Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Немошкаленко В.В. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии

.pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
13.63 Mб
Скачать

120 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

где kf и р — углы 0, ср для векторов к, и р. Приравнивая выражения (85) и (87), вычисленные на поверхности сферы, а также учитывая (88), находим значения коэффициентов А/т (кг):

А п (к;) =

4л ехр {'к •Г„У

 

 

 

 

_

 

Окончательно для базисных функций ср (кь г)

получаем

 

ф! = e x p , V r , s 2

 

( 2 / +

')■'

L, )

х

Ф (к/, г) = \

/=0m=—l

 

 

 

 

„ -ч

^

 

|p I <

Rv,

 

X R, (p,

E) Y ,m (k,) Y

(p),

 

cp” = exp iki ■rv exp ik ■p,

|p ( >

Rv.

 

Таким образом, базисные функции ППВ на поверхности сферы не­ прерывны, но их производные имеют разрыв.

Теперь используем вариационный принцип. В методе ППВ варь­ ируемый функционал должен учитывать разрыв производной на поверхности сферы [39]. Обозначим в элементарной ячейке области внутри сфер — I, а вне сфер — II. Функционал имеет вид

Е Ц

j \\>*HtydV-{- Y

— Ф0 X

i+п

i+п

s L

 

М -ф Т ^ 11

dp a[)i

(%i + Ф?) ( ^ - Ф 1

dp % dS (89)

берется по направлению внешней нормали к области i j. Вве­

дем волновую функцию фм удовлетворяющую уравнению Шредингера

H^t = Ettyt,

и определим вариацию энергии и волновых функций ф,:

Ф1 = Ф/ + бфь фи = ф, + бф1Ь Е = Et + бEt.

Покажем, что Е в (89) является вариационным приближением к Et. Рассмотрим отдельно левую и правую части этого выражения;

 

Е J ф*фс[У = Et

J ф’ф ^У+б.^ | ij ’t\ptdV Y

 

 

1+И

I+ II

+

Ei К (бф!ф, +

ф^бфО dV + j

(бфпф, + Ф*бфц) dv\, (90)

j

ф*Яфс/У - f ~

j

( ф п - ф 1) ( - ^ - ф п + - | - ф 1 | -

i+п

 

 

 

Методы расчета энергетических зон в кристаллах

121

- (ф п +

1 ч ) ( - д ^ - ф и —Ь ) |dS =

 

=

Et | j"

tyttytdV +

j бф’ф^У +

 

 

 

4+11

i

 

 

+ ^ бфпф^У! -f- j ф*Ябг)цй!У + ^ ф*Ябфцс1У —

 

и

J

i

ii

 

 

— j”(%

(Ни — HO — (H ii — H i)

Ф*} dS•

(91)

6’

 

 

 

 

 

Так как 6i|ii, бфц непрерывны только в конечных областях, то в ин­

тегралах ^ф’Ябф^У

и ^г|)*Я6-фцй(У нельзя сразу воспользоваться

I

п

самосопряженностью оператора Я . Для преобразования интегралов

|ф)(— V 2) 6г|)1й?У и

(— V 2) бг|>„ dV используем

теорему Грина

I

п

 

 

 

 

j

{m w -

у ч щ dV = J (я - g - - у

) ds,

V

 

 

s

 

 

где п — внешняя нормаль к области

У. Получаем

 

J фГ (— V2) dxpidV = j 6iji[ (— V2) ip'tdV -

 

I

 

I

 

 

 

— J (ф<

H i — H i

^*) dS>

(92>

Таким образом,

 

 

 

 

^ ф’Ябф^У = Е, j ф*бф] dV-

Ф/

H i — H i

Ф(* j dS>

 

ф*Ябфцс!У = E t ^ ф*бфцйУ +

 

LL

II

 

 

+ _f (ф<*

Н и — Н и

 

(93)

Прн выводе формулы (93)

учитывалось, что направление нормали

к области II противоположно направлению р, а,

поскольку для

волновых функций ф, выполняются блоховские условия, интеграл по поверхности единичной ячейки равен нулю. Подставляя (90),.

122Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

(92)и (93) в (89), получаем с точностью до членов первого порядка по 8ф

8E t ^ ф,фДУ = О,

I+H

атак как нормированный интеграл не равен нулю, то бЕ = 0. Докажем, что Е — вещественная величина для любой пробной

функции ф. Рассмотрим выражение

j" ф*ЯфйУ | ф*(— V2 +

V (г)) \pdV.

