Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Микроминиатюризация элементов радиоэлектронной аппаратуры

..pdf
Скачиваний:
19
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.88 Mб
Скачать

ческое применение ее затруднено из-за обилия эмпирических коэффициентов, от которых зависит точность модели.

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ХАРАКТЕРИСТИК МОПт

Известны следующие основные источники температурной нестабильности:

температурная зависимость Фр, влияющая ка пороговое напряжение Ѵпоѵ\

температурная зависимость подвижности \>eff.

К этим основным факторам можно добавить также легко учитываемую температурную зависимость тока утечки диода стока, так как при высоких Т° и больших напряжениях Ѵс ве­ личина этого тока возрастает и может возникнуть вопрос о включении его в рассмотрение.

Модель Фромана—Бентчковского и Вадаша [12] учитывает температурную зависимость параметров V„0f (без учета влия­ ния Т° на (^„.рассмотренного в работе [13]), в следующем виде:

пор

 

1

\<Г_2гн

е0<? /Ѵ Д 2Ф^

 

(23)

dT

Г "

С0

"~

2Ф^

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

Вт

 

т

1/21 э В

 

(24)

 

- 9,1

 

 

 

 

 

 

Для /і-канального МОПт типичная

величина

dV„

состав­

dT

 

В

 

 

 

 

ляет (0,003—0,004)

 

 

 

 

 

°С

 

 

в диапазоне

—55°С

Температурная

зависимость

— 125°С аппроксимируется:

 

 

 

 

V-efj ( Л

=

Ре//(Т0)

7\,

 

(25)

 

 

 

 

 

 

Аппроксимация (25) требует серьезного эксперименталь­ ного подтверждения в данном диапазоне температур, так как из большинства работ, посвященных этому вопросу, следует:

УЧЕТ ПАРАЗИТНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ ИСТОКА И СТОКА

Для одиночного МОПт последовательные сопротивления, связанные с диффузией истока и стока, обычно пренебрежимо малы по сравнению с сопротивлением канала, и их можно не

40

учитывать. Однако при проектировании и производстве МОП ИС распространенным практическим приемом является ис­ пользование диффузионных соединительных линий, что приво­ дит к значительному увеличению этих сопротивлений.

В работах [10, 12] учет последовательных сопротивлений

/?и

и Rc

производится

заменой в уравнении

для

тока

стока

на­

пряжений ѴС и ѴИ

на

—lMc

и VU + JCRH

соответствен­

но, т. е. заменой в уравнении для тока стока, выведенного

при

Ѵ и = 0

напряжения

Ѵс

на Ѵс/с(#,гі

-Rc)-

 

 

 

 

Полученное уравнение может быть решено

аналитически

или с помощью итерационной

процедуры.

 

 

 

 

 

Следует заметить, что напряжение затвора

относительно

истока

при R„¥--0 равно

Ѵэ—/с/?и,

появляется также

обрат­

ное смещение подложки

Ѵп~1ѵИи-

Поэтому

для

определе­

ния / с

с учетом паразитных

сопротивлений

/?и a

Rc

более

корректным является использование выражения, учитывающе­ го смещение подложки.

Все вышеизложенное справедливо для МОПт с достаточно длинными каналами. МОПт с короткими каналами (L ~ еди­ ниц мкм и менее) имеют специфические особенности.

МОДЕЛИ МОПт С КОРОТКИМИ КАНАЛАМИ

По мере уменьшения длины канала одномерное приближе­ ние, лежащее в основе всех предыдущих моделей, становится все менее точным. Для МОПт с длиной канала L порядка еди­ ниц мкм необходимо учитывать двумерность процессов в кана­ ле МОПт, а также влияние продольного поля па подвижность носителей. Двумерность процессов в МОПт рассматривается в работах [14, 15].

Армстронг и Матовая получили модель МОПт в следую­ щем виде [15]:

, ^

дѴ(у)

( 2 6 )

 

 

ду

 

 

 

Подвижный заряд определяется уравнением

°Н \У)

i ü -sio2

Qx

дѴ (у)

( 2 7 )

dx

 

Уравнение непрерывности для тока вдоль канала.

