- •В.В. Болгов, в.И. Енин, а.В. Смольянинов
- •Схемотехника
- •В.В. Болгов, в.И. Енин, а.В. Смольянинов Схемотехника
- •Схемотехника
- •Введение
- •После изучения дисциплины необходимо знать:
- •После изучения дисциплины необходимо уметь:
- •В.1. Роль и место курса “Схемотехника” в учебном процессе
- •В.2. Основные направления развития цифровых устройств
- •В.3. Самостоятельная работа студентов и контроль знаний
- •1 . Основы теории логических функций.
- •1.1. Логические функции
- •1.2. Основные законы и тождества алгебры логики
- •1.3. Формы представления логических функций
- •Совершенная дизъюнктивная нормальная форма
- •Совершенная конъюнктивная нормальная форма
- •Получение логических выражений скнф и сднф
- •1.4. Минимизация логических функций
- •Метод Квайна
- •Метод карт Вейча
- •1.5. Построение и анализ работы логических схем
- •1.6. Построение логических схем с несколькими выходами
- •1.7. Вопросы и задания для самоконтроля
- •2. Интегральные микросхемы
- •2.1. Технологии цифровых интегральных схем
- •2.2. Параметры интегральных микросхем
- •2.3. Логические элементы транзисторно-транзисторной логики
- •2.3.1. Входные каскады ттл микросхем
- •2.3.2. Типы выходных каскадов ттл цифровых элементов
- •Логический выход
- •Элементы с тремя состояниями
- •Выходные каскады с открытым эмиттером
- •Выход с открытым коллектором
- •Основные характеристики микросхем ттл серий
- •2.4. Логические элементы эмиттерно-связанной логики
- •2.5. Логические элементы на моп‑транзисторах
- •2.6. Кмоп микросхемы
- •2.6.1. Режим неиспользуемых входов
- •2.6.2. Преобразователи уровня
- •2.7. Простейшие интегральные микросхемы
- •2.8. Шинные формирователи и приемопередатчики
- •2.9. Вопросы и задания для самоконтроля
- •3. Устройства комбинационного типа
- •Двоичные шифраторы и дешифраторы
- •3.1.1. Разработка схемы шифратора и его работа
- •3.1.2. Приоритетный шифратор
- •3.1.3. Разработка схемы дешифратора и его работа
- •3.1.4. Преобразователи кодов
- •3.2. Мультиплексоры и демультиплексоры
- •3.2.1. Мультиплексоры
- •3.2.2. Демультиплексоры
- •3.2.3. Получение мультиплексоров и демультиплексоров на большое количество входов (выходов)
- •3.2.4. Универсальные логические модули
- •3.2.5. Совместная работа мультиплексора и демультиплексора
- •3.3. Сумматоры, алу и матричные умножители
- •3.3.1. Одноразрядный сумматор
- •3.3.2. Сумматор последовательного действия
- •3.3.3. Сумматор параллельного действия с последовательным переносом
- •3.3.4. Сумматор параллельного действия с параллельным переносом
- •3.3.5 Арифметико-логические устройства
- •3.3.6. Матричные умножители
- •3.4. Компараторы
- •3.5 Схемы контроля
- •3.6. Вопросы и задания для самоконтроля
- •4. Узлы последовательностного типа
- •4.1. Триггеры
- •4.1.1. Асинхронные триггеры
- •4.1.2. Асинхронный d-триггер
- •4.1.3. Синхронные триггеры
- •Синхронный rs-триггер
- •Синхронный d-триггер
- •Триггеров
- •4.1.4. Триггеры с двухступенчатым запоминанием информации
- •4.1.6. Счетный триггер
- •4.1.7. Динамические триггеры
- •4.1.8. Установка начального значения триггера
- •4.1.9. Триггеры Шмидта
- •4.2. Регистры
- •4.2.1. Параллельный регистр
- •4.2.2. Последовательные (сдвигающие) регистры
- •4.2.3. Взаимное преобразование числа из последовательного кода в параллельный
- •4.3. Счётчики
- •4.3.1. Суммирующие счетчики
- •4.3.2. Вычитающие счетчики
- •4.3.3. Реверсивные двоичные счетчики