 

 

i+u

i+п

 

 

 

 

Так как

 

 

 

 

 

j grad U grad VdV *= j U - ^ d S

-

jW l/ d K ,

 

V

s

 

v

 

 

TO

 

 

 

 

 

^ ф* (— V2) tydV =

Цgrad ф* grad \\idV j -фх

ф[dS,

(94)

1

i

 

s

 

 

j ф* (— V2) \jidV =

ij grad ф* grad -tydV +

^ фи ~

фпdS,

(95)

ii

и

 

s

 

 

где, как и при выводе формулы (93), учтено, что направление нор­ мали к области II противоположно направлению нормали к области / и в силу выполнения блоховских условий интеграл по поверхности элементарной ячейки равен нулю. Добавляя к сумме выражений (94) и (95) член с У (г), получаем

j* \p*H\pdV =

| (Уг|з*Уф + Уф*ф) dV +

i+п

i+п

s

Подставляем это выражение в (89) и после группировки членов по­ лучаем окончательно

Е ^ е!Уф*ф = ^ (Уф*Уф + Уф*ф) dV -j-

i+п

v

 

+ 2 Re j

(фп — фО

(фГ - f фп) dS,

s

 

 

откуда следует вещественность Е. Таким образом, функционал (89) можно использовать для определения энергий и волновых функ­ ций электронов в кристалле. При непрерывности базисных функций

Методы расчета энергетических гон в кристаллах

123

(89)

 

упрощается:

 

 

 

 

 

 

 

 

Е

j

ф*фd V =

j

ty*H\pdV — -i- j(i|)n +

 

 

i +

i

i

i +

h

 

 

 

 

s

 

 

Подставляя в это выражение пробные функции, получаем

 

 

 

Е ^

c*ici ^

Ф*(PjdV +

£ c*Cj j

qnHtpjdV —

 

 

 

/,/=1

I + ll

 

 

(,/'=■1

i + n

 

 

 

 

---- Y

Yi

c'ic! j

(фш +

Ф и)*(-^-фш ---- | г фи) dSl

(96)

Вводим матричные элементы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Нц =

j

(p'HcpjdV =

Н ц1 +

Я ",

 

 

 

 

 

 

i+п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Еа = {

q>i<p,-dV =

A}/ + A”-,

 

 

 

 

 

 

i +

i i

 

 

 

 

 

 

 

S u =

-

-y- J

(Ф"'« +

4>u)* (~%r фш — d f фи) dS'

 

Варьируя выражение (96)

по

С;,

получаем

 

 

 

 

 

 

2

(Ht, +

St, - E A

u)c, =

0.

(97)

 

 

 

 

/=i

 

 

 

 

 

 

 

Так как Rt (р) является решением радиального уравнения Шредингера с произвольным Е' (86), то

н ), — Я Д ;; (=Е' Е ) Д {у,

а поскольку внутри сферы результирующая ППВ — точное реше­ ние уравнения Шредингера для МТ-потенциала, можно положить

Е' = Е. Преобразуем выражение

 

Н\) ~ ЕАЦ = (Hi} -

EA\})v - (Hi; - EA\j)s.

Первый член правой части равен

 

§ exp (— ikt •г) (— V2— Е) ехр г к/ •rdV =

Q0(k/— Е) 8ц,

v

 

 

второй

 

 

(k) Е) 2

f ехр 1кц rdV,

 

ч«

У

 

где

 

кц

j ехр гк,7• rd.V = 4яехр г'кг/ • rv Ё

 

h (btlRv)

кц = к/ — к г = К/ — К ,,

sin х х cos х

h М =

 

124 Глава 2. Расчет внергетических вон в твердых телах

Для

нескольких

сфер

 

 

exp ik{j •rv ■h (kilRv)

(Нц — £Л ") =

(kj Е)

й0бЦ— 4я 2

На

поверхности

сферы

L

v

 

hi

 

 

 

 

 

 

Фг1+ ф! =

2ф” = 8я ехр г'к, • rv X

 

 

ОС

I

^

 

^

 

 

X 2

2

i‘ii (kiRv) УIn (к,) Ylm(p),

 

 

 

 

 

OO

l

 

-q t (ф“ — Ф/) = 4я exp tk/ •rv Yi

2 i‘ x

 

1

 

 

'

( = 0 m = - l

X h (k,Ry) Yim (k/) Y,m (p) ( jl(f! lRv)

{штрих у ji означает, что производная берется по переменной k,p), поэтому, учитывая ортогональность сферических функций

Л $ А

-"Ч

JYim (р) YI'm' (р) dp =

итеорему сложения

i

 

 

 

 

2/•

 

 

 

2 Y]m(ki) Yim (kj)

=

 

Ri (к/ •к,-),

 

