Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Микроминиатюризация элементов радиоэлектронной аппаратуры

..pdf
Скачиваний:
19
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.88 Mб
Скачать

Pi (x,

t)

=pn

 

+

 

ШВХ1

th

W

 

 

 

L

 

 

 

 

 

 

(1 -z)R6qSDp

 

 

- Pn sc h

W

ch

x

+LP

(1

-

U„

 

s h —x,—

 

 

 

 

L p

*)R5qSDv

L ,

v

 

 

aAW2

cos

211/

V

E X P

 

 

Li

 

 

 

 

 

 

 

\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3)

Воспользуемся

соотношением

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

àPi

(x,

t)

 

(4)

 

 

 

 

 

 

 

dx

x=*W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и найдем закон изменения коллекторного тока при открывании транзистора

U

O

-

Іід^Ч 1 -

е х р 1,22

со

1

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ехр

- 1,22 со +

 

(5)

где

w

=

2 D

P

 

 

 

 

 

 

 

W

 

 

 

 

 

Третье слагаемое в уравнении (5) имеет порядок единиц микроампер и быстро убывает, поэтому им обычно пренебре­ гают.

Полагая в (5)

найдем длительность отрицательного

выброса

 

/ <+>

1

 

(6)

 

 

1,22 w

- f

 

 

Для уменьшения

необходимо

в схеме вентиля исполь­

зовать высокочастотный

транзистор,

а расчет схемы произво-

дить с учетом допустимого минимума

соотношения

R6

 

80

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

НАКОПЛЕНИЕ ИЗБЫТОЧНОГО

 

ЗАРЯДА

 

После

вхождения

транзистора

 

в режим

насыщения при

Лі.вхі

<

/ ф ! * продолжается

процесс накопления носителей в ба­

л е .

 

Найдем

распределение дырок

в течение

времени

накопле­

ния

 

/\, = 4 . в х і

^ ф 1 , ' ,

для чего решим уравнение диффузии (1)

с граничными

условиями

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

др

(х,

t)

 

 

 

 

и.,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дх

 

ѵ-=0

(1

-

X) R6

 

qSDp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dp

(x,

 

t)

 

 

Um вх 1 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дх

 

 

 

 

RKqSDp

 

 

 

 

 

и начальным условием

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

(x,

t)

t=o = pi

(x, t$) .

 

 

 

 

 

Для удобства отсчет времени будем производить от момен­

та вхождения транзистора в режим

насыщения.

 

 

 

 

Решение представляем в виде ряда

 

 

 

 

 

 

 

 

рг

(x,

0 = р„ +

L

/ИВХІ

 

c t h

w

 

 

/

 

_ J l S î î i l _ c s c f , J l _

cu Л

/ _

U,

ch

 

 

 

 

 

 

' p

 

RKqSDp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k-0

 

 

 

 

 

 

 

 

и OTBXl

R6R*

 

'

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

KO

COS

hi

 

x

exp

 

 

 

 

 

 

( 7 )

 

С учетом нулевого приближения получаем

распределение

дырок в базе к концу времени накопления:

 

 

 

 

 

Р2

 

(•*>

^ и . в х і

%У)

=

/?„

/

 

^'"-"У.!

 

 

r t h

 

 

 

'(1

-

*)R6qSDp

 

l p

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- X

 

 

. U

" " >

- csch -- ^

 

 

 

 

L/mexi

 

sh-

 

^ Я „ ? 5 0 .

c s c n

Л

 

 

^ (1 - a) RtSDp

 

L p

 

 

 

LI

I

 

 

 

 

 

ко

 

exp

 

^ и . в х і

— 4lî

(8)

 

 

 

W

\

 

 

BRK

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т

ъ п

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6. Зак. 205.

