- •Введение
- •1. Подготовка образцов к измерению
- •1.1. Методы создания образцов заданной геометрии
- •1.2. Контакты к образцам и требования к ним
- •1.3. Методы изготовления контактов
- •1.4. Проверка омических свойств контактов
- •2.2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.2.1. Электрическая схема и методика измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом
- •2.2.2. Поправочные коэффициенты четырехзондового метода измерения удельного сопротивления
- •2.2.3. Применение четырхзондового метода при измерении удельного сопротивления тонких слоев и тонких пластин
- •2.3. Двухзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.4. Однозондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.5. Измерение удельного сопротивления пластин произвольной формы (метод Ван дер Пау)
- •2.6. Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных пленок
- •2.7. Метод контроля удельного сопротивления измерением сопротивления растекания в точечном контакте
- •2.8. Бесконтактные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.1. Бесконтактные емкостные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.2. Бесконтактные индуктивные методы измерения удельного сопротивления
- •3. Гальваномагнитные методы измерения параметров полупроводников
- •3.1. Эффект Холла. Возможности исследования параметров полупроводников с помощью эффекта Холла
- •3.2. Побочные поперечные эффекты, сопутствующие эффекту Холла
- •3.3. Методы измерения эффекта Холла
- •3.3.1. Метод постоянного тока и постоянного магнитного поля
- •3.3.2. Одночастотные методы
- •3.3.3. Двухчастотные методы
- •6 ‑ Образец; 7 – амперметр
- •3.4. Образцы для измерения эффекта Холла
- •3.5. Измерение эффекта Холла методом Ван дер Пау
- •4. Оптические методы измерения параметров полупроводников
- •4.1. Типы оптического поглощения
- •4.2. Аппаратура для исследования оптических свойств полупроводников
- •4.2.1. Характеристики оптических приборов
- •4.2.2. Источники излучения
- •4.2.3. Приемники излучения
- •4.2.4. Особенности основных типов спектральных приборов
- •4.3. Общие сведения о молекулярных спектрах
- •4.4. Оптический метод определения концентрации примеси из спектров поглощения
- •4.5. Образцы для измерений и определение их коэффициента поглощения
- •5. Методы исследования электрофизических параметров эпитаксиальных пленок
- •5.1. Метод окрашивания шлифов
- •5.2. Интерференционный метод измерения толщины пленок
- •На сильнолегированной подложке
- •5.3. Эллипсометрия. Эллипсометрический метод измерения толщины пленок
- •Света от чистой поверхности полупроводника (а) и от полупроводника с эпитаксиальным слоем (б)
- •5.4. Определение толщины пленки по дефектам упаковки
- •6. Измерение параметров неравновесных носителей заряда
- •6.1. Параметры неравновесных носителей заряда
- •6.2. Методы измерения дрейфовой подвижности
- •6.3. Методы измерения времени жизни
- •6.3.1. Измерение времени жизни по фотоэлектромагнитному эффекту
- •6.3.2. Измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте
- •5 ‑ Осциллограф
- •7. Методы контроля структуры материалов твердотельной электроники
- •7.1. Методы электронной микроскопии
- •7.1.1. Растровая электронная микроскопия
- •В кремний от их энергии
- •7.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия
- •7.2. Методы рентгеновской спектроскопии
- •7.2.1. Методы рентгеновской топографии
- •7.2.2. Рентгеновский микроанализ
- •7.3. Методы электронной и ионной спектроскопии
- •7.3.1. Электронная спектроскопия для химического анализа (эсха)
- •Электрона в веществе от его энергии
- •7.3.2. Электронная оже-спектроскопия
- •7.3.3. Вторичная ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
1.4. Проверка омических свойств контактов
После изготовления контактов металл - полупроводник проверяют их омические свойства. Проверку проводят, измеряя вольтамперные характеристики контактов при различных направлениях тока. Если вольтамперные характеристики имеют линейный характер, то контакты считаются омическими. Отступление от линейности свидетельствует о неомичности контактов. Чаще всего при небольших напряжениях, приложенных к контакту, вольтамперные характеристики имеют линейный характер, а отступление от линейности наблюдается при значительных напряжениях.
Изготовление омических контактов к полупроводникам
Полупроводник |
Тип проводимости |
Материал электрода |
Способ изготовления контакта |
Ge
|
п
р |
Sn
Au + 0,01 Ga
|
Пайка с флюсом ZnCl2.
Пайка, сваривание. |
Si
|
п
р |
In + Ga + Al
Al+ Ga +B
|
Прижимные, напыление.
Пайка, точечная сварка. |
GaAs |
п
р |
82% Ag + 18% Sn
6% In + Zn
|
Нагрев в атмосфере Н2 при 690 - 700С.
