Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Kirichenko_Elektrichestvo_i_Magnetizm

.pdf
Скачиваний:
554
Добавлен:
03.06.2015
Размер:
15.55 Mб
Скачать

Е = 3 ( p r ) r -p r 2

QS\, Q =~Kpa3,

поскольку поля от каждого из шаров во внешнем пространстве совпа­ дают с полем точечного заряда. Величина же Я есть плечо такого диполя.

В соответствии со свойством вектора поляризации поверхностная плотность зарядов на поляризованном шаре (рис. 1.5.7) равна

-а = Рп = P c o s 0 .

Свяжем эту величину с электрическим полем внутри шара. Поскольку

Е =------4тгР ,то ег~

------3Еcos в (знак «—» учитывает тот факт, что внут-

3

4 я

ри шара поле Е направлено против вектора поляризации, что означает

£ < 0 ) .

1.5.8. Д и эл ек т р и ч еск и й ш а р в о д н о р о д н о м вн еш н ем эл ек т р и ч еск ом п о л е

Согласно теореме единственности электрическое поле однозначно определяется распределением свободных зарядов и значениями диэлек­ трической проницаемости во всех точках. Это означает, что если найти некоторое решение уравнений электростатики, удовлетворяющее всем граничным условиям, то это решение единственное. Применим сказан­ ное к следующей задаче.

Рис. 1.5.7. К расчёту поверхностной плотности зарядов на однородно поляризованном шаре

Пусть незаряженный шар радиуса а из вещества с диэлектрической Проницаемостью е внесён в однородное электрическое поле Е0. Требу­ ется найти поле внутри и вне шара.

Формально задача сводится к решению уравнения Лапласа для по­ тенциала Аср =0 с соответствующими граничными условиями на по-

нсрхности шара:

 

.0)

д<р,(0

д(р{

,(0

 

(1.5.20)

дг

 

 

дг

51

где индексы / н е указывают на области соответственно внутри и вне шара. Второе условие означает непрерывность компоненты Dn вектора электрической индукции на границе раздела сред.

Помимо сформулированных условий нужно учесть, что на беско­ нечности поле должно совпадать с исходным внешним полем Е0, кото­ рому соответствует потенциал щ =-Е 0г :

^Uoo=^o(r) =- Eor-

(1.5.21)

Решение сформулированной задачи может быть получено приме­ нением методов математической физики. Мы, однако, поступим иначе. Учтём, что шар поляризуется, в результате чего полное поле будет складываться из внешнего поля Е0 и поля, создаваемого поляризацион­ ными зарядами. Проверкой убедимся, что поле вида

ЕИ ,< а =Ео - ^ Р>Е(г)]г>д =Е0 +3(РГ)Г" Р?'2-,

г

(1.5.22)

pwL=Е« pwL

,

где р = 4ягя3Р/з, удовлетворяет необходимым требованиям.

Поле (1.5.22) представляет собой суперпозицию внешнего поля и поля однородно поляризованного шара с поляризацией Р. Это поле удовлетворяет уравнениям

divD = 0, rotE = 0,

поскольку внутри шара оно постоянно, а во внешней области совпадает с полем точечного диполя р, расположенного в центре шара и потому потенциально. Поэтому нужно; проверить выполнение граничных усло­ вий.

Из (1.5.22) видно, что на больших расстояниях от шара поле одно­ родное и совпадает с внешним полем Е0. Как и должно быть, поскольку поляризационные заряды не меняют поле на большом расстоянии от них.

На поверхности шара должны выполняться условия непрерывно­ сти составляющей напряжённости электрического поля, касательной к поверхности шара, а также непрерывности нормальной к поверхности шара составляющей индукции:

Et(0 =Et(e), D® =D%\

. (1.5.23)

где индексы i и е относятся соответственно к внутренней и внешней сторонам поверхности шара. Этот набор условий эквивалентен услови­ ям (1.5.20).