91

В результате накопления избыточного заряда в базе на кол­ лекторном и эмиттерном переходах возникает разность потен­ циалов

 

 

kT

 

IM) Rv

 

R6

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

exp

^ и . в х і

^ ф і ^

 

(9)

 

 

 

 

 

kT

 

exp

/ и . . . „ -

W

 

u„

 

 

 

-

 

 

 

 

P

R

 

R6

exp

 

 

.(10)

( ß +

1 ) Р / ? к

-

 

 

 

 

 

 

 

 

Так как всегда выполняется ß > 1, то равенство (10) пре­ вращается в ( 9 ) , т. е. и к . б ^ ид.б, что совпадает с полученным в работе [2].

РАССАСЫВАНИЕ ИЗБЫТОЧНОГО ЗАРЯДА

С окончанием рабочего импульса происходит процесс расса­ сывания дырок из базовой области в общем случае как за счет протекания эмиттерного и коллекторного токов, так и за счет рекомбинации. Характерной особенностью этого процесса яв­ ляется то, что исследуемые явления наблюдаются при отсут-

Рис. з

ствии внешних напряжений на транзисторе. Эквивалентная схема вентиля для этого случая показана на рис. 3. Эквива­ лентные сопротивления схемы соответственно равны

S3.

я,

(R I

^?гз) Rr\

 

я л .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

II,

(А- +

RT3) /?б

 

 

 

 

( I I )

/?б +

Rri + Rn -I R

 

Я

f Я й

'

 

 

 

 

I

 

Ягі Яб

~п~

~

Я к +

 

Я б Я

 

 

Яе

f /?г1 Ь Я,,.

 

б *Ѵ1

 

 

+ R

 

 

 

R + /?6

Для определения времени рассасывания / р в первом при­ ближении будем учитывать лишь явление прямой рекомбина­ ции носителей в области базы, пренебрегая диффузией дырок, поскольку сопротивление переходов насыщенного транзистора значительно меньше внешних сопротивлений (рис. 3).

Таким образом, необходимо решить уравнение (1) при на­ чальном условии:

р (х, t) І ^ , =» p., (Х, /„.,«1 — ^ ф ' , ' )

и граничных условиях

Р (х, t) |.ѵ^о = Р-2 (0, ^ и . в х і - ^фѴ)

e x p

ъr

р (х, t) \х= p3(W. tu в:.і - /ФѴ) e x p t

"p I

Решение уравнения (1) при неоднородных краевых усло­ виях найдено методом разделения переменных и имеет вид:

р3(х,

*) = exp([U-fX/) jjjp2 (0,

t„.m

—/<+>)ехр

 

 

 

1

 

 

 

 

 

+ -W~ е х р

 

 

 

 

 

 

2(0,

t„»:a) - t^)} + V

(1 -

у.)* W2 +

(kr.)

 

 

 

 

X

[ ( -

exp ( l - ! x ) U 7 + l ] + {

 

( ^ * * — ; . X

X [ ( - U * M ex p [ - (1 -f- |i)

 

4-

1]

2

fkr.

 

-

T X

X

[ ( - l ) * + 1 e x p ( - Wv.) f

1]

 

 

 

 

8'i"

X exp ( - \i\V)\

где

1

2L2

с = gSDp

( _ l ) * r i ^ 2 ( U 7 , / „ . B X 1 - / W ) X

 

j exp

k- У Dp

sin

A7!

* , (12)

W

 

U7

 

 

d =» —

6'

 

 

 

 

#6

 

U„

 

 

 

 

>BXt

c t h ~ T 7 "

 

•csch

 

 

 

 

( i - « ) / ? 6

 

 

 

exp

Pi (0, ^ и . в х і -

9 5 D 7 1 (1 - a)/?6

cth-Z.

t ^ )

 

+

exp

Л ( Г , Л,.х1-*ф У)

tfSD,

w

exp

 

m K l 1

' /?K/?6

 

^ и . в х і

- ^ф", '

 

 

 

л •

 

th

 

RKR6

+

 

 

 

# 6

-

З ^ к

 

uт.в х і

 

 

 

'и-вхі "

-

При выключении транзистора возможны следующие слу­

чаи:

 

 

 

1) Преимущественное

рассасывание через

коллекторный

переход. Используя граничное условие Шокли

 

PAW,

W = о,

 

найдем время рассасывания:

d_ . O l 1 -

 

t _ т 1 п w^i

exp X

X

-

 

 

84

Была проведена экспериментальная проверка формулы (!3). Результаты эксперимента показаны на рис. 4. Некоторое расхождение теоретической (сплошная линия) и эксперимен­ тальной (пунктир) зависимостей может быть пояснено нали­ чием диффузии дырок от переходов в глубь базы, что уменьша­ ет фактическое время рассасывания.

