Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
14.37 Mб
Скачать

фаз со смешанной валентностью молибдена

и

структурой типа

ЙеОз.

кристаллизуется

в структуре

Двуокись молибдена «Мо02»

типа рутила, несколько нарушенной

в металлической

подрешетке

и характеризующейся параметрами

ячейки а = 5,610А,

0= 4,843 А,

c = 5,526Â и р=119°26' [414]. По сведениям [415],

двуокись молиб­

дена

имеет область

гомогенности,

охватывающую

интервал составов

по обе стороны от стехиометриче­

ского.

Равновесное давление кисло­

рода вдоль низкокислородной гра­ ницы поля Мо02-ѵ может быть вы­ ражено [416] уравнением

Рис. 3.30. Равновесное давле­ ние кислорода над нестехио­ метрической Мо02±ѵ как

lgPo2= 8 ,7 4 -

— 30°5?- (1025 — 1325 °К).

Высококислородная граница, отве­ чающая равновесию двуокиси с фазой М04О11, проходит через точку

Ро, = 1СН° атм при 1000° С [415].

Используя метод кулонометри­ ческого титрования в гальваниче­ ской ячейке типа

Pt |Mo02±v| Th02 (Y2OJ I Fe,«FeO» | Pt,

функция

состава при

1000°С:

авторы

работы

[415] определили

О — результаты динамического

парциальное

давление

кислорода

метода;

# — результаты,

по­

как функцию

нестехиометрии

дву­

лученные

методом кулономет­

окиси в интервале 800—1050° С. На

рического титрования

 

рис.

3.30 показана

зависимость

рис. 3.31— зависимость

ДЯо,

lg/3o,=/('Y)

при

1000° С,

а

на

= f (у) и ASo2= /(Y)-

 

 

 

 

Легко видеть, что для Мо02_ѵ, так же как и для

Nb02_v и

Ті02_у, малые отклонения от

стехиометрии

в_ сторону

дефицита

кислорода не сопровождаются изменением

ДЯо2.

Напротив,

для

составов с

избытком

кислорода

у двуокиси

молибдена, как и у

«U0 2»,

наблюдается

резкое увеличение

ДЯо2

по

мере

отклоне­

ния от

стехиометрии.

Очевидно,

что

в

первом

случае

 

дефекты

решетки образуют разбавленный раствор, подчиняющийся закону Генри, тогда как во втором случае поведение дефектов является более сложным.

Парциальная мольная энтропия растворения кислорода Д5ог = ASe (02) — Л In у,

198

где у — мольная доля дефектов, А — характеристическая констан­

та кристалла, а АSE — избыточная парциальная энтропия ки­ слорода. Очевидно, что если степень взаимодействия дефектов не

зависит от их концентрации, то ASß (02) = const и зависимость AS o2 = / (lg у) является линейной.

Рис. 3.31. Парциальные мольные энтальпия (а) и энтропия (б) кислорода в нестехиометрических окислах М02+1,;

О

Мо02+ѵ; ф

Мо02_,у;

А ■ U 02^_v;

 

С - Т Ю 2_ Ѵ;

Э — Nb02_ v.

 

На рис. 3.31

(а) на оси абсцисс—мольное отношение

No

-------, на

оси ординат — парциальная

мольная

энтальпия

кислорода

(ккалімоль).

На рис. 3.31 (б)

на оси абсцисс— логарифм коэф­

фициента у в

формуле М02_|_^, на оси

ординат — парциальная

 

мольная энтропия (э.

е.)

 

Из данных, представленных на рис. 3.31, следует, что окислы

МоОг-ѵ и ИЬ02_7 имеют меньшие абсолютные значения ASo2, чем ТіОг—ѵ, а следовательно, для первых двух окислов величина AS£ (02) ближе к конфигурационной энтропии беспорядочно распределенных дефектов, чем для ТІО2- 7. Быстрое возрастание значения AS£ (02) по мере увеличения нестехиометрии ТЮг—ѵ хорошо согласуется с выводом [388] о малой степени собственного разупорядочения дву­ окиси титана Ті02. Напротив, медленное увеличение AS£(02) для

1 9 9

Nb02_v и МоОг-ѵ свидетельствует о значительном собственном разупорядочении этих кристаллов и при стехиометрическом соотношении компонентов.

