книги из ГПНТБ / Микроминиатюризация элементов радиоэлектронной аппаратуры
..pdfPi (x, |
t) |
=pn |
|
+ |
|
ШВХ1 |
th |
W |
|
|
|
|
L |
|
|||||||
|
|
|
|
|
(1 -z)R6qSDp |
|
|
|||
- Pn sc h |
W |
ch |
x |
+• LP |
(1 |
- |
U„ |
|
s h —x,— |
|
|
|
|
|
L p |
*)R5qSDv |
L , |
||||
v |
|
|
aAW2 |
cos |
211/ |
V |
E X P |
|
|
|
Li |
|
|
|
|
|
|
|
|||
\ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(3) |
Воспользуемся |
соотношением |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
àPi |
(x, |
t) |
|
(4) |
|
|
|
|
|
|
|
dx |
x=*W |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
и найдем закон изменения коллекторного тока при открывании транзистора
U |
O |
- |
Іід^Ч 1 - |
е х р 1,22 |
со |
1 |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
ехр |
- 1,22 со + |
|
(5) |
|
где |
w |
= |
2 D |
P |
|
|
|
|
|
|
|
W |
|
|
|
|
|
Третье слагаемое в уравнении (5) имеет порядок единиц микроампер и быстро убывает, поэтому им обычно пренебре гают.
Полагая в (5)
найдем длительность отрицательного |
выброса |
|
|
/ <+> |
1 |
|
(6) |
|
|
||
1,22 w |
- f |
|
|
Для уменьшения |
необходимо |
в схеме вентиля исполь |
|
зовать высокочастотный |
транзистор, |
а расчет схемы произво- |
|
дить с учетом допустимого минимума |
соотношения |
R6 |
|
|
80
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
НАКОПЛЕНИЕ ИЗБЫТОЧНОГО |
|
ЗАРЯДА |
|||||
|
После |
вхождения |
транзистора |
|
в режим |
насыщения при |
|||||||||||
Лі.вхі |
< |
/ ф ! * продолжается |
процесс накопления носителей в ба |
||||||||||||||
л е . |
|
Найдем |
распределение дырок |
в течение |
времени |
накопле |
|||||||||||
ния |
|
/\, = 4 . в х і |
— |
^ ф 1 , ' , |
для чего решим уравнение диффузии (1) |
||||||||||||
с граничными |
условиями |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
др |
(х, |
t) |
|
|
|
|
и., |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дх |
|
ѵ-=0 |
(1 |
- |
X) R6 |
|
qSDp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
dp |
(x, |
|
t) |
|
|
Um вх 1 . |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
дх |
|
|
|
|
RKqSDp |
|
|
|
|
|
и начальным условием |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
p |
(x, |
t) |
t=o = pi |
(x, t$) . |
|
|
|
|
|||
|
Для удобства отсчет времени будем производить от момен |
||||||||||||||||
та вхождения транзистора в режим |
насыщения. |
|
|
|
|||||||||||||
|
Решение представляем в виде ряда |
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
рг |
(x, |
0 = р„ + |
L |
/ИВХІ |
|
c t h |
w |
|
|
|||||
/ |
|
_ J l S î î i l _ c s c f , J l _ |
cu Л |
/ _ |
U, |
ch |
|
||||||||||
|
|
|
|
||||||||||||||
|
' p |
|
RKqSDp |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
k-0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
и OTBXl |
R6R* |
|
' |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
KO |
COS |
hi |
|
x |
exp |
|
|
|
|
|
|
( 7 ) |
|
С учетом нулевого приближения получаем |
распределение |
|||||||||||||||
дырок в базе к концу времени накопления: |
|
|
|
|
|
||||||||||||
Р2 |
|
(•*> |
^ и . в х і |
— |
%У) |
= |
/?„ |
/ |
|
^'"-"У.! |
|
|
r t h |
|
|
||
|
'(1 |
- |
*)R6qSDp |
|
l p |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
- X |
|
|
. U |
" " > |
- csch -- ^ |
|
|
|
|
L/mexi |
|
sh- |
|||||
|
^ Я „ ? 5 0 . |
c s c n |
Л |
|
|
^ (1 - a) RtSDp |
|
L p |
|||||||||
|
|
|
LI |
I |
|
|
|
|
|
ко |
|
exp |
|
^ и . в х і |
— 4lî |
(8) |
|
|
|
|
W |
\ |
|
|
BRK |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
т |
ъ п |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6. Зак. 205. |
91 |
В результате накопления избыточного заряда в базе на кол лекторном и эмиттерном переходах возникает разность потен циалов
|
|
kT |
|
IM) Rv |
|
R6 |
X |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
X |
exp |
^ и . в х і |
^ ф і ^ |
|
(9) |
|
|
|
|
|
|
|||
kT |
|
exp |
/ и . . . „ - |
W |
|
u„ |
|
|
|
- |
|
|
|
|
|
P |
R |
|
R6 |
exp |
|
|
.(10) |
( ß + |
1 ) Р / ? к |
- |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
Так как всегда выполняется ß > 1, то равенство (10) пре вращается в ( 9 ) , т. е. и к . б ^ ид.б, что совпадает с полученным в работе [2].
