Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Микроминиатюризация элементов радиоэлектронной аппаратуры

..pdf
Скачиваний:
19
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.88 Mб
Скачать

УДК 621.372.828

И. H. Бобров, В. Д. Соломенчук

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРИТИЧЕСКИХ ЧАСТОТ И СОБСТВЕННЫХ ВЕКТОРНЫХ ФУНКЦИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ВОЛН ПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ

В работе

предлагается

численный

метод определения

собственных

значений

и

собственных

функций

электри­

ческих волн экранированной

полосковой

линии,

основан­

ный на использовании

метода

суммарных

представлений.

Этот метод позволяет

решать задачи

при большом

коли­

честве узлов

сетки, чем достигаются

достаточно точные

решения.

 

 

 

 

 

 

 

 

На ЭЦВМ

«Минск-22» были вычислены первые

две­

надцать собственных

значений и собственных

функций

электрических

волн полосковой

линии.

 

 

 

 

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Задача расчета полей £-волн сводится к отысканию соб­ ственных значений и собственных функций уравнения Гельмгольца, заданного в двухсвязной области G (рис. 1), соответ­ ствующей поперечному сечению экранированной полосковой линии

АПе f g- Пе = 0

(1)

при граничных условиях Дирихле

П'(х,

y)\Li.Li,

(2)

где L1 + L2 — контур, образованный пересечением стенок вол­ новода плоскостью z = const, an — нормаль к контуру L \ + Lj. Область G является прямоугольником D с границей L x и раз­ резом L 2 .

РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ВОЛН

Рассмотрим для двухсвязной области G задачу на соб­ ственные значения

 

 

Au I

-ni = О ;

 

(3)

 

 

u L + L

 

- 0 .

 

 

(4)

Покроем

область G

прямоугольной

равномерной

сеткой

i

2

 

 

 

Xi=xa+ih;

yk=ijü + khx

(/ = 0 , 1 , . . . ,

m + 1 ; £ = 0 , 1 , . . . ,

n+ 1 ),

170

где /;,; Л, — шаги сетки, 7 — т -

таким

образом, чтобы

граница

L \

 

 

Л,

 

 

 

и разрез

L 2 совпадали

с сеточной

областью. Тогда

х0 = 0;

хт

+ і = а\ і/о = 0; Уп--і = Ь\

п —

нечетное по построению

сеточной

области

 

а — с

а + с

 

 

 

 

 

 

 

2

 

;

д".9

 

 

2

 

 

 

 

в силу симметрии области.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Km

Xm+f

Ум

Рис.

Рассмотрим соответствующую дифференциальной задаче (3), (4) конечно-разностную задачу

 

ДЛ и 4- ѵк

 

0

 

(5)

 

а) Икоит =

0 ;

б)

ирзз

= 0

(6)

для построенной сеточной области

О'1.

 

 

Здесь А/,

— пятиточечный

конечно-разностный

оператор

Лапласа в прямоугольной равномерной сетке.

 

Условие (6 6) запишем в виде

 

 

 

 

и

. „ + 1 = 0 ;

() =

1, 2

, . . . , г)'.

(7)

Конечно-разностное уравнение(7) выполняют во всех внут­ ренних точках сеточного прямоугольника D'\ кроме точек, по­ павших на линию разреза L 2 :

; у л . и ) (J = 1, 2 , . . . ,г) .

171

Мол-сем считать [3], что в этих точках выполняется неодно­ родное уравнение типа (3), правые части которого будем счи­ тать неизвестными.

Тогда в силу краевых условий (6 а) решение в любой точке прямоугольника Dh можем записать по формуле суммарных представлений [2] в виде

 

ulk =

V

а'*

. Я + І

(t)F

 

, nH.,

(/)

 

 

J

-1

S

\-J

 

s-'.-J,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(/ = 1, 2 , . , . , / и ;

Ä = l , 2 , .

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m

n

Pjp

Psrj,p

Pkq

-P-'+l

 

 

/7-1

q = \

 

 

 

 

 

 

 

A-

/

/И -j

1

sin

m

4-

1

'

 

I

 

 

 

p kq

Г '

 

 

 

 

 

 

 

 

I'"'

П -r

1

sin

/z

-b

1

 

 

 

 

 

 

tpq

 

 

pr.

.

4- f

eos

 

 

',

,

COS

 

,

 

«

 

 

/га 4-

1

 

 

 

4-

1

1

vA2

 

(8)

(9)

Z7 . Л-; 1 ( 0

= Л 2 / , . л . н (V), ( y - 1 , 2

r)

 

Подберем

теперь /• введенных параметров F

п

таким

образом, чтобы удовлетворить на линии разреза краевым усло­ виям (7). Получаем характеристическую систему линейных алгебраических уравнений

 

А (/) F(t)

= 0,

 

(10)

где

 

 

 

 

 

 

2 S

я-И

Ps + i, p

As + l, p

 

А

 

 

( И )

2 (* - *

м )

 

 

L P = I <7=1

 

 

 

 

— квадратная матрица порядка г,

172

— /-мерный вектор введенных параметров.