 

4

л

 

к/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где к, = —ш7~—, получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

К1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Stj =

— 4я

ехр гк(/ •rv£

(2/+

1) X

 

 

v

 

 

 

 

/~о

 

 

 

X Аг (к; •к/) /г (kiRv) j[ (kjRv)

ii(kiRv)

Ri (Rv)

 

Тогда

 

 

 

 

 

М(/ =

+ Stj ЕАц =

 

 

 

 

 

= Q0(kj E) бг/— 4 я 2

 

exp ikcl ■rvGlj,

(98)

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gl<=

( k j - E )

h(kliRv) -

2 ( 2

/ +

J) x

 

 

 

 

 

 

 

<=о

 

 

 

x Pi(k[ • кi) ji(kiRv)ii(kjRv)

 

R](Ry)

fe//f (fyftv)

(99)

 

Ri(Rv)

it (kiRy)

 

 

 

 

 

Альтернативное выражение для С(/ можно получить при помощи равенства

(fe/2 - k £ . к/)

= - 2

( 2/ + 1 ) Я , ( к , • к/) X

/ = 0

X h (k,Ry) jj (kjRv) kj.

(100)

Методы расчета энергетических зон в кристаллах

125

Подставляя (100) в (99), находим

 

 

 

 

 

GlJ

= (к^ к/ Е) i1

ki

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— S

(2/ + 1) Ei (kj • к/) ji ( W

R'i (Rv)

 

Д (kjRv) Ri (Rv)

 

 

/=o

 

 

 

 

 

 

Справедливость

равенства

(100)

 

 

 

можно доказать при помощи соот­

 

 

 

ношения (рис. 18)

 

 

 

 

 

- ^ ^ - = 5 ( 2 / + 1)Х

 

 

 

 

 

 

1 = 0

 

 

 

 

 

х Л (cos Л) /; (6S) it (cS).

 

Рис. 18. К доказательству

равен­

Дифференцируя по cS, получаем

 

ства (100).

 

 

 

 

 

— cos Вд (aS) = 2

(21 +

1) Р[ (cos Л) Д (65) j] (cS),

 

так как

 

1 = 0

 

 

 

 

 

 

ас cos В = ка- •к;

= (к/ — кг) • к/ =

 

 

 

 

 

 

 

 

к/ — к; ■к/,

а = ]Дб2 +

с2— 26с cos Л.

 

В выражении для матричных элементов Мц (98)

ввиду вещест­

венности и

симметричности

Gl-J

можно

выполнить

замену i = /.

Тогда Mi/ =

Mji, т. е. матрица М эрмитова. Хотя, вообще говоря,

матричные элементы являются комплексными величинами, в неко­ торых случаях при соответствующем выборе начала координат они могут быть вещественными. При рассмотрении моноатомных кри­ сталлов с ГЦК и ОЦК решетками начало координат можно выбирать

так, чтобы оно совпадало с положением атома в ячейке.

В этом слу­

чае гх = 0, а матрица Мц вещественна и симметрична.

 

Подобные упрощения возможны при расчете всех

кристалли­

ческих структур с центром инверсии. При этом гх =

г2, г3 =

= — г4, ... и ехр [с (к/ — кг)-гД заменяются величинами 2 cos [(к/ —

кг)- rv] (например, при рассмотрении структуры алмаза и ГПУ структур с двумя одинаковыми атомами в элементарной ячейке). В выражениях для кристаллов со структурой типа поваренной со­ ли структурные факторы exp [i (к/ — к;) - 1\,] всегда равны ± 1 , так как (к/ — кг-)-гу = тл, гдет — целое число. В этом случае матрич­ ные элементы также вещественны и симметричны. Уравнения (97) с матричными элементами Мц (98) имеют нетривиальное решение в том случае, когда Det Мц — 0. Сложность секулярного уравнения состоит в том, что кроме явной зависимости от энергии в нем суще­

Ri(р. Е)

ствует и неявная зависимость, выражаемая членом Ri(P.E) и поэто

126 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

му для получения решения матричных уравнений (97) необходимо вычислять Det Мц как функцию энергии и определять те значения Е ь при которых Det Mti обращается в нуль. При этом получаются алгебраические уравнения высоких порядков, и для нахождения корней даже в ограниченной области энергий следует несколько раз вычислять определитель для каждого вектора квазиимпульса к, а затем при помощи интерполяции находить собственные значения энергий.