- •4.3.4. Кольцевые счетчики
- •4.3.5. Условное обозначение счетчиков
- •4.3.6. Быстродействие счетчиков
- •4.3.7. Программирование счетчиков
- •4.4. Вопросы и задания для самоконтроля
- •5. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи
- •5.1. Аналого-цифровые преобразователи
- •5.1.1. Принцип аналого-цифрового преобразования
- •5.1.2. Ацп с промежуточным преобразованием во временной интервал
- •5.1.3. Аналого-цифровой преобразователь с обратной связью
- •5.1.4 Аналого-цифровой преобразователь следящего типа
- •5.1.5. Параллельный ацп
- •5.1.6. Интегрирующие ацп
- •5.1.7. Ацп последовательных приближений
- •5.2. Цифро-аналоговые преобразователи
- •5.3. Преобразователи интервалов времени
- •5.4. Вопросы для самоконтроля
- •6. Устройства хранения информации
- •6.1. Основные характеристики запоминающих устройств
- •6.2. Оперативные запоминающие устройства
- •6.2.1. Статические озу
- •6.2.2. Динамические озу Принцип действия динамических озу
- •Схемные особенности динамических озу
- •6.3. Постоянные запоминающие устройства
- •Масочные пзу
- •Программируемые пзу
- •6.4. Перепрограммируемые запоминающие устройства
- •Флэш-память
- •6.5. Вопросы для самоконтроля
- •7. Селекторы импульсных сигналов
- •7.1. Амплитудные селекторы
- •7.1.1. Селектор максимального уровня
- •7.1.2. Селектор минимального уровня
- •7.2. Временные селекторы
- •7.3 Селекторы импульсов по длительности
- •7.3.1. Селекторы максимальной длительности
- •7.3.2. Селекторы минимальной длительности
- •7.4 Элементы задержки и формирователи импульсов
- •7.5. Вопросы для самоконтроля
- •8. Средства отображения информации
- •8.1. Газоразрядные цифровые индикаторы
- •8.2. Знакосинтезирующие индикаторы
- •8.3. Вакуумные люминесцентные индикаторы
- •8.4. Вакуумные накаливаемые индикаторы
- •8.5. Полупроводниковые семисегментные индикаторы
- •8.6. Жидкокристаллические индикаторы (жки)
- •8.7. Матричные индикаторы
- •8.8. Подключение индикаторов к эвм
- •8.9. Вопросы и задания для самоконтроля
- •9. Автоматы
- •9.1. Автомат в системе управления
- •9.2. Структурный автомат
- •9.3. Аппаратная реализация автоматов
- •9.4. Вопросы и задания для самоконтроля
- •Заключение
- •Б иблиографический список
- •ПриложенИя
- •Приложение 1. Обозначения цифровых микросхем
- •Приложение 2. Условные графические обозначения элементов цифровой техники
- •Оглавление
2.5. Логические элементы на моп‑транзисторах
Логические элементы на МОП-транзисторах могут быть выполнены как на элементах p-типа, так и элементах n-типа (p- или n-проводимости). Так как полевые транзисторы управляются напряжением (у них отсутствуют входные токи) и имеют высокое выходное сопротивление, то потребляемый элементом ток невелик.
Базовый элемент И-НЕ на полевых транзисторах с каналом n-типа приведен на рис. 2.5.
Если на оба входа (Х1 и Х2) подан уровень логической единицы, оба транзистора открываются, и через них проходит ток, ограниченный сопротивлением транзистора Т1 (величина выходного сопротивления транзистора Т1, являющегося нагрузкой, регулируется напряжением, подаваемым на его исток). Напряжение на выходе небольшое, оно соответствует уровню логического нуля. Если закрыты оба входных транзистора (Х1 и Х2 имеют уровень логического нуля), или хотя бы один из них, то ток через них отсутствует и на выходе элемента окажется уровень логической единицы, близкий к величине напряжения питания Е.
