Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Плотников Р.И. Флюоресцентный рентгено-радиометрический анализ

.pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
10.81 Mб
Скачать

ный фактор fan является функцией аргумента / =

= 4 - s i n 0 / 2 ,

где

коэффициент а,

называемый

характери -

Л

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

стическим

радиусом

атома,

равен

 

 

 

 

 

 

 

 

. а =

(—У'*

 

 

Z~4*

=

0,47Z - , / 3

[А]

 

 

 

 

 

V 32д2 )

 

2те*-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(h — постоянная

П л а н к а ) .

Принимая,

что

внутри

 

ато­

ма

относительное

увеличение

/оп

пропорционально

уменьшению

аргумента

/,

т.

е., что d/on //on =—k\dj

(k\—постоянная

 

 

в

некоторых

пределах

изменения

у),

и интегрируя

/оп

в пределах от

1 до /оп, а /

в

пределах

от 0 до /,

получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/оп ~

ехр (— kj)

=

ехр ^ — 4л/гх

sin -^j

,

 

 

или переходя от длин волн к энергии Е

килоэлектрон­

вольтах)

и подставляя

значение

а

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ о п ~ е х р 1

k v

1,8-

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

 

атс- Z 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

« е х р

^ - 0 , 5 ^

^

 

у

 

 

.

(1.11)

где а = (2ле2 //гс) =7,3 • 1 0 _ 3 — п о с т о я н н а я

тонкой

струк­

туры

(безразмерная

 

величина);

т с 2 = 511

кэв

энер­

гия покоя электрона;

Z — атомный номер.

 

 

 

 

 

В случае некогерентного рассеяния согласно уравне­

нию,

полученному

Гейзенбергом,

величина

/"п

является

функцией аргумента v= ^_zy/3

~у~

sin 6/2.

В

 

этом

случае после несложных

преобразований

находим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1.12)

Коэффициенты

kx

и

&2, найденные

из

сопоставления с

данными

более

точного

метода

Хартри — Фока

в

обла­

сти

1—30

кэв

с

учетом

множителя

0,5, равны

&i =

0,65

и &2 = 0,95 (погрешность

дл я k\

не

более

± 1 0 %

лишь

при

0 , 2 ^ / ^ 3 ) .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Н а основе

(1.10),

(1.11) и (1.12) общее дифферен ­

циальное сечение на атом

 

 

 

 

 

г

6

 

 

 

£ s

i n

T

+

d e a » Z - d e < j K - H - T

1 — ехр —0,95

 

 

 

 

 

 

 

Е sin

 

 

 

+

dearZ2-

ехр 0,65-

 

 

(1.13)

Дисперсионная поправка Д/Р вещественной части атомного фактора может быть учтена путем замены ре­ ального числа электронов атома Z эффективным числом,

равным

(Z + Afl),

где Afa

на

основе

использования

квантовой

теории

дисперсии

Хенля

[1] д л я всего диапа ­

зона энергий у-кванта может

быть

оценена следующей

полуэмпирической

формулой

[448]:

 

 

ДЯ = 2 А / ? ~ И і Б Г

Ч

О -

Ф '

+ Ф 2 , ] . 0-14)

чч

Здесь

sq — сила

осциллятора ^-уровня, Q = E/EC/

отно­

шение

энергий кванта и электрона

^-уровня

атома,

Bq — постоянная,

х а р а к т е р и з у ю щ а я

затухание

осцилля­

тора <7-уровня атома. Суммирование ведется по всем уровням атома.

Дисперсионная поправка мнимой части атомного фактора, определяющая процесс поглощения излучения, на основе использования данных классической теорий поглощения [1], дл я всего диапазона изменения энергии у-кванта может быть определена т а к ж е полуэмпириче­ ской формулой

В основу приближенного способа вычисления инте­

гральной силы Sq осциллятора ^-уровня может быть по­

ложен упрощенный квантовомехаиический расчет плот­

ности силы осциллятора ТС-уровня, проведенный Хенлем

[1] . Д л я этого, используя

значения энергий уровней ато­

ма, находим эффективный

атомный номер Za$, условного

элемента, энергия ./(-уровня которого относится

к энер­

гии g-уровня атома основного элемента как Ek/EQ

= n2 ,

где

tit, — главное

квантовое

число

^-уровня.