 

Все собственные числа рассматриваемой

конечно-разност­

ной задачи (5), (6а), (6 6) определяются

из системы (10).

Разобьем их на две группы. Собственные значения для области Он, которые определяются из условия

F ( 0 Ф 0 ,

 

что равносильно уравнению

 

D (t) — det A (t) — 0 ,

(12)

будем называть невырожденными. Собственные же значения для области О'1, которые определяются из условия

F(() ^ 0.

называются вырожденными. Очевидно, что вырожденные соб­ ственные значения области G'1 являются одновременно и соб­ ственными значениями прямоугольника Dh. Чтобы найти их, достаточно проверить, обращаются ли в нуль на линии разреза L 2 собственные функции

,

ч

= .

2

-

,

/ртг

,

.

kq

U\P'4)

 

• s i n — ,

• sin

 

''*

 

 

V (« + 1) (m Ч- 1)

m

+

1

 

« + 1

прямоугольника Dh. Можно показать, что собственные функ­ ции и ^ ' ? ) при

р = 1 , 2 , т ; ' = 2/(/=1, 2

- 1

V

2

оудут вырожденными.

Соответствующие им вырожденные собственные значения

 

 

Р~

 

,

•>

 

2у-

tni

= cos

- .

г-

f

т

cos

 

Р = I ,

2

/я;

7 =

 

1 , 2 , .

п - 1

 

2

 

 

 

 

 

 

 

В том случае, когда г — четное, уравнение (12) можно упростить, разложив его на два более простых. После того как собственные числа найдены, соответствующие им собственные функции находим по формуле (8), где

173

 

 

 

 

F.s+j,n-±± ( / = 1 , 2, ... ,

r)

 

 

ищем как решение однородной системы линейных

алгебраиче­

ских уравнений (10).

 

 

 

 

 

 

 

На ЭЦВМ «Минск-22» были вычислены первые двенадцать

собственных

значений

 

 

 

 

 

 

 

Ï

 

п

.

•• л

30,246926 ,

 

 

,

 

А

3

X =

— — (1

4-т - — 0 =

- — ^ г з —

0

(2,652767 — t) =* - ^ -

 

2

 

 

 

 

R

 

0 R 7

 

 

II соответствующие им собственные функции. Сеточная область характеризуется следующими величинами:

m =

38;

 

п -

9; А = Д ^ - Я;

/г, =

4 - H ;

T =

—^— =

-y- =

1,2856;

 

s =

15;

r =

8 .

Я числовой

параметр. Z.2: (*IS-H » УО); / = 1 ,

2 , 8 .

Значения

8 =

X//2 представлены в таблице:

 

 

Si = 4,559815

5

7

= 9,939140

 

 

ô

 

= 4,566893

5

8

= 10,367194

 

 

 

= 7,056068

°

= 10,426383

 

 

 

3

 

9

 

 

§4 = 7,099962

5 1 0 = 11,104070

 

 

5

 

= 9,645583

 

 

= 11,758009

 

 

5 в5

-9,910495

o] 3 -11,967831

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЛИТЕРАТУРА

1. П о л о ж и й Г. Н. Численное решение двумерных и трехмерных крае­

вых задач математической физики и функции дискретного аргумента. Изд. Киевского университета, 1962.

2. Л я ш е н к о

И. Н. Задачи на собственные

значения

для уравнений

второго порядка в частных конечных разностях. Изд. Киевского

универси­

тета, 1970.

 

 

 

 

 

3. Л я ш е н к о

И. Н. О собственных значениях

прямоугольных

мембран

с разрезами. Сб. «Вычислительная

и прикладная математика», вып. 4. Изд.

Киевского университета, 1967.

 

 

 

 

4. С т р е т т о н

Д ж . А. Теория

электромагнетизма.

М., Гостехиздат,

1948.

 

 

 

 

 

5. К и с у н ь к о

Г. В. Электродинамика полых

систем. ВКАС,

1949.

УДК 621.372.828

И. H. Бобров, В. Д. Соломенчук

РАСЧЕТ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ЭКРАНИРОВАННОЙ СИММЕТРИЧНОЙ ПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ

ß работе для расчета характеристического

сопротив­

ления

и поля

ТЕМ-волны полосковои

линии

используется

метод

конформного

отображения

плоскости

поперечного

сечения линии на плоскость

поперечного сечения

идеаль­

ного

конденсатора.

С помощью

известных

выражений

для

поля идеального

конденсатора

и емкости на

единицу

его длины получены аналитические выражения

для

ха­

рактеристического

сопротивления

и

составляющих

поля

ТЕМ-волны

экранированной

симметричной

полосковой

линии.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поперечное сечение линии, рассматриваемой в работе, представлено на рис. 1. Проводящую полоску шириной с счи­ таем бесконечно тонкой. Для волн ТЕМ характеристическое сопротивление линии определяется выражением [2]

где С — емкость на единицу длины линии.

