3.Требования к отчёту

Отчёт по лабораторной работе должен быть представлен в распечатанном виде и в электронном варианте на дискете (диске). Распечатка отчёта должна включать:

• название и цель работы;

• определения равновесного и эффективного коэффициентов распределения примеси;

• значения равновесных коэффициентов распределения основных легирующих примесей в кремнии;

• значения коэффициентов диффузии основных легирующих примесей в расплаве кремния;

• формулу для расчёта распределения нелетучей примеси в кристалле после однократной зонной перекристаллизации однородно легированного исходного слитка;

• основные соотношения для расчёта распределения нелетучей примеси в кристалле после многократной зонной перекристаллизации;

• результаты исследования закономерностей однократной зонной перекристаллизации кремния, представленные в виде графиков, снабжённых подписями;

• результаты исследования закономерностей многократной зонной перекристаллизации кремния, представленные в виде графиков, снабжённых подписями;

• расчёт зависимости эффективного коэффициента распределения примеси от параметров процесса направленной кристаллизации;

• выводы по результатам исследования закономерностей зонной перекристаллизации кремния;

На диске в каталоге группы следует сохранить файл отчёта, а также mcd-файлы, содержащие результаты, полученные в ходе выполнения работы и подтверждающие сделанные в отчёте выводы.

4. Контрольные вопросы

4.1. Методы получения монокристаллов полупроводников из расплавов.

4.2. Упрощающие предположения, используемые при теоретическом описании процессов направленной кристаллизации.

4.3. Распределение нелетучей примеси в кристалле, полученном однократной зонной перекристаллизацией однородно легированного исходного слитка.

4.4. Методика расчёта распределения нелетучей примеси в кристалле после многократной зонной перекристаллизации.

4.5. Уравнение Бартона-Прима-Слихтера для эффективного коэффициента распределения примеси.

4.6. Распределение нелетучей примеси по длине кристалла, полученного при конечной скорости движения расплавленной зоны.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Термодинамические характеристики некоторых веществ системы Si-H-Cl, необходимые для вычислений по формулам пункта 1.4 /1/

Величина	Вещество
	H2	HCl	SiCl2	SiCl3	SiCl4	Si(тв.)
А1, ДжК-1моль-1	188,5198	248,7904	423,5267	517,84	591,6589	74,9243
А2, ДжК-1моль-1	22,6034	25,452	58,0401	82,8089	107,5418	23,698
А3, ДжК-1моль-1	0,0041769	-0,0003806	-0,003544	-0,006517	-0,0093095	-0,002175
А4, ДжК-1моль-1	-0,376	-0,07448	0,70837	1,32037	1,86307	0,54548
А5, ДжК-1моль-1	40,4892	39,6716	0,6233	1,2988	2,1092	16,525
А6, ДжК-1моль-1	-23,282	-27,973	-0,551	-1,148	-1,862	-
А7, ДжК-1моль-1	8,333	10,698	0,24	0,499	0,808	-
fH0(0), кДжмоль-1	0	-92,126	-163,200	-395,000	-660,078	0

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Значения равновесных коэффициентов распределения легирующих примесей в процессах кристаллизации кремния /2, с.94/

Примесь	К0	Примесь	К0	Примесь	К0
Sn	1.6е-2	Ga	8.0е-3	As	0.3
B	0.8	In	4.0е-4	Sb	2.3е-2
Al	2.0е-3	P	0.35	Bi	7.0е-2
Cu	4.0е-4	Au	2.5е-3	Zn	1.0е-5

Здесь Ае-N означает А·10^-N