 

З н а я

раз ­

ницу м е ж д у атомными номерами основного

и

условного

элементов, т. е. аЭ ф = 2 Z s §,

и учитывая, что

д л я /(-уров­

ня атома

аЭ ф = 0,

поправку на

потенциал

внешних

элект­

ронов атома

в области ^-уровня

(1—Aq )

и

силу

осцил­

ляторов

sq

можно

определить по

формулам ,

аналогич­

ным

ф о р м у л а м Хенля д л я Л^-уровня:

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

74Е„

 

 

 

 

;

(1-16)

 

 

( Z - а э ф -

0,3)а

 

а*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(Z (Тэф 0,3)*

 

 

 

 

 

0,2625zo

( 1 - Д „ )

3(1

- ] ,

 

 

(1.17)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

значение

Eq

д о л ж н о

быть

в ы р а ж е н о

в килоэлектрон­

вольтах.

Величина

Одф имеет

смысл некоторой

эффек ­

тивной постоянной экранирования . Н а рис. 3 показаны зависимости величины СГЭ Ф от атомного номера Z для

различных уровней

атома

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Н а

рис.

4

 

приведены

 

 

 

2»'.

значения

поправок

(1 —

 

 

 

пу] у1}

 

 

 

 

1 .

4

 

 

 

 

0,,'

Д<7)

II СИЛЫ

Sg/Zq

ОСЦИЛ"

 

 

 

 

лятор а g-уровня атома в

 

 

 

 

зависимости

от

атомного

 

 

 

 

номера

 

Z

для

 

К-,

L -

и

 

 

 

 

.М-уровней атома, рассчи­

 

 

 

 

танные

 

по

 

 

ф о р м у л а м

 

 

 

 

(1.16) и (1.17).

И з

графи ­

 

 

 

 

ков видно, что сила ос­

 

 

 

 

цилляторов

 

 

внутренних

 

 

 

 

уровней

атома

в

1,5—

 

 

 

 

2 р а з а

меньше

числа

 

 

 

 

электронов

zq.

 

Д л я

внеш­

 

 

 

 

них уровней сила осцил­

 

 

 

 

ляторов,

наоборот,

боль­

 

 

 

 

ше zq.

Такое

 

различие

 

 

 

 

объясняется тем, что пе­

 

 

 

 

реходы

отдельных

элек­

 

 

 

 

тронов

 

^-уровня

не

яв-

 

 

 

,

ляются

 

независимыми .

Рис. 3. Эффективная

постоянная

j

 

 

выбрасывани и

экранирования

в

зависимости от

'

ґ

 

 

 

ґ

 

 

атомного номера

Z

для

различных

электрон а

С А - уровн я

на

уровней атома.

ООВОбОДИВШЄЄСЯ

МЄСТО

может перейти

один из электронов внешних уровней

и

проявлять

себя как электрон /С-уровня. Происходит,

таким

образом,

перенос

сил

осцилляторов

остальных

уровней на

/С-уровень. Д л я

всего

атома

имеем:

 

 

 

 

£ s ?

= Z и

2 у 2

( 7

= 1 .

 

 

 

 

 

 

 

<!

 

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

 

Постоянная

затухания

 

Вф

связанная с

шириной

АЕд

(/-уровня и

шириной АЕ линии первичных квантов,

определяет

предельное

 

 

 

 

 

 

 

 

значение

поправки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

на

аномальную

 

диспер­

 

 

 

 

 

 

 

 

сию.

Ширина

^-уровня

 

 

 

 

 

 

 

 

атома

 

пропорциональна

 

 

 

 

 

 

 

 

вероятности

 

переходов

 

 

 

 

 

 

 

 

для

этого

уровня. Воз­

 

 

 

 

 

 

 

 

можны два типа перехо­

 

 

 

 

 

 

 

 

дов:

«радиационные»

пе­

 

 

 

 

 

 

 

 

реходы, связанные с из­

 

 

 

 

 

 

 

 

лучением

 

фотонов,

и

 

 

 

 

 

 

 

 

«безрадиационные»

пере­

 

 

 

 

 

 

 

 

ходы, связанные с выбра­

 

 

 

 

 

 

 

 

сыванием

 

электронов

 

 

 

 

 

 

 

 

уровня. Переходы перво­

 

 

 

 

 

 

 

 

го

типа

определяют

ра­

 

 

 

 

 

 

 

 

диационную

ширину,

а

 

 

 

 

 

 

 

 

переходы

второго

типа —

 

 

 

 

 

 

 

 

оже-ширину уровня. При

 

 

 

 

 

 

 

 

когерентном

 

рассеянии

 

 

 

 

 

 

 

 

у-кванта

на

электроне

 

 

 

 

 

 

 

 

9-уровня

атома

величина

 

 

 

 

 

 

 

 

Bq

определяется

радиа-

 

 

 

 

 

 

 

 

ционной

шириной

этого

 

 

 

 

 

 

 

 

уровня. В случае некоге­

 

 

 

 

 

 

 

 

рентного

рассеяния,

свя­

 

Рис.

