книги из ГПНТБ / Микроминиатюризация элементов радиоэлектронной аппаратуры

в таких пределах, в которых допускается изменение модуля пе­ редаточной функции.

Выводы

1.При токах управления, превышающих 0,5 мА, коэффи­ циент передачи превышает величину 0,9 В средней части час­ тотного диапазона (рис. 8). Этот управляющий ток практиче­ ски в пять раз меньше тока, необходимого для получения та­ кого же коэффициента передачи на транзисторах КТ-307.

2.Оптимальным с точки зрения получения высокой повто­ ряемости параметров ключа и обеспечения высокой плотности элементов следует считать ток управления 1 мА (т. е. 0,5 мА на каждый транзистор). В этом случае (при £ = 3 В) число клю­ чей на подложке не должно превышать 10, что более чем в два раза превышает число ключей на КТ-307.

3.Высокую повторяемость фазового сдвига следует ожидать на низкоомной резистивной нагрузке (200—300 Ом). При этом следует ожидать ! /С3 1=0.85-1-0,9.

Сер. V I . Микроэлектроника. Вып. 3 (18), 1969.

УДК 621.396.666.018.78

В. М. Волков, А. А. Иванько

АНАЛИЗ НЕСТАЦИОНАРНЫХ ПРОЦЕССОВ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УПРАВЛЯЕМЫХ АТТЕНЮАТОРАХ

Для регулирования коэффициента усиления приемного тракта широко применяют управляемые аттенюаторы (УА), содержащие различное число управляемых нелинейных эле-

71

ментов (УЭ). Они могут быть построены по различным схемам: последовательным, параллельным, комбинированным и мосто­ вым.

В качестве УЭ применяют полупроводниковые диоды, уни­ полярные и биполярные транзисторы. Упрощенная схема ком­ бинированного УА с двумя диодами изображена па рис. 1.

Рис. I

Известно, что полупроводниковый диод может быть пред­ ставлен параллельным соединением двух нелинейных элемен­ тов Ra и Сд . Учитывая, что коэффициент передачи УА регули­ руется при малом уровне входного сигнала, считаем УА ли­ нейным.

Изменение коэффициента передачи УА реализуется изме­ нением параметров нелинейных элементов с помощью регули­ рующего тока или напряжения. При этом эквивалентные пара­ метры диода меняются во времени по закону изменения регу­ лирующего тока / р (по экспоненциальному закону).

Подадим на вход УА скачок радионапряжения

Если УА собран на р-і-п диодах, то при уменьшении коэф­ фициента передачи емкость диодов останется неизменной, а проводимость изменится по закону, изображенному на рис. 2.

Для решения задачи о нестационарном процессе амплиту­ ды и фазы в рассматриваемом УА составим его дифференци­ альное уравнение:

При подаче на вход УА сигнала (1) выходной сигнал мож­ но представить в виде:

72

где

^тпых (О — амплитуда выходного сигнала; а (/) — фаза выходного сигнала.

Подставим (6) и (7), а также их производные в дифферен­ циальное уравнение (2) :

m (t) sin at + m (t) и cos со^ - f n [t) cos Ы — n (t)<a sin <o£-j-

73

где

0 4 ~ с, + с,

Уравнение (8) преобразуем к системе двух линейных диф­ ференциальных уравнений, для чего выпишем коэффициенты при m и п соответственно

74

наковыми степенями, получим систему для определения чле­

75

УДК 621.374.3

А. П. Максин

ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В МИКРОМОЩНОЙ ВЕНТИЛЬНОЙ СХЕМЕ НА ТРАНЗИСТОРЕ

И статье рассмотрены нестационарные явления в вен­ тильной схеме, выведены расчетные формулы времен пе­ реключения, получена формула для расчета времени пас­ сивного рассасывания.

Вентильная схема (рис. 1), реализующая операцию логи­ ческого умножения, может работать как в импульсном, так и

приходом только управляющего импульса транзистор работает как пассивный трехполюсник. В обоих случаях на выходе по­ является сигнал помехи UBMXl и и в ш 2 .

77

происходит накопление избыточных носителей. С окончанием рабочего импульса начинается процесс рассасывания носите­ лей из базы. Отличительной чертой этого процесса является то, что рассасывание носителей происходит при отсутствии внеш­ них напряжений, т. е. наблюдается так называемое пассивное рассасывание за счет рекомбинации и диффузии носителей за­ рядов в течение времени tv. При этом во внешней цепи течет

Рис. 2 -

постоянный ток, вызываемый разностью потенциалов, возник­ ших на обоих переходах при накоплении заряда в базе. Так как напряжения на переходах U(K и с7й э при рассасывании убывают по почти линейному закону [2], то разность потенциа­ лов в течение времени и, следовательно, ток во внешней цепи

быточных носителей из базы, при этом формируется фронт вы­ ключения транзистора .

Произведем качественный анализ каждого из этапов пере­ ключения в отдельности, для чего воспользуемся методикой непосредственного решения уравнения диффузии с учетом ограничений, аналогичных указанным в работе [I].

78

ФОРМИРОВАНИЕ ФРОНТА ВКЛЮЧЕНИЯ (<П

Для нахождения времени вхождения транзистора в режим насыщения необходимо решить уравнение диффузии

79