д

= о

( 2 8 )

ду

 

 

41

Решение уравнений (26—28) предусматривает распределе­ ние потенциала, полученного после решения двумерного урав­ нения Пуассона для полупроводника и уравнения Лапласа для окисла:

д2Ѵ

л..

 

ND

 

(29J

дх~

q

 

е.;

 

 

 

 

д\>2

 

дх2

О .

(30)

 

 

 

В работе [15] излагается и методика решения уравнений (26-—30). ВАХ, полученные в [15], практически не отличаются от ВАХ, полученных на основе метода,"описанного в [14].

Зависимость подвижности от продольного поля может быть учтена в форме, аналогичной ранее рассмотренной зависимос­ ти (19) \xe(t: от поперечного поля:

( 3 1 )

 

 

 

 

-су

где

критическое поле,

 

'су

 

(

1 для «-канальных

МОПт,

 

 

\

2 для р-канальных

МОПт;

 

dV(y)

 

 

 

 

dy

 

 

 

 

 

 

Выводы

1. Простейшие модели

1, 2 недостаточно точно описывают

ВАХ МОПт

и применимы

лишь для ручного расчета неслож­

ных интегральных схем.

 

 

2. Модель Ca и Пао [5] хорошо описывает ВАХ МОПт для длинных каналов при соответствующем выборе канальной подвижности.

3. При напряжениях затвора Ѵ3 ~ 10 В и более поле на по­ верхности полупроводника достигает значений, при которых оно активно влияет на величину подвижности. Поэтому модель МОПт требует учета зависимости подвижности от поперечного поля. Однако и при меньших напряжениях затвора подвиж­ ность у поверхности отличается от объемной.

До настоящего времени нет удовлетворительного выраже­ ния, определяющего подвижность в канале МОПт и сочетаю-

42

щего относительную простоту с достаточной точностью. В этом смысле модель Ратледжа и Армстронга [11] является инициа­ тивной попыткой, направленной на восполнение этого пробела. Ощущается необходимость дальнейшей работы в этом направ­ лении.

4. Наиболее полной можно считать модель Фромана—Бентч- ковского и Вадаша [12], которая учитывает конечную проводи­ мость стока в пентодном режиме (15; 17), зависимость под­ вижности от поперечного поля (20), паразитные сопротивления истока и стока. Замечания относительно учета температурной зависимости подвижности и учета паразитных сопротивлений в этой модели сделаны в соответствующих разделах обзора. Модель требует больших затрат машинного времени, чем мо­

дель Ca и Пао. Применение

модели целесообразно для

МОПт

с каналами средней длины.

 

 

 

 

5. В режимах

работы

МОПт:

1) при Ѵс<\ В,

2)

при

3 — К п о р ) < 1

В (ограничения на

модель, приведенные

в [3],

несколько расширены) оправдано применение аппроксимаций Даса (12, 13) для этих режимов.

6. В режиме 3-- ѴГ,ОѴ)^:0

следует использовать модель

Баррона (5).

 

7. Модель для транзисторов

с длинными и средними кана­

лами плохо описывают ВАХ МОПт с длиной канала L порядка единиц мкм и менее. Модели, учитывающие двумерный харак­ тер процессов в канале МОПт, требуют очень больших затрат машинного времени. Очевидна необходимость в дальнейшей работе, направленной на создание не очень сложной и доста­

точно точной модели МОПт с коротким

каналом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

1.

W e d l o c k

В. D.

Ргос. IEEE,

ѵ. Г;8

(Г. 70),

4,

р.

593.

 

 

 

2.

B a r

г o n

 

M . В.

Solid

— st. Electron., v.

15

(1972),

3,

p.

293.

 

3.

D a s

 

M .

 

B.

Solid

— st. Electron,

v.

11,

(1968),

3, p.

305.

 

 

 

4.

G r e e n e

 

R.,

S о 1 d а п о Т.

Proc. IEEE v.

53

(1965),

p.

1241.

 

5.

S a h

 

С. T.,

г a о

 

H. С. IEEE

Trans,

v. ED-13

(1966).

4,

p.

393.