При решении некоторых задач необходимо знать значения энер­ гий только вдоль направлений высокой симметрии зоны Бриллюэна. Для определения этих значений при помощи теории групп можно построить пробные функции, преобразующиеся по неприводимым представлениям группы симметрии кристалла. Как известно, это дает возможность значительно снизить порядок секулярных уравне­ ний. Так как в методе ППВ на границе сферы соединяются локали­ зованные функции и плоские волны, то достаточно построить функ­ ции с необходимыми свойствами симметрии из плоских волн, а сое­ динение функций в разных областях обеспечит правильное поведение всей функции ППВ. Например, при построении пробных функций

с помощью оператора рй матричный элемент М% имеет вид

ЙГ'Му =

^

2 [ГЙ (Я)]* ((к, •Як, - Е) б (Як,,

М +

+

ФГ1 2

exp [t (Як, — к,) •rv] FV'U(Я)|,

 

/г /г>\ л

d 2 1

/I пт

р\ й О Як/— k ( I R v )

 

(#) =

4лЯг

— (к, •Як, — Е )----- |-/;[с/_ к<|----- -f>

+ S (2/ + 1 ) л ( к , . як/) п ( W и ( w

.

В большинстве известных расчетов энергетических зон в кри­ сталлах, выполненных методом ППВ, потенциал имеет вид МТ- потенциала. Для упрощения вычислений постоянное значение по­ тенциала вычиталось из значения потенциала внутри сфер ППВ. Началом отсчета определенных таким способом значений энергии является значение потенциала vB. Если известно более точное зна­ чение потенциала V (г), учитывающее несферичиость потенциала внутри атомных сфер и изменение его вне их, то из V (г) всегда можно получить значение МЯ-потенциала, приняв v (г) равным среднему значению потенциала V (г) по угловым переменным,

Методы расчета энергетических вон в кристаллах

127

а постоянное значение vc равным среднему значению потенциала V (г) вне сфер,

vс

J V (г) dV.

Такой потенциал имеет разрывы на поверхности атомной сферы. УИТ-приближение к действительному потенциалу будет тем более точным, чем меньше величина разрывов.

Рассмотрим М Т-приближение с чисто геометрической точки зре­ ния. Построив соприкасающиеся сферы вокруг каждого атома в еди­ ничной ячейке моноатомных кристаллических структур, можно определить долю единичной ячейки внутри сфер. В ГЦК, ОЦК и простой кубической решетках эти относительные объемы составля­ ют величины соответственно 0,74; 0,68; 0,32, а для алмаза — 0,34. Очевидно, М Т-приближение будет наиболее точным при расчете энергетических зон в кристаллах, в которых основная часть объема ячейки находится внутри сфер. Для решения уравнения методом ППВ

R/(R, E)

необходимо знать отношение 75-77;— ^ в неэквивалентных атомах

Ri (Rv>Ь)

единичной ячейки, а для вычисления радиальной производной — потенциал у ([г — rv |) внутри сфер, центрированных вблизи rv. Во многих случаях можно достаточно точно определить потенциал у (| г— rv|), а следовательно, и энергетические зоны, используя самосогласованные атомные плотности, полученные методами Хартри — Фока [40] или Слейтера [41 ]. При расчете кристаллов, состоя­ щих из тяжелых атомов, используют зарядовые плотности, полу­ ченные Либерманом [42] по методу Дирака — Слейтера. Рассмотрим метод построения УИГ-потенциала по атомным плотностям [43]. Для кулоновского потенциала, учитывая вклад атомов-соседей, получа­ ем выражение

(I Г — rv I) = Ук?л (I Г — rv |) + г£ул (1 г — rv |),

 

где укУл — кулоновским

потенциал атома, находящимся в v-и сфе­

ре, Укул — вклад

атомов-соседей в потенциал v-й сферы. Применяя

a -технику разложений,

предложенную Левдиным [44],

находим

 

 

 

\а,п+Г\

 

^

=

------- Г

I r'vZAr')dr\

(101)

 

m

m

\amr\

 

где am — расстояние между m-м атомом-соседом и точкой,

относи­

тельно которой выполняется разложение. Суммирование

по m в

(101) следует понимать как суммирование по всем атомам в данной координационной сфере и суммирование по атомам разных коорди­ национных сфер. Как правило, ограничиваются суммированием по атомам 3—5 ближайших координационных сфер. Наибольший

128 Глава 2. Расчет энергетических зон в твердых телах

вклад атомов-соседей — на расстоянии, близком к радиусу сфер. Аналогично можно разложить выражение для электронной плот­ ности:

р'эл (| Г — rv |) = Рэл (| Г — rv |) + Рэл (| Г — Tv I).

Вклад атомов-соседей определяем, как и в (101): lOi-M

P -(r) = S ^ T , I / p ( r ’)dr'.

