Раздел 3 Первое занятие

131

3. требуется небольшая expenditure энергии

4. в некоторых проявлениях полупроводники similar to диэлект­рикам

5. чистый кремний — poor проводник

6. атомы примеси substitute атомы полупроводника

7. проводимость poses трудности

8. иногда нужно to add примесь к полупроводникам

9. применение кремния is attributed to прекрасным качествам

10. сейчас it has been established, что присутствие кислорода мо­жет оказывать harmful и beneficial эффекты

11. окисление под давлением offers метод выращивания окислов кремния

12. the mask prevents от попадания ультрафиолетового излучения на покрытие

6. Переведите следующие слова. Обратите внимание на значения префиксов in— внутри, в-; out— вне-; еп— участвовать; inter— взаимодейство­вать.

in-: input п, inbuild v, inside a

out-: outbalance v, output n, outbreak n, outdated a

en-: enable v, enact v, encircle v, enclose v inter-: interaction n, interchange n, intercourse n

4. Учитесь слушать и говорить.

9. Просмотрите еще раз первую часть основного текста (I). Ответьте на вопро­сы, используя информацию текста.

1. What could you say about the manufacture of silicon microcircuits?

2. What is the physical nature of semiconductor materials?

3. When does the semiconductor material act as an insulator?

4. When does the semiconductor conduct?

5. What could you say about a crystal of pure silicon?

6. Why is conductivity one of the basic requirements imposed on materials?

7. Can you name one of the ways to improve conductivity?

8. What do we call impurities added to silicon?

9. What is a hole like?

Микроэлектроника настоящее и будущее

10. How do holes behave in the p-type region?

11. What could you say about oxidation?

12. Do we call epitaxial growth of crystals unique?

5. Учитесь аннотировать и реферировать.

9. а) Обобщите информацию, данную в первой части основного текста (I), на русском языке.

б) Сообщите, что вы узнали о полупроводниках, их проводимости, способах введения примесей, способах травления, пленках, окислении. Выполня­ется устно.

Домашнее задание

1. Повторите типы сказуемого в английском языке. Выполните упражнения.

2. Изучите слова и словосочетания первой части основного текста (I).

3. Переведите письменно со словарем вторую часть основного текста (II). (Вре­мя перевода — 60 минут.)

4. Кратко изложите содержание основного текста (письменно на английском языке). Объем вашего изложения — 10—12 простых предложений.

Внеаудиторная работа

1. Учитесь переводить.

9. Переведите, учитывая особенности перевода различных форм и типов сказу­емого:

1

1. Wfc are still learning how to exploit the potential of the integrated circuits.

2. Wfe are to leam how to exploit the potential of the integrated circuits.

3. Wfe are sure to learn how to exploit the potential of the integrated circuits.

4. Wfe are expected to leam how to exploit the potential of the inte­grated circuits.