52

Используя обозначения рис. 1.5.8, можно увидеть, что с учётом выражений (1.5.22) граничные условия (1.5.23),

ЕР = > => |я0 - ^

p j sin 0 =

^ sin в,

■D® =Dn ] => ^ j +

y i ’j c o s * ^

cos в + ЗРСТ &-

удовяегворяются тождественно. Отсюда следует, что согласно теореме единственности формулы (1.5.22) дают решение поставленной задачи.

Рис. 1.5.8. К формулировке граничных условий на поверхности диэлектрического шара во внешнем поле Е0

Таким образом, поле внутри шара оказывается однородным. Най­ дём вектор поляризации шара, если известна диэлектрическая прони­ цаемость материала. Учтём, что по определению вектора индукции и диэлектрической проницаемости

Ю=Е+4жР => (£"-1)Е =4/гР.

Подставим сюда выражение для поля Е|г<а из (1.5.22):

(й--1)(К 0 - ^ Р ^ 4 ж Р ,

ИЛИ

-л 3 £—1

Атт з

з £—1

,л с ~ л\

Р =- ------- -Е0>Р “

^ Р =а3——Е0.

О-5*24)

\ к £ + 2

3

£ + 2

 

Наконец, подставляя найденное выражение для Р в формулу для

поля внутри шара, найдём

 

 

 

Е =ЕП—^ -Р =—-—Е0.

(1.5.25)

0 3

s+ 2

0

 

1.5.9. Д и эл ек т р и ч еск а я п р он и ц а ем ост ь га за и з м ет а л л и ч еск и х ш а ри ков

Найдём диэлектрическую проницаемость газа, образованного ме­ таллическими шариками радиуса а. Концентрацию шариков в газе п

считаем малой: паъ « 1 . Взаимодействием частиц газа пренебрегаем.

53

Как показано в разделе 1.2.3, каждый шарик во внешнем поле Е

приобретает дипольный

момент р =я3Е. Вектор

поляризации газа

Р =мр =паъЕ, а вектор

электрической индукции

D=Е + 4яР =еЕ.

Поэтому

 

 

 

£ =\ +4лпаъ.

 

1.6 .0 механизмах поляризации диэлектриков

Можно выделить два основных механизма поляризации.

1)Если молекулы вещества имеют собственный дипольный мо­ мент, то под действием внешнего поля эти элементарные диполи начи­ нают ориентироваться по направлению поля. Упорядочению препятст­ вует тепловое движение, стремящееся разориентироватъ диполи. Конкуренция таких факторов определяет поляризацию среды в зависи­ мости от величины приложенного поля и температуры. В данном случае говорят о веществе с ж ёсткими диполями или с полярными молекулами.

Квеществам такого типа относятся Н20, NH3, НС1, S02.

2)Если молекулы (атомы) среды не имеют собственного дипольного момента, то под действием внешнего поля заряды внутри молеку­ лы могут смещаться относительно друг друга, приводя к появлению дипольного момента. В этом случае говорят о веществе, составленном изупругих диполей, или о веществе с неполярными молекулами.

Кчислу таких веществ относятся N2, С 02, СН4, CCI4. К этому же типу относятся и вещества типа NaCl, кристаллическая решётка кото­ рых состоит из двух ионных подрешёток — Na и С1. В отсутствие поля подрешётки вдвинуты друг в друга, и вещество не обладает дипольным моментом. Однако под действием внешнего поля происходит смещение подрешёток, приводящее к появлению дипольного момента (поляриза­ ции среды).

Поляризация вещества может возникать не только под действием электрического поля. Если она возникает в результате создания механи­ ческих усилий, то вещество называют пъезоэлектриком. Это — кри­ сталлические вещества, состоящие из подрешёток ионов разных знаков

заряда. В таком веществе под действием внешних сил происходит отно­ сительное смещение подрешёток, что ведёт к появлению поляризации. Примером пьезоэлектрика является Si02.

