:

1,7	LaLd	(3.59)
		(3.59)
Согласно равенству (3.59) коэффициент	инжекции уп тем меньше

отличается от 1, чем меньше характеристические длины в распреде лении акцепторов Ьа и доноров L d и больше ускоряющее поле для

электронов в базе	при х >	хт Е	ц>Т/Ьа	и тормозящее поле для
дырок в эмиттере	при (х1	<х<.х'э)	— Е	= yT/Ld.	Поэтому при

изготовлении планарных транзисторов необходимо выбирать такие режимы диффузии доноров и акцепторов, которые обеспечивают до статочно резкие фронты в распределении примесей. Как видно из (3.59), коэффициент инжекции зависит обратно пропорционально от времени жизни дырок в эмиттере т р . С увеличением т р уменьшается количество дырок, рекомбинирующих в области хх < х < х'э, снижается дырочный ток и растет параметр уп. Следует заметить, что в отличие от параметров L a , L d временем жизни дырок т р не удается целенаправленно управлять, изменяя режимы диффузион ных отжигов. Это обусловлено тем, что величина т р чрезвычайно чувствительна к наличию в эмиттере малых концентраций (А* Ю1 5 — 101 7 см - 3 ) инородных примесей (Си, Au, Ni и т.д.) и дислокаций,

которые являются рекомбинационными центрами для дырок.	Более
того, к настоящему времени даже отсутствуют достаточно	точные
и прямые методы определения времени жизни дырок т р в эмиттере.

Выведенная нами формула (3.59) имеет практическое применение.

	В качестве иллюстрации рассмотрим следующий числовой при
мер. Рассчитаем коэффициент инжекции уп							для типичного кремние
вого	планарного		триода	со следующими			значениями		параметров:
W60	= 1,5	мкм,	Na(xa0)	= 5-101 7		см"3 ,		Na(xM)/Nd«	=	103,
Е>п(х'э) — 8		см2 /с,	La =	0,22	мкм,	Ld	—	V 3 La =	0,07	мкм,
т р =	5 • Ю - 9	с. В этом случае			уп =	0,9935.		Следовательно,		коэф

фициент инжекции в кремниевых планарных транзисторах в от

личие от германиевых			сплавных бездрейфовых	транзисторов,	где
у « 0,9995,	может существенным образом влиять			на величину	ко
эффициента усиления по току [формула (3.42а)].
Практически величина параметра ß C T определяется тем из ко
эффициентов ß n		или уп,	который более заметно отличается от 1. На
пример, у	всех	п-р-п	транзисторов, не легированных специально

золотом, время жизни неосновных носителей — электронов — в базе

%п довольно велико (тп >		Ю - 7 с), поэтому согласно формуле (3.38)
коэффициент переноса	ß„ ^		0,999 « 1 при	типичных значениях
W60 » 1 мкм, L A =	0,1	—	0,2 мкм, Dn(xl)	Ä; 10 см2 /с. Таким

образом, выражение (3.42а) с учетом (3.59) принимает вид

(3.60)

1,7L a L 4

Рис. 3.6. Зависимость коэффи циента усиления Вст от тока коллектора при трех коллек торных напряжениях для тран зистора КТ312 (а) и КТ603 (б):

Д — UK6 =	15	В, X — UK6 = 5,5 В,
О — UKÜ =	2,7	В.

В случае

переключающих

транзисторов,

например

КТ603,

которых

на

за

ключительной

стадии

из

готовления

проводится

диффузия

золота,

время

жизни

электронов

базе

мало (тп А ; Ю - 8 с), и ко

эффициент

переноса

ß n

Для

таких

приборов можно

считать,

заметно

отличается

от

что

уп

—

1, и тогда приходим к формуле (3.426).