По данным [415], мольная доля дефектов в Мо02_ѵ, как и в Nb02_v, обратно пропорциональна Ро2• Существенно иной, чем у

двуокиси с дефицитом кислорода, характер зависимости А5£ (0.2) — = / (у) для М0О2+7 авторы работы [415] бездоказательно связывают с существованием ближнего порядка.

Трехокись молибдена «Мо03» имеет слоистую структуру, при­ чем слои двух типов, параллельные плоскости < 010> , составле­ ны из октаэдров МоОб. В пределах одного слоя октаэдры сочле­ няются общими ребрами, а в пределах другого — общими верши­ нами [414, 416]. Постоянные решетки а = 3,9 Â, й=13,8А и с = 3,7 А.

Исследуя методами электронной микроскопии и рентгенов­ ской дифракции продукты последовательного восстановления трехокиси молибдена Мо03_ѵ, Барсил [417] установил, что:

1. Область нестехиометрии, в которой сохраняется неизмен­ ной структура Мо03, очень мала и соответствует значению

у< 0,001.

2.Дальнейшая потеря кислорода приводит к образованию доменов когерентных с матрицей Мо03. В доменах, состав кото­ рых соответствует гомологическому ряду Mou0 3n_i (при п= 400), кислородные «дефекты» образуют ближний порядок.

3.Еще большая потеря кислорода приводит к упорядочению дефектов с образованием структур сдвига. Примечательно, что

эти структуры,

соответствующие

составам Моі30 33,

Мо13052,

М019О55 [418] и Мо260 75

[419], принадлежат к одному и тому же

гомологическому

ряду.

Вместе

с тем составляющие

решетку

двухмерные слябы октаэдров МоОб имеют одинаковую толщину, равную 6—7 октаэдрам.

Помимо только что рассмотренных, известно существование других окисных фаз со смешанной валентностью молибдена и структурой типа Re03. Речь идет прежде всего о фазе Мо4Оц, структуру которой можно рассматривать как совокупность двух­ мерных слябов октаэдров МоОб, соединенных в плоскости сдвига тетраэдрами М0О4 (рис. 3.32). Разница между двумя модифика­ циями М04О11 заключается в относительной ориентации соседних слябов [420]. Если обозначить символом А сляб типа Re03, а сим­

волом Ä — его отражение, то моноклинная модификация Мо4Оп соответствует последовательности ААААА, а ромбоэдрическая —

AÄAÄA.

К одному и тому же гомологическому ряду Мо,г0 3„_і принад­ лежат окислы Мо30 23 и М09О26, являющиеся типичными структу­ рами сдвига (рис. 3.33) с частотой повторения плоскостей сдвига через 8 и 9 октаэдров МоОб соответственно [421]. Термодинамика окисных структур, образующихся в интервале составов между Мо02 и Мо03, к сожалению, не изучена. Определение равновес-

2 0 0

пых условий формирования высококислородных окислов молиб­ дена существенно осложняется их высокой летучестью [422.1.

6

Рис. 3.32. Кристаллическая структу­

Рис. 3.33. Кристаллические структу­

ра моноклинной (а) и орторомбиче­

ры МоаОгз (а) и М09О26 (б), являю­

ской (б) модификации МсцОц

щихся членами гомологического ря­

 

да МпОзп-ь Сплошной линией ог­

 

раничена

элементарная

ячейка, а

 

пунктиром — проекции

плоскости

 

сдвига. Стрелками указано направ­

 

ление

растяжения слябов типа

 

Re03 между плоскостями сдвига

Система кадмий — кислород. Единственное окисное соедине­ ние кадмия «СсЮ» имеет структуру типа NaCl с постоянной ре­ шетки а = 4,695А [423]. По сведениям [424], окись кадмия может существовать с дефицитом кислорода, максимальная величина которого при 650°С составляет 5 -НИ4 атомных долей. Судя по

результатам

измерений

электропроводности

(a<xzPol/n,

где

6,9> н > 5,1

[425]), нестехиометрию окиси кадмия можно связывать

с доминированием в решетке дефектов,

образующихся по реакции

 

Охо

- | 0 2 -І-

Ѵо т

2е'.

