Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Твёрдотельная фотоэлектроника. Физические основы-1

.pdf
Скачиваний:
15
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
15.42 Mб
Скачать

5.4.2. ЛГС-шум. Необычную форму приобретает выражение для теплово­ го шума в пикселах матричных фотоприемных устройств, если информаци­ онный заряд в них регистрируется как изменение напряжения на емкости, периодически заряжаемой с помощью ключа до по­ тенциала £/Исх (или до заряда Сни исх) — рис. 5.4.2.

В отсутствие фототока, то есть при темновом кад­

 

 

 

ре, заряд емкости сохраняется постоянным (темновым

 

 

 

током фоточувствительного элемента обычно можно

 

 

 

пренебречь). При накоплении фототок разряжает ем­

 

 

 

кость.

Р и с . 5.4.2. К

выводу

вы­

К сожалению, t/HCXне является строго постоянным,

ражения для

шумов

ком­

а изменяется после каждой коммутации ключа. Флук­

мутации

 

 

туации ДЦ2х объясняются тем, что ключ подключает к емкости Сн не только генератор постоянного тока [/исх, но и генератор теплового шума е2 = AkTR, где R — сопротивление самого ключа и токопроводящей цепи, включая внут­ реннее сопротивление генератора. На низких частотах шумовое напряжение полностью падает на емкости, а на высоких — на сопротивлении R. Для та­ кого однозвенного фильтра с постоянной времени т = RCHдисперсия шума на емкости уже вычислялась в предыдущем разделе и составляет

Ak.TR

кТ

Д[/„2СХ- 3 / 1 + *Ш 2 Т 2 ARCн

(5.4.11)

Сн

ИЛИ

 

b Q l , = C2„AUl, = kTCH.

(5.4.12)

Шум случайной установки потенциала и заряда так и называют «kT C - шумом»: для вычисления шума заряда тепловую энергию кТ надо умножить на емкость, а для вычисления шума потенциала — разделить на нее.

Формулы выведены здесь для стационарного состояния. Но они остаются справедливыми и в динамике, если емкость подключается к источнику напря­ жения на время, большее т = RCH.

Интересно, что от сопротивления R дисперсии напряжения и заряда на ем­ кости не зависят, а зависит только спектр шума. С ростом R спектральная плотность шума растет на низких частотах, зато полоса шума (1/4Ж7н) умень­ шается, так что мощность ДС/2сх остается постоянной, не зависящей от R.

При разомкнутом ключе его сопротивление стремится к бесконечности, мощность шума сосредоточена вблизи нулевой частоты, поэтому напряжение на конденсаторе без утечек не флуктуирует.

При низком уровне фонового излучения k T C -шум может ограничивать ми­ нимальную величину обнаруживаемого сигнала.

k T C -шум имеет место также в плавающей диффузионной области приборов с зарядовой связью.

5.4.3. Дробовой шум. Дробовой шум, как и тепловой, проявляется в про­ цессах, которые представляют собой последовательность независимых случай­ ных событий. В отличие от теплового шума, эти события носят однонаправлен­ ный характер и, усредняясь, не приводят к нулевому результату.

Примером такого процесса является рассмотренная ранее эмиссии абсолют­ но черным телом инфракрасного и более коротковолнового излучения. Очевид­ но, что и генерация фотоносителей, обусловленная поглощением такого излу­ чения, сопровождается дробовым шумом. Рекомбинация отдельных носителей тока в полупроводнике и их тепловая генерация также представляют собой независимые случайные события и создают дробовый шум.

Дробовым шумом сопровождаются токи термоэлектронного катода: элек­ троны эмиттируются из катода случайным образом, а затем перемещаются к аноду под действием электрического поля. Аналогичная ситуация, только с уча­ стием и электронов и дырок, имеет место в полупроводниковых р-я-переходах.

