книги из ГПНТБ / Микроминиатюризация высокочастотных радиоустройств
..pdf130
§
XD
СО
É4
ІЗ І
пшми диэлектрическими свойствами, малыш температурными из менениями параметров и высокой стабильностью во времени. В
тех случаях, когда необходимо получить высокое разрешение
элементов микросхемы, применяется сапфир (монокристалл окиси алюминия) . Сапфир допускает более тонкую обработку поверхно
сти .
Для изготовления СВЧ микросхем, работающих на сравни тельно высоких уровнях мощности сигнала, используют керамику на основе окиси бериллия, обладающую высокой теплопроводно стью (до 62% от теплопроводности м еди). Чистота бериллиевой керамики должна быть выше 99%. Примеси и пористость снижают теплопроводность. Недостатками бериллиевой керамики являются малое значение диэлектрической проницаемости и большая труд
ность обработки поверхности подложек до высоких классов ше роховатости.
Общим недостатком заготовок керамических подложек является грубый микрорельеф поверхности. Для улучшения состояния их поверхности применяется покрытие глазурью слоем толщиной в несколько десятков микрон.
Опытным путем установлено, что подложки из керамики о удельным объемным сопротивлением выше ІО ^ о м -см удовлетворяют требованиям применения на СВЧ. Диэлектрические потери в таких подложках меньше потерь в нанесенных на них проводящих плен к а х .
Керамические подложки находят применение в устройствах,
работающих при относительно высоких уровнях рассеиваемой те пловой мощности. Для маломощных микросхем используются более дешевые и менее трудоемкие в обработке подложки из боросилн-
132
катных стекол и ситалла.
Особые требования предъявляются к материалам подложек СВЧ микросхем, содержащим полосковые элементы. Основным требованием является наибольшая возможная величина диэлек трической постоянной и её однородность в пределах одной под ложки и в партиях подложек.
Так как всевозможные неровности на поверхности подложки
приводят к появлению электрических неоднородностей в линиях,
а также к коротким замыканиям конденсаторов микросхемы, тре буются высокие плоскостность поверхностей подложки и их чи стота.
Системы температурной компенсации микросхем значительно усложняют их конструкцию, поэтому стремятся применять подлож ки из материалов с малым температурным коэффициентом диэлек трической проницаемости, обеспечивая тем самым в определен ных температурных интервалах стабильность параметров СВЧ микросхем.
3 . ЗАЩИТА МИКРОСХЕМ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ
Микросхемы СВЧ устройств после напыления пассивных эле ментов, сборки и монтажа транзисторов и диодов необходимо защищать от неблагоприятных влияний таких внешних факторов,
как повышенная влажность, пыль, механические воздействия и д р .
Микросхемы, подвергающиеся в процѳосе эксплуатации ци клическому воздействию повышенной влажности порядка 98^ в
133
течение срока более 10 суток подлежат герметизации в |
корпу |
|
сах«, Для предварительной защиты микросхем при |
нахождении их |
|
в условиях повышенной влажности не более двух |
суток , |
рекомен |
дуется покрытие лаком У Р -2 3 І, образующим покрытие с |
хорошими |
электроизоляционными свойствами, устойчивое к воздействию влаги и минеральных кислот.
Возможно также использование для защиты микросхем на ча стотах до 250 МГц полимерных материалов, таких как компаунд М БК -І, полиизобутилен, полииэобутилен совместно с полиэтиле ном. Для придания конструкции узлов надлежащей механической прочности рекомендуется экранированные микросхемы заливать пенополиуретаном.
Для установления возможности применения перечисленных материалов для защиты ВЧ и СВЧ микросхем производилось по крытие высокочастотных гибридных пленочных усилительных ми кросхем , работающих в диапазоне частот 10-260 МГц, уретано вым лаком УР-23І и фторопластовым лаком ФП-525. Так, усили тельные микросхемы, работающие на частотах 10-100 МГц, по крывались лаком У Р -2 3 І. После сушки лакового покрытия рабо чая частота таких микросхем понижалась соответственно на О ,1 -0 ,8 $ . Например, рабочая частота трехкаскадного усилите
л я , имеющего две катушки индуктивности по 0 ,3 мкГн каждая диаметром 2 мм и высотой 2 мм, намотанные на ферритовом сер дечнике ВЧ -50, до покрытия лаком УР-23І была равна 43 МГЦ,
после нанесения лака средняя частота уменьшалась на 0,25??.