Если поляризация возникает в результате нагрева твёрдого вещест­ ва, то.говорят о пироэлектриках.

Наконец, в некоторых веществах может самопроизвольно (спон­ танно) возникать поляризация, направление которой в общем случае

54

случайно. Такие вещества называются сегнетоэлектриками. Примера­ ми являются сегнетова соль КаКСфЕ^Об^НгО и титанат бария Ва№Оз. У этих веществ спонтанная поляризация возникает при температуре ниже некоторой характерной величины Тк, называемой температурой Кюри. При Т >ТК вещество ведёт себя как обычный диэлектрик с по­

лярными молекулами, причём поляризуемость зависит от температуры по закону Кюри—В ейсса

Возникновение спонтанной поляризации связано с взаимодействи­ ем молекул-диполей, приводящим к их взаимному ориентирующему действию: случайное усиление поля в каком-либо месте вещества при­ водит к тому, что другие молекулы-диполи начинают ориентироваться по направлению возникшего поля. Это приводит к усилению поля и к выстраиванию в том же направлении других молекул-диполей. Возник­ новению спонтанной поляризации препятствуют тепловые движения (колебания) молекул, стремящиеся разориентировать отдельные

ДИПОЛИ.

1.7.Электрическая ёмкость

1.7.1.Э л ек т р и ч еск а я ём к ост ь уед и н ён н ы х п р ов од н и к ов

Если проводник несёт заряд q, то его потенциал равен (р. Если за­ ряд увеличить в к раз, то в силу принципа суперпозиции в к раз увели­ чится и работа по перемещению пробного заряда в поле проводника от его поверхности на бесконечность. Это значит, что в к раз возрастёт и потенциал. Следовательно, отношение cpjq не зависит от заряда про­ водника и характеризует сам проводник. Соответственно полагают

C = q/(p, или q = C<p.

(1-7-1)

Введённая здесь величина С называется ёмкостью проводника. Для шара радиуса а имеем

ср = q js a => С = qjq> =га.

1.7.2. Ё м кост ь к о н д ен са т о р а

Рассмотрим систему двух проводников (рис. 1.7.1). Нанесём на один проводник заряд (-<?), а на другой — заряд (+q). Разность потен­

циалов проводников

А(р = <р+-<р_

.

пропорциональна заряду q. Соответственно ёмкость (точнее — взаим­ ная ёмкость) данной пары проводников определяется соотношением

55

С - q / Ар, или q =CA<p =C(<p+-<pJ).

Рис. 1.7.1. Конденсатор, составленный из +q двух проводников, заряженных одинако­ вым по величине, но противоположным

по знаку зарядом

1.7.3. Ё м кост ь п л о ск о го к о н д ен са т о р а

Плоский конденсат ор -— это две близко расположенные плоские металлические пластаны (рис. 1.7-2). Последнее означает, что поле внутри конденсатора однородное, а краевые эффекты (отклонения от однородности на краях конденсатора) слабо влияют на распределение зарядов и энергию, запасаемую в конденсаторе.

Если размеры пластин велики, то вне конденсатора поле практиче­ ски отсутствует, а внутри оно почти всюду однородное с напряжённо­ стью

Е =А л с г/ е

(по 2жсг/е от каждой пластины). Здесь s — диэлектрическая проницае­

мость среды в конденсаторе, а — поверхностная плотность зарядов, <T=q/S, S — площадь одной пластины конденсатора.

+9

Рис. 1.7.2. Плоский конденсатор

- я

Разность потенциалов пластин равна

А<р = tp+ - (р_ = [ Edx = Ed =^ ^ -d =

 

*

sS

Отсюда находим

 

 

с =

.

(1.7.2)

Аср

47td

 

1.7.4. Ё м кост ь сф ер и ч еск о го к о н д ен са т о р а

Сферический конденсат ор — это две концентрические проводя­ щие сферы, из которых одна несёт положительный зарад, а другая — такой же, но отрицательный заряд (рис. 1.7.3). Пространство между сфе­ рами заполнено диэлектриком (с диэлектрической проницаемостью е).