Рис. 4

2) Преимущественное рассасывание через эмиттернын пе­ реход. С учетом граничного условия Шокли р3(0, fV3)~p„ для этого случая найдем время рассасывания:

tp.a = ър In

В

1

-

 

 

 

 

 

 

(? + 1)

 

R6

e x p

 

. в х 1

 

(14)

 

 

 

 

 

 

"/ко "Кб

Следует отметить,

что

с учетом

принятых допущений

при

3 > 1 оказывается справедливым

равенство

 

 

 

 

р.к

р . э

 

 

85

ФОРМИРОВАНИЕ ФРОНТА ВЫКЛЮЧЕНИЯ Р-Ѵ

ф2

Чтобы отыскать выражение для Р£2\ необходимо решить уравнение диффузии при краевых условиях:

р (x,

t)

u_o = Pa (0, tp.K) ехр ^

1—J ,

Р (x,

t)

= О

 

и начальном условии

Р (X, t) ,.-=(, = Рз (X, Ір.к)

для случая подколлекторного рассасывания или при краевых условиях:

Р (X, t) [дг_0 ==0

р (x, t) . у = ря ( W, /р.э) ехр

и начальном условии

р (x, t) ,„о = Ря (x, tp.9)

для случая подэмиттерного рассасывания.

Решение уравнения диффузии при этом приводит к извест­ ным уже результатам.

Выводы

1. Проведен анализ переходных процессов в вентильной схеме на транзисторе и получены расчетные формулы для вре­ мен переключения.

2. Осуществлена экспериментальная проверка формулы

(13) для времени пассивного рассасывания носителей, пока­

завшая вполне

удовлетворительное

совпадение

теоретических

и опытных

результатов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

1. Р ж е в

к и и

К. С ,

Ш в е й к и н В. И. О режиме

насыщения в ППТ.

«Радиотехника н электроника», 1959, т. 4, вып 7, с. 1164.

 

 

2. Q o s s i c k .

В. R.

On the

Transient

Behavior

of

Semiconductor

Rectlhers. J. Appl.

Pays,

1955, 26,

I I , 1356.

 

 

 

УДК 621.375.1

В. M. Волков, Э. М. Антропов

АЛГОРИТМЫ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В НЕЛИНЕЙНЫХ АПЕРИОДИЧЕСКИХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЯХ

В статье освещены

результаты

анализа

переходных

процессов

в нелинейных

апериодических

видеоусилите­

лях и даны

алгоритмы, которые могут быть

использованы

при инженерном расчете

видеоусилителей.

 

Апериодический усилитель, содержащий

нелинейный эле­

мент, относится к классу функциональных усилителей и в об­ щем случае может быть представлен в виде сочетаний последо­

вательно включенных линейного (нелинейного)

инерционного

или безынерционного усилительного прибора

(УП) и линейной

(нелинейной) инерционной нагрузки (ИН) [2].

 

Выражение для тока / Е е л

в нелинейном

элементе в таких

усилителях в самом общем

случае может быть

представлено

в виде:

 

 

 

/ н м

= л и в .

 

0 )

Выбирая значения для коэффициента Л и л, во многих слу­ чаях с достаточной для практики точностью, можно аппрокси­ мировать вольт-амперную характеристику нелинейного элемен­ та выражением (1).

Часто на практике в реальном функциональном апериоди­ ческом усилителе (Фѵ\У) инерционность нагрузки преобладает над инерционностью УП. В этом случае для упрощения анали­ за и аналитических выражений нестационарными процессами в УП можно пренебречь без большой погрешности для резуль­ татов исследования. Поэтому в настоящей статье переходные процессы исследуются при воздействии единичной функции на входе функционального апериодического усилителя (ФАУ), представленного в одном случае линейным безынерционным УП с нелинейной инерционной нагрузкой (рис. 1), в другом случае — линейным безынерционным УП с линейной инерци­ онной нагрузкой и с нелинейной инерционной цепью отрица­ тельной обратной связи по току (рис. 2).