В обоих приборах шумовые импульсы возникают в момент попадания носи­ телей заряда в область тянущего электрического поля, а их длительность опре­ деляется малым временем пролета носителей через эту область (10-8 -r 10-11 секунды). Площади всех импульсов одинаковы и, следовательно, имеют одина­ ковый амплитудный спектр (односторонняя спектральная функция до частот, сравнимых с обратным временем пролета, равна I ( f ) = 2q). Однако фазы от­ дельных импульсов, определяемые их случайным положением на интервале наблюдения, равномерно распределены в диапазоне от 0 до 2я\ При этом спек­ тральная плотность мощности одиночного импульса

/2 (/)

1

^ г Я 2

2

Т

Г

Дисперсия суммы N независимых импульсов, прошедших за время наблю­ дения, равна сумме их дисперсий:

W (/) = N -2 ^ = 2qq^ r = 2ql.

(5.4.13)

Таким образом, процессы, сопровождаемые дробовым шумом, описывают­ ся распределением Пуассона и имеют белый энергетический спектр до очень высоких частот.

5.4.4. Генерационно-рекомбинационный шум. В качестве еще одного вида шума называют генерационно-рекомбинационный шум, наблюдаемый в полупроводниковых образцах при протекании через них электрического то­ ка. По существу этот шум является результатом двух случайных процессов, создающих дробовые шумы: генерации свободных носителей тока в объеме полупроводника (тепловой или фото) и их последующей рекомбинации. Пока свободные носители существуют, они увеличивают проводимость образца.

Таким образом, генерация и рекомбинация приводят к импульсному прира­ щению тока через полупроводник. Длительность этого процесса случайна, ее среднее значение есть время жизни свободных носителей тока тж.

Продемонстрируем использование известного в статистической радиофизи­ ке метода Ланжевена для отыскания энергетического спектра генерационно­ рекомбинационного шума.

На рис. 5.4.3 представлена простейшая энергетическая диаграмма собствен­ ного полупроводника, в котором генерация и рекомбинация электронов и ды­ рок происходят через запрещенную зону. Пусть темп постоянной во времени тепловой и фоновой генера­

ции носителей тока составляет G [см- 3с-1]. Оче­ видно, что скорость рекомбинации в таком полупро­ воднике пропорциональна концентрации электронов и дырок, которые равны между собой, и составляет R = 7 П0Р0 = 7по- ^ стационарном случае G = R =

7П§.

 

 

 

 

 

 

Р и с .

5.4.3.

Схема генера­

 

 

 

 

 

 

ции и рекомбинации носите­

Пусть на стационарный темп генерации G

лей тока в собственном по­

накладывается

 

малая

гармоническая

добавка

лупроводнике без

энергети­

Agexp(jut).

Очевидно,

что

концентрации

элек­

ческих

уровней

в запрещен­

тронов и дырок теперь описываются выражением

ной зоне

 

 

 

 

 

 

 

 

по + An(u)exp(jut).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Изменение концентраций электронов и дырок

со временем

определя­

ется разностью

между

мгновенными

значениями

скорости

их

генерации

[G + Agexp(jut)}

и скорости рекомбинации, которая при малой добавке Ад

•С G выражается как

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

„ An (и)

.. .t

 

 

 

 

 

7 [п0 + An (w) exp (jut)]2 = 7 njj; 1 Ч----------exp (jut)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

no

 

 

 

 

 

 

 

 

-7 « o

1 + 2 ^ —^'— exp (jut) ~ R + Ar exp (jut) .

(5.4.14)

 

 

 

 

n0

 

 

 

 

 

 

 

Учитывая, что G = R = 7 ПQ, соотношение щ А n ( t )

= A g

A r

приводится к

виду i u A n ( u )

= А д 2 j n

o A n

( u ) . Откуда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ад

 

Адтж

 

 

 

 

(5.4.15)

 

 

А п (и) =

 

1 + jwr*

 

 

 

 

 

 

 

 

27ПО + ju

 

 

 

 

 

где тж = 1/ 27П0 — время жизни неравновесных носителей тока в полупровод­ нике, изображенном на рис. 5.4.3.

