- •Методические указания
- •Исследование процесса водородного восстановления кремния из тетрахлорида кремния методом численного
- •Теоретические сведения
- •1.1. Равновесный выход конденсирующегося элемента
- •1.2. Компонентный состав и базисные реакции в системе
- •1.4.Константа равновесия химической реакции.
- •1.4. Вычисление константы равновесия кр химической
- •1.5. Система уравнений химического равновесия
- •2. Лабораторные задания
- •3. Требования к отчёту
- •4. Контрольные вопросы
- •1.1. Методы получения монокристаллов из расплавов
- •1.2. Упрощающие предположения, принимаемые при теоретическом описании процессов направленной
- •1.3. Уравнения материального баланса примесного
- •1.4. Однократная зонная перекристаллизация
- •1.5. Многократная зонная перекристаллизация.
- •1.6. Механизмы переноса примеси в жидкой фазе
- •1.7. Уравнение Бартона– Прима – Слихтера для расчёта
- •1.8.Распределение нелетучей примеси по длине
- •2. Лабораторные задания
- •3.Требования к отчёту
- •4. Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
1.6. Механизмы переноса примеси в жидкой фазе
в процессах направленной кристаллизации.
Диффузионный пограничный слой
До сих пор рассматривался процесс направленной кристаллизации, протекающий в квазистатическом режиме, когда фронт кристаллизации перемещается с очень малой скоростью (в пределе с бесконечно малой скоростью). В реальных же условиях выращивания кремния и других полупроводниковых кристаллов фронт кристаллизации движется со скоростью ƒ 0.5÷1 мм/мин. Коэффициент диффузии электрически активных примесей в расплаве составляет величину D ~10-4÷10-5 см2/с. При этом, как показывают оценки, примесь не успевает распределиться равномерно в жидкой фазе за счет одной только диффузии. Ведущую роль в выравнивании концентрации легирующей примеси в основной массе расплава играет конвективное перемешивание. При выращивании кристаллов по методу Чохральского конвекция преимущественно вынужденная и определяется вращением кристалла или тигля, или тигля и кристалла одновременно. В процессах нормальной направленной кристаллизации выравнивание концентрации в ядре расплава происходит благодаря свободной конвекции. В процессе горизонтальной зонной перекристаллизации температура расплава в центре зоны больше, чем на фронте кристаллизации и плавления. Это приводит к возникновению в центральной части расплава потоков свободной конвекции, направленных вверх, а у фронтов кристаллизации и плавления – направленных вниз. При вертикальной бестигельной зонной плавке используется индукционный разогрев зоны. За счёт скин-эффекта внешние слои расплавленной зоны разогреваются сильнее внутренних. Поэтому конвективные потоки у внешней поверхности зоны направлены снизу вверх, а в центральной, более холодной части зоны потоки расплава направлены сверху вниз.
Однако, несмотря на интенсивное перемешивание в ядре расплава, вблизи фронта кристаллизации образуется гидродинамический пограничный слой, в пределах которого конвективное перемешивание становится неэффективным и полностью исчезает как у фронта кристаллизации, так и у фронта плавления. Поэтому ведущим механизмом переноса примеси у фронта кристаллизации является диффузия в расплаве. Вблизи фронта кристаллизации формируется диффузионный пограничный слой, в пределах которого концентрация легирующей примеси, по мере углубления в расплав, монотонно убывает (случай К0 < 1) и становится равной концентрации примеси в ядре расплава (рис. 7). Толщина диффузионного пограничного слоя зависит от гидродинамической обстановки в расплаве и меняется при изменении толщины гидродинамического пограничного слоя. Например, для метода Чохральского при плоском фронте кристаллизации и тигля = 0 толщину диффузионного пограничного слоя можно оценить по формуле
. (33)
а)
Рис. 7. Схема распределения концентрации легирующей примеси вблизи фронта направленной кристаллизации при конечной скорости его движения и К0 < 1
Здесь D – коэффициент диффузии легирующей примеси в расплаве (см2/с); – коэффициент кинематической вязкости расплава (см2/с); к – угловая скорость вращения кристалла (рад/с); коэффициент 1.6 – безразмерная величина. Размерность получаемого по формуле (33) значения δ – см.
Отметим существенное обстоятельство. Как показывают расчеты, толщина диффузионного пограничного слоя в методе Чохральского, в первом приближении, оказывается одинаковой во всех точках плоского фронта кристаллизации, т.е. не зависит от расстояния до оси вращения кристалла. Благодаря этому создаются почти одинаковые условия вхождения примеси в растущий кристалл по всему фронту кристаллизации.
Проведем оценку толщины диффузионного пограничного слоя по формуле (33). Для расплава кремния при Т ТПЛАВЛ кинематический коэффициент вязкости равен 10-3 см2/с, а коэффициент диффузии легирующих примесей D (10-310-5) см2/с. В соответствии с (33) при к 40 об/мин = 4.19 рад/с получаем (10-210-3) см.
В процессах нормальной направленной кристаллизации и зонной перекристаллизации с малыми объёмами расплава перемешивание путем естественной конвекции оказывается недостаточно интенсивным. В этих случаях толщина диффузионного пограничного слоя может достигать значения 10-1 см. При нагреве расплавленной зоны большого объёма токами высокой частоты естественно – конвективное перемешивание активизируется настолько, что толщина диффузионного пограничного слоя может уменьшаться до величины 10-3 см. В целом же следует признать, что толщина диффузионного пограничного слоя является параметром, трудно поддающимся теоретической и экспериментальной оценке и потому определяемым с большой погрешностью.