Вплавление в вакууме.
|
SiC |
п
р
|
Si + P, Si + As
Ai + Si, B + Si |
Вплавление в атмосфере аргона при 1500С.
Вплавление в атмосфере аргона при 1500 -2000С. |
InP |
p
|
In
Pt проволочка
|
Втирание с последующим вплавлением.
Вваривание искровым разрядом. |
В случае нелинейности вольтамперной характеристики контактов следует определить эффективный коэффициент выпрямления переменного тока. Эффективный коэффициент выпрямления измеряют по схеме, представленной на рис. 1.2. При этом эффективный коэффициент рассчитывают по формуле
, (1.3)
где I – постоянная составляющая тока; U - падение напряжения на образце; r1 – омическое сопротивление генератора переменного тока; r2 – сопротивление микроамперметра постоянного тока; r3 – сопротивление исследуемого образца.
В схеме рис. 1.2 постоянная составляющая тока, возникающая благодаря некоторому выпрямлению на контактах, измеряется микроамперметром 2, а переменная составляющая проходит через емкость С, которая должна быть достаточно большой.
У казанный метод позволяет определять малые отклонения от линейности, которые невозможно обнаружить при измерениях вольтамперных характеристик.
Рис. 1.2. Схема для проверки выпрямляющего действия
контакта: 1 – генератор переменного тока;
2 – микроамперметр постоянного тока;
3 – вольтметр; 4 – исследуемый образец
2. ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ
ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
2.1. Особенности измерения удельной электрической
проводимости полупроводников
При исследовании электрических свойств полупроводников и производстве полупроводниковых приборов возникает необходимость в определении удельной электрической проводимости полупроводниковых материалов в виде слитков, образцов пластин, диффузионных и эпитаксиальных слоев.
Электропроводность - это перенос электрических зарядов в веществе под действием электрического поля. Удельная дифференциальная электропроводность определяется как
[Ом-1см-1], (2.1)
где - удельная электропроводность; j - плотность тока проводимости; E - напряженность электрического поля в веществе.
Удельная электропроводность и обратная ей величина удельное сопротивление являются важными характеристическими параметрами материалов электронной техники и, кроме того, их измеряют как вспомогательные величины при определении других параметров. Например, от величины удельного сопротивления металлических проводящих дорожек в интегральной схеме зависит рассеиваемая мощность и быстродействие всего устройства. Удельным сопротивлением полупроводниковых материалов определяются значения пробивных напряжений изготовленных на их основе р-n-переходов. Диэлектрические свойства изоляционных материалов являются определяющими при их использовании в изделиях электронной техники.
Большинство методов измерения удельной электропроводности полупроводниковых материалов основаны на определении падения напряжения на некотором участке образца, через который пропускается электрический ток. На контакте полупроводникового материала и металлического электрода при протекании электрического тока может возникать ряд физических эффектов и явлений, которые могут вносить существенную погрешность в результаты измерений и в некоторых случаях делать такие измерения невозможными. Наиболее важными из них являются:
- высокое переходное сопротивление контакта;
- инжекция неосновных носителей заряда контакта;
- эффект Пельтье, приводящий к возникновению градиента температуры на образце и соответствующей этому градиенту термоэдс;
- нагрев образца электрическим током, протекающим через образец.
Указанные явления необходимо учитывать не только при измерениях удельной проводимости, но и во всех других случаях, когда через измеряемый образец с металлическими контактами протекает электрический ток, следует стремиться к таким условиям эксперимента, чтобы влияние явлений было минимальным.
Наиболее простым методом определения удельного сопротивления является измерение сопротивления образца правильной геометрической формы с постоянным поперечным сечением. Однако для технологических целей этот метод не пригоден из-за трудоемкости подготовки образцов и невозможности контроля свойств материала в любой части слитка или пластины. Кроме того, определенное этим методом удельное сопротивление является усредненным по всему объему образца значением и истинным только для однородного образца. Для измерения удельного сопротивления полупроводников и диэлектриков наиболее часто применяются зондовые методы, которые позволяют избежать этих недостатков.
В производственной и лабораторной практике контроля физических параметров полупроводниковых материалов широко применяются методы измерения удельного сопротивления, как на постоянном, так и на переменном токе. Величина удельного сопротивления полупроводниковых слитков или пластин является одним из основных параметров, указываемых в сертификате полупроводникового материала. Кроме того, из температурной зависимости удельного сопротивления (или проводимости) можно определить ширину запрещенной зоны полупроводника, энергию ионизации примесных уровней, концентрацию примесей и другие параметры полупроводника.