Соотношение (5.4.15) представляет собой частотную зависимость неравно­ весной концентрации носителей тока. Соответствующая амплитудно-частотная

характеристика

Адтж

|Ап(щ)| =

(5.4.16)

V 1 + UJ2TM

В методе Ланжевена спектральная плотность шума определяется при под­ становке в дифференциальное уравнение исследуемой системы не зависящей от частоты спектральной плотности шума возмущающих эту систему источни­ ков. В данном случае возмущающие источники — некоррелированные дробовые шумы генерации и рекомбинации с одинаковой спектральной плотностью

Wg (f) = Wr (f) = 2G = 21n l

Тогда спектральная плотность концентрации носителей тока в полупровод­ нике

(5.4.17)

При частотах, меньших 1/тж, спектральная плотность генерационно-реко­ мбинационного шума не зависит от частоты (характеризуется белым спектром). На высоких частотах спектральная плотность уменьшается пропорционально

1 / о А

При наличии рекомбинационных или иных уровней в запрещенной зоне по­ лупроводника, а также при вытягивании фотоносителей к контактам в сильных электрических полях соотношение (5.4.17) усложняется. В частности, спек­ тральная плотность может иметь более одного плато и другие особенности.

5.4.5. Лавинный шум. Ниже будет показано, что и так называемый ла­ винный шум, обусловленный ударной ионизацией носителей тока в сильных электрических полях, также представляет собой результат трансформации дро­ бового шума.

5.4.6. Шумы вида 1 / / . Если подать постоянное смещение на фоторези­ стор, то в спектре его шумов (кроме теплового шума, проявляющегося и до подачи смещения) обычно обнаруживаются генерационно-рекомбинационный шум с плато в области не очень высоких частот (менее 1/тж) и шум, спек­ тральная плотность которого растет с уменьшением частоты по закону |/ | -Q Здесь а — более или менее постоянная величина, обычно принимающая зна­ чения от 0,8 до 1,4. Очевидно, что влияние 1 // шумов (их еще называют то­ ковыми, избыточными или фликкер-шумами) наиболее существенно на низких частотах.

При этом спектральная плотность и генерационно-рекомбинационного и 1 // шумов пропорциональна квадрату протекающего через фоторезистор тока, что свидетельствует о том, что ток скорее не генерирует, а выявляет оба типа шумов.

Фоторезистор здесь выбран в качестве характерного примера. Шум, спек­ тральная плотность которого обратно пропорциональна частоте, может обнару­ житься практически у всех материалов и элементов, применяемых в электро­ нике. Более того, он наблюдается во многих природных явлениях, в том числе в биологических системах.

Нижний предел частотного диапазона 1 // шума определить пока не уда­ лось, хотя эксперименты проводились до частот порядка 10-5 Гц (примерно цикл за сутки). А ведь теоретически при отсутствии этого предела интеграль­ ная мощность низкочастотного шума становится бесконечной.

Одна из наиболее известных закономерностей для 1 // шума получена при изучении металлических пленок. Это эмпирический закон Хуга, согласно кото­ рому спектральная плотность 1 // шума обратно пропорциональна числу носи­ телей заряда в образце.

Часто мощность 1 // шума в полупроводниковых приборах может быть су­ щественно снижена обработкой поверхности и тщательным изготовлением кон­ тактов.

Избыточный шум вида 1 // известен и исследуется не одно десятилетие. Однако до настоящего времени фундаментальная причина (или причины?) воз­ никновения этого шума не понята. Наиболее широко обсуждались в литера­ туре механизмы возникновения 1 // шума, связанные с захватом носителей на поверхностных ловушках и с обменом энергии с окружающей средой. Его объ­ ясняют и генерационно-рекомбинационным механизмом — как сумму спектров типа 1+^2т2, обусловленных многочисленными центрами с различными вре­ менами т. Хотя каждая из этих теорий объясняет ряд характерных черт 1/ / шума, однако общей теории 1 // шума пока не существует.