Затем находим

=6 -5 Г Р Я (')

Кулоновский потенциал атома Окул можно найти по формуле Пуас­ сона

Г

 

СО

 

с . W = — 7 " + ~гj 4яг',рЯ (О dr'+

21

Рэл dr'>

где

 

 

 

Рат М =

2 Л/Я/

 

 

(п1— числа, определяющие конфигурацию атомов, входящих в кри­ сталл), 2 — заряд ядра.

Описанный способ вычисления энергетических зон можно улуч­ шить, если при определении кристаллического потенциала учесть его отклонение от сферически симметричного и изменение между сферами. Важное значение, как отмечалось выше, имеет самосогласование в проведении расчета: получаемые волновые функции в дальнейшем применяются для определения потенциала, который вновь используется для нахождения новых волновых функций, и эти последовательные итерации выполняются до тех пор, пока по­ тенциал не становится почти постоянным. Прежде чем перейти к по­ дробному рассмотрению этих вопросов, обсудим сходимость метода ППВ.

Сходимость метода ППВ заключается в сходимости собствен­ ных значений энергии, зависящей от роста порядка решаемых секулярных уравнений. Время, необходимое для решения секулярных уравнений, растет с возрастанием их порядка N как N 3, а за­ метное время счета даже на самых высокоскоростных вычислитель­ ных машинах ограничивает размеры получаемых секулярных урав­ нений. Поэтому исследование сходимости метода ППВ имеет весьма важное значение. Такое исследование выполнено в работе [45]. В ней показано, что число базисных функций, необходимое для полу­ чения сходящихся результатов, зависит от двух факторов. Первый

Методы расчета энергетических вон в кристаллах

129

инаиболее важный — это тип рассчитываемой структуры. В мень­ шей степени сходимость зависит от преимущественной симметрии углового момента зоны. Как правило, s- и p-зоны сходятся быстрее d-зоп. Для получения необходимых результатов на каждый атом в единичной ячейке должно приходиться примерно 50 функций ППВ. Это число уменьшается при увеличении упаковочной плот­ ности. Поэтому при расчете энергетических зон в кристаллах с ГПУ решетками требуется около 30 функций ППВ, а кристаллов с ОЦК

ипростой кубической решетками — по 40—50 функций. При расче­ те энергий кристаллов с решетками типа CsCl и NaCl требуется при­ близительно в два раза больше базисных функций, по сравнению с кристаллами, имеющими ОЦК и простую кубическую решетки. Эти числа обусловливают порядок получаемых секулярных уравнений

-для точек общего положения в зоне Бриллюэна.

В точках и направлениях высокой симметрии теория групп позво­ ляет факторизовать размер секулярных уравнений до сравнительно малых порядков. Для определения приблизительного числа базис­ ных функций, необходимых для получения результатов, сходящихся с точностью до 0,001 рид, предложено [45] эмпирическое правило. В соответствии с этим правилом в базис следует включать все функ­ ции <р (кг, г), у которых векторы кг ограничены: kt < : kmax, где kmax

удовлетворяет СООТНОШеНИЮ kmaKRv — 5 ДЛЯ S-ЗОН, kmaxRv = 6

для /7-зон, /етах Rv —- 7 для d-зон. Это правило было проверено на большом наборе металлов и соединений, содержащих от одного до восьми атомов в единичной ячейке. Заметим,что в случае переход­ ных металлов и их соединений нижние зоны сходятся значительно быстрее верхних.

Сходимость зависит также от векторов в зоне Бриллюэна. Поэто­ му, чтобы правильно определить форму зон, необходимо исследовать сходимость для разных точек к. При вычислении матричных элемен­ тов следует ограничивать бесконечную сумму по /конечным значени­ ем /max, которое обычно определяют при изучении эффекта зависимо­ сти от него значений энергии. Для расчета большинства кристаллов с ГПУ решеткой в этой сумме достаточно 10 или 12 членов, чтобы по­ лучить результаты с точностью до нескольких тысячных долей ридберга. Сходимость суммы по /в секулярном уравнении определяется

зависящими от I членами jt (kcRv) jt (kfRv) и ■ J , DV’

. Полиномы

«\/( £

)

Лежандра меньше влияют на сходимость, так как значение их при любом индексе /всегда меньше единицы.

Выше отмечалось, что сходимость метода ППВ зависит от степени самосогласованноевычислений. Чем выше степень самосогласо­ ванное, тем выше сходимость при меньшем числе базисных функ­ ций. Самосогласованные вычисления имеют важное значение и с другой точки зрения. При определении кристаллического потенциа-

5 3— 2023

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