Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
503.doc
Скачиваний:
121
Добавлен:
30.04.2022
Размер:
10.81 Mб
Скачать

1.4. Проверка омических свойств контактов

После изготовления контактов металл - полупроводник проверяют их омические свойства. Проверку проводят, измеряя вольтамперные характеристики контактов при различных направлениях тока. Если вольтамперные характеристики имеют линейный характер, то контакты считаются омическими. Отступление от линейности свидетельствует о неомичности контактов. Чаще всего при небольших напряжениях, приложенных к контакту, вольтамперные характеристики имеют линейный характер, а отступление от линейности наблюдается при значительных напряжениях.

Изготовление омических контактов к полупроводникам

Полупроводник

Тип

проводимости

Материал

электрода

Способ

изготовления

контакта

Ge

п

р

Sn

Au + 0,01 Ga

Пайка с флюсом ZnCl2.

Пайка, сваривание.

Si

п

р

In + Ga + Al

Al+ Ga +B

Прижимные, напыление.

Пайка, точечная сварка.

GaAs

п

р

82% Ag + 18% Sn

6% In + Zn

Нагрев в атмосфере Н2 при 690 - 700С.

Вплавление в вакууме.

SiC

п

р

Si + P, Si + As

Ai + Si, B + Si

Вплавление в атмосфере аргона при 1500С.

Вплавление в атмосфере аргона при 1500 -2000С.

InP

p

In

Pt проволочка

Втирание с последующим вплавлением.

Вваривание искровым разрядом.

В случае нелинейности вольтамперной характеристики контактов следует определить эффективный коэффициент выпрямления переменного тока. Эффективный коэффициент выпрямления измеряют по схеме, представленной на рис. 1.2. При этом эффективный коэффициент рассчитывают по формуле

, (1.3)

где I – постоянная составляющая тока; U - падение напряжения на образце; r1 – омическое сопротивление генератора переменного тока; r2 – сопротивление микроамперметра постоянного тока; r3 – сопротивление исследуемого образца.

В схеме рис. 1.2 постоянная составляющая тока, возникающая благодаря некоторому выпрямлению на контактах, измеряется микроамперметром 2, а переменная составляющая проходит через емкость С, которая должна быть достаточно большой.

У казанный метод позволяет определять малые отклонения от линейности, которые невозможно обнаружить при измерениях вольтамперных характеристик.

Рис. 1.2. Схема для проверки выпрямляющего действия

контакта: 1 – генератор переменного тока;

2 – микроамперметр постоянного тока;

3 – вольтметр; 4 – исследуемый образец

2. ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

2.1. Особенности измерения удельной электрической

проводимости полупроводников

При исследовании электрических свойств полупроводников и производстве полупроводниковых приборов возникает необходимость в определении удельной электрической проводимости полупроводниковых материалов в виде слитков, образцов пластин, диффузионных и эпитаксиальных слоев.

Электропроводность - это перенос электрических зарядов в веществе под действием электрического поля. Удельная дифференциальная электропроводность определяется как

[Ом-1см-1], (2.1)

где - удельная электропроводность; j - плотность тока проводимости; E - напряженность электрического поля в веществе.

Удельная электропроводность и обратная ей величина удельное сопротивление являются важными характеристическими параметрами материалов электронной техники и, кроме того, их измеряют как вспомогательные величины при определении других параметров. Например, от величины удельного сопротивления металлических проводящих дорожек в интегральной схеме зависит рассеиваемая мощность и быстродействие всего устройства. Удельным сопротивлением полупроводниковых материалов определяются значения пробивных напряжений изготовленных на их основе р-n-переходов. Диэлектрические свойства изоляционных материалов являются определяющими при их использовании в изделиях электронной техники.

Большинство методов измерения удельной электропроводности полупроводниковых материалов основаны на определении падения напряжения на некотором участке образца, через который пропускается электрический ток. На контакте полупроводникового материала и металлического электрода при протекании электрического тока может возникать ряд физических эффектов и явлений, которые могут вносить существенную погрешность в результаты измерений и в некоторых случаях делать такие измерения невозможными. Наиболее важными из них являются:

- высокое переходное сопротивление контакта;

- инжекция неосновных носителей заряда контакта;

- эффект Пельтье, приводящий к возникновению градиента температуры на образце и соответствующей этому градиенту термоэдс;

- нагрев образца электрическим током, протекающим через образец.

Указанные явления необходимо учитывать не только при измерениях удельной проводимости, но и во всех других случаях, когда через измеряемый образец с металлическими контактами протекает электрический ток, следует стремиться к таким условиям эксперимента, чтобы влияние явлений было минимальным.

Наиболее простым методом определения удельного сопротивления является измерение сопротивления образца правильной геометрической формы с постоянным поперечным сечением. Однако для технологических целей этот метод не пригоден из-за трудоемкости подготовки образцов и невозможности контроля свойств материала в любой части слитка или пластины. Кроме того, определенное этим методом удельное сопротивление является усредненным по всему объему образца значением и истинным только для однородного образца. Для измерения удельного сопротивления полупроводников и диэлектриков наиболее часто применяются зондовые методы, которые позволяют избежать этих недостатков.

В производственной и лабораторной практике контроля физических параметров полупроводниковых материалов широко применяются методы измерения удельного сопротивления, как на постоянном, так и на переменном токе. Величина удельного сопротивления полупроводниковых слитков или пластин является одним из основных параметров, указываемых в сертификате полупроводникового материала. Кроме того, из температурной зависимости удельного сопротивления (или проводимости) можно определить ширину запрещенной зоны полупроводника, энергию ионизации примесных уровней, концентрацию примесей и другие параметры полупроводника.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]