- •1.1. Зонна структура енергетичного спектра носіїв заряду
- •1.2. Локалізовані стани електронів і дірок у напівпровідниках
- •1.3. Енергетичний розподіл вільних носіїв заряду
- •1.4. Концентрації носіїв заряду
- •1.5. Нерівноважні носії заряду
- •1.6. Оптична генерація нерівноважних носіїв заряду
- •1.6.1. Оптичні константи та коефіцієнти
- •1.6.2. Основні типи поглинання світла
- •1.6.3. Визначення ширини забороненої зони
- •Контрольні запитання
- •Внутрішній фотоефект
- •2.2. Час життя нерівноважних носіїв заряду
- •2.3. Фотопровідність
- •2.4. Фоточутливість
- •2.5. Релаксація фотопровідності
- •2.6. Методи вимірювання стаціонарної фотопровідності
- •2.6.1. Методи з постійним освітленням
- •2.6.2. Метод із модульованим освітленням
- •2.6.3. Обчислення величини фотопровідності
- •Продиференціюємо вираз (2.57) по r, прирівняємо похідну du/dR до нуля і визначимо опір навантаження Rм, який відповідає максимальному сигналу uм:
- •2.7. Частотна залежність фотопровідності
- •2.8. Визначення часу життя і квантового виходу
- •Методом компенсації зсуву фаз
- •2.9. Вплив прилипання нерівноважних носіїв
- •2.9.1. Класифікація центрів захоплення
- •2.9.2. Типи рівнів прилипання
- •2.9.3. Вплив прилипання на фотопровідність
- •2.9.4. Вплив прилипання на фотопровідність у випадку
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
2.8. Визначення часу життя і квантового виходу
з частотної залежності фотопровідності
Прямокутна модуляція світла. У випадку симетричної прямокутної модуляції світла, коли тривалість світлового імпульсу t0 значно більша від часу життя нерівноважних носіїв заряду (t0 >> ), змінна складова фотопровідності рівна її стаціонарному значенню (~ = ст). Це дозволяє визначити час життя нерівноважних носіїв за формулою
. (2.90)
Ураховуючи, що при власному поглинанні світла квантовий вихід внутрішнього фотоефекту дорівнює одиниці, для визначення величини необхідно, окрім ~ , виміряти інтенсивність світла І, яке падає на поверхню напівпровідникового зразка, а також за допомогою інших досліджень визначити рухливість носіїв заряду та коефіцієнт поглинання . Оскільки ~ = еn~, то у випадку монополярної провідності для визначення можна використати співвідношення
. (2.91)
У цьому випадку для визначення необхідно виміряти величину n~ та інтенсивність світла І. Коефіцієнт для досліджуваного матеріалу визначають оптичними методами (див. п. 1.6.1).
Якщо тривалість світлових імпульсів значно менша від часу життя нерівноважних носіїв заряду (t0 << ), то, використовуючи вираз (2.81), значення можна визначити з експериментально побудованої залежності ~ від t0 або від частоти модуляції світла, яка дорівнює f = 1/2t0. Залежність ~(t0) будують у координатах ~/ст – t0/2 (або ~/ст – t0) (рис. 2.15). Урахуємо, що th(t0/2) t0/2 за умови
- 69 -
t0/2 << 1. Тоді для визначення до експериментальної кривої будують дотичну в точці t0 = 0 і продовжують її до перетину з прямою, проведеною паралельно до осі абсцис (осі часу) на відстані від неї, що дорівнює одиниці (~/ст = 1). З точки А перетину дотичної з даною прямою опускають перпендикуляр на вісь часу і знаходять значення t0/, яке задовольняє умову t0/2 = 1 (або t0 =2).
Рис. 2.15. Залежність фотопровідності напівпровідника від часу освітлення
Інший спосіб визначення з експериментально отриманої залежності ~/ст (t0) полягає в тому, що через точку осі ординат, яка дорівнює ~/ст = 0,76, проводять пряму, паралельну до осі абсцис. Із точки В перетину цієї прямої з експериментальною кривою опускають перпендикуляр на вісь абсцис, визначаючи значення , при якому виконується умова , оскільки th1 = 0,76. Тоді час життя дорівнює . В обох випадках отримують однакові значення величини за умови старанного виконання побудови експериментальної кривої ~/ст (t0).
Квантовий вихід внутрішнього фотоефекту можна визначити за значенням ~ при малій тривалості світлових імпульсів t0. При цьому використовують умову, що, як зазначено раніше, при t0 << гіперболічний тангенс можна замінити його аргументом . Тоді формулу (2.81) можна записати так:
- 70 -
. (2.92)
Звідси
. (2.93)
При малих значеннях t0 відношення (рис. 2.16). Кут утворений дотичною до кривої ~(t0), проведеної в точці t0 = 0. При малих значеннях t0 дотична до експериментальної кривої ~(t0) зливається з нею. Тому значення величини визначають за нахилом початкової прямолінійної ділянки залежності ~(t0).
Рис. 2.16. Початкова ділянка експериментально отриманої
залежності змінної складової фотопровідності
від тривалості світлового імпульсу
Зауважимо, що даний метод визначення величини можна використовувати лише у випадку лінійної рекомбінації, коли релаксація фотопровідності описується експоненційною залежністю і час життя нерівноважних носіїв заряду не змінюється в процесі релаксації.
Синусоїдна модуляція світла. Як зазначалось раніше (2.6), при синусоїдній модуляції між сигналом збудження (світлом) і змінною складовою фотопровідності виникає зсув фаз , який залежить від співвідношення між частотою модуляції f та часом життя нерівноважних носіїв заряду :
. (2.94)
- 71 -
Отже, для визначення необхідно виміряти при заданій частоті модуляції світла f. Найпростішим методом вимірювання зсуву фаз є метод компенсації, схема якого зображена на рис. 2.17. Синусоїдно-модульований світловий пучок ділиться за допомогою напівпрозорого дзеркала Дз на дві частини: одна частина падає на зразок Зр (або фотоопір), а інша – на безінерційний фотоприймач ФД.
Рис. 2.17. Принципова схема для визначення