При

сравнении

выражений (3.60) и (3.426) легко заметить, что

для транзисторов 1-го

класса

(ß„

1, уп

1) коэффициент уси

ления

ß C T

не

зависит

от

коллекторного

напряжения

U K P . N ,

у транзисторов 2-го класса

(ß„ <

1, уп

1) величина ВСТ

обратно

пропорциональна толщине квазинейтральной базы We,

которая

зависит от напряжения

U K P

. N

по закону (3.40). Поэтому,

измеряя

зависимость ВСТ

BCT(UK6)

J /

диапазоне

напряжений

UKÖ

(—2

—15)

(когда

[ £ / к б |

V 3

£ / к б п р )

при

токе

/ к ,

соот

ветствующем

средней

части пологого участка на кривой ВСГ

—

— Вст([к)

\ у

, где

рекомбинация

эмиттерном

р-п

переходе

пренебрежима по сравнению с рекомбинацией в квазинейтральной базе и эмиттерном слое, можно установить принадлежность транзи

стора конкретного типа к тому

или иному классу. Если ВСГ

почти

не зависит от напряжения

(т. е. практически

[ ß C T (

—

15В) —

— 5 С Т (

— 2B)]/ßC T ( — 2В) <

0,1);

тогда

можно

считать,

что

ß„ =

1 и ВСТ

1/(1 — у п ) . Случай

ß„

уп

1 реализуется,

например у транзисторов КТ312, как показано на рис. 3.6,

а.

Если в указанном диапазоне напряжений £/„б

коэффициент

усиления ß C T

возрастает:

[ 5 С Т ( —

15В) — Л с т ( — 2 ß)]/5 C T ( — 2 В)

» 0,20

—

0,30,

тогда

можно

считать уп

1 и В с т

1/(1

— ß„). Действительно,

согласно

(3.40)

и (3.426)

при

типичных

значениях

W6o

0,70 —

— 1,50

мкм, Na(x30)/NdK

103,

NdK

(0,5

ч-

1) • Ю1 5

см~3

получаем

[ ß C T ( — 15В) — ВСГ

( — 2B)]/ß C T ( — 2В) =

0,25

—

0,30.

Такая

зависимость величины

ВЙ7

от

UK6

характерна для

тран

зисторов

КТ603 (рис. 3.6,

б),

4 Зак. !90

Глава четвертая

О С О Б Е Н Н О С Т И РАБОТЫ Т Р А Н З И С Т О Р О В ПРИ БОЛЬШИХ Т О К А Х К О Л Л Е К Т О Р А

4.1. Э ф ф е к т оттеснения эмиттерного тока
Транзисторы средней и большой мощности обычно	работают
в схемах в режиме высоких плотностей эмиттерного тока / э	= 100 —

— 3000 А/см2 . При больших величинах / э возникает ряд физиче ских явлений, вызывающих спад коэффициента усиления ß C T .

Вначале рассмотрим эффект оттеснения эмиттерного тока, который заключается в появлении неоднородного распределения плотности эмиттерного тока по ширине эмиттера. Сущность этого эффекта легко понять из рис. 4.1, где изображено сечение планарного транзистора с прямоугольным эмиттером. Падение напряжения

на эмиттерном р-п переходе в центре эмиттера Ua Р.п(у)\у=о	всегда
меньше напряжения на переходе у края эмиттера ÙB р.п	( ± / э / 2 )

на величину омического падения напряжения на участке активной базы 0 < у < IJ2 вследствие протекания базового тока. Плотность ;же тока эмиттера экспоненциально зависит от напряжения на р-п

переходе	/ э — exp (£/3 P -n /cpT ) согласно	формуле (3.23). Поэтому
падение	напряжения на тонкой активной	базе в несколько	срг =-
= 0,026 В приведет к различию в величинах /э (0) и ja(lJ2)			на по

рядок и более. Максимальная плотность тока будет на краю пере хода. Увеличение эмиттерного тока вызывает увеличение плотности эмиттерного тока / э (/ э /2), а также базового тока І б а , что приводит к возрастанию падения напряжения вдоль базы и к неоднородности в распределении тока по площади эмиттера. Поэтому в мощных транзисторах целесообразно использовать узкие эмиттеры с большим периметром.

