книги из ГПНТБ / Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.Шоклп В. Теория электронных полупроводников. Пер. с апгл. М., Изд-во ипостр. лит., 1953.

2.Иоффе А. Ф. Полупроводники в современной физике. М., Изд-во АН СССР, 1957.

3.Приборы полупроводниковые. Термины и определения. ГОСТ 15133-69. Госкомитет стандартов СМ СССР.

4.Смит Р. А. Полупроводники. Пер. с англ. М., Изд-во иностр. лит.,

1962.

5.Гаврнлов Р. А., Скворцов А. М. Технология производства полупро­ водниковых приборов. М., «Энергия», 1968.

6.Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., «Советское радио», 1969.

7.Даммер Дж. У. А. Миниатюризация п микроминиатюризация радио­ электронной аппаратуры. Пер. с англ. М., «Мир», 1965.

8.Pritchard R. L . Electrical characteristics of transistors. McGraw — Hill Book Co., 1967.

9.Cobbold R. Theory and applications of field — effect transistors. Wiley — Interscience, 1970.

10.Губанов А. И. Теория выпрямляющего действия полупроводников. М., Изд-во технико-теоретической лит., 1956.

11.Агахаиян Т. М. Характеристики ступенчатого электронно-дырочного .

перехода при прямом смещении. — «Радиотехника и электроника», 1965,

т.10, № 12.

12.Moll J . L . , Ross J . M. The dependance of transistor parameters on the distribution of base layer resistivity. — Proc. I R E , 1956, v. 44, № 1.

13.Conwell E . , Weisskopf V. F . Theory of impurity scattering in semicon­ ductors. — Phys. Rev., 1950, v. 77, № 3.

14.Холл P. Рекомбинация электронов и дырок в германии. — В кн.: Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953 (оригинал в журн. Phys. Rev., 1952, v. 87, p. 387).

15.Шоклн В и Рид У. Статистика рекомбинации дырок и электронов. —

В кн.: Полупроводниковые приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953 (оригинал

вжурн. Phys. Rev., 1952, v. 87, p. 835).

16.Brattain W. H . , Bardeen J . Surface properties of germanium. — Bell Syst. Technical J . , 1953, v. 23, № 1.

17.Агахаиян Т. M. Анализ дрейфового транзистора с учетом изменений ПОДВИЖНОСТИ п времени жизни носителей. — «Радиотехника и электроника», 1964, т. 9, № 1.

18.Миддлбрук Р. Д. Введение в теорию транзисторов. Пер. с апгл. М., Атомиздат, 1960.

19.Адировнч Э. И., Рябпикпн Б. С , Темко К. В. Равновесное распреде­ ление потенциала, поля и концентрации носителей заряда на вплавленных переходах. — ЖТФ, 1958, т. 28, вып. 1.

251

20.Прпчард Р. Путеводитель по совремоппым р-п переходам. — «Элект­

роника», 1962, № 33.

21.Осиовы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление,

22. Данилин Б. С , Заумыслов 10. В., Штеннман Г. А. Применение элект­ ронных и понпых лучей в микроэлектронике. — «Микроэлектроника», 1968, вып. 2.

23.Shockley W. The theory of P-N junctions in semiconductors and P-N junction transistors. — Bell Syst. Techn. J . , 1949, v. 28, № 3.

24.Sah С. Т., Noyce R. N. and Shockley W. Carrier generation and recom­

25.Агахаиян Т. M. Зависимость тока рекомбинации — генерации и коэф­ фициента инжекции электронно-дырочного перехода от напряжения прямого смещения. — «Радиотехника н электроника», 1966, т. 11, № 2.

26.Расчет и проектирование полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М., Оборонгиз, 1963.

27.Moll J . L . Physics of semiconductors. McGraw — Hill Book Co.,

1964.

28.Sze S. M. Physics of semiconductors devices. Wiley — Interscienco,

1969.

29. Miller S. L . Avalanche breakdown in germanium. Phys. Rev. 1955,

v.99, № 4.

30.Sze S. M. and Gibbons G. Avalanche breakdown voltages of abrupt and linearly graded p-n junctions in Ge, Si, Ga As, and GaP. Appl. Physics Letters, 1966, v. 8, № 5.

31.Knott R. D., Colson I . D., Young M. R. Breakdown effect in p-n allow

35.Носов 10. Р. Переходные характеристики полупроводниковых дио­ дов. — «Полупроводниковые приборы и их применение», 1960, вып. 4.

36.Агахаиян Т. М. Электронные ключи и нелинейные импульсные уси­ лители. М., «Советское радио», 1966.

37.Полупроводниковые диоды. Под ред. Н. Н." Горюнова и Ю. Р. Носова М., «Советское радио», 1968.

