- •2. Эл. Детектировать, выпрямлять detection л 1. Раскрытие, обнаружение; 2. Радио детектирование
- •Vacant а 1. Пустой; незаполненный;
- •2 Резонанс victory п победа
- •X rays п икс-лучи, рентгеновы лучи
- •Volve, point. Перевод слов с префиксами dis-, in-, ir-, un-, non-, mal-.
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Первое занятие
- •In reference to - относительно of reference — исходный, отсчет- ный; эталонный reference language — эталонный язык
- •Individual circuit chip — кристалл t малой степенью интеграции master chip — базовый кристалл microchip - микропроцессора бис
- •Раздел 1. Первое занятие
- •Раздел 1 Первое занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Раздел 1 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 1 Второе занятие
- •5. Учитесь говорить.
- •Третье занятие Контроль изученного материала
- •Раздел 1 Третье занятие
- •Раздел 1 Третье занятие
- •1.24. 1. Дайте определение типов интегральных схем.
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Перпое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2. Первое занятие
- •Раздел 2 Первое занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 2 Второе занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 2 Третье занятие
- •Раздел 3• Первое заня ие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3• Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Первое занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Второе занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Раздел 3 Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4 Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Раздел 4. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 4 Второе rm
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 4. Второе занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 4 Третье занятие
- •Раздел 4. Третье занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Раздел 5. Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 5 Второе занятие
- •Раздел 5. Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 5. Третье занятие
- •Раздел 5 Третье занятие
- •Первое занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Основной текст
- •Раздел 6. Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6. Перв. Е занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Первое занятие
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Второе занятие
- •Работа в аудитории
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Внеаудиторная работа
- •Раздел 6 Второе занятие
- •Третье занятие
- •Контроль изученного материала
- •Раздел 6 Третье занятие
- •Раздел 6. Третье занятие
- •127994, Москва, гсп-4, Неглинная ул , 29/14.
113
Проверьте,
как вы оперируете грамматическими
явлениями при переводе.
Переведите
предложения (устно), учитывая особенности
перевода правых определении:
From
the information available in the literature, CMOS chip under
consideration demands substantial design efforts.
Time
delays associated with interconnections made of different materials
have been considered.
The
proper choice of the material within the constraints (ограничение)
placed
by the fabrication technology existing can result in minimization
of the RC delay time.
The
area occupied by a MOS transistor can be made smaller by shortening
its channel width and length leading to a faster device.
Smaller
dimensions, larger chip size, and circuit innovations in question
all contribute to the progress of integration and the generation
of a larger number of components on a single chip.
The
long distance line voltage drop will increase with scaling
mentioned above.
Polysilicon
to be used meets all of the requirements addressed above.
Проверьте,
как вы умеете переводить.
Подготовьте
контрольный перевод основного текста.
Проверьте
свое умение говорить.
Подготовьте
сообщения по следующим темам:
Intrinsic
semiconductor properties.
Contributions
to the study of semiconductor physics.Раздел 2 Второе занятие
114
Микроэлектроника
настоящее и будущее ТРЕТЬЕ
ЗАНЯТИЕ
Контроль
перевода основного текста.
Выполняется
устно, выборочно.
Контроль
слов в словосочетаниях.
Выполняется
или устно, или письменно по выбору
преподавателя.
Контроль
умения выявлять значения слов с учетом
контекста.
Переведите,
выявляя контекстуальное значение
выделенных слов:
1
Aluminium
is the most problematic material to be used for metal lization in
maintaining
contact
stability.
A
lower
resistivity is required for maintaining
circuit
performance.
Use
of this self-test technique greatly simplifies field maintenance.
For
storage and retrieval of data in the bubble-memory, use is made of
a group of registers and counters for accurately maintaining
the
position of data.
Any
system must be designed to require less maintenance.
Preventive
maintenance
is
absolutely necessary.
2
This
entails turning
one
of the file processors into an input/output unit.
Today,
plants depend on carbon dioxide and water to survive. In turn,
they
produce organic matter.
Water
can
turn to
a solid.
Let
us now turn
to
ceramics.
At
the turn
of
the 18th century
nobody
knew
of
semiconductors.
3
Sometimes
the performance of the circuits can sulfer
from
tech' nological advancement.
The
systematic approach can anticipate
the
problems that will arise
in
future VLSI.Контроль изученного материала
115
The
average wire length can be estimated by a very useful statistical
formula.
Контроль
умения переводить с листа.
Текст
2.1 С
Переведите
текст
устно с листа. Озаглавьте текст. Значение
выделенных слов вы сможете понять из
контекста.
All
the components of the circuit must be fabricated
in a crystal of silicon or on the surface of the crystal. Silicon is
far from being ideal material for these functions and only modest
values of resistance and capacitance can be achieved. Practical
microelectronic inductors cannot be formed at all. On the other
hand, silicon is a material without equal for the fabrication of
transistors, and th tabundance
of these active components in microelectronic devices more than
compensates for the shortcom
ings
of the passive elements.
Текст
2.2
С
Переведите
текст письменно без словаря. Значение
выделенных слов вы сможете понять из
контекста.
Вариант
1 Materials
for Multilayer Interconnections
As
device dimensions are becoming increasingly smaller severe
requirements are being imposed
on the electrode material. The basic demand is conductivity because
it can substantially improve the resistances and delay times of the
electrical interconnections
lines used for VL1C structures.
Historically,
metals like aluminium and gold have been used in bipolar and MOS
IC’s. With the advent of silicon-gate MOS technology,
polysilicon has been extensively used to form gate electrodes and
^terconnections. Refractory
metals such as tungsten (W), molybde- num
(Mo), titanium (Ti), and tantalum (Та)
and
their silicides are receiving increased attention as a
replacement/
compliment
of polysilicon.Раздел 2 Третье занятие
116
Микроэлектроника
настоящее и будущее
Silicides
of W, Mo and Та
have
reasonably good compatibility
with
the IC fabrication technology. They have fairly high conductivity;
they can withstand all of the chemicals normally encountered
during
the fabrication process.
Вариант
2 Materials
Requirements
The
following are the general requirements for a material for
interconnects
and contacts: high electrical conductance, low ohmic contact
resistance, electro
migration,
stable contacts (with silicon and final metallization),
corrosion and oxidation resistance, high temperature stability,
strong adhesion characteristics.
One
of the primary considerations
is to obtain a material with high electrical conductivity and low
ohmic contact resistance. It should also have good electromigration
resistance anti be stable when in contact with silicon and/or oxide
and the final metallization.
These
parameters must be maintained throughout the high temperatures
encountered
during processing; i.e., to maintain their metallurgical
integrity.
This requires that the melting point of the materials used be much
higher than conventional
process temperatures.
Контроль
умения переводить письменно со словарем.
Текст
2.3 С
Переведите
текст письменно. Определите скорость
вашего перевода. Вам дается 20 минут. Major
Steps in the Growth of Computer Technology
The
first transistor developed was the junction transistor. Nearly all
transistors today are classed as junction transistors.
Throughout
the years there were developed new types of junction transistors
that performed better and were easier to construct. When first
introduced, the junction transistor was not called that; it was the
“cat’s whisker” used in the first radio receivers in the
1920s. Shockley and his crew resurrected (возродить)
it,
a mere imposing name sounded much