 

 

При статистически беспорядочном

распределении дефектов

п --

= 2 [Ѵ’о] ooPo'J\ а следовательно, и о ссРо2'/е-

Энергия активации

2 0 1

проводимости, носящей исключительно электронный характер [426], составляет 0,22 эв [425].

Измеренный методом изотопного обмена коэффициент диф­

фузии кислорода [427] оказался пропорционален Ро'/\ что объясняют образованием в решетке соизмеримых количеств одно­ кратно и дважды ионизированных кислородных вакансий

 

2 0 g ^t

0 2 + Ѵо +

Ѵо +

За'.

(3.92)

Константа

равновесия

реакции

 

 

 

 

 

 

•^92 =

[Ѵ5І [Ѵ'о)п3Р0г

(3.93)

Учитывая,

что [Ѵо] =

[Ѵо]

= — п,

из

уравнения

(3.93) находим

 

 

 

3

 

 

 

 

[Ѵо] осРо2/б- При вакансионном механизме массопереноса D0се [Ѵо]сС

С Рог/й. По данным [427],

энергия образования кислородных вакан­

сий в окиси кадмия составляет 74 ккал/моль.

 

 

 

Окислы 5</-элементов

 

Система лантан — кислород.

Известно [1] о

существовании

двух окислов лантана «Ьа20з» и «LaO». Из нескольких кристал­ лических модификаций «La20 3», подробно рассматриваемых в ра­ боте [428], представляет интерес лишь модификация с гексагональ­ ной структурой (тип А). A-La20 3 термодинамически стабильна вплоть до 2000°С. Несмотря на исключительно высокое сродство

лантана

к кислороду

(изменение

свободной

энергии

реакции

2La +

0 2 =

La20 3

АG° = —299 ккал/моль

при 1925°К), окись

лантана

при

высоких

температурах

нагрева

в вакууме

теряет

кислород с образованием интенсивно окрашенной нестехиометри­ ческой фазы Іщ20з_ѵ [429].

Используя метод масс-спектроскопии, Аккерман [430] оценил дефицит кислорода в окиси La20 3_7, равновесной металлическому лантану, уравнением

lgY -(1 ,3 8 ± 0 ,3 3 ) - 4125 ± 600

Т

Вдоль низкокислородной границы поля Ьа20 3_ѵ равновесию

La20 3 (тв) + La (ж) ^ 3LaO (пар)

отвечают следующие значения давления наиболее летучих компо­ нентов:

lg P t a = 5,35 — 20 850

Т

2 0 2

lg^LаО = 7 , 5 3 - - ^ Ж .

Примечательно, что изменение состава окиси лантана от сте­ хиометрического до La20 2,82 (последний соответствует равновесию с металлическим лантаном при 1900°К) сопровождается возра­

станием Яьа в ІО9 раз. Свободная энергия образования

La20 2,s2,

при 1925° К

равная —282,9 ккал/моль, на

16 ккал более

положи­

тельна, чем

для стехиометрической окиси

лантана.

 

Природа дефектов в окиси с дефицитом кислорода не выяс­ нена, но наиболее вероятно образование анионных вакансий.

Измерения [431] показали возникновение электронной прово­

димости в окиси лантана при

Р о2 ІО-12 атм и

1000°С.

При той

же температуре с увеличением

Ро2 в окиси

лантана

 

возникает

заметная ионная

проводимость, составляющая

0,99;

0,91

и 0,09

при парциальных

давлениях

кислорода ІО-12,

ІО-8

и

1

атм 0 2

соответственно. Уменьшение

с ростом Ро2

вызвано

появлением

заметной дырочной проводимости, которая, по данным [431, 432, 426], пропорциональна Ро*.

Существование области с доминирующей ионной проводи­ мостью можно объяснить значительной степенью собственного атомного разупорядочения по реакции

О ^ О і + Ѵё,

которая более вероятна, чем разупорядочение типа Шоттки по кристаллохимическим соображениям. Согласно Полингу [433], треть анионных вакансий в A-La20 3 сильно удалена от ближай­

ших соседей

(их расстояние до ближайших ионов La3+ и О2-

со­

ставляет 2,69

и 3,21 Â соответственно) и сравнительно легко

мо­

жет смещаться в междоузлиях.