РАССАСЫВАНИЕ ИЗБЫТОЧНОГО ЗАРЯДА
С окончанием рабочего импульса происходит процесс расса сывания дырок из базовой области в общем случае как за счет протекания эмиттерного и коллекторного токов, так и за счет рекомбинации. Характерной особенностью этого процесса яв ляется то, что исследуемые явления наблюдаются при отсут-
Рис. з
ствии внешних напряжений на транзисторе. Эквивалентная схема вентиля для этого случая показана на рис. 3. Эквива лентные сопротивления схемы соответственно равны
S3.
я, |
(R I |
^?гз) Rr\ |
|
я л . |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
II, |
(А- + |
RT3) /?б |
|
|
|
|
( I I ) |
|
/?б + |
Rri + Rn -I R |
|
Я |
f Я й |
' |
|||
|
|
|
||||||
|
I |
|
Ягі Яб |
~п~ |
~ |
Я к + |
|
Я б Я |
|
|
Яе |
f /?г1 Ь Я,,. |
|
б *Ѵ1 |
|||
|
|
+ R |
|
|
|
R + /?6 |
Для определения времени рассасывания / р в первом при ближении будем учитывать лишь явление прямой рекомбина ции носителей в области базы, пренебрегая диффузией дырок, поскольку сопротивление переходов насыщенного транзистора значительно меньше внешних сопротивлений (рис. 3).
Таким образом, необходимо решить уравнение (1) при на чальном условии:
р (х, t) І ^ , =» p., (Х, /„.,«1 — ^ ф ' , ' )
и граничных условиях
Р (х, t) |.ѵ^о = Р-2 (0, ^ и . в х і - ^фѴ) |
e x p |
ъr
р (х, t) \х^ѵ = p3(W. tu в:.і - /ФѴ) e x p t
"p I
Решение уравнения (1) при неоднородных краевых усло виях найдено методом разделения переменных и имеет вид:
р3(х, |
*) = exp([U-fX/) jjjp2 (0, |
t„.m |
—/<+>)ехр |
|
|||
|
|
1 |
|
|
|
|
|
+ -W~ е х р |
"р |
|
|
|
|
|
|
|
-р2(0, |
t„»:a) - t^)} + V |
(1 - |
у.)* W2 + |
(kr.) |
||
|
|
|
|
||||
X |
[ ( - |
exp ( l - ! x ) U 7 + l ] + { |
|
( ^ * * — ; . X |
|||
X [ ( - U * M ex p [ - (1 -f- |i) |
|
4- |
1] |
2 |
fkr. |
||
|
- |
T X |
|||||
X |
[ ( - l ) * + 1 e x p ( - Wv.) f |
1] |
|
|
|
|
8'i"
X exp ( - \i\V)\
где
1
2L2
с = gSDp
( _ l ) * r i ^ 2 ( U 7 , / „ . B X 1 - / W ) X |
|
|||
j exp |
k- У Dp |
sin |
A7! |
* , (12) |
W |
|
U7 |
|
|
|
d =» — |
6' |
|
|
|
|
#6 |
|
|
U„ |
|
|
|
|
>BXt |
c t h ~ T 7 " |
|
•csch |
|
|
|
|
||
( i - « ) / ? 6 |
|
|
|
exp
Pi (0, ^ и . в х і - |
9 5 D 7 1 (1 - a)/?6 |
cth-Z. |
t ^ ) |
|
+
exp
Л ( Г , Л,.х1-*ф У)
tfSD,
w
exp
|
m K l 1 |
' /?K/?6 |
|
^ и . в х і |
- ^ф", ' |
|
|
|
|
л • |
|
th |
|
RKR6 |
+ |
|
|
|
|
# 6 |
- |
З ^ к |
|
uт.в х і |
|
|
|
'и-вхі "
-
При выключении транзистора возможны следующие слу
чаи: |
|
|
|
1) Преимущественное |
рассасывание через |
коллекторный |
|
переход. Используя граничное условие Шокли |
|
||
PAW, |
W = о, |
|
|
найдем время рассасывания: |
d_ . O l 1 - |
|
|
t _ т 1 п (Г w^i |
exp X |
||
X |
- |
|
|
84
Была проведена экспериментальная проверка формулы (!3). Результаты эксперимента показаны на рис. 4. Некоторое расхождение теоретической (сплошная линия) и эксперимен тальной (пунктир) зависимостей может быть пояснено нали чием диффузии дырок от переходов в глубь базы, что уменьша ет фактическое время рассасывания.