Рассчитаем распределение плотности эмиттерного тока для двух основных конфигураций эмиттера — круговой и прямоуголь ной. Это даст возможность выразить полный ток эмиттера I э через плотность тока у края эмиттера, что необходимо для конструктив ного расчета транзисторов.

Прямоугольный эмиттер. Флетчер [59] впервые рассмотрел иде ализированный случай транзистора с однородно легированной ба зой (бездрейфовый транзистор) и с прямоугольным эмиттером беско нечной ширины. Хаузер [60] рассчитал эффект эмиттерного вытес нения для более реалистической модели транзистора также с одно родно легированной базой, прямоугольным эмиттером конечной

ширины и с базовыми контактными полосками, расположенными как с одной, так с обеих сторон от эмиттера ( рис. 4.1).

Обобщим результаты работы [60] на случай дрейфового тран зистора с неоднородно легированной базой с двумя базовыми кон тактными полосками, что обычно имеет место на практике.

Сделаем ряд допущений:

1) эмиттерный и коллекторный р-п переходы считаем плоскими

ипараллельными, что справедливо в пределах активной базы;

2)падением напряжения в эмиттер ном слое ввиду высокого ле гирования пренебрегаем;

3) уровень	инжекции в базе считаем малым [п(х,	y)lNа(х)	—•
— Л^гі(лг)) < 1],	так что удельное сопротивление базы не зависит		от
тока при умеренных токах эмиттера;
4) коэффициент передачи тока а предполагается		постоянным

вдоль базовой области, что хорошо выполняется в диапазоне не очень высоких плотностей тока эмиттера (допущение 3);

5) длину эмиттера Z3		считаем значительно большей ширины						/ э ,
т. е. ZJl9	%> 1. Поэтому	краевые эффекты				можно не учитывать		и
рассматривать двумерную модель				транзистора.
Ввиду симметрии задачи относительно оси Ох достаточно рас
смотреть область активной базы 0 ^					у <J IJ2.	Напряжение на эмит-
терном р-п	переходе Uop.n(y)		в	произвольной точке у,			очевидно,
связано с напряжением на переходе у края эмиттера							Uap.n(lj2)
следующим	соотношением:
				У 2
U3p.n(y)^U3p.n(lJ2)~				J	/ б ( х , y')pu(x)dy',		(4.1а)
				у

где интеграл в правой части представляет собой омическое падение напряжения на участке базы {у, IJ2), /б (х, у) — абсолютная вели чина плотности базового тока в точке (х, у).

Величина / б (х, у) рб (х, y)dy = f{y)dy — омическое падение на пряжения на участке dy, не зависит от координаты х, так как при малых уровнях инжекции в базе (допущение 3) ток базы можно счи-

Рис.	4.1.	Картина	токов в	/7Т 1 X
п-р-п	транзисторе		с прямо	/7Т 1 X
угольным		эмиттером.
4*				99
				99

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 910 / 3410 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ

#
19.10.20233.84 Mб10Креймер, М. Б. Машинист вращающейся печи.pdf
#
19.10.20234.03 Mб18Креймер, М. Б. Машинист цементных мельниц.pdf
#
19.10.20233.35 Mб8Креймер, М. Б. Обслуживание и наладка пылеулавливающих установок цементного производства.pdf
#
29.10.20237.46 Mб14Крейндлин Л.Н. Конструкции и производство щитовых дверей.pdf
#
19.10.20232.69 Mб13Кремень, З. И. Доводка плоских поверхностей.pdf
#
25.10.202317.57 Mб21Кремниевые планарные транзисторы..pdf
#
22.10.202318.68 Mб8Кремс, А. Я. Условия формирования и закономерности размещения залежей нефти и газа.pdf
#
25.10.202316.58 Mб7Кретович В.Л. Введение в энзимологию.pdf
#
25.10.202315.86 Mб23Кржижановский Р.Е. Теплофизические свойства неметаллических материалов (окислы) справ. кн.pdf
#
29.10.20238.06 Mб8Кривандин В.А Керамические рекуператоры.pdf
#
19.10.20233.31 Mб5Кривенко, Е. И. Технологические процессы на предприятиях автосервиса.pdf