- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 1 СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •1.1. Равновесное расположение частиц в кристалле
- •1.2. Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •1.3. Нормальные колебания решетки. Фононы
- •1.4. Структура реальных кристаллов
- •1.5. Структурозависимые свойства
- •1.6. Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •ГЛАВА 3 ЭЛЕМЕНТЫ СТАТИСТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •ГЛАВА 4 ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.6. Примесные уровни
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 РАВНОВЕСНЫЕ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n–перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n–переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n–переходе. Светодиоды
- •7.10. Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8 ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-Д-M–структура
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения
- •П.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы СИ
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •АЛФАВИТНО-Предметный указатель
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
|
|
iE |
|
|
Ψ(x, t)= (x) exp |
|
n |
. |
(2.17) |
|
||||
|
|
|
|
|
В данной главе приведены решения уравнения Шредингера для некоторых стационарных полей.
2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
Если считать частицу свободной и движущейся по оси x, то U(x) = 0, уравнение Шредингера (2.14) примет вид
|
d 2 |
|
2m |
E |
d 2 |
k 2 0 , |
(2.18) |
|
dx2 |
2 |
|
||||
|
|
|
dx2 |
|
|||
где k = 2π/λ – волновой вектор электрона; |
|
||||||
E = p2/2m = ћ2k2 /2m – его энергия. |
|
||||||
Решением уравнения (2.18) будет функция |
|
||||||
ψ = ψ1 + ψ2 =Aexp(ikx) + Bexp(-ikx), |
(2.19) |
где А и В – постоянные коэффициенты.
С учетом (2.17) общее решение уравнения Шредингера будет иметь вид
Ψ(x,t) = A exp[i(kx-ωt)] + B exp[-i(kx+ωt)]. |
(2.20) |
Последнее уравнение выражает суперпозицию двух плоских волн,
распространяющихся в противоположных направлениях. Для частицы, движущейся по оси x, B=0. Для частицы, движущейся в противоположном направлении, A=0.
Для трехмерного случая решением уравнения Шредингера будет являться выражение
|
|
|
|
|
|
Ψ = Aexp[i( |
kr t)] B exp[ i(kr t)] 0 , |
(2.21) |
где r – радиус-вектор точки фронта волны.
Энергия свободной частицы будет равняться
E |
k 2 |
2 |
, |
(2.22) |
|
|
|||
2m |
|
43
для трехмерного случая
2 |
|
|
|
|
|
E |
|
(k 2 |
k 2 |
k 2 ) , |
(2.23) |
|
2m |
x |
y |
z |
|
|
|
|
|
|
где kx, ky, kz – проекции волнового вектора на оси координат. Выражения (2.22) и (2.23) показывают, что функция E(k) является
непрерывной, т.е. энергетический спектр свободного электрона сплошной (рис. 2.1, а).
Поскольку микрочастица связана с плоской волной, имеет смысл рассмотреть вопрос о ее фазовой и групповой скоростях (п. 1.3).
В уравнении плоской волны, распространяющейся вдоль оси x, величина θ представляет собой фазу волны.
θ = k∙x-ω∙t, |
(2.24) |
Напомним, что фазовая скорость υф – это скорость участка волны с постоянной фазой. Дифференцируя (2.24), с учетом постоянства фазы получим
ф |
|
dx |
|
. |
(2.25) |
|||
|
||||||||
|
|
|
dt |
|
|
k |
|
|
Подставляя в (2.25) значения ω и k, можно записать |
|
|||||||
ф |
|
h |
|
|
1 |
. |
(2.26) |
|
|
|
|
||||||
|
|
2m |
|
|
Анализ последнего выражения показывает, что фазовая скорость волн де Бройля зависит от их длины, т.е. имеет место эффект дисперсии.
Как отмечалось выше, в реальном случае частица представляет собой не монохроматическую волну, а волновой пакет, образованный двумя или более волнами, имеющими близкие значения длин и волновых векторов. Скорость этого пакета, групповая скорость гр
гр |
|
d |
. |
(2.27) |
|
||||
|
|
dk |
|
Подставив в последнее выражение значение k = m/ћ и производной dω/dk = ħk/m, получим:
гр = .
44
Последнее выражение показывает, что групповая скорость волн де Бройля равна скорости движения частицы.
В заключение рассмотрим вероятность нахождения свободного электрона в пространстве. Подставим в (2.8) выражение для плоской волны и получим w = const (рис. 2.1, б).
E |
w |
w0
0 |
k |
0 |
х |
|
a) |
|
б) |
Рис. 2.1. Свободный электрон: а – энергетический спектр; б – вероятность нахождения
Это означает, что вероятность нахождения свободного электрона не зависит от координаты.
2.4. Электрон в потенциальной яме
Рассмотрим движение микрочастицы энергии E в прямоугольной потенциальной яме (рис. 2.2) глубиной U0 и шириной L.
U |
|
|
w |
|
|
U0 |
E |
II |
|
|
|
I |
|
III |
|
|
|
|
0 |
L x |
0 |
L |
x |
|
a) |
|
|
б) |
|
Рис. 2.2. Частица в потенциальной яме: а – энергетическая диаграмма; б – вероятность нахождения частицы
Для электрона примером такой ямы является микроэлектрод: вне электрода энергия электрона равняется нулю, а внутри – U0. Эта энергия обеспечивается потенциальным полем решетки U0. Для выхода элек-
45
трона из металла необходимо совершить работу, равную U0 – работу выхода.
Запишем стационарное уравнение Шредингера для областей I, II и III (рис. 2.2, а).
d 2 |
k 2 0 |
, |
(2.28) |
|
dx2 |
||||
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
где k |
|
2m(E U |
) k |
, |
|||
|
|||||||
1 |
|
0 |
3 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
k2 1 2mE .
Запишем общее решение уравнения Шредингера для трех зон.
Aexp(ikx) B exp(ikx) , |
(2.29) |
Упростим задачу, считая, что U0∞. Тогда в областях I и III волновая функция будет равна нулю.
Согласно условию непрерывности функции можно записать, что
ψ(0) = ψ(L) = 0. |
(2.30) |
Это условие выполнимо, если |
|
kL = πn, n = 1, 2, … |
|
Отсюда находим возможные значения kn |
|
kn n . |
(2.31) |
L |
|
Поскольку стенки ямы имеют одинаковую высоту, очевидно, что в (2.29) A = B. Тогда можно записать выражение для волновой функции электрона в яме
n |
A[exp(ik2 x) exp( ik2 x)] Asin k2 x |
|
||
или |
|
|
|
|
n |
An sin |
x |
n. |
(2.32) |
|
||||
|
|
L |
|
В потенциальной яме укладывается целое число полуволн (рис. 2.2, б). Определим вероятность нахождения электрона в потенциальной яме ω(x).
46