Рис. 4
2) Преимущественное рассасывание через эмиттернын пе реход. С учетом граничного условия Шокли р3(0, fV3)~p„ для этого случая найдем время рассасывания:
tp.a = ър In |
В |
1 |
- |
|
|
|
|
|
|
|
(? + 1) |
|
|
R6 |
e x p |
|
. в х 1 |
|
(14) |
|
|
|
|
||||
|
|
|
"/ко "Кб |
|||
Следует отметить, |
что |
с учетом |
принятых допущений |
при |
||
3 > 1 оказывается справедливым |
равенство |
|
||||
|
|
|
р.к |
р . э |
|
|
85
ФОРМИРОВАНИЕ ФРОНТА ВЫКЛЮЧЕНИЯ Р-Ѵ
ф2
Чтобы отыскать выражение для Р£2\ необходимо решить уравнение диффузии при краевых условиях:
р (x, |
t) |
u_o = Pa (0, tp.K) ехр ^ |
1—J , |
Р (x, |
t) |
= О |
|
и начальном условии
Р (X, t) ,.-=(, = Рз (X, Ір.к)
для случая подколлекторного рассасывания или при краевых условиях:
Р (X, t) [дг_0 ==0
р (x, t) . у = ря ( W, /р.э) ехр
и начальном условии
р (x, t) ,„о = Ря (x, tp.9)
для случая подэмиттерного рассасывания.
Решение уравнения диффузии при этом приводит к извест ным уже результатам.
Выводы
1. Проведен анализ переходных процессов в вентильной схеме на транзисторе и получены расчетные формулы для вре мен переключения.
2. Осуществлена экспериментальная проверка формулы
(13) для времени пассивного рассасывания носителей, пока
завшая вполне |
удовлетворительное |
совпадение |
теоретических |
||||
и опытных |
результатов. |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
ЛИТЕРАТУРА |
1. Р ж е в |
к и и |
К. С , |
Ш в е й к и н В. И. О режиме |
насыщения в ППТ. |
|||
«Радиотехника н электроника», 1959, т. 4, вып 7, с. 1164. |
|
|
|||||
2. Q o s s i c k . |
В. R. |
On the |
Transient |
Behavior |
of |
Semiconductor |
|
Rectlhers. J. Appl. |
Pays, |
1955, 26, |
I I , 1356. |
|
|
|
УДК 621.375.1
В. M. Волков, Э. М. Антропов
АЛГОРИТМЫ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В НЕЛИНЕЙНЫХ АПЕРИОДИЧЕСКИХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЯХ
В статье освещены |
результаты |
анализа |
переходных |
|
процессов |
в нелинейных |
апериодических |
видеоусилите |
|
лях и даны |
алгоритмы, которые могут быть |
использованы |
||
при инженерном расчете |
видеоусилителей. |
|
||
Апериодический усилитель, содержащий |
нелинейный эле |
мент, относится к классу функциональных усилителей и в об щем случае может быть представлен в виде сочетаний последо
вательно включенных линейного (нелинейного) |
инерционного |
||
или безынерционного усилительного прибора |
(УП) и линейной |
||
(нелинейной) инерционной нагрузки (ИН) [2]. |
|
||
Выражение для тока / Е е л |
в нелинейном |
элементе в таких |
|
усилителях в самом общем |
случае может быть |
представлено |
|
в виде: |
|
|
|
/ н м |
= л и в . |
|
0 ) |
Выбирая значения для коэффициента Л и л, во многих слу чаях с достаточной для практики точностью, можно аппрокси мировать вольт-амперную характеристику нелинейного элемен та выражением (1).