Лак ФП-525 наносился на микросхемы двухкаскадного уси лителя с рабочей частотой 130 МГЦ и однокаскадного усили
134
теля на частоту 260 МГц. После сушки лака уход частоты наз ванных микросхем составлял соответственно 0 ,4 $ и 0,6% . За метный уход частоты для усилителя 130 МГц объясняется нали чием у него двух резонансных систем со спиральными проволоч ными катушками индуктивности. В этом случае расстройка кон туров двухкаскадного усилителя за очёт увеличения паразитной емкости проявилась заметно сильнее, чем у однокаскадного.
На основе литературных сведений, проверенных эксперимен тально, можно рекомендовать:
1) для защиты микросхем, работающих на частотах І0-І00М Гц,
применение таких полимерных материалов, как компаунда М БК-І,
полиизобутилена, лаков УР-23І и ФП-525; 2) для защиты микросхем, работающих на частотах выше
100 МГц, применение защитного покрытия лаком ФП-525 и поли изобутиленом.
4 . ОСНОВНЫЕ ВОПРОСЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ ГИБРИДНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ВЧ УСТРОЙСТВ
При выборе конструктивного исполнения любого радиоэлектрон ного устройства приходится решать целый комплеко взаимосвязан ных задач, из которых основными являются вопросы обеспечения надлежащих функциональных, гёометрических и механических связей между отдельными схемными и конструктивными частями устройства.
Кроме того , конструкция должна обеспечивать нормальный тепло вой режим отдельных элементов и всего устройства в целом, за
щиту от дестабилизирующего и разрушающего действия внешних факторов, а такяе сведение к минимуму и стабилизацию паразит
135
ных параметров устройств.
При разработке устройств на микросхемах широко использу ется функционально-узловой и модульный принцип конструирова
ния. Электрическая схема сложного устройства разбивается на ряд функционально законченных частей . Конструктивно они вы полняются на отдельных подложках. Процесс расчленения электри ческой схемы является наиболее сложным при выработке общего конструктивного решения всего устройства. При этом придержи
ваются следующих рекомендаций:
а) линия расчленения электрической схемы должна происхо
дить в местах наименьших связей между функционально закончен ными частями схемы, например между каскадами усилителя без обратной связи;
б) отдельные части устройства должны рассеивать примерно
одинаковые мощности в пределах, допустимых для данного типо
размера |
микросхем; |
в) нельзя разделять элементы, находящиеся в прямой функцио |
|
нальной связи, например нагрузочный резистор в коллекторной |
|
цепи от |
транзистора; |
г) |
число внешних соединений между отдельными микросхемами |
должно быть минимальным;
д) при разработке общей схемы компоновки устройства и то пологических чертежей микросхем нужно стремиться к минималь ной длине соединений между микросхемами,в особенности в высо кочастотных и чувствительных к внешним полям цепях;
е) отдельные микросхемы должны располагаться на типовых подложках с размерами, позволяющими получить наилучшее ис
136
пользование площади общего основания в устройстве.
Тепловой режим радиоэлектронных устройств характеризует ся предельно допустимой рабочей температурой элементов схе мы и материалов. Предельная рабочая температура активных эле ментов (транзисторов, диодов) определяет рабочую температуру микросхем.
Ввиду малости воз,душных прослоек и высокой плотности раз мещения элементов можно считать распределение температуры в пленочной микросхеме равномерным и принимать во внимание лишь составляющую теплообмена за счёт теплопроводности элементов конструкции и , в первую очередь, подложки. Отвод тепла от микросхем и от воего устройства можно выполнить обычными ме тодами, используя контактный теплообмен и воздушное охлажде ние - естественное и принудительное.
Существенную роль в процессе теплообмена играет подложка микросхемы. Тепловое сопротивление подложек из стекол и боль шинства марок керамики составляет величины порядка 100-
300 град/Вт, что обусловливает разность температур I —^°С
между активными элементами и металлическим основанием, на котором крепится подлоика, при рассеиваемых транзисторами мощностях порядка 3-15 мВт.