Инерционность нелинейной цепи в обоих случаях опреде­ ляется емкостью С0 , которая состоит из паразитной монтаж­ ной емкости Сы и корректирующей емкости Ск .

Нагрузка для ФАУ с нелинейным элементом в цепи отри­ цательной обратной связи представлена параллельно вклю­ ченными сопротивлением RH и емкостью Сн . Последняя со-

87

стоит из монтажной емкости См , выходной емкости

Свых УП

п входной емкости С'в х последующего каскада. Для

ФАУ с не­

линейной нагрузкой в качестве сопротивления нагрузки взято эквивалентное нелинейное сопротивление А?Нел.э-

Полная эквивалентная проводимость нагрузки равна

а

!:_ _ 1

1

!

,

1

,

1

где

х выходное сопротивление УП,

 

 

 

^ в ы

 

 

 

/?s x

— входное сопротивление последующего

 

каскада;

 

эквивалентное

 

сопротивление

нелинейного эле­

RK

мента;

 

 

 

 

 

 

— линейное сопротивление нагрузки УП.

 

Пренебрегая влиянием тока обратной связи, протекающего через проходную емкость УП, и учитывая, что проходная ем­ кость может быть пересчитана на вход УП [3], можно допус­ тить, что практически переходные процессы, протекающие в цепи отрицательной обратной связи УП, не зависят от переход­ ных процессов в-цени нагрузки.

Предположим, что переходные процессы, протекающие в цепи нагрузки АУ, не зависят от переходных процессов, проте­ кающих в цепи обратной связи. Выходной ток для любого УП определяется выражением

где

5

Uy

]

I* = SUyt.

(2)

крутизна проходной характеристики УП; напряжение на входе УП;

н— ток в цепи нагрузки УП.

68

Уравнение Кирхгофа

для любой

нелинейной

цепи ;рис. 1

и 2) имеет вид

 

 

 

 

 

 

Л, (/) --= /„е., (t)

-:-

(0 .

 

(3)

I де

 

 

 

 

 

 

/ 0 общий ток в нелинейной цепи;

 

элемент;

/нел ( 0 — ток, протекающий через нелинейный

/ с (г) — ток, протекающий через емкость

С0.

 

Как видно из рис. 2, для напряжения

Uу

можно записать

L'y(t)

= E -

U0(V

,

 

( 4 )

где

0'0 it) — напряжение обратной связи;

Е — скачок напряжения на входе УП.

Используя выражения ( 1 ) , ( 2 ) , (3) и ( 4 ) , получаем нелинейные дифференциальные уравнения, описывающие процес­ сы цепи обратной связи,

и в цепи с нелинейной нагрузкой

 

 

С —7Г-

+ AUn

— SE ,

( 6 )

dt

л

 

'.

где в данных выражениях и в последующих

полагаем, что

U о =

и п щ .

 

 

Рассмотрим переходные процессы для тех реальных случа­ ев, когда в качестве нелинейного элемента используются дио­ ды, для которых в зависимости от выбора их режима с доста­ точной для практики точностью можно принять я = 2 или п У2, В обоих случаях уравнения (5) и (6) приводятся к таблич­

ному интегралу [5]

 

^

 

 

dl

'

 

 

 

J

^

-

А1К

 

- L

 

где L — 0 для выражения

(6)

ТІ

L SU0

— для выражения

(5).

Для

случая я = 2 уравнение

(7)

разрешается относитель­

но £/„.

 

 

 

 

 

 

 

Для

случая, когда « = ' / 2 ,

уравнение

(7) не разрешается

от­

носительно U0, получаются трансцендентные уравнения, и зна­ чения для тока в цепи нагрузки УП в общем виде получить не удается. В подобных случаях прибегают к приближенному ре-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