 

Другой возможной причиной появления ионной проводимости является доминирование примесных дефектов

2МеО 2Меьа Ѵо 4- 20о-

(-*-La20 3)

В этом случае величина [Ѵо] контролируется концентрацией примеси. Появление при относительно высоком значении Ро2 дырочной

проводимости (о с е Ро2) можно связывать с накоплением дырок по реакции

Y о2-Z-о; + к, асе р= [о;і се р'о7;.

Нестехиометрия моноокиси лантана (структурный тип ВІ, посто­ янная решетки 5,249 Â) совершенно не изучена.

203

Система гафний — кислород.

Фазовые равновесия

в системе

Ш—О интенсивно исследовали

в последнее время

[433—436].

На рис. 3.34 представлен один из вариантов диаграммы состоя­ ния, предложенный Ради и Стечером [434]. Однофазные поля диа­

граммы

соответствуют

твердым

раствором

 

кислорода

в

а- и

ß-модификациях

циркония, а также растворам

на

 

основе

моно­

 

 

 

 

 

 

клинной

 

и

тетрагональной

 

 

 

 

 

 

модификации «НЮ2». В по­

 

 

 

 

 

 

следнее

 

время

 

получены

 

 

 

 

 

 

сведения [436]

 

о возможно­

 

 

 

 

 

 

сти образования соединений

 

 

 

 

 

 

Ш60

и Ш30

 

в

результате

 

 

 

 

 

 

упорядочения

твердых

рас­

 

 

 

 

 

 

творов О в Ш. Что же ка­

 

 

 

 

 

 

сается

 

 

двуокиси

гафния

 

 

 

 

 

 

«НЮ2»,

то ее моноклинная

 

 

 

 

 

 

модификация

 

(а = 5,11

А,

 

 

 

 

 

 

6 = 5,414

А,

с=5,28

А

и

 

 

 

 

 

 

ß= 99°44'

[437])

при

1900° С

 

 

 

 

 

 

обратимо переходит в тетра­

Рис. 3.34. Диаграмма состояния си­

гональную

 

 

(а = 9,14

А,

с=5,25

А [437,

438]). Сооб­

стемы гафний—кислород: / — а-Ш;

II — ß-Hf;

III — моноклинная мо­

щается также о существова­

дификация

«НЮг»;

IV — тетраго­

нии кубической

формы,

во

нальная

модификация

«НЮг»; V

всяком

случае

 

стабильной

ß-Hf + расплав; VI

— а-Ш + расплав;

при

2750° С

 

(а =

5,300±

VII — ß-Hf+моноклинная модифика­

+0,10

А).

Наконец,

в

по­

ция «НЮг»;

ѴІП

a-Hf + тетраго­

нальная модификация «НЮг»; IX

следнее

 

время

удалось

тетрагональная модификация «НЮг»

при

высоких

 

давлениях

 

 

+расплав

 

 

(>50

кбар)

 

синтезировать

 

 

 

 

 

 

ромбическую

модификацию

 

 

 

 

 

 

двуокиси

гафния

[439,

440].

Как видно из диаграммы рис. 3.34, фаза

НЮ2_Ѵ с заметным

дефицитом

кислорода

термодинамически

 

стабильна

 

при

7>1000°С, однако равновесные условия образования нестехиомет­ рической двуокиси гафния совсем не изучены. Растворение избы­

точного

кислорода в структуре НЮ2 не характерно. По данным

[441],

максимальный

избыток

кислорода в интервалах

10'“6<

< Лэ2<

1

атм и 1000<Г< 1500°С соответствует составу НЮ2,ооь

Природа

точечных

дефектов в

стехиометрической двуокиси не

выяснена.

 

 

 

 

 

 

Анализируя

данные по

электропроводности методом

квази-

химических реакций,

Таллан с сотрудниками [441] пришли к вы­

воду, что при

Ро2> Ю ~ 6

атм в решетке образуются дефекты в

результате разупорядочения типа

 

 

 

 

 

 

Oa^ 2 0 g + Ѵ ш + 4А'.

(3.94)

204

Равновесному состоянию реакции (3.94) при условии беспорядоч­

ного распределения дефектов соответствует

р = — [Ѵщ ] сс Pq'.

