- •. Измерительные задачи при определении моделей радиокомпонентов.
- •1.1. Структура элементной базы радиоэлектронных схем
- •1.2.1. Общие положения
- •1.2.2. Классификация моделей рк
- •1.2.3. Основные требования к моделям
- •1.2.4. Макромодели пассивных радиокомпонентов
- •1.2.5. Встроенные макромодели транзисторов
- •1.2.6. Макромодели, определяемые пользователем.
- •1.2.7. Макромодели операционных усилителей.
- •1.2.8. Факторные статистические модели многополюсных рк
- •1.3. Измерительные задачи
- •2. Алгоритмические методы измерения динамических параметров макромоделей многополюсных радиокомпонентов
- •2.1 Общие положения
- •2.2. Матрицы проводимости и сопротивления
- •2.2.1. Определение y- и z-матриц
- •2.2.2. Определение коэффициентов z и y матриц прямым способом.
- •2.3 Гибридные матрицы четырёхполюсника
- •2.4. Эквивалентная схема компонента.
- •2.5. Матрицы рассеяния
- •2.5.1. Определение s-матриц в свч диапазоне.
- •2.5.2. Измерение матриц рассеяния в схемах с конечными активными нагрузками.
- •2.4.3. Условия исключения систематических погрешностей при измерении s -матриц многополюсников в волноводных трактах.
- •2.6. Измерение y-параметров многополюсника с учетом паразитных параметров измерительных цепей.
- •2.6.1 Паразитные параметры в измерительных схемах с конечными нагрузками.
- •2.6.2. Определение y-матриц с учетом искажений
- •2.6.3 Идентификация падающих волн в измерительных схемах с паразитными параметрами
- •2.6.4 Следствие операции нормирования y- матрицы.
- •2.5.6 Способ полного исключения влияния входной цепи измерительного прибора на результаты измерений.
- •2.7. Калибровка измерительных цепей
- •2.7.1. Измерение динамических параметров двухполюсных элементов
- •2.7.2. Определение динамических параметров образцовых мер
- •2.7.3. Аттестация паразитных параметров контактно-соединительных
- •2.7.4. Корректировка -матриц по данным аттестации контактно-соединительных цепей.
- •2.8. Измерения в переменном базисе полюсных нагрузок
- •394026, Воронеж, Московский просп., 14.
2.5.2. Измерение матриц рассеяния в схемах с конечными активными нагрузками.
В работе [43] показано, что при использовании измерительной схемы рис.2.11 коэффициенты S-матрицы можно вычислить по данным измерения напряжения Úii и Úji, регистрируемых на входах многополюсника, например векторным вольтметром. Показано, что напряжение Úii с учетом нормирующего сопротивления Ri можно рассматривать как сумму падающей ai и отраженной bi волн, т.е.
(2.50)
Значение падающей волны согласно [44] может быть определено в результате измерения напряжения согласно схемы рис 2.12 и расчета по формуле
(2.51)
Отраженная волна bi может быть рассчитана по формуле
(2.52)
Подставляя формулы (2.50)-(2.52) в формулу (2.3), получаем
Sii = Úii / Úi – 1, (2.53)
Sji =Úji /Úi (Ri /Rj )½ . (2.54)
Чтобы вычислить нормированную матрицу проводимости, необходимо решить матричное уравнение (2.45). Денормирование Y-матрицы производится по следующим правилам. Диагональные коэффициенты ненормированной Y-матрицы определяются по формуле
Yii = YHii /Ri (2.55)
а недиагональные по формуле
Yji = YHji / (Ri /Rj)½ . (2.56)
Представим отношение полюсных напряжений к напряжениям, выражающим падающие волны в виде коэффициентов передачи напряжения от источников к многополюснику и от одного входа многополюсника к другому его входу для рис.2.11. В общем случае коэффициент передачи напряжения выражается формулой
Kji = Úji /Úi при i=1,n и j=1,n . (2.57)
Тогда с учетом выражений (2.53) и (2.54) получаем
Kii = Úii /Úi ; (2.58)
Kji = Úji /Úi . (2.59)
Очевидно, что нормированные полюсные коэффициенты передачи с учетом выражений (2.53) и (2.54) можно выразить в виде
KHii = Kii , (2.60)
KHji = Kji (Ri /Rj)½. (2.61)
Пусть нормированные полюсные коэффициенты передачи выражаются матрицей КH, а соответствующие им ненормированные - матрицей K.
Очевидно, что S-матрицу можно выразить через KH-матрицу, тогда диагональные коэффициенты S-матрицы могут быть вычислены по формуле
Sii = KHii –1, (2.62)
а недиагональные по формуле
S ji = KHji . (2.63)
Из формул (2.62) и (2.63) следует, что матричное уравнение, определяющее связь между матрицами S и KH имеет вид
S = KH – 1, (2.64 )
где 1 - единичная матрица.
Подставляя уравнение (2.64) в уравнение (2.45), после несложных преобразований получаем
YH = 2(KH)-1 –1, (2.65)
где (KH)-1 - матрица обратная к матрице KH;
2 - скаляр;
1 - единичная матрица.
Сравнивая матричные уравнения (2.45) и (2.65) приходим к выводу, что определение S-матрицы по формуле (2.65) существенным образом уменьшает объем вычислительных операций.