Продолжаются дискуссии о том, является ли 1 // шум статистически ста­ ционарным, представляет ли он объемный или поверхностный эффект, связан ли он с флуктуациями числа носителей тока или их подвижности.

5.4.7. Взрывной шум. У части полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, фотодиодов и других) при прямом или обратном смещении р-я-перехода наряду с уже описанными видами шумов наблюдается так на­ зываемый «взрывной» шум. Взрывной шум обычно представляет собой двух­ уровневый сигнал ступенчатой формы, почти постоянный по амплитуде, но со случайным распределением интервалов времени между ступенями. Высота сту­ пеней зависит от напряжения на р-я-переходе и его температуры. Обычно ам­ плитуда шумовых всплесков при взрывном шуме 10-7 -г10-8 А, длительность импульсов от 10 микросекунд до нескольких минут.

Взрывной шум по форме напоминает случайный телеграфный сигнал, по­ этому его называют также шумом переключения, или телеграфным.

Иногда встречаются более сложные ступенчатые сигналы с тремя и более уровнями.

Механизм взрывного шума хорошо изучен в лавинных фотодиодах. Несо­ вершенства полупроводникового материала и технологии приводят к появлению в этих приборах локальных областей с пониженными напряжениями пробоя. Микроплазменный пробой этих областей приводит к скачкам тока. Однако лавинное умножение является случайным процессом, поэтому существует ко­ нечная вероятность погашения лавины в микроплазме — скачок тока исчезает.

Многочисленные исследования показали, что основной причиной взрывно­ го шума в других приборах являются включения и отключения поверхност­ ных каналов утечки при спонтанном изменении заряда в пассивирующих р-п- переход пленках. Кроме того, в некоторых случаях причиной взрывного шума при прямом смещении р-п-перехода служат объемные дефекты кристалла (ли­ нии скольжения и дислокации), утечка через которые модулируется случайным заселением расположенных рядом генерационно-рекомбинационных центров.

5.4.8. Температурный шум. В тепловых приемниках регистрируется на­ грев чувствительного элемента при поглощении в нем падающего излучения. Поэтому теплоемкость чувствительного элемента стремятся уменьшить. Одна­ ко при уменьшении теплоемкости начинает проявляться так называемый темпе­ ратурный шум, обусловленный флуктуациями теплообмена между малым телом и окружающей средой.

Предположим, что множество идентичных малых тел находится в состо­ янии теплового равновесия с термостатом, поддерживаемым при температуре Г Обозначим значения энергии малого тела <Si (г = 1,2,...). Согласно рас­ пределению Больцмана, вероятность, что тело обладает данной энергией Si, пропорциональна exp(-£j/fcT). Тогда нормированная плотность вероятности распределения энергии малых тел

ехр(—<Sj/кТ)

Р (&г)

Х)ехр(—(8i / k T ) '

а их средняя энергия равна

 

 

 

 

^<Stexp(—S i / к Т )

 

 

 

 

 

 

<§г = У ^Sjp(Sj)

_г__________________

 

 

 

 

 

 

Y ^ e x p ( - S i / k T )

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Теплоемкость тела Сн определяется известным соотношением

 

 

 

 

£S?exp(—Si/fcT)

Х^гехР ( - & i / k T

) '

2\

 

 

_

d & i _

 

 

п

1

_г__________________

=

 

'- 'Н

дт

к Т 2 I £ехр(-<6i / k T )

Х)ехр(—<Si / k T )

 

к Т 2

(5.4.18) Если обозначить через в флуктуацию температуры малого тела, то очевидно

Сив = &{ - Si. Откуда ((Si - Si'j = С2в2 или после усреднения по ансамблю

i f - ( l i ) 2 = CH202.

