Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Поне Ю.П. Расчет и конструирование аппаратуры проводной связи учеб. для техникумов

.pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
17.56 Mб
Скачать

Рассмотрим, как влияет изменение величины индукции на потери в трансформаторе при неизменности его габаритов и мощ­ ности, снимаемой со вторичной обмотки.

Когда сердечник из магнитного материала находится в пере­ менном магнитном поле, то часть энергии этого поля рассеивается в сердечнике. Эти потери складываются из потерь на вихревые

токи и потерь

на гистерезис (перемагничивание). П о т е р и

н а

в и х р е в ы е

т о к и зависят от удельного сопротивления

ма­

териала сердечника и от частоты. Чтобы уменьшить их, сердеч­

 

 

 

 

ники

изготовляют

из

специальных

 

 

 

 

трансформаторных

сталей с большим

 

 

 

 

удельным

 

сопротивлением.

Кроме

 

 

 

 

того, учитывая, что чем выше ча­

 

 

 

 

стота, тем больше

потери

на

вихре­

 

 

 

 

вые

токи,

сердечники

трансфор­

 

 

 

 

маторов,

работающих

 

на

высоких

 

 

 

 

частотах,

собирают из

тонких пла­

 

 

 

 

стин,

изолированных

друг от друга.

 

 

 

 

П о т е р и

 

н а

г и с т е р е з и с

Рис. 8.12. Зависимость

потерь

пропорциональны

площади

кривой

Р в трансформаторе от величины

гистерезиса.

Величина

этих

потерь

индукции

Вт

 

зависит от индукции

в

сердечнике:

1 — потери

стали;

2 — потери

чем больше

индукция,

тем

больше

в меди; 3

суммарные

потери

потери.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Свойства материала оценивают у д е л ь н ы м и

 

п о т е р я м и

в с т а л и

Рс УД' которые представляют собой суммарные

потери

на вихревые токи и гистерезис при заданной частоте поля и вели­ чине индукции. Величина удельных потерь некоторых электро­ технических сталей была приведена в табл. 8- 5 для определенных значений индукции В, частоты f и толщины пластин.

Зависимость удельных потерь от индукции можно с достаточ­

ной

для практики

степенью точности представить выражением

 

 

 

 

Р с . у д

= аЯ* ,

(8.22)

где

а — числовой

коэффициент;

х = 2 ~- 3.

 

О б щ и е

п о т е р и

в стали

будут равны

 

 

 

 

 

Рс = Рс, mG

Вт,

(8.23)

где

G — масса

сердечника, кг.

 

 

 

 

Из этой формулы следует, что Рс

пропорциональны

Вх.

Зависимость потерь в стали Рс

от

индукции изображена на

рис. 8.12 кривой /.

 

 

 

 

 

При протекании тока

по обмоткам трансформатора часть под­

веденной к нему мощности рассеивается в виде тепла в проводе обмоток. Рассеиваемая в обмотках мощность (потери в меди) может быть определена по формуле

(8.24)

^п

210

где / — ток, текущий через обмотку, А; ч — сопротивление об­ мотки, Ом; р — удельное сопротивление провода, Ом-мм2 /м; / — длина провода обмотки, м; Sn— поперечное сечение провода обмотки, мм2 . Длину провода обмотки можно найти по формуле (8.20). Площадь поперечного сечения проводника обмотки

5 п = 4 г ,

(8.25)

где 5 0 — часть площади окна трансформатора, занимаемая медью обмотки; w — число витков обмоток. Подставляя значение / и Sn в формулу (8.24) и, учитывая, что w2 = nwx, после преобра­ зований получаем

 

 

 

 

Pu~w\.

 

(8.26)

Но из формулы

(8. 21)

следует,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(8.27)

Поэтому

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(8.28)

Зависимость

Р м

от Вт

изображена

на рис. 8.

12 кривой 2.

Суммарные потери в меди и стали магнитопровода

изображены

на рис. 8.12

кривой

3-

Существует такое

значение

индукции,

при котором потери в трансформаторе имеют минимальное зна­ чение.