 

 

Емкость С легче

всего

вычислить

методом

конформных

отображений.

 

 

 

 

 

Как

показано в работе

[1], напряженность

электрического

поля внутри полосковой

линии на

расстоянии h от

края

 

b

 

 

 

 

 

полоски,

равном

можно считать

однородным с

весь­

ма высокой степенью точности. Поэтому можно определять по­ ле на краю полоски, предполагая, что полоска в одном направ­ лении простирается в бесконечность. На рис. \,а и 1,6 по­ казаны поперечное сечение действительной линии и ее прибли­ женное изображение на комплексной плоскости г. После пре­ образования

z = г, ~ ; Zx = *, + ':Уі (la)

сдвигается ось у на — по оси х (рис. 2). С помощью преобра­

зования

 

 

Zj =

In 2 2 ; z2 = х2 + іу2

(2)

175

полоска

отображается в плоскости г2 на

ось Хг от х2=\

до

х., аа,

а экран отображается на ось Цг.

Причем точки Л,

А',

 

 

( ? )

 

X

CL

Рис.

 

 

А" отображаются в плоскости

г2

в точку (0,0) при

условии

a > ô . Преобразование

 

 

 

г., — cos ш;

tu

и ~f- i f

(3)

®

А ...

А'

0

А"

Рис. 2

отображает полоску на ось ѵ плоскости ш, а экран — на ли­

нию и = -^-

(рис. 4).

Точке пересечения координат в плоскости г(0,0) соответ­ ствуют в плоскости « точки с координатами

ы0 = и0 4 то0 .

Величину ш0 определяют выражениями (2) и (3), где

и 0

== 0

'•

 

 

П С

г»0

=

± arch е .

I7Ü

Таким образом, выражение

 

 

2/г

с

(4)

z ~

In cos со

~2

 

 

 

преобразует поле левой

половины

полосковой линии в поле

 

 

Г.

 

идеального конденсатора

с расстоянием — между пластинами

и шириной пластин 0.

 

JO

Jy2

©

 

 

и

 

%

 

2

 

у'

Рис. 3 Рис. 4

Следовательно, емкость на единицу длины полосковой ли­ нии будет равна:

 

 

arch е

т.С

 

 

 

С =

іН

я ,

(5)

 

е г 0

Характеристическое

сопротивление линии,

определяемое

выражением

(1),

 

 

 

 

 

 

\ цее0

 

(6)

 

 

 

 

 

 

 

arch е АН

 

 

 

 

8 88Л

 

 

 

Напряженность электрического

поля

E(z)

в плоскости

определяется

соотношением

 

 

 

 

 

 

 

 

(7)

12. Зак. 205,

177

т е черта над комплексной производной указывает

па ком.

плексно-сопряженную

величину;

 

 

Е (ш)— напряженность электрического поля плоскою кон­

денсатора, равная

 

21/

 

 

 

 

1 де U — разность потенциалов между полоской и экраном.

Из уравнения (4) найдем выражение для ох

 

о)

arecos 'in

h i ]

(9)

Взяв производную от уравнения

(9), получим

 

dta az

•к

~2h

Тогда

/ dio

где

т.1

2h V * ( г ' г У

УГ

/ 2 h

(*+

s " ( * + r )

ft

(10)

h i )

 

к y

ft

COS

 

~h

К )

sin IL.h

(11)

9

COS

- 1 ;

(12)

W X 4 -г у ; I = .

 

- ( * + т )

 

 

- 2 e

COS

+ i ;

(13)

178

 

- e

Sill

h

(11)

 

 

 

 

Выражение для напряженности

электрического поля и

левой полуплоскости z можно записать в виде

 

E (z)

Ех Л- iE,

-

3

~

 

 

"я K T

r2

 

 

 

 

 

 

 

 

(15)

Для того чтобы получить выражение, описывающее поле во всей плоскости г, необходимо в (12), (13) и (14) вместо х под­ ставить |*|. Из формулы (15) определяем составляющие напряженности электрического поля Ех и Еу:

K T

У

r

 

г2

при

л* >

0

h

 

 

(16)

 

 

 

 

 

 

 

 

„ _ £ » _

і

/

J_

I

 

При

A' <

0

I

l

/

J

 

£±_

при

у >

О ;

+ У~2

У

'•

 

' 2

 

 

 

(17)

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K ' 2

 

 

 

 

r-

при

у <

0 .

 

 

 

 

 

 

 

Составляющие напряженности электрического поля связа­ ны с составляющими магнитного поля следующими соотноше­ ниями:

(18)

F

(19)

— волновое сопротивление свободного про­

странства.

I7J

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