Следовательно, в области доминирования реакции

(3.94) электро­

проводность должна быть пропорциональна

Яо25,

что было экс­

периментально обнаружено в работе [441]. Там же найдена энер­

гия образования

вакансий (ДНѵ"" =

2,5 эв) и энергия активации

движения дырок,

Hf

при температурах выше и

равная 0,2 и 0,7 эв

ниже 1300°С соответственно.

Полагая, что к «НЮ2» полностью применимы соображения, высказанные Крегером [370] относительно природы доминирую­ щих дефектов в «Zr02», трудно представить возможность сущест­ вования в решетке двуокиси значительных количеств четырех­ зарядных катионных вакансий.

Измерения ряда авторов [441—443] показывают, что преоб­ ладающая при относительно высоких давлениях 0 2 дырочная про­ водимость «НЮ2» сменяется ионной по мере понижения Ро2. Для

1000°С

U равно

0,01;

0,02; 0,71 и 0,94 при

/>(>. = НН, 10_3,

ІО-13 и

ICH8 атм соответственно [442]. По данным [443], в ячейке

 

 

Pt I СО, СОа I НГО210

2! Pt

 

 

 

при Рсо2/Рсо = 200

и

температурах

700—1000°С

^ — 1.

Однако

вопрос

о природе

ионной проводимости

остается

открытым, так

как она в равной

степени может быть

обусловлена

как

собст­

венным

атомным

разупорядочением,

так

и эффектом

примесей

МеО Ді Мещ + Vo + Оо,

(^H f02)

присутствующих даже в наиболее чистых исследуемых образцах. Система тантал — кислород. Диаграмма состояния системы Та—О пока не построена. Сведения [417—451] о возможности об­ разования нескольких низших окислов тантала (табл. 3.26) оспа-

 

 

Низшие окислы тантала

Т а б л и ц а 3.23

 

 

 

Окислы

Температура

 

Структура

Литература

образования,

 

 

°С

 

 

 

 

«ТавО»

-ООО

тетрагональная

 

[444—447]

а0= 3,363 А, с0 =

3,252 Â

«Та40»

<500

орторомбическая

 

3,2Э Â [444, 448, 449]

а0= 3,61 А,

Ь0 =

3,27 А ,с0 =

«Та20»

350—1200

тетрагональная

 

[444, 450]

я0= 6,68 А,

с0= 4,743 А

«ТаО»

600—1500

кубическая типа

 

[445]

а0 = 4,422—4,429 Â

 

 

 

«ТаОг»

600—1500

тетрагональная

 

[445, 451]

а0= 4,709 А, с0— 3,035 А

205

риваются [452—454]. Не вызывает сомнений существование ста­ бильной пятиокиси «Та205», конгруэнтной плавящейся на воздухе

при 1872°С.

Большинство авторов [450, 452, 455, 456] склоняются

к тому, что

пятиокись тантала диморфна. Низкотемпературная

ромбическая

модификация «ß-_Ta2Q.5>> (а = 6,20 А , 6 = 3,66 А ,

с = 3,89 А [457]) обратимо превращается в тетрагональную «Та205»

( а = 3,8 Л, с= 35,6 А [458]) при 1320—1360°С [450, 452, 455], но скорость превращения очень мала, что дает возможность наблю­

дать

«ß-Ta205» в метастабильном

состоянии

вплоть до L785°C

[455].

«Ta2Os» может существовать с большим де­

 

По данным [ 4 5 4 ] ,

фицитом кислорода, который в окисной фазе

ТагОв-^ равновес­

ной

металлическому

танталу, при

1 9 0 0 ° С достигает

величины

у = 0,270—0 , 2 6 3 . Равновесное давление кислорода вдоль

низкокис­

лородной границы поля Т а 20 б _ 7

выражается

уравнением [ 4 5 9 ,

3 8 3 ,

3 8 6 ]

 

 

 

 

 

 

lg Po, — 8,6----

(1050— 1300 °К).

 

 

Кофстад [460] исследовал нестехиометрию однофазной пяти­ окиси в интервале температур 877—1380°С и обнаружил, что с повышением давления кислорода от ІО-18 до 1 атм характер зави­ симости электропроводности от величины парциального давления

кислорода

а — КРоІ изменяется, соответствуя значению п — •—6

при низких

Ро2, значению

п ——4

при Ро2, отвечающих

почти

стехиометрическому

составу

окисла,

и п = 6 — для составов

с

из­

бытком кислорода.