Величина индукции, при которой потери имеют минимальное значение, зависит от свойств стали и частоты питающего напряже­ ния.С увеличением удельных потерь в стали или частоты возрастают суммарные потери в стали, и кривая / на рис. 8.12 располага­ ется левее, т. е. минимум потерь в трансформаторе наблюдается при меньшем значении индукции. Однако суммарные потери в ряде случаев не имеют существенного значения, важнее бывает создать трансформатор с минимальным нагревом обмотки.

Н а г р е в о б м о т к и зависит не только от суммарной мощности, рассеиваемой в трансформаторе, но и от распределения ее между сердечником и обмоткой, от условий теплоотдачи, от теплопроводности изоляционных материалов, от толщины на­ мотки и других факторов.

Поэтому значения индукции зависят и от размеров трансфор­ матора, которые в свою очередь связаны с мощностью, снимаемой со вторичных обмоток. Значениями индукции, при которых на­ грев обмоток минимален, и следует задаваться при проектирова­ нии трансформаторов.

Зависимость рекомендуемых значений Вт от суммарной мощ­ ности 2 Р2 для наиболее употребительной из электротехнических сталей (Э310) приведена на рис. 8.13.

14*

211

Выбор размеров магнитопровода. При заданных физических свойствах проводниковых и магнитных материалов и частоте тока

существует следующая взаимосвязь между размерами

трансформа­

тора (магнитопровода), снимаемой с трансформатора

мощностью

и

температурой

перегрева: если температура перегрева задана,

то

каждому из

типоразмеров магнитопроводов должна соответ-

10

20

50

100

200

500 2Рг,В-А

 

20

50 100

200

 

5001Рг,ВА

Рис. 8.13.

График

для

выбора

Рис. 8.14. Зависимость плотности

тока

индукции

Вт

в зависимости

от

/ от суммарной мощности трансформа­

суммарной

мощности трансфор­

тора ^ Р г >

снимаемой

со

вторичных

матора

^

Р 2 , снимаемой со вто­

 

 

 

обмоток

 

 

 

 

ричных

обмоток

при

50 Гц

 

1

— при / =

50

Гц; 2

— при

/

= 400 Гц

/ ~ штампованный магнитопровод;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 — витой

магнитопровод

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ствовать

вполне

определенная

м а к с и м а л ь н о

 

д о п у с ­

т и м а я

 

м о щ н о с т ь ,

снимаемая

со

вторичных

обмоток.

П л о т н о с т ь

т о к а

/

определяет

к. п. д.,

потери

в об­

мотках, внутреннее падение напряжения и размеры трансформа­ тора. Чем больше, плотность тока, тем меньше размеры трансфор­ матора, но ниже его к. п. д. и больше внутреннее падение на­ пряжения. При большой плотности тока может наступить недо­ пустимый перегрев трансформатора и будет наблюдаться большое

внутреннее падение

напряжения.

 

 

 

В маломощных

трансформаторах

плотность тока выбирают

с учетом

перегрева

обмотки

и внутреннего

падения

напряжения.

На

рис

8.14

изображены

кривые рекомендуемых

средних зна­

чений плотности тока в зависимости от ^

Р2,

при которых темпера­

тура

перегрева

не превышает 50° С.

 

 

 

Расчет числа витков обмотки. Магнитный поток, замыкающийся через магнитопровод и пронизывающий первичную и вторичную

обмотку, индуцирует в

них э. д. с. Е.

 

Для любой обмотки трансформатора справедливы

следующие

соотношения:

 

 

Е =

i,UfwScBm-10~8.

(8.29)

От напряжения Ulf подводимого к первичной обмотке, и от напряжения U2, снимаемого со вторичной обмотки, эти э. д. с отличаются на величину падения напряжения на обмотке. Для

212

первичной обмотки

£/х

= £ \ — 1ггх,

для вторичной и2

= Ег +

-\-I2rv

Обозначая lT

=

At/, получаем:

 

(8.30)

 

 

 

 

и г)'

 

 

 

 

 

A

U

 

 

 

 

£ 2

= L / 2

( l 4 A t /

 

 

 

 

 

 

 

) •!

 

 

Величина внутреннего падения AU зависит от плотности

тока

и размеров трансформатора,

т. е. от его мощности. На

рис.

