- •Введение
- •1. Подготовка образцов к измерению
- •1.1. Методы создания образцов заданной геометрии
- •1.2. Контакты к образцам и требования к ним
- •1.3. Методы изготовления контактов
- •1.4. Проверка омических свойств контактов
- •2.2. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.2.1. Электрическая схема и методика измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом
- •2.2.2. Поправочные коэффициенты четырехзондового метода измерения удельного сопротивления
- •2.2.3. Применение четырхзондового метода при измерении удельного сопротивления тонких слоев и тонких пластин
- •2.3. Двухзондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.4. Однозондовый метод измерения удельного сопротивления
- •2.5. Измерение удельного сопротивления пластин произвольной формы (метод Ван дер Пау)
- •2.6. Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных пленок
- •2.7. Метод контроля удельного сопротивления измерением сопротивления растекания в точечном контакте
- •2.8. Бесконтактные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.1. Бесконтактные емкостные методы измерения удельного сопротивления
- •2.8.2. Бесконтактные индуктивные методы измерения удельного сопротивления
- •3. Гальваномагнитные методы измерения параметров полупроводников
- •3.1. Эффект Холла. Возможности исследования параметров полупроводников с помощью эффекта Холла
- •3.2. Побочные поперечные эффекты, сопутствующие эффекту Холла
- •3.3. Методы измерения эффекта Холла
- •3.3.1. Метод постоянного тока и постоянного магнитного поля
- •3.3.2. Одночастотные методы
- •3.3.3. Двухчастотные методы
- •6 ‑ Образец; 7 – амперметр
- •3.4. Образцы для измерения эффекта Холла
- •3.5. Измерение эффекта Холла методом Ван дер Пау
- •4. Оптические методы измерения параметров полупроводников
- •4.1. Типы оптического поглощения
- •4.2. Аппаратура для исследования оптических свойств полупроводников
- •4.2.1. Характеристики оптических приборов
- •4.2.2. Источники излучения
- •4.2.3. Приемники излучения
- •4.2.4. Особенности основных типов спектральных приборов
- •4.3. Общие сведения о молекулярных спектрах
- •4.4. Оптический метод определения концентрации примеси из спектров поглощения
- •4.5. Образцы для измерений и определение их коэффициента поглощения
- •5. Методы исследования электрофизических параметров эпитаксиальных пленок
- •5.1. Метод окрашивания шлифов
- •5.2. Интерференционный метод измерения толщины пленок
- •На сильнолегированной подложке
- •5.3. Эллипсометрия. Эллипсометрический метод измерения толщины пленок
- •Света от чистой поверхности полупроводника (а) и от полупроводника с эпитаксиальным слоем (б)
- •5.4. Определение толщины пленки по дефектам упаковки
- •6. Измерение параметров неравновесных носителей заряда
- •6.1. Параметры неравновесных носителей заряда
- •6.2. Методы измерения дрейфовой подвижности
- •6.3. Методы измерения времени жизни
- •6.3.1. Измерение времени жизни по фотоэлектромагнитному эффекту
- •6.3.2. Измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте
- •5 ‑ Осциллограф
- •7. Методы контроля структуры материалов твердотельной электроники
- •7.1. Методы электронной микроскопии
- •7.1.1. Растровая электронная микроскопия
- •В кремний от их энергии
- •7.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия
- •7.2. Методы рентгеновской спектроскопии
- •7.2.1. Методы рентгеновской топографии
- •7.2.2. Рентгеновский микроанализ
- •7.3. Методы электронной и ионной спектроскопии
- •7.3.1. Электронная спектроскопия для химического анализа (эсха)
- •Электрона в веществе от его энергии
- •7.3.2. Электронная оже-спектроскопия
- •7.3.3. Вторичная ионная масс-спектроскопия (вимс)
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
4.5. Образцы для измерений и определение их коэффициента поглощения
Предпосылкой для успешных исследований оптических свойств материала является правильное изготовление образцов. Процесс изготовления образцов обычно включает операции резки, шлифовки и полировки.
Образцы для оптических исследований часто вырезают из массивного монокристаллического слитка, предварительно определив его ориентацию. Размер образца должен превышать величину входной щели и для приведенных выше приборов быть не менее 10 20 мм2.
Шлифовка выполняется с целью получения заданной толщины образца и удаления возникающих при абразивной резке микротрещин. Наклеенный на держатель образец шлифуется последовательно на водных или масляных эмульсиях порошков абразива, диаметр зерен которых уменьшается. После каждой операции шлифовки образцы отмывают в мыльной воде и меняют шлифовальное стекло. Для предотвращения появления «завалов» на краях образцов при ручной шлифовке рядом с ними на подложку наклеивают по углам небольшие охранные осколки того же материала. Следует помнить, что качество шлифовки определяет время полировки образцов: чем меньше зерно порошка, использовавшегося последним, тем быстрее и лучше будет получено оптическое качество обрабатываемой поверхности.
Механическую полировку осуществляют на суконных или батистовых полировальниках, используя в качестве полирующего вещества алмазные пасты марок АСМ-2 и АСМ-0,5 последовательно. При ручной полировке движение образца по поверхности полировальника должно иметь форму восьмерки. Качество полированной поверхности оценивается по интерференционным полосам, образующимся при наложении на плоскость образца стеклянной пластинки. Качество поверхности может быть признано удовлетворительным, если расстояние между полосами зеленого цвета не меньше 3 – 4 мм. Грубым критерием удовлетворительной подготовки поверхности может служить внимательное изучение изображения отраженных предметов. При механической обработке образцов в поверхностном слое возникают механические напряжения, которые могут привести к искажению результатов. С целью удаления наклепанного слоя образцы травятся в полирующих травителях.
Для определения коэффициента поглощения вещества по данным измерений прозрачности необходимо приготовить два образца различной толщины d1 и d2 из одного и того же материала. Если d1 > 1 и d2 > 1, т.е. прозрачность того и другого образца t1 < 10 % и t2 < 10 %, то коэффициент поглощения исследуемого материала может быть вычислен по формуле
, (4.23)
где Ф1 и Ф2 – интенсивности пучка, прошедшего сквозь образцы толщиной d1 и d2 соответственно. Отношение Ф1/Ф2 получается путем записи дифференциального спектра пропускания, когда в измерительном канале устанавливается толстый образец, а в канале сравнения – тонкий. В том случае, когда в распоряжении экспериментатора находится единственный образец определенного состава, из которого два образца изготовить невозможно из-за его малых размеров, можно измерять прозрачность одного и того же образца, отшлифовывая его до определенных толщин d1 и d2.
Анализ формулы (4.20) для вычисления коэффициента поглощения (при t < 10 % и R = 35 %) показывает, что изменение прозрачности в 103 раз соответствует изменению всего в 6 раз, поэтому для исследования поглощения в широком интервале величин (например, в области фундаментального поглощения германия изменяется от 10–2 до 104 см–1) необходим набор образцов одного и того же материала с различными толщинами d. Относительная случайная ошибка в определении коэффициента поглощения описывается выражением
, (4.24)
включающим неточность в определении пропускания t и выбранного значения коэффициента отражения R. Анализ показывает, что погрешность резко возрастает как в случае «прозрачных» образцов, так и в случае образцов с малым пропусканием, а минимальная относительная погрешность имеет место при выполнении условия d 1.
В том случае, когда необходимо определить поглощение в образце известного вещества с определенным значением коэффициента отражения, пользуются формулой, справедливой для спектрального диапазона и вытекающей из (4.21)
. (4.25)