Таким образом,

кривая о = / (Ро,) имеет

ми­

нимум, соответствующий п—р-переходу (последнее подтверждено измерениями термо-э. д. с.).

По мнению некоторых авторов [460], область я-проводимости соответствует доминированию одно- и двухкратно ионизированных катионных вакансий, причем энергия образования последних оце­ нивается величиной 150 ккал/моль. Из данных работы [460] по изучению скорости окисления следует, что область р-проводимо- сти пятиокиси тантала соответствует растворению в ней избыточ­ ного кислорода с образованием фазы внедрения

Y 0 ^ 0 ^ 0 1 + 2К.

На основании этого можно сделать вывод, что в стехиометриче­ ской фазе Та205 доминируют дефекты типа Френкеля (O^lOi-f-

+ Ко)-

Однако сопоставление пикнометрической плотности нестехио­ метрического окисла Та204,7з (8,74 г/см3) с рентгенографической плотностью стехиометрической фазы (8,37 г/см3) свидетельствует в пользу образования фазы внедрения, причем вклад избыточных

206

атомов тантала

(в нестехиометрической

фазе составляет

0,11 г-атом Та на

1 моль ТагОб) в точности

соответствует разно­

сти пикнометрической и рентгеновской плотности [454]. Наиболее

примечательно,

что пятиокись с предельно

высоким дефицитом

кислорода

обладает

типичной металлической проводимостью

(электронная

плотность

независимо

от

температуры

равна

4,5-ІО20 см-3, что сопоставимо с плотностью

внедренных

атомов

тантала 1,25-ІО21 см~3) .

 

 

 

 

Рассмотрев возможные механизмы появления металлической

проводимости,

авторы

работы [454] отдают

предпочтение модели,

в соответствии

с которой

 

 

 

 

энергетические уровни до­

 

 

 

 

норных центров (внедрен­

 

 

 

 

ные атомы Tai) распола­

 

 

 

 

гаются

очень

близко

к

 

 

 

 

нижнему

краю

полосы

 

 

 

 

проводимости

и сконцен­

 

 

 

 

трированы настолько,

что

 

 

 

 

уровни

Ферми

оказыва­

 

 

 

 

ются внутри полосы про­

 

 

 

 

водимости.

 

Взаимное

 

 

 

 

экранирование

делокали­

 

 

 

 

зованных

электронов де­

 

 

 

 

лает невозможным их за­

 

 

 

 

хват

ионизированными

 

 

 

 

донорными центрами.

 

 

 

 

 

Система вольфрам —

 

 

 

 

кислород.

Диаграмма со­

Рис. 3.35. Диаграмма состояния системы воль­

стояния системы W—О,

фрам—кислород. I — W +W 02; II—W 02+ W 03;

характеризующая

равно­

I I I — WO2+W 20O58;

IV — WO2+W 18O49; V

весные

условия

образо­

W20O58+ W160 49; VI — W20O58 -r WO3;

VII

вания отдельных окисных

W +W 18O49;

VIII — \Ѵі8049-|-расплав;

IX

фаз,

представлена

на

\Ѵ2оС>58+расплав; X — \УОз+расплав

рис. 3.35 (461].

Сплошны­

 

 

 

 

ми линиями обозначены границы фазовых полей, а пунктиром ■— изобары кислорода, рассчитанные из данных [462]. Диаграмма не включает низшего окисла «W30», впервые полученного авторами работ [463, 464] и исследованного Хеггом и Шёнбергом [465]. По данным работ [463—465] «W30» имеет кубическую решетку с по­ стоянной а = 5,036 А (элементарная ячейка состоит из двух атомов кислорода и шести атомов вольфрама, распределенных беспоря­ дочно —■структура типа А15). Хегг и Шёнберг [465] считают, что окисел «W30» стабилен до 750° С, а выше этой температуры дис­ социирует с образованием W + WO2. Существование «W30» под­ тверждено при исследовании системы W—О методом гетерогенных равновесий [446], но отрицается в работах [461, 467]. Не исключе­ но, что окисел «W30» является низкотемпературной модификацией W(ß-W), стабилизированной кислородом [468].

207

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