6.

F r o h i n a n — B e n t c l i k o w s k

v

D., О r o v e

A. S.

IEEE

Trans.,

V, ED

-

16

(1969),

JVs

1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

S c h r i e

ff er

J.

R..Phvs. Rev.,

v. 97 (1955), p. 641.

 

 

 

 

 

 

8.

P i e r r e

t

R.

F.,

S a h

С. T. Solid — St. Electi on., v. 11

(1968), p .

279.

9.

D a s

M . B.

Solid

St.

Electron.,

v.

12

(1969),

5,

p.

305.

 

 

 

10. C r a w f o r d

R.

 

„MOSFET

in

Circuit - Desing«.

Mc

draw

 

Hill

Book

Company,

1967.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

11. R u t

h e d g e

J.

L , A r m s t r o n g

W. E. Solid

— St. Electron,

v.

15

(H72), № 2, p. 215.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12. F r o

h m an

— B e n t c l i k o w s k

v D,

V a d a s z

L.

IEEE

 

J.

of

Sol.— St. Cire . v. SC — 4 (1969), №

4.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13. H e i

m an

F. P.,

M ü l l e r

 

H. S.

IEEE

Trans.,

v. ED—12

(1965),

№ 3 ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

43

14.

L e o b

H. W„

et a!.

Electron. Letters., v. 4 (19G8), p.

3f 2.

15.

A r m s t г о n g

Q. A.,

M a g o w a n J. A. Electron.

Letters, v. 5

(1969),

Л% 17,

p 406.

 

 

 

УДК 621 372.5

И. H, Бобров, M, H. Гусева

СИНТЕЗ ШИРОКОПОЛОСНЫХ РЕГЕНЕРАТИВНЫХ СВЧ МИКРОМИНИАТЮРНЫХ ФИЛЬТРОВ С УЧЕТОМ ДИССИПАТИВНЫХ ПОТЕРЬ

В

статье дан синтез сигнальных

цепей широкополос­

ных

регенеративных

усилителей

СВЧ,

представленных

фильтром с отрицательным

сопротивлением,

с учетом

диѵсипативных

потерь в резонансных

контурах

фильтра.

Гетзипгером [2] и Алфеевым

[1] на базе

существовавших

работ по расчету

пассивных

фильтров

СВЧ

[5] и [6] был

предложен метод

расчета

активных

фильтров

(фильтров

с отрицательным сопротивлением) СВЧ без диссипативных по­ терь, позволяющий значительно упростить и сделать более по­ следовательным, по сравнению с существовавшими методами, расчет сигнальных цепей полосовых параметрических усилите­ лей СВЧ. Однако предложенный ими метод не позволяет рас­ считывать фильтры-трансформаторы, что не дает возможности рассчитать оптимальный режим работы, например, параметри­ ческого усилителя; кроме того, он не учитывает диссипативные потерн в резонансных контурах фильтра, что необходимо делать при синтезе малошумящих микроминиатюрных усили­ телей. Из-за указанных недостатков этот метод нашел ограни­ ченное применение.

На основе метода расчета полосовых фильтров, предло­ женного в раб.отах [3] и [4], возможен синтез широкополосных сигнальных цепей регенеративных СВЧ усилителей, лишенный указанных выше недостатков.

Синтез усилителей проводят по рабочим параметрам. Экви­ валентом усилителя принимают четырехполюсник, представ­ ляющий n-звенный фильтр с отрицательным, не зависящим от частоты сопротивлением в п-м контуре в режиме холостого хода. Эквивалентная схема усилителя представлена на рис. 1. Возможен синтез усилителя и в случае расположения отрицав

14

тельного сопротивления в- любом из контуров фильтра или в каждом контуре.

Л -

г — ¥ ~ г

 

n

I L U

t . .

Рис.

. При расчете задают усиление, рабочую полосу частот, не­ равномерность в полосе пропускания, затухание "в полосе за­ граждения и ожидаемую величину диссипативных потерь усн-

Рис. 2

лителя. Типичные функции передачи и отражения трехконтурного фильтра для Чебыщевскон аппроксимации представлены на рис. 2.