Р ис. 2.5. Базовый элемент И-НЕ Рис. 2.6. Базовый элемент ИЛИ-НЕ
Для построения элемента ИЛИ-НЕ достаточно входные транзисторы включить параллельно, а нагрузочный транзистор Т1 включить в качестве их общей нагрузки (рис. 2.6). В этом случае на выходе будет уровень логической единицы, когда оба входных транзистора Т1 и Т2 будут закрыты (на их входы поданы нулевые уровни). И если хотя бы один из входных транзисторов окажется открытым (на его вход подан уровень логической единицы), то ток потечет через нагрузочный транзистор Т3 и выходное напряжение упадет до уровня логического нуля.
2.6. Кмоп микросхемы
Широкое распространение получили микросхемы, построенные на КМОП (комплиментарных, дополняющих) транзисторах. Микросхемы имеют малую мощность потребления в статическом режиме, достаточно высокое быстродействие, большую помехоустойчивость и достаточно высокую нагрузочную способность. Мощность, потребляемая КМОП-схемой, расходуется в основном во время переходного процесса на заряд емкостей. В статическом режиме мощность определяется токами утечки закрытого МОП-транзистора. Схемы составляются из полевых транзисторов разного типа проводимости. Структура КМОП является идеальным переключателем напряжения. Такой переключатель содержит два МОП транзистора с каналами p- и n-типов. На рисунке 2.8 в качестве примера показана базовая схема функционального элемента, реализующего функцию . Транзистор n-типа подключен истоком к нулевому потенциалу (земле); транзистор p-типа подключен истоком к положительной шине источника питания (рис.2.7).
При подаче логической единицы (напряжения высокого уровня) на входы Х1 и Х2 открываются n-канальные транзисторы T3 и T4 , а p-канальные транзисторы T1 и T2 закрываются. Напряжение низкого уровня (логический ноль) будет на выходе элемента И-НЕ только при одновременной подаче напряжения высокого уровня (логических единиц) на входы Х1, Х2. Если напряжение хотя бы на одном из входов (например, Х1) будет низкого уровня, то закроется n-канальный транзистор T3, и откроется р-канальный транзистор T1, через канал которого выход элемента подключается к источнику питания. Таким образом, на выходе будет напряжение высокого уровня, соответствующее логической единице.
Рис. 2.7. Схема элемента «2И-НЕ»
Для реализации базового логического элемента ИЛИ-НЕ на КМОП структурах участки схемы, содержащие последовательно и параллельно включенные транзисторы, следует поменять местами.
Такая схема обеспечивает работу в режиме положительной логики. В этом режиме работают наиболее распространенные микросхемы.
Номинальное напряжение питания КМОП микросхем в зависимости от серии порядка 9-10 В. Однако, они сохраняют работоспособность в более широком диапазоне питающих напряжений (3-18 В). Потребляемая мощность в статическом режиме составляет 0.02…1мкВТ на вентиль.
Выходные уровни микросхем при работе на однотипные микросхемы практически не отличаются от напряжения питания и потенциала общего провода. Максимальный выходной ток большинства микросхем не превышает единиц миллиампер (табл.2.2). Это затрудняет непосредственное согласование по уровню с микросхемами других серий. Входное сопротивление элементов составляет 103…106Мом. КМОП элемент практически не потребляет тока по входам и значение входного порога равно приблизительно половине напряжения питания.
Микросхемы КМОП серий имеют значительно меньшее быстродействие по сравнению с ТТЛ микросхемами. Среднее время задержки, определяющее максимальную частоту, зависит от напряжения питания и составляет десятки наносекунд. С ростом напряжения питания быстродействие увеличивается.