- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 1 СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •1.1. Равновесное расположение частиц в кристалле
- •1.2. Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •1.3. Нормальные колебания решетки. Фононы
- •1.4. Структура реальных кристаллов
- •1.5. Структурозависимые свойства
- •1.6. Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ МЕХАНИКИ
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •ГЛАВА 3 ЭЛЕМЕНТЫ СТАТИСТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •ГЛАВА 4 ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.6. Примесные уровни
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 РАВНОВЕСНЫЕ И НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n–перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n–переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n–переходе. Светодиоды
- •7.10. Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8 ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-Д-M–структура
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения
- •П.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы СИ
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •АЛФАВИТНО-Предметный указатель
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Значение микроэлектроники в современной жизни трудно переоценить. Спектр ее применения простирается от фундаментальных исследований до прикладного использования в бытовой технике. Вычислительная техника, телевидение, сотовая связь, медицинская диагностика и многие другие области немыслимы сегодня без микроэлектроники. Появление ее было предопределено развитием требований, предъявляемых к электронной аппаратуре. Остановимся кратко на истории микроэлектроники.
Электроника – это область науки, техники и производства, включающая исследования и разработку электронных приборов и принципов их использования.
Началом развития электроники можно считать открытие в 1883 г. Томасом Эдисоном эффекта, впоследствии названого его именем. Эффект заключается в том, что после введения в вакуумную лампу накаливания металлического электрода и приложения к нему положительного потенциала между электродом и нитью накаливания протекает электрический ток. Это явление легло в основу устройства всех электронных ламп и различных электровакуумных приборов.
Начало следующего этапа развития электроники связано с созданием в 1948 г. полупроводникового транзистора У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бердином. Началось развитие полупроводниковой электроники, имеющей гораздо более высокие массогабаритные показатели.
Однако шло время, и к электронной аппаратуре жизнь предъявляла все более высокие требования: усложнение функций, повышение скорости операций, объемов запоминающих устройств, качества радиосигнала и т. д. Более высокие требования предъявлялись и к надежности аппаратуры.
Удовлетворение этих требований вело к росту числа элементов, т.е. к росту массогабаритных показателей, а значит и стоимости. Кроме того, в этом случае увеличивалось и число контактов, что отрицательно влияло на надежность электронных устройств.
Для решения возникающих проблем необходимо было уменьшить размеры элементов и сократить число контактов между ними.
Микроминиатюризация элементов и интеграция схем привели к созданию в 1959 г. Килби и Нойсом интегральной микросхемы. Началось
9
бурное развитие важнейшего направления твердотельной электроники – интегральной электроники, или микроэлектроники.
Микроэлектроника – раздел электроники, связанный с исследованием, разработкой и производством интегральных схем. Микроэлектроника основана на использовании современных конструкторских и схемотехнических методов проектирования и изготовления сложных надежных электронных систем с высокой степенью миниатюризации за счет исключения дискретных навесных электронных элементов: конденсаторов, резисторов, диодов и т. д. Вместо них используют совокупность, как правило, большого количества взаимосвязанных компонентов, изготовленную в едином технологическом цикле, на одной несущей конструкции – подложке – и выполняющую определенную функцию преобразовании ин-
формации. Это и есть интегральная микросхема (ИС).
На рисунке (с. 11) представлена концептуальная диаграмма [2] , которая дает представление о направлениях микроэлектроники, а также о внутренних связях между ними. Анализ диаграммы позволяет сказать о большом объеме и сложности проблем, решаемых микроэлектроникой.
Прогресс микроэлектроники очевиден. За годы, прошедшие после создания первых ИС, размер транзистора уменьшился с 1 мм до 0,5 мкм, т. е. в 2000 раз, число транзисторов в ИС близко к 109.
Фирма IBM опубликовала примерные характеристики современного КМОП транзистора:
длина затвора – 0,25 мкм; толщина окисла – 600 нм; напряжение питания – 1,2 В;
производительность – 1015 элемент Гц∙см-2; время переключения – 10 пс.
Для решения задач микроэлектроники широко используются последние достижения физики, химии, радиотехники, математики, биологии, приборостроения и других областей наук и технических направлений.