 

4.

 

Величина

поправки

занного

с

выбрасывани ­

 

 

 

ем

электрона за

пределы

 

(1-Д<7)

 

и

сила

осциллятора

9-уровня,

Bq

определяет­

 

^-уровня

атома

Sqjzq в зависи­

 

 

мости

от

атомного

номера!.

ся

 

полной

шириной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^-уровня

(радиационная

ширина

 

плюс

о ж е - ш и р и н а ) .

Кроме того,

в обоих

случаях

необходимо

учитывать

постоянную

затухания

Ва

д л я первичных

квантов.

Полная величина постоянной затухания д л я случая когерентного и некогерентного рассеяния у-квантов тогда равна;

 

B* = B ? i V

+ B 0 =

П

АЕ

 

(1.18)

 

- ^

-

+ - r ;

 

 

В»* = Д , , т

+ Д , , е +

Д , =

 

g

"

 

0-19)

где

A £ g , v и

А £ 9 , е — радиационная

и

 

оже - ширина

g-уровня атома с энергией Ед;

АЕ — ширина

линии пер­

вичного у-излучения с энергией Е;

B0 = AEjE— посто­

янная затухания для первичного ^-излучения.

 

Постоянная затухания Вд,у,

связанная

с

радиацион­

ной

шириной

^-уровня

атома,

на

основе

классической

теории излучения осциллятора, может быть определена

выражением

(см. п. 4)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В

= АЕ"'

У =

1 К

А

 

,

 

(1.20)

 

 

 

 

°ч- v

 

 

Eq

 

3

а nufl

 

 

x

'

где

a — постоянная

тонкой

структуры,

a

Eq

и

тс2

энергия

связанного

и

свободного

электрона

соответст­

венно.

 

 

 

En~ (Z—о\)2/п2,

 

 

 

 

 

 

Учитывая,

что

 

согласно

формуле

(1.20),

постоянная

затухания

Bq?v

~ Z 2

, а

ширина

уров­

ня Д£,,_7 ~ Z 4 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ожё - ширина

A £ 4 , е ,

которая

является

определяющей

для более удаленных от ядра уровней, значительно

сла­

бее

зависит

от

Z,

чем

радиационная

ширина

^-уровня.

Д л я

/(-уровня &Ед.е

практически

не зависит от Z и

рав­

на примерно

0,5—0,8 эв [ 1 ] .

 

 

 

 

 

 

 

 

Ширина

линии

АЕ

 

первичного

• у " и

з л У ч е и и я '

е с л и

последнее представлено

характеристическим

рентгенов­

ским излучением, определяется суммой ширин уровней

атома,

между

которыми происходит

соответствующий

переход. Очевидно, что в этом случае ширина

линии

первичного излучения

может

явиться

определяющей д л я

полной

постоянной затухания

В.

 

 

 

Н а рис. 5 приведены величины дисперсионных

попра­

вок Afq

и Afq

д л я g-уровня

в

расчете на один

осцил­

лятор в зависимости от соотношения

Q = E/Eq

энергий

первичного у-кванта

и g-уровня

при

различных

значе­

ниях постоянной затухания В. Расчет выполнен по фор­

мулам

(1.14) и

(1.15). Пр и энергиях у-кваитов

много

больше

энергии

^-уровня,

т. е.

при Й » 1 ,

имеем

bfpJsg-+Q

и A f ^ / S g - * - - ^ - . П о п р а в к а

AfvjSg

при

й > 1 , 5

положительна и по величине

не превышает

0,28 sq. Со

стороны

малых энергий фотонов,

когда Q<\,

поправка

А/Р ->-Sq,

а

Д/£-»-0.

П р и

Е=Ед

в случае,

когда

ВФО,

А/Р равно

sQ In В,

а Af^

= nsq/2.

Если

при

Q = l

величи­

на Б->-0, то

Д / Р - Э — о о ,

а Д / п - » - я 5 д .

Этому

случаю на

рисунке соответствуют пунктирные кривые.

