ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие Основные обозначения
Г л а в а |
1 |
|
|
|
|
Основы |
планарной технологии |
|
|
|
1.1. Особенности планарных |
приборов |
|
•. |
1.2. |
Технологический |
цикл |
изготовления |
типового |
планарно |
|
го транзистора |
|
|
|
|
1.3. |
Методы получения |
и свойства окисных |
пленок |
кремния |
1.4.Создание рельефа в окисной маске с помощью фотолитогра фических операций
1.5.Диффузия в условиях окисной маскировки
1.6. Заключительные этапы изготовления кремниевых планар ных транзисторов
1.7.Задачи и методы контроля технологического процесса из
готовления кремниевых планарных приборов 1.8. Проблемы и перспективы планарной технологии . . . .
Г л а в а 2
Законы распределения примесей в реальных транзисторах, изготовлен ных методами многократной диффузии
2.1. Основные положения теории диффузии
2.2.Зависимость коэффициента диффузии от концентрации диффундирующей примеси
2.3.Особенности диффузии с одновременным окислением в тех нологии изготовления планарных транзисторов
2.4.Эффект эмиттерного вытеснения
2.5.Диффузия из легированных окислов
2.6.Диффузия золота
Дополнение к гл. 2
Г л а в а |
3 |
|
|
|
Статические параметры |
кремниевых планарных транзисторов . . . . |
3.1. Распределение |
примесей и образование электрического поля |
|
в базе |
|
|
р-п перехода |
3.2. |
Вольтамперная характеристика |
эмиттерного |
3.3. |
Коэффициент |
переноса базы ß n |
в одномерном |
приближении |
3.4.Коэффициент инжекции
Г л а в а |
4 |
|
|
Особенности работы транзисторов при больших |
токах |
коллектора . . |
4 . 1 . Эффект оттеснения эмиттерного тока |
|
|
4.2. |
Зависимость коэффициента усиления |
ВС т о т |
тока коллектора |
Г л а в а |
5 |
|
|
Малосигнальные параметры а м Р |
|
|
5.1. Низкочастотные значения |
|
|
5.2. |
Частотная зависимость коэффициентов а и 5 |
5.3. |
Омическое (распределенное) сопротивление базы гб . • • • |
5.4. |
Зависимость предельной частоты /т |
от тока коллектора |
Г л а в а |
б |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Температурная зависимость параметров |
ß C T |
и fr |
|
|
156 |
6.1. Зависимость |
коэффициента |
Вст |
от температуры |
|
156 |
6.2. |
Зависимость |
предельной |
частоты |
/ т |
от температуры . . . |
166 |
Г л а в а |
7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Импульсные свойства транзисторов |
|
|
|
|
|
|
170 |
7.1. Особенности работы транзисторов |
в импульсном режиме . . |
170 |
7.2. |
Переходные |
процессы в |
транзисторах |
при переключении |
183 |
Г л а в а |
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Высоковольтные кремниевые |
пленарные |
транзисторы |
|
200 |
8.1. Лавинный пробой |
коллекторного |
р-п |
перехода в |
планарном |
|
|
транзисторе |
|
|
|
|
|
р-п |
|
|
200 |
8.2. |
Особенности |
пробоя в реальных |
переходах |
планарного |
|
|
транзистора |
|
|
|
|
|
|
|
|
210 |
8.3.Напряжение пробоя в схеме с общим эмиттером при отсоеди
|
ненной |
базе 1/цэ о |
|
|
|
|
|
|
|
217 |
8.4. |
Напряжение переворота фазы базового тока Ua |
|
220 |
8.5. |
Прокол |
базы |
|
|
|
|
|
|
|
|
221 |
8.6. Пробой эмиттерного р-п перехода |
|
|
|
|
223 |
•8.7. Способы |
повышения |
|
пробивных |
напряжений планарного |
|
транзистора |
|
|
|
|
|
|
|
|
227 |
Дополнение к гл. 8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
234 |
Г л а в а |
9. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Особенности |
СВЧ транзисторов |
|
|
|
|
|
|
236 |
9.1. Основные направления в конструировании |
СВЧ |
транзис |
|
торов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
236 |
9.2. |
Оценка |
основных |
параметров |
СВЧ |
транзисторов |
. . . . 243 |
9.3. |
Технологические особенности |
производства |
СВЧ |
транзис |
|
торов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
262 |
Г л а в а |
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вторичный |
пробой |
и проблема |
термической |
устойчивости |
в |
мощных |
высокочастотных транзисторах |
|
|
|
|
|
|
|
271 |
10.1. Причины возникновения вторичного пробоя |
|
271 |
10.2. |
Параметры, |
определяющие |
термическую |
устойчивость |
|
транзисторов |
|
|
|
|
|
|
|
|
284 |
10.3. |
Методы |
повышения |
термической |
устойчивости |
и |
защиты |
|
от |
вторичного |
пробоя |
|
|
|
|
|
288 |
Г л а в а |
11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Специальные |
типы |
планарных |
транзисторов |
|
|
|
|
299 |
11.1. Транзисторы в интегральных схемах |
|
|
|
299 |
11.2. |
Быстродействующие |
переключающие |
транзисторы с барь |
|
ером Шоттки |
|
|
|
|
|
|
|
|
301 |
11.3. |
Микромощные |
транзисторы |
|
|
|
|
|
306 |
11.4. р-п-р транзисторы |
|
|
|
|
|
|
|
312 |
11.5. |
Бескорпусные транзисторы и транзисторы в |
пластмассовых |
|
корпусах |
|
|
|
|
|
|
|
|
314 |
Приложение . |
Конструктивный |
расчет |
высокочастотных |
|
планар |
|
|
ных транзисторов |
средней |
мощности |
|
|
319 |
Список литературы |
|
|
|
|
|
|
|
|
323 |
Владислав Григорьевич Колесников Валерий Иванович Никишин Владимир Федорович Сыноров Борис Константинович Петров Геннадий Васильевич Сонов Владимир Сергеевич Горохов
КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Редактор И. М. В о л к о в а |
|
|
|
|
Художественный редактор В. Т. |
С и д о р е н к о |
Обложка художника В. В. |
В о л к о в а |
|
Технический редактор Г. 3. |
К у з н е ц о в а |
Корректор И. Г. Б а г р о в а |
|
|
|
|
С д а н о |
в набор |
1 5 . Ш — 1973 г. |
|
|
|
П о д п и с а н о в |
печать |
ЗО.ѴШ—1973 |
г. |
Т-11076 |
О б ъ е м |
21 усл . п. л . , |
23,381 уч . - изд . л. |
|
|
Формат |
60 X 90/16 |
Б у м а г а |
типографская |
№ 2 |
Т и р а ж |
14 700 |
|
|
З а к а з |
190 |
Цена |
1 р. 51 к. |
И з д а т е л ь с т в о |
«Советское |
р а д и о » , |
Москва, |
Главпочтамт, а/я 693 |
Московская типография № 4 |
Союзполиграфпрома |
при Государственном |
Комитете Совета |
Министров СССР |
по д е л а м издательств, полиграфии и книжной торговли Москва, И-41, Б. Переяславская, 46.