В настоящее время в микроэлектронике можно выделить следующие относительно самостоятельные, но тесно переплетающиеся между собой направления.
1. Направление, связанное с изучением физических явлений и эффектов, лежащих в основе принципов работы микроэлектронных устройств, или физические основы микроэлектроники.
10
|
|
Концептуальная диаграмма |
|
||||
|
|
Классическая |
|
|
|
||
|
|
электроника (дис- |
|
|
|
||
|
|
кретные элементы |
|
Физика твердого тела |
|||
|
|
и лампы) |
|
||||
|
|
|
|
|
|||
|
|
Физическая электроника: |
|
|
|
||
|
|
полупроводник и дис- |
|
|
|
||
|
|
кретные приборы (диоды, |
|
|
|
||
|
|
биполярные и полевые |
|
|
|
||
|
|
транзисторы) |
|
Минитюризация + пла- |
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
Микроэлектроника |
|
нарная технология |
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
(интегральная |
|
|
|
||
|
|
электроника) |
|
|
|
||
|
|
Интегральные схемы |
|
|
|
||
|
|
|
Степень интеграции |
Производство |
|||
Технологии |
Материалы |
|
|
|
|
||
|
|
(в будущем) |
|
|
Проектирование |
||
|
|
|
|
|
|
||
|
Кремний |
Соединения элементов |
Малая |
|
|||
|
|
групп II- V, II - VI, IV - VI |
средняя |
Процесс |
|||
|
|
Редкоземельные ортофер- |
БИС |
изготовления |
|||
биполярные |
полевые |
риты |
|
СБИС |
|||
|
|
||||||
|
|
Жидкие кристаллы |
|
|
|
||
|
|
Органические соединения |
|
|
Испытания |
||
|
|
|
|
|
|
||
полупро- |
гибридные |
пленочные |
Биполярные |
Полевые |
Интегральная |
||
водниковые |
|
|
И2Л |
п-МОП |
схема |
||
|
|
|
ЭСЛ |
КМОП |
|
||
|
|
|
Масштабирование |
|
|
||
|
|
|
Нормы проектирования |
|
|||
|
|
|
|
|
Компьютер |
||
|
|
|
|
|
|
(автоматизация) |
|
|
|
Физика биполярных приборов |
Оксидирование |
||||
Нормы и ограниче- |
Физика МОП – транзисторов |
Фотолитография |
|||||
Физика полевых транзисторов |
Эпитаксия |
||||||
ния используемой |
|||||||
с управляющим переходом |
|
Диффузия |
|||||
технологии |
|
||||||
Тепловые ограничения и элек- |
Ионная имплантация |
||||||
Параметры готового |
|||||||
тротепловые модели |
|
Металлизация |
|||||
изделия |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
11 |
Фундаментом данного направления являются основные положения квантовой механики, статистической физики, физики твердого тела, физики контактов, физики тонких пленок и другие разделы физики и физической химии.
2.Направление, связанное с разработкой методов расчета и конструирования микроэлектронных элементов, схем и устройств.
3.Направление, связанное с созданием физико-технологической базы производства микросхем и устройств, или микроэлектронная технология. Основой этого направления являются физика твердого тела, техника нанесения пленок, теория взаимодействия излучений с твердым телом.
4.Направление, связанное с созданием схемотехнической базы мик-
роэлектроники, – микроэлектронная схемотехника.
5.Направление, связанное с созданием методов и средств проектиро-
вания микроэлектронных систем, – микроэлектронная системотехника.
Данное учебное пособие посвящено рассмотрению первого направления. Основной его целью является изучение физических эффектов и явлений, лежащих в основе принципов работы микроэлектронных устройств, отличающихся высокими показателями по выполняемым функциям и качеству, массогабаритным показателям и надежности, технологичности конструкций и эффективности производства.
Контрольные вопросы и задания
1.Дайте определение электроники.
2.Каковы основные требования к современной электронике?
3.Дайте определение микроэлектроники.
4.Пользуясь диаграммой, назовите основные разделы микроэлектроники.
5.Каковы основные направления микроэлектроники?
6.Как изменился размер микросхемы в процессе ее развития?
12