БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

А

Ааронова-Бома закон 271 Адсорбция 208, 209 Акустоэлектроника 260, 261 Атом водородоподобный 51-53 Атомы многоэлектронные 54

Б

Базисный вектор 17-19

Бозоны 62, 63, 71

В

Взаимодействие обменное 120 Волна де Бройля 39, 40

– монохроматическая 42 Время восстановления обратно-

го сопротивления 178, 179

–жизни неравновесных носите-

лей 134, 137, 138

–релаксации 134,145,146

Вырождение 63 Вырожденный газ 70

–коллектив 63, 64

–полупроводник 93, 94, 110 Вырождения критерий 63, 70

Г

Газ идеальный 58, 65 Генерация носителей заряда 88,

89, 91, 92, 132

Гетеропереход 180-183

Д

Дефекты по Френкелю 26, 27 Динамические неоднородности

258

Диод диэлектрический 246

– резонансный 248

Дисперсии закон 43, 44 Дисперсионная кривая 22,

23, 144

– формула 44 Диффузионная длина носителей

заряда 135 Длина поглощения 245

Е

Емкость барьерная 179

– диффузионная 178, 179

З

Зона валентная 82, 87

–запрещенная 82, 87

–поверхностная 208, 210

–примесная 110

–проводимости 82, 87 Закон действующих масс 108

–термодинамики 57, 58

–Френкеля 149, 150

И

Излучение индуцированное 200

–спонтанное 201 Индексы Миллера 19

–направления 20

–плоскости 20

–узла 20

Инжекция неосновных носите-

лей 159, 167, 173, 200

Интерферометр Ааронова-Бома

271

Ионизация термоэлектронная

149, 150

–ударная 149, 150

–электростатическая 150

289

К

Квантовое число 52-54

–главное 52

–магнитное 53

–орбитальное 52

–спиновое 53 Квантовые точки 264, 273 Квантовые ямы 264, 268 Квантовый выход 145

–генератор 200-201

Контакт двух металлов 160, 161

–нелинейный 158

–омический 158

–полупроводника и металла

162-165

Контактная разность потенциа-

лов 161, 164, 170

Коэффициент диффузии 139, 140 Критерий невырожденности

идеального газа 63, 70

Л

Лазеры 201-203

Лазерные гетеропереходы 180, 181, 203

М

Магнетоэлектроника 260-261 Масса эффективная 83-85 Методы вытягивания 168

–диффузионный получения p-n–перехода 168

–сплавления 168

Модель Кронига-Пенни 77, 78

Н

Нанотехнологии 265-267 Наноэлектроника 263-268, 276

290

Носители заряда избыточные

133-135

–основные 105-109

–неосновные 108, 109 Напряжение пробоя 175, 177,

178

Невырожденный газ 70

–коллектив 63, 64

–полупроводник 100, 110

О

Область инверсии 212-213

–обеднения 162-164

–обогащения 164

Ограничения микроэлектроники технологические 256, 257

– физические 255, 256 Оптоэлектроника 196, 198, 260,

261

Осциллятор линейный гармонический 49, 50

– нормальный 22, 23

П

Переход p-n 168-170

– p+-p 222

Переходы прямые 142 Плотность состояний 61, 62, 64 Поверхностный потенциал 212 Подвижность носителей 100-103 Полупроводник дырочный 91,

92

–компенсированный 93

–собственный 87, 88

–электронный 90, 91 Потенциальная яма 45, 46, 268 Потенциальный барьер 47-48,

268

Приближение адиабатическое

78

–одноэлектронное 78

–свободных электронов 79

–сильносвязанных электронов

78

–слабосвязанных электронов

78

Примеси акцепторные 91, 92

–донорные 90-92 Принцип Паули 54 Пробой лавинный 178

–поверхностный 224

–полупроводника 150

–тепловой 178

–туннельный 177 Проводимость дырочная 111, 113

–темновая 145, 146

–электронная 111, 112

Р

Работа выхода 159, 160 Раствор внедрения 27

–замещения 27 Рекомбинации коэффициент

135

–поверхностная скорость 138

–скорость 135-137

–ток 214

Рекомбинация избыточных носителей 133-137

–поверхностная 138

Релаксация 97, 101, 102, 146

Решетка кристаллическая 17

–Бравэ 17-20

–с базисом 17, 19

С

Светодиод 197, 198 Скорость групповая 21, 22

– фазовая 21, 22

Слой антизапорный 164

–запорный 162, 163 Спин электрона 53

Спиновое квантовое состояние

53

Среды двумерные 264, 268, 269

–континуальные 258, 259, 261

–нульмерные 264, 275-277

–одномерные 264, 268 Стабилитроны 178 Статистика Бозе-Эйнштейна 71,

72

–квантовая 64

–классическая 64

–Максвелла-Больцмана 65, 66

–фермионов 62, 63

–Ферми-Дирака 67, 68

Т

Ток диффузионный 139, 140

–насыщения 175, 176

–омический 139

–проводимости 173 Термисторы 113 Термосопротивления 114 Транзистор

–канальный 222

–на горячих электронах 249, 250

–полевой 220-222

–p-n-i-p 222

Триод тонкопленочный 248 Туннельный диод 246, 247

– эффект 47, 48

У

Уравнение волновое Шредин-

гера 41, 46, 48

–непрерывности 139

–Пуассона 163, 170

291

– Эрмита 50 Уровни акцепторные 91, 92

–донорные 90, 92

–поверхностные 208, 209

–прилипания 92

–примесные глубокие 93

–Тамма 208

–Ферми 67, 105-109

Ф

Ферми температура 72

–уровень 67, 105-109

–энергия 67-70 Фононы 23, 24

Формула Холла-Шокли-Рида

137

–Ричардсона 166

Фотодиод 192-194 Фотопроводимость 142-144 Фототранзистор 196 Фотоэлемент 193 Фотоэффект внутренний 140

Функциональная электроника

258-263

Функция Блоха 79

–Бозе-Эйнштейна 71, 72

–волновая 41, 42

–нормированная 41

–собственная 42

Х

Химический потенциал 60, 65, 67

292

Ц

Центры прилипания 92

– рекомбинации 137, 138

Э

Экситон 143 Экстракция неосновных носи-

телей 173, 180

Электроны горячие 147, 244, 245

Элемент активный пленочный

246, 250

Эмиссия термоэлектронная 159, 166

Энергия нулевая 50, 51

–осциллятора средняя 50

–термодинамическая 58, 59

–Ферми 67-70

Энтропия 59 Эффект Ааронова-Бома 271

–Ганна 153-155

–Зинера 149-161

–сильного поля 147-150

–Силсби 118

Я

Ячейка кристаллическая базоцентрированная 18

–гранецентрированная 18

–объемноцентрированная 19 Ячейки элементарной пара-

метры 19