45

Коэффициенты передачи усилителя L n для усилителей с чебышевской і„ч и баттервортовской L„s характеристиками избирательности задаются соотношениями:

L„4 - Ю ig -Ç^- = /.., - L y -r L , - 10 1g [ I -г- Л2 Г 2 (ç)] X

 

 

 

 

' нагр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X ( l -

i1) (1 - f / 2 ) ;

 

 

 

(1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Л2

 

Lnb

=

10 lg - р ^ -

-

Z B -

i

y

+

 

- 10 lg (1 +

V-2)

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ig (1 +

2

n

X

 

 

 

 

' нагр

 

 

 

 

 

 

 

 

Л

Ç ")

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X (1 - 1-) (1 + *2 ) -

 

 

 

 

Здесь

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Л„ч 10 lg [1

-i /г2 7^ (с)]

— коэффициент

передачи пас­

 

 

 

 

сивною фильтра без потерь с чебышевской

харак­

 

 

 

 

теристикой избирательности

(при

ç = 0

L r

 

 

Ly

 

~ / . f t

=

 

101g

(1

+

h*));

 

 

элементом;

 

 

— усиление, создаваемое отрицательным

L

 

/ . д величина диссипативных потерь;

 

 

 

n b

z= Ю lg (1 +

h2 :'-") — коэффициент передачи пассивно­

 

 

 

 

го фильтра без потерь с баттервортовской

харак­

 

 

 

 

теристикой

избирательности;

 

 

 

 

 

 

h

=

/

р

 

/

и

 

 

р.

 

 

 

неравномер-

 

 

I /

-J)

*

 

751 — параметр

 

 

 

 

ности характеристики усилителя в полосе пропус­

 

 

 

 

кания;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ z=

Л/

-^7

 

( 1 +

- / /

]

— параметр

усиления;

 

 

 

 

t

^ н о м ! \

 

" н о м /

 

 

 

 

 

 

t

•=

V/

• р Я

I ( 1

 

~—\

параметр,

учитываю-

 

 

 

 

'

'

ном /

\

 

'

ном

/

 

 

 

 

 

 

 

 

щий диссипативные потери в резонансных конту­

 

 

 

 

рах

усилителя;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Л і о м

номинальная

мощность на выходе усилителя;

 

 

Ру

— усиленная мощность;

 

 

 

 

 

 

 

Ph

— неравномерность по мощности в полосе пропуска­

 

 

 

 

ния;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р д

— мощность диссипативных потерь;

 

 

 

 

Тп(с)

— полином Чебышева первого рода п-ю порядка;

 

X

с2 "

полином

Баттерворта;

 

 

 

 

 

 

 

 

нормированная на ха

относительная

расстройка;

 

 

 

 

Ü)

 

(1)

о

 

относительная

 

расстройка

 

в

рабочей

О)о

 

со

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

полосе частот усилителя;

 

 

 

 

 

 

 

СОо

 

 

 

— относительная

расстройка

на границе

полосы

пропускания;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

центральная частота полосы пропускания;

ш — текущая частота.

 

 

 

 

 

 

 

 

Передаточная

функция

фильтра

(рис. 1) с отрицательным

сопротивлением запишется следующим

образом:

 

 

 

 

Y пер

 

 

 

 

 

А

 

 

 

 

 

 

( 2 )

 

 

 

 

 

%ап ^ І З

 

 

 

 

— n

 

 

 

 

 

 

Ѵ

г

э 1

^ 2 3

^ З і • •

 

 

 

Здесь

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

0

 

 

 

jkn

d,+jx

ik,.,

0

 

 

0

 

 

0

 

 

 

0

JkK

ds

rjx

j k u

 

 

0

 

 

0

 

(3)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

0

0

 

 

jk„-i,„. -2

dn-i -rjx

jkn-l

 

 

 

0

 

0

0

 

0

 

jkn. n -

1

~dn-\.