38.Сидоров А. С. Теория п проектирование ТД-схем. М., «Советское радио», 1971.

39.Макдуголл, Манчестер и Пальмер. Производство МОП ИС с исполь­ зованием ионного легирования. — «Электроника», 1970, № 13.

40.Брук В. А., Гаршешш В. В., Курносое А. И. Производство полупро­ водниковых приборов. М., «Высшая школа», 1968.

41.Де Фалько. ИС на биполярных структурах с высокой плотностью элементов. — «Электроника», 1971, № 15.

42.Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. М., Физматгиз,

1961.

43.Галицкпй В. В. Переходные характеристики транзистора с изменяю­ щимся вдоль базы электрическим полем. — Известия вузов. Сер. «Радио­ электроника», 1964, № 4.

44.Early J . Effect of space charge layer widening in junction transistor.

252

46.Schaffner J . S., Suran J . J . Transient response of the grounded base transistor amplifier with small load impedance. — J . Appl. Phys., 1953, v. 24,

№11.

47.Агахаияи Т. M. Переходные характеристики коэффициента передачи гока дрейфового триода. Научные доклады высшей школы по разделу «Радио­ техника п электроника», 1968, № 1.

48.Гнеденко В. В. и Хпнчпн А. Я. Элемеитариое введение в теорию вероятностей. М., Госэнергонздат, 1952.

49.Диткш! В. А., Прудников А. П. Справочник по операционному исчис­ лению. М., «Высшая школа», 1965.

50. Агахаияи Т. М. Приближенный расчет переходной характеристики в области малых времен. «Теория и расчет импульсных и усилительных схем па полупроводниковых приборах», 1969, вып. 1.

51.Агахаияи Т. М. Переходные характеристики элементов Т-образной эквивалентной схемы для дрейфового триода. — «Радиотехника п электро­ пика», 1960, т. V, № 9.

52.Агахаияи Т. М. Работа полупроводникового триода при больших

сигналах. — «Известия вузов. Радиотехник а», 1960, № 2.

53.Ebers J . J . and Moll J . L . Large-signal behavior of junction transistors. Proc. I R E , 1954, v. 42, № 12.

54.Архангельская И. Т. Модели биполярных транзисторов. — «Полу­ проводниковые приборы и их применение», 1972, вып. 26.

55.Beafoy R . , Sparkes J . J . The junction transistor as a charge controlled device. A I E Jour., Oct. 1957, v. 13.

56.Абдюхаиов M. А., Берестопский Г. H . , Кузьмин В. А. О расчете

процессов в полупроводниковых триодах методом заряда. — «Радиотехника

нэлектроиика», 1960, № 3.

57.Ryder R. М., Kircher R. J . Same circuit aspects of the transistor. — Bell System Technical J . , 1949, v. 28, № 3.

58.Giacoletto L . J . Junction transistor equivalent circuits and vacuum

tube analogy. — Proc. I R E , 1952, v. 40, № 11.

59. Webster V. M. On the variation of junction transistor current amplifi­ cation factor with emitter current. — Proc. I R E , 1954, v. 42, № 6.

60.Агахаияи Т. M. Температурная стабилизация режима транзисторного усилительного каскада. — «Радиотехника», 1962, т. 17, № 4.

61.Николаевский И. Ф., Игумпов Д. В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов. М., «Советское радио», 1971.

62.Ройзип II . М., Мостовлянскнй И. С. Исследование физических про­ цессов в мощных транзисторах, определяющих их надежность в пмпульспых

режимах. — «Полупроводниковые приборы и их применение», 1963, вып. 10.

63.Ван-Дер^Зпл А. Флуктуационпые явления в полупроводниках. М., Изд-во иностр. лит., 1961.

64.Guggenlmehl W., Strutt М. Theory and experiments on shot noise in

semiconductor junction diodes and transistors. — Proc. I R E , 1957, v. 45, № 6.

65.Транзисторы. Под ред. И. Г. Бергельсона, 10. А. Каменецкого,

И.Ф. Николаевского. М., «Советское радио», 1968.

66.De Witt D., Rossoff A. Transistor electronics. McGraw — Hill Book Co., 1957.

67.Агахапяи Т. M. Линейные импульсные усилители. М., «Связь», Л970.

68.Rittner Е. S. Extension of the theory of the junction transistor. — Phys. Rev., 1954, v. 94, № 5.

69.Перспективы разработки и выпуска кремниевых ИС на сапфировых

71. Bockemuehl R. R. Analysis of field — effect transistors with arbitrary charge distribution. I E E E Trans., January, 1963, v. ED-10.

72. Интегральные схемы. Принципы конструирования и производства. Пер. с англ. Под ред. А. А. Колосова. М., «Советское радио», 1968.

253

ОГЛАВЛЕНИЕ

255