 

 

 

 

 

 

 

5-0 .

 

 

 

 

 

л" fIr Л?

 

 

 

 

£ L

 

 

0 с

б 0 8 1,0

Г,

*

ь

8 2,0

і

Л

 

 

 

 

 

ч

 

п 1

( ґ

 

 

 

 

 

*

 

 

 

 

 

ЬЮ'г

ж3

 

 

 

 

 

і

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 5.

Зависимость дисперсионных поправок

/s, и

 

для

^-уровня

в расчете на один осциллятор

от

соотношения

Q—E/E4

при различных

значениях постоянной затухания

В.

 

Н а

рис.

6

приведены

значения

дисперсионных

по­

правок

дл я

атома

олова

в

зависимости

от

энергии

фо­

тонов в диапазоне

0,1 —100

кэв при условии

A / a

= 2sqAfq

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ч

sq

и 5 д = 1 0 - 2 .

Используемые

при

расчете

значения

найдены по формуле (1.17)

и приведены

в табл .

3.

 

К а к

видно

из

рис. 6,

 

в области

энергии у -кванта,

равной

энергии g-уровня

атома,

функция

Д/ Ц

испыты-

вает скачки, а

д л я

функции

Afl

 

отмечается

резкое

уменьшение

ее

значения.

Амплитуда скачка

функции

Д/£

 

пропорциональна

силе

осцилляторов

sg

соответст-

30

 

 

 

 

. і

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(

 

 

20

 

 

 

\|

\

Afn

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

L t

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

X"-

 

Ч \

\

 

 

 

 

 

 

 

 

\

\

 

///[

• \

-

 

к

 

 

 

 

 

 

 

/ J

 

 

 

ч О 1(Ґ

 

19°

 

 

 

/

 

Я?

 

 

Е,кэ6

1-Ю

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-20

 

 

 

Г

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-30

 

Ні

\

\ *т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~40

 

 

 

\~MlY,V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис.

6. Зависимость

дисперсионных поправок

 

А/"

и Д / р

для атома

 

 

 

 

олова

от

энергии

фотонов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 3

Интегральные

силы осцилляторов

sq

для

различных

уровнен

 

 

 

 

 

атома

олова

 

 

 

 

 

 

Уро­

Ед, кэв

 

 

 

 

Уровень

 

Eq,

кэв

\

 

вень

 

 

 

 

 

s i

 

 

 

 

 

 

 

 

К

 

29,196

 

 

1,18

My

 

 

 

0,484

6

4,45

h

 

4,464

 

 

1,27

 

l

 

 

 

0,137

2

1,82

 

4,155

 

 

N

 

 

 

hi

 

 

 

1,32

' V I I ,

ПІ

 

 

0,088

6

5,6

 

! 3,928

 

 

 

hu

 

 

2,73

^ I V ,

V

 

 

0,025

10

12,3

м{

 

0,883

 

 

1,40

°l

 

 

 

0,002

2

4,0

ми

 

0,756

 

 

 

 

 

 

 

 

1,43

 

 

 

0,001

2

6,70

 

 

0,714

 

 

° I I ,

III

 

 

 

 

 

 

2,90

 

 

 

 

 

 

M1V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,493

 

2,96

 

На

атом

 

 

 

50

- 5 0

 

 

 

 

 

 

 

вующего уровня; наклон кривой энергетической зависи­

мости в области скачка связан с постоянной

 

затухания

соответствующего

уровня. Величины

sq

и

Bq

опреде­

ляют

т а к ж е предельное

минимальное

значение

функции

Д / £ .

И з

рисунка

видно,

что величины

Д / Р

И Д / "

д л я

к а ж д о й

оболочки

атома

определяются

в

основном

рас­

пределением сил осцилляторов этой оболочки, т. е. вза­ имное влияние оболочек атома на эти величины в целом

невелико.

При энергиях

фотонов, меньших энергии

<7-уровня атома, влияние

электронов этого уровня вы­

ключается

на

поправку А/jJ,

но п р о д о л ж а е т действовать

на Д / Р (при

й < 1 Д / £ - > 0 , a

Af^s,).

С учетом аномальной дисперсии атомное дифферен ­ циальное сечение рассеяния, определяемое формулой (1.10), равно

Е sin — 2

1 — ехр —0,95 +

PW7

+ deoHZ + Aft)2 • ехр

£ s

i n T

0,65

(1.21)

 

(Z +

A/g)''' j

Анализ формулы (1.21) показывает, что при больших энергиях фотонов da o—>Zdc а к - н - т , а при малых энер­

гиях, когда £ < С sinO/2 ,

daa-^-(Z

+ Afl)'ideaT.