 

 

Коэффициент передачи мощности в нагрузку g

m

 

и коэффи­

циент отражения

| Г„

к проводимости

генератора

 

g r филь­

тра, изображенного

на рис. 1, определяются

из соотношений:

 

 

 

 

 

 

 

Ю lg

 

Y пер I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4ёт

g*n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10 lg

4 A Î2 k<k---bWn*ÏV-b)

 

 

{ s - a - b )

 

 

 

 

 

 

(4)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*0

г

 

 

 

 

 

 

 

 

 

_ 4 ^ ((i,ft

Д„ -

t / , | A , ,

••-;-(/81 Д , з р + . . .

hd„ ,і_А: 2 ) ( J - ^ )

 

 

 

 

 

 

 

I A T

 

 

'

 

'

 

 

'

где Aj,- — минор

M матрицы A.

 

 

 

 

 

 

 

 

Для определения

d(

и

 

, v i ,

входящих

в формулы (3) и

(4), целесообразно записать следующие соотношения:

47

d \ =-=

ёі

 

*«.. Si

£г

g0-

j.r--g<?-.i

 

=

К -

=

(1

- ft)

§•,-0

=

# 1 0

£зо = go- (К = '- en 4 „ = - -

« ^ 1 .

 

 

 

 

 

 

SnO

І

£ V

< ° .

=

 

(5 a Ь) ,

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d;.,

— собственное затухание г'-го контура;

 

 

 

g;0

— проводимость потерь г-го контура;

 

 

 

—• gy

 

— отрицательная

проводимость;

 

 

 

 

7

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

;

*<ЗІ — Г

— характеристическое

сопротивление

г-го

 

 

 

резонансною

контѵра;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'

дУи

!

— эквивалентная

емкость і-го контура;

 

 

 

 

...... J

 

К а

реактивная

составляющая

собственного

элемента

 

 

 

матрицы проводимости фильтра;

 

 

 

ki, <-:-і =

 

/ - i

|/

~ZHZb(i+\)— коэффициент

связи между і

К/, 1+1

 

и г'+ 1 контурами;

 

 

 

 

 

 

— взаимный элемент матрицы проводимости;

 

 

а

I

 

коэффициент трансформации

проводимости;

 

J b \

— коэффициент диссипативных

потерь;

 

 

 

I s J коэффициент трансформации отрицательной прово­

 

 

 

димости.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В результате

решения

системы

уравнений,

полученных

сравнением коэффициентов при переменных с равными степе­

нями в полиномах

(1) и (4), получены расчетные соотношения

для определения s,

£,,«•+1 и dt

(табл.

1 и табл..2),

в

которых

приняты следующие обозначения:

 

 

 

 

 

для

усилителя

с Чебышевской

характеристикой

избира­

тельности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

s

th

 

1

, 1 \

 

..

, /

1

1

 

1

I a res h -r- ;

 

R — *„ ch

— aresh .

 

 

я

A /

 

 

 

\

ft

A

 

для усилителя с характеристикой избирательности Баттерворта

У".А

Рассчитанные значения затуханий контуров dt (в том числе и отрицательного затухания rfv= - srf,)n коэффициентов свя­ зи А/./+1 полностью определяют сигнальную полосовую цепь усилителя, они дают возможность построить конструкцию

43

w

о;

озёе.чг>е£

с потерями

Три зае-но £<?з потерь

7P^ seem с

потерями

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица I

 

 

Усі'Ліія>е/ій с

 

Vedà/u/fScxaù

хсрак.^ерис.-пи^аа изииротела^ости •

г!

- V2 6 R

 

 

W

 

 

 

 

и 1

—Q

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

r

 

 

 

d„ = d, (s-a)

 

 

d" ~-adi

 

;

d

 

~-d, ;

-du

= -Sd,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

г I*

d2--odt;

 

dr

 

 

~S J ;

а'.:.*=с/, (:>

4K *d*{/+A

У№УОг)(ы)

 

 

 

J,

 

 

 

К

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d3

= -ad,

;

 

dr^d,;

 

 

4-sd,

 

dM~d,

(s-a).

 

d - 2JJL_.

i,

- £

 

. / 7 -•-•-з)гі7? 5c 2+/.5 J - f f-o+W (о^ег+а,

75j

 

 

 

ын0

\

 

-

 

JJJ^J

 

;

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