(5.4.19)

Из сравнения (5.4.18) и (5.4.19) сразу следует соотношение для дисперсии

флуктуаций температуры малых тел

 

 

_

ujV

(5.4.20)

О2 =

— ■

<-'Н

Спектральная плотность флуктуаций температуры малого тела теперь мо­ жет быть определена с помощью уравнения Ланжевена. Обозначим через дн теплопроводность между малым телом и окружающей средой. Тогда добавка потока тепла к телу А Н (t) может быть представлена в виде

c S + gtie = AH{t). at

Если А Н (t) = AHexp(ju)t), то

АН

4"

а спектральная плотность флуктуаций температуры

WH

We(f) = д1 + ш2С1'

где WH— не зависящая от частоты спектральная плотность флуктуаций тепло­ обмена.

Так как

ОО

ОО

WH

 

 

e2 4 w ° { M = w " h 7 b c i 45нСн

о

о

 

то из уравнения (5.4.20) следует, что WH= 4кТ2дн и

_

4кТ2ди _

4кТ2

9

gl+ ш2С%

(5.4.21)

дн (l + ш2т)

Здесь т — тепловая постоянная времени, определяемая произведением теп­ лоемкости Сн и теплового сопротивления 1/дн:

Частотная зависимость спектральной плотности температурного шума (как и генерационно-рекомбинационного) соответствует белому шуму, пропущен­ ному через фильтр нижних частот. Поэтому соотношение (5.4.21) аналогич­ но частотным зависимостям спектра теплового шума в ЯС-цепочке (5.4.8) и генерационно-рекомбинационного шума (5.4.17).

5.4.9. Геометрический шум. Геометрический шум возникает в сигналах изображения вследствие неоднородности или разброса характеристик (напри­

мер, геометрических, фотоэлектрических или шумовых параметров, темпера­ турных уходов и т.д.) между отдельными пикселами в матричных структурах. При повторном опросе пикселов в аналогичных условиях (в том же порядке, при тех же частотах, температуре, фонах и так далее) реализации практически повторяются. В этом отношении генерационный шум подобен kTC-шуму, вели­ чина которого практически не изменяется в период между выборками. Поэтому

имеры борьбы с этими шумами предпринимаются идентичные — запоминание

ивычитание.

Таким образом, геометрический шум теоретически устраним. Однако ком­ пенсация разбросов, особенно при большом числе пикселов, представляет собой сложную проблему.

5.5. Линейные четырехполюсники с постоянными параметрами при воздействии случайных колебаний [12]

Если на вход линейного четырехполюсника с постоянными параметрами подано случайное колебание, то колебание на выходе четырехполюсника также окажется случайным. Однако статистические свойства выходного колебания в общем случае иные, чем свойства входного.

К сожалению, найти n-мерный закон распределения выходного колебания по заданному n-мерному закону распределения входного колебания и свойствам четырехполюсника обычно не удается — на этом пути встречаются большие математические трудности.

Пусть на вход линейного четырехполюсника с постоянными параметрами (передаточной функцией К( и>) или импульсной характеристикой h ( t ) ) воздей­ ствует реализация случайного процесса Xk ( t ) . Тогда в соответствии с (4.5.3) реализация на выходе ук (t)

ОО

Ук (t) = J h { r ) x k { t - r)dr.

(5.5.1)

—ОО

 

Математическое ожидание М{ у ь( Щ — среднее по ансамблю реализаций Ук (t) — равно

ОО

'

ОО

M { y k (t)} = M J h{r)xk{t -

r)d r >

J h(r) М {xk(t —r)}dr. (5.5.2)

 

 

— ОО

В последнем соотношении линейные операторы усреднения и интегрирова­ ния переставлены местами.

Таким образом, линейные системы преобразуют среднее значение случай­ ного сигнала по тем же законам, что и регулярные сигналы. Если входной процесс стационарный, то M[xk(t - т)] = х к и не зависит от т. Тогда из (5.5.2)

следует

ОО

ОО

 

 

M { y k (t)} = SН(т)хк(1т=Хк J

h(r) dr.