Последнее

условие можно получить

т а к ж е

за счет уменьшения угла

рассеяния

Q. П р и этом

влияние энергии Е на величину

сечения

ослабевает . П р и

больших

углах

6,

когда

sinG/2

, сечение d a c r K

~ Z 3

и

резко

возрастает

зависи-

 

 

 

 

 

 

 

мость сечения от энергии. Эти выводы находятся в пол­

ном согласии

с данными

Д е б а я и Франца [68] .

Н а рис. 7

приведены

результаты расчета зависи­

мости дифференциального сечения рассеяния дл я атома

олова

от энергии

у к в а н т о в

в диапазоне 100

эв до

10 Мэв.

Результаты

расчетов

показывают, что при энер­

гии Y-квантов более

70 кэв

сечение рассеяния

соответ­

ствует сечению комптоновского рассеяния, определяе­ мому формулой Клейна — Нишнны — Т а м м а , т. е. связью электронов в атоме можно пренебречь. С уменьшением

энергии возрастает

влияние связи

электронов

в

атоме,

что приводит к резкому возрастанию сечения

когерент­

ного

рассеяния и к

инверсионному

характеру

энергети­

ческой зависимости

дл я сечения некогерентного

рассея-

йа&

SapH ••• "

 

 

 

 

^й

' втом-стер

 

 

 

 

 

W'7

1

 

10

 

 

10г

 

103г

£,кз8

Рис. 7.

Зависимость дифференциальных сечении рассеяния от

 

 

 

 

энергии

для

атома

олова:

 

 

1,2

когерентное рассеяние

с учетом

и без учета

аномальной диспеп­

сии

соответственно;

3, 4 — некогерентное

рассеяние с учетом и без

учета аномальной дисперсии

соответственно:

5 — комптоновское рас­

сеяние;

6 — суммарное

рассеяние

в диапазоне

5—100 кэв. Угол рассея­

 

 

 

ния 9=90°; ширина первичной

линии Д£=Ш за.

 

ния.

В

рассматриваемом

диапазоне

энергии

^-квантов

д л я

атома

олова

имеет место К-, L - и М-дисперсия,

влияние

 

которой

существенно

лишь

д л я

когерентно

рассеянного

излучения. К а к видно из рис. 7, это влияние

проявляется

в резком уменьшении

значения

величины

rfacK

при

энергии

у-кванта,

соответствующей

энергии

^-уровня

 

атома. В

этой

области

энергии энергетическая

зависимость воспроизводит дисперсионную кривую. Бо ­

лее подробно характер энергетической

зависимости будет

рассмотрен ниже д л я

интегральных

сечений

рассеяния.

Зависимость d&aK

и

daaliK от Z д л я двух

энергий —

5,42 кэв (что близко

к энергии источника Fe5 5 )

и 22,5 кэв

(энергия излучения изотопа

Cd 1 0 9 ) — и при угле

рассея­

ния

6 = 90°

и з о б р а ж е н а на

рис.

8.

Результаты

расчета

по

формуле

(1.21) сопоставлены

с

вычислениями,

про­

веденными

А. В. Бахтиаровым

и др . [369] в

соответ­

ствии с квантовомеханической теорией. В случае

коге-

da6 -'барн йЯ 'атом-стер

Рис. 8. Зависимость величин дифференциальных сече­

ний

на атом daa,:

(I)

и

rfi,a"K

(II)

от атомного номе­

ра

Z элемента

при

угле

рассеяния

у _ к в а н т а

9=90°:

I, 2 —расчет по формуле

(1.21) с учетом и без учета

аномаль­

ной

дисперсии соответственно;

3 — по данным квантовомехакн-

 

 

ческого расчета

[3691.

 

 

рентного рассеяния наблюдается сильное влияние ано­ мальной дисперсии, когда Е близко к Ед. Так , при Е = = 5,42 кэв аномальная дисперсия на /С-уровне наиболее

проявляется

дл я ванадия

( £ к = 5,46 кэв), на Li-уровне —

д л я ксенона

(£*,, =5,45

/сэв)ина I n , ш - у р о в н я х — д л я

бария (EL

=5,62 кэв)

и л а н т а н а ( £ ^ , = 5 , 2 5 кэз и

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