Часто на практике в реальном функциональном апериоди ческом усилителе (Фѵ\У) инерционность нагрузки преобладает над инерционностью УП. В этом случае для упрощения анали за и аналитических выражений нестационарными процессами в УП можно пренебречь без большой погрешности для резуль татов исследования. Поэтому в настоящей статье переходные процессы исследуются при воздействии единичной функции на входе функционального апериодического усилителя (ФАУ), представленного в одном случае линейным безынерционным УП с нелинейной инерционной нагрузкой (рис. 1), в другом случае — линейным безынерционным УП с линейной инерци онной нагрузкой и с нелинейной инерционной цепью отрица тельной обратной связи по току (рис. 2).
Инерционность нелинейной цепи в обоих случаях опреде ляется емкостью С0 , которая состоит из паразитной монтаж ной емкости Сы и корректирующей емкости Ск .
Нагрузка для ФАУ с нелинейным элементом в цепи отри цательной обратной связи представлена параллельно вклю ченными сопротивлением RH и емкостью Сн . Последняя со-
87
стоит из монтажной емкости См , выходной емкости |
Свых УП |
п входной емкости С'в х последующего каскада. Для |
ФАУ с не |
линейной нагрузкой в качестве сопротивления нагрузки взято эквивалентное нелинейное сопротивление А?Нел.э-
Полная эквивалентная проводимость нагрузки равна
а |
!:_ _ 1 |
1 |
! |
, |
1 |
, |
1 |
где |
х — выходное сопротивление УП, |
|
|
|
|||
^ в ы |
|
|
|
||||
/?s x |
— входное сопротивление последующего |
|
каскада; |
||||
|
— эквивалентное |
|
сопротивление |
нелинейного эле |
|||
RK |
мента; |
|
|
|
|
|
|
— линейное сопротивление нагрузки УП. |
|
Пренебрегая влиянием тока обратной связи, протекающего через проходную емкость УП, и учитывая, что проходная ем кость может быть пересчитана на вход УП [3], можно допус тить, что практически переходные процессы, протекающие в цепи отрицательной обратной связи УП, не зависят от переход ных процессов в-цени нагрузки.
Предположим, что переходные процессы, протекающие в цепи нагрузки АУ, не зависят от переходных процессов, проте кающих в цепи обратной связи. Выходной ток для любого УП определяется выражением
где
5
Uy
]
I* = SUyt. |
(2) |
—крутизна проходной характеристики УП; напряжение на входе УП;
н— ток в цепи нагрузки УП.
68
Уравнение Кирхгофа |
для любой |
нелинейной |
цепи ;рис. 1 |
|||
и 2) имеет вид |
|
|
|
|
|
|
Л, (/) --= /„е., (t) |
-:- |
/с |
(0 . |
|
(3) |
|
I де |
|
|
|
|
|
|
/ 0 (О — общий ток в нелинейной цепи; |
|
элемент; |
||||
/нел ( 0 — ток, протекающий через нелинейный |
||||||
/ с (г) — ток, протекающий через емкость |
С0. |
|
||||
Как видно из рис. 2, для напряжения |
Uу |
можно записать |
||||
L'y(t) |
= E - |
U0(V |
, |
|
( 4 ) |
где
0'0 it) — напряжение обратной связи;
Е — скачок напряжения на входе УП.
Используя выражения ( 1 ) , ( 2 ) , (3) и ( 4 ) , получаем нелинейные дифференциальные уравнения, описывающие процес сы цепи обратной связи,
и в цепи с нелинейной нагрузкой |
|
|
|
С —7Г- |
+ AUn |
— SE , |
( 6 ) |
dt |
л |
|
'. |
где в данных выражениях и в последующих |
полагаем, что |
||
U о = |
и п щ . |
|
|
Рассмотрим переходные процессы для тех реальных случа ев, когда в качестве нелинейного элемента используются дио ды, для которых в зависимости от выбора их режима с доста точной для практики точностью можно принять я = 2 или п У2, В обоих случаях уравнения (5) и (6) приводятся к таблич
ному интегралу [5]
|
^ |
|
|
dl |
' |
|
|
|
J |
^ |
- |
А1К |
|
- L |
|
где L — 0 для выражения |
(6) |
ТІ |
L — SU0 |
— для выражения |
(5). |
||
Для |
случая я = 2 уравнение |
(7) |
разрешается относитель |
||||
но £/„. |
|
|
|
|
|
|
|
Для |
случая, когда « = ' / 2 , |
уравнение |
(7) не разрешается |
от |
носительно U0, получаются трансцендентные уравнения, и зна чения для тока в цепи нагрузки УП в общем виде получить не удается. В подобных случаях прибегают к приближенному ре-