Тепловое сопротивление подложки из бериллиевой керамики по сравнению со стеклянными на два порядка меньше, что дает возможность повысить уровень рассеиваемой мощности до деся тых долей и единиц ватта на транзистор. Использование под ложек из бериллиевой керамики б сочетании с общим корпусом-
радиатором позволяет реализовать в сравнительно малых объэ-
137
мах гибридные пленочные устройства с рассеиваемой мощностью порядна нескольких в атт .
Микротранзисторы в беокорпусном исполнении обычно приклеи ваются непосредственно к подложке из стекла, ситалла или кера мики. Рассеиваемая мощность ограничивается величинами І0-І5м Вт
на транзистор. В более мощных микросхемах при использовании • подложек из бериллиевой керамики и сапфира транзисторы также можно приклеивать к подложкам. При применении подложек из материалов с меньшей теплопроводностью мощные транзисторы при клеиваются непосредственно к металлическому корпусу-радиатору
с использованием клеев |
с наполнителями, повышающими тепло,-и, |
в необходимых случаях, |
электропроводность к л ея . В качестве на |
полнителей в таких клеях используются тонкодисперсные металли ческие порошки, графит, окись алюминия и окись бериллия.
Для защиты от воздействия внешних факторов микросхемы и устройства в целом заключаются в корпусы, выполненные из ме талла, пластм асс, стекла в сочетании с заливочными компаунда ми. Отдельные микросхемы, преимущественно модули общего при менения, имеют индивидуальные герметичные корпуса.
Существует несколько конструктивных разновидностей корпу со в . В основном это плоские корпуоа для микросхем без индук тивных элементов и с использованием бескорпусных транзиоторов.
Большинство высокочастотных микросхем с избирательными и ре зонансными свойствами содержит индуктивные элементы, кроме того имеются цепи, для которых желательно иметь минимальное значение емкости между корпусом. Такие микросхемы реализуют ся в корпусах объемного типа с увеличенными расстояниями меж
138
ду стенками. Как показали исследования, расстояние между стенкой корпуса и плоской спиральной катушкой индуктивности должно быть не менее половины её диаметра. Это требование приводит к увеличению размеров корпуса и к существенному ухудшению использования объема.
К увеличению объема и ухудшению компоновочных характери стик приводит и необходимость использования в устройствах таких объемных элементов, как кварцевые резонаторы, подстро ечные конденсаторы, высокочастотные разъемы и д р ., известные конструкции которых не приспособлены к применению их в микро электронных устройствах.
Некоторого улучшения компоновочных и других характеристик
34 гибридных пленочных устройств І/ІОШІО достигнуть, исполь зуя общий корпус для нескольких функционально связанных микросхем. Такоі-і корпус может выполнить также функции тепло отвода, для чего используемые объемы его служат для выполне ния радиаторов охлаждения. Один из вариантов конструкции корпуса представлен на рис. 5.2.
Корпус может быть выполнен фрезерованием из сплава ДЕ6Т с последующим покрытием из серебра. Для улучшения теплоизлуче ния наружная его поверхность покрывается черным матовым лаком.
В отсеке меньшего размера размещается пленочный гибридный усилитель мощности на частоте 260 МГц, который выполнен на ситэлловой подложке. Мощные бескорпусные транзисторы усилите ля приклеены непосредственно к корпусу, для чего на нем пре дусмотрена специальная площадка. В большем отсеке расположены
139
элементы кварцованного генератора. Микросхема генератора, квар цевый резонатор и подстроенный воздушный конденсатор закрепле ны на печатной коммутационной плате из фольгированного стекло текстолита. Пленочный генератор о навесными бескорпусными тран зисторами выполнен на ситалловой подложке. Кварцевый резона-
Р и с .5 .2 . Конструкция ВЧ устройства на гибридных пленочных микросхемах.
тор установлен на печатной плате с помощью пружинного держа тел я . С нижней стороны печатной платы закреплен миниатюрный подстроечный конденсатор с воздушным диэлектриком. Корпус закрывается сверху плоской крышкой, герметичность прилегания которой к корпусу обеспечивается тонкой прокладкой из резины,
не содержащей соединений серы.