(5.5.3)

 

Далее рассматриваются только стационарные процессы, обладающие эргодическим свойством, и анализируются их центрированные случайные состав­ ляющие. Наконец, в качестве модели случайного процесса принимается нор­ мальный процесс, достаточной характеристикой которого является его автокор­ реляционная функция или энергетический спектр.

5.5.1. Энергетический спектр и дисперсия (средняя мощность) случай­ ного колебания на выходе четырехполюсника. Если спектральные функции реализаций xk{t) и yk(t) есть соответственно Gxk(oj) и Gyk(w), то в соответ­ ствии с (4.5.19)

 

дук (ш) = к ( и ) С хк(и).

(5.5.4)

Согласно (5.1.25), энергетический спектр выходного колебания

 

 

Сук М

(5.5.5)

 

Wy {uj) = lim

 

 

Тр—►оо

 

 

где Тр — длительность реализации. Подставляя (5.5.4) в (5.5.5), получим

Wy {u)=

Urn ± \ к ( ш ) 6 хк{Ш)\2 = К 2 (ш)

lim \схк(ш)\2 _ K 2(u>)Wx (u>),

 

1 р—►оо 1 n L

Т„-юо

(5.5.6)

 

 

 

где К (ш) не зависит от Тр и вынесена за знак предела. Энергетический спектр колебания на выходе четырехполюсника определяется квадратом модуля ко эффициента передачи и не за­

висит от фазово-частотной ха­

 

рактеристики

четырехполюс­

 

ника. Фазовые сдвиги в че­

 

тырехполюснике не изменя­

 

ют случайного

характера фаз

 

спектральных

составляющих

 

входного колебания.

Р и с . 5.5.1. Эффективная полоса пропускания четы-

Возведение

передаточной

рехполюсника

функции в квадрат объясняется тем, что Wx (ы) является спектральной плотно­ стью мощности случайного процесса (в то время, как К (ш) определяет отноше­ ние сигналов на выходе и выходе). Средняя мощность (дисперсия) колебания на выходе четырехполюсника

ОО ОО

Dy = ay = h /

(5.5.7)

w v(y>)du’ = - t J

Если энергетический спектр колебаний на входе не зависит от частоты, Wx (u>) = Wo (так называемый белый шум), то

оо

оо

оо

 

a j = ^ J К 2 (ш)сЬ = ^

J

К 2 {u>)du = 2W0 JК 2 if) df,

(5.5.8)

—оо

0

0

 

так как модуль коэффициента передачи всегда четная функция частоты К (ш) =

= К(-и>).

Если коэффициент передачи четырехполюсника К (и>) имеет максимальное значение K Q на некоторой частоте и>о, то область частот (2Да>)эф в окрестности шо, определяемую из соотношения

 

ОО

 

 

(2Aw)

К(ш)

d u j

(5.5.9)

эф ■ / I Ко

называют эффективной шумовой полосой пропускания четырехполюсника (рис. 5.5.1). Она соответствует основанию прямоугольника, площадь которо­ го равна площади под кривой К 2(ш) в области ш > 0, а высотою является K Q. Поэтому из (5.5.8)

а2 = ^ К1 (2Да;)эф = 2WQK Q2 (2Д /)9ф.

(5.5.10)

5.5.2. Автокорреляционная функция случайного колебания на выхо­ де четырехполюсника. Зная энергетические спектры, автокорреляционную функцию на выходе четырехполюсника можно определить из соотношения (5.1.28):

ОО

ОО

Ву (т) = ^ J Wy (w) exp (jwr) dw = ^

j

K 2 (u>) Wx (ш)exp (juir) du>. (5.5.11)

—OO

—OO

 

Значение By (0) — средняя мощность (дисперсия) случайного процесса — оче­ видно совпадает с Dy (5.5.7).

Автокорреляционная функция процесса на выходе четырехполюсника Ву (т) может быть выражена и через его импульсный отклик h(t). Воспользуемся для установившегося режима соотношением, аналогичным (5.5.1):

ОО

Y ( t ) = / x { t - e ) h { e ) de.

—оо