8.15

изображена зависимость внутреннего падения напряжения, вы­

раженного

в

процентах к

номинальному

напряжению

обмотки,

от 5 J P 2 .

С

учетом выражений

iu/u,%

 

 

 

 

(8.30) число

витков любой обмотки

 

 

 

 

 

V

 

 

 

равно:

 

 

 

9

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ь

(8.31)

 

\

 

 

 

 

 

 

4№fBnSc

 

 

 

 

 

 

 

Значение коэффициента

k

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 8.7

 

 

 

 

 

 

 

 

При /,

Гц

 

 

 

 

 

 

 

 

50

400

 

 

 

f**0</r -

10—50

 

1,75

1,35

 

20

50

100 200

 

5001Р2,В-А

 

 

 

 

 

 

 

50—150

 

1,25

1,23

Рис. 8.15. Зависимость внутреннего

150—300

 

1,15

1,1

падения

напряжения

в

обмотках

 

трансформатора AU/U от его сум­

300—1000

1,14

1,07

 

марной

мощности

^

Р 2

Определение тока первичной обмотки. Для ориентировочного определения тока первичной обмотки следует пользоваться фор­ мулой

Л =

"'la'

(8.32)

 

где 1'\а — составляющая тока первичной обмотки, зависящая от токов вторичных обмоток; k — коэффициент, учитывающий уве­ личение тока вследствие потерь. Ориентировочные значения k приведены в табл. 8.7. Значения тока 1{а можно найти по выра­ жению

 

 

1 - ^ - 4 -

I

и„

(8.33)

у 1 а Ч

Ux

1 з и,

+

 

 

 

где / 2 , . . . , / „ — токи

вторичных

обмоток;

£/2 ,

, Un — на-

пряжение вторичных обмоток.

 

 

 

 

213

По найденному значению тока и выбранному значению плот­ ности тока можно определить диаметр провода для каждой об­ мотки.

d=

1,13 "[/" - у -

(8.34)

Значение d определится

в миллиметрах,

если ток I взят в ам­

перах, а плотность тока / — в амперах на квадратный милли­ метр.

Вслед за этим нужно подобрать марку провода, найти бли­ жайший выпускаемый промышленностью диаметр его и опреде­

лить диаметр провода в

изоляции, после чего можно

произвести

расчет размещения обмоток.

 

Тепловой режим трансформатора. Этот режим оценивают

температурой перегрева

катушки

 

 

At = t r - t 0 K p ,

(8.35)

где tr— температура нагрева обмоток трансформатора; tOKpтемпература окружающей среды. Поскольку температура пе­ регрева различна в различных точках катушки, оперируют не­ которой средней величиной At. В общем случае

 

A t =

,

(8.36)

где Р м + Рс

— сумма потерь в меди и стали, Вт; S — поверхность

теплоотдачи,

см2 ; k—коэффициент

теплоотдачи,

Вт/(см2 -град).

Поверхность теплоотдачи 5 является величиной постоянной для каждого типоразмера трансформатора и может быть вычислена по его геометрическим размерам. Коэффициент теплоотдачи k зависит от отделки поверхности трансформатора, от соотношения мощностей, рассеиваемых в обмотке и в сердечнике, и опреде­ ляет количество ватт, отдаваемых с единицы поверхности трансфор­ матора при перегреве на 1°С. Введем обозначение kS = kT, определяющее количество ватт, отдаваемых со всей поверхности трансформатора при перегреве на 1 ° С

Величину потерь в стали можно подсчитать по выражению (8.23), определяя значение Рс у д по кривой / рис. 8.12.

Величину потерь в меди для каждой обмотки при известном падении напряжения на обмотке AU можно определить, поль­ зуясь выражением

Ры=%1Аи,

(8.37)

где / — ток, протекающий через обмотки.

Если температура перегрева катушки At, определенная по выражению (8.36), окажется больше допустимой для использу­ емых материалов, то применяют более теплостойкие изоляцион­ ные материалы или же заново рассчитывают трансформатор, увеличив размер магнитопровода.

214

Таблица 8.8

Сравнение вариантов интегральных микроузлов, выполненных на базе твердых схем и тонких пленок

Вариант

 

Достоинства

 

 

Недостатки

исполнения

 

 

схемы

'

 

 

 

 

 

 

Тонкие

1.

Возможность

изго­

1.

Возможность изготовления толь­

пленки

товления термостабиль­

ко пассивных

элементов

 

ных

резисторов и

кон­

2.

Высокие

требования к поверх­

 

денсаторов с

жесткими

ности

подложки

 

допусками

 

 

3. Большие затраты труда при из­

 

2.

Малая

величина

готовлении гибридных схем с добавле­

 

помех

 

 

нием

навесных

элементов

3.Хороший теплоот-

вод

4.Потенциальная возможность полной автоматизации произ­ водства

Твердые

1.

Возможность

при­

1.

Трудности создания схем с допу­

схемы

менения отработанных

стимым разбросом

параметров

 

 

технологических

при­

2.

Невозможность

получения

емко­

 

емов

полупроводнико­

стей

больших

номиналов

 

 

вого

производства

 

3.

Наличие

паразитных связей меж­

 

 

 

 

ду элементами

 

 

 

 

 

 

 

4.

Низкая

температурная

устой­

 

 

 

 

чивость элементов

 

 

 

 

 

 

5.

Ограниченность размеров

крем­

 

 

 

 

ниевой подложки

 

 

боры) и г и б р и д н ы е п о л у п р о в о д н и к о в ы е с х е м ы , в,которых большая часть элементов выполнена методами полупро­ водниковой технологии, а часть элементов (обычно R или С) образована на поверхности полупроводников методами пленочной технологии.

На рис. 8.19 приведена классификация направлений миниа­ тюризации.

Когда в процессе конструирования электронной аппаратуры приходится решать вопрос о выборе того или другого метода микроминиатюризации, обычно руководствуются следующими кри­ териями оценки (в порядке их важности): надежность, техноло­ гичность, габариты, стоимость, приспособленность к конкретным

условиям

эксплуатации, ремонтопригодность.

Однако возможен

и другой

состав критериев и иной порядок

их расположения,

диктуемый требованиями, поставленными перед разработчиками, производственными возможностями и целым рядом привхо­ дящих обстоятельств.

217

§ 8.8. Интегральные схемы

Среди большого количества различных интегральных схем (ИС), выпускаемых в настоящее время промышленностью, наи­ более перспективны п о т е н ц и а л ь н ы е с х е м ы . Они весьма выгодны в производственном отношении, так как откры­ вают принципиальную возможность построения схем без ис­ пользования реактивных элементов (L и С), получение которых в виде достаточно малых по габаритам и надежных в эксплуатации составных частей монолитных ИС весьма затруднительно.

Рис. 8.20. Основные разновидности интегральных схем

Классификация. Потенциальные ИС можно классифицировать по нескольким признакам, но здесь мы ограничимся классифика­ цией лишь по одному, наиболее важному признаку, а именно, по виду компонентов, с помощью которых непосредственно выпол­ няются логические операции. В этом отношении различают схемы

с транзисторной

(сокращенно

ТЛ), диодно-транзисторной (ДТЛ)

и резисторно-транзисторной (РТЛ) логикой.

На рис. 8.20

приведены

простейшие варианты интегральных

схем. Количество входов в каждую ИС принято равным трем, хотя в действительности оно может меняться в широких пределах. Количество источников питания также сведено к минимуму для

каждой схемы.

подразделяются по виду связи

между

схемами

С х е м ы

с ТЛ

на следующие группы: а) схемы с непосредственными

связями

(НСТЛ), рис. 8.20, а; б) схемы с резисторными связями

(РСТЛ),

рис. 8.20, б; в) схемы с резисторно-конденсаторными

связями

(РКТЛ), рис. 8.20,

в.

 

 

 

 

По

виду

объединяемых

(связанных) электродов

транзисторов

схемы

с ТЛ

подразделяются

на следующие группы: а) схемы

со связанными коллекторами,

рис. 8.20, а,б,в\ схемы со

связан­

ными

эмиттерами (СЭТЛ),

рис.

8.20, г.

 

 

219

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