56

По теореме Гаусса поле вне такого конденсатора равно нулю, поскольку суммарный заряд системы равен нулю, а система сферически симмет­ рична.

Рис. 1.7.3. Сферический конденсатор

— система из двух концентрических металлических сфер

Пусть радиус внутренней сферы а внешней if2. Нанесём на внутреннюю сферу заряд (+q), а на внешнюю (-<?). Тогда между обклад­ ками такого конденсатора распределение потенциала при Щ< г < r2

даётся формулой <p(r) = q js r . Разность потенциалов между обкладками оказывается равной

А(р =<р+-<р_ = q q

 

sRx sR2

 

Отсюда находим ёмкость:

 

с=4 -=

(1.7.3)

А( р Л2 Ri

 

В частном случае, когда расстояние между поверхностями мало,

d =R2 - i?x «с R\,R2, полученная формула переходит в

формулу для

ёмкости плоского конденсатора. Действительно, в

этом пределе

R[R2 ~ R2 = 8/4ж, где S — площадь одной обкладки

конденсатора

(площади обкладок мало отличаются друг от друга). Соответственно, получаем С » sS/4nd.

1.7.5. Ё м кост ь ц и л и н д р и ч еск о го к о н д ен са т о р а

Цилиндрической конденсат ор — это система из двух коаксиальных проводящих цилиндрических оболочек, между которыми находится диэлектрик (рис. 1.7.4).

Пусть радиус внутренней обкладки конденсатора равен а, а внеш­ ней — Ь. Длина конденсатора 1. Нанесём на внутреннюю обкладку заряд (+q), а на внешнюю (-<?). Индукцию электрического поля в пространст­ ве между обкладками можно найти по теореме Гаусса, учитывая, что

поле направлено по радиусу:

 

<j) D(/S -- 4nq

П■2nrl 4nq > D —lq/rl.

тт .. „ D 2q

Напряженность поля Е =—=——, так что разность потенциалов между

£sr l

обкладками конденсатора оказывается равной

 

(-)

 

9+

f Edr =— In—.

 

J

s i a

(+)

Рис. _ 1,7.4. . Цилиндрический конденсатор — система из двух соосных металлических цилинд­ ров

Отсюда находим ёмкость:

С =-

s i

(1.7.4)

2 In (Ь/а)

А

 

Можно ввести ёмкость единицы длины конденсатора:

С

- С -

£

1

I

21п (Ь / а )'

. В частном случае, когда расстояние между обкладками конденса­ тора мало, d =b~ a< s.a,b, формула (1.7.4) переходит в формулу для ёмкости плоского конденсатора. Действительно, в пределе (b а)/ а<с 1

имеем

ьДЫ1+Ь^ *

Таким образом, находим

sa l

sS

s i

С

 

A nd’

2 In(ft/a) 2d

где S =2л al — площадь

боковой

поверхности (обкладки)

конденсатора.

 

 

1.7.6. Ё м кост ь си ст ем ы двух п р о в о д н и к о в

Найдём (взаимную) ёмкость системы из двух металлических тел (шаров), имеющих собственные ёмкости Q и С2 и находящихся на рас-

стоянии d друг от друга, считая d » С{, d » С2. Последнее означает,

что по отношению друг к другу шары могут считаться точечными. Нанесём заряд +q на шар ёмкостью С\ и заряд —q на шар ёмко­

стью С2. Запишем потенциалы шариков с учётом их взаимного влияния:

 

я

q

 

q

q

 

С,

T* <Р 2= -Т Г +^ -

 

d

 

 

 

Отсюда следует

 

 

 

 

 

^<Р =9\~<Рг=Ч

1

1

 

 

с,

 

 

 

 

 

 

Соответственно находим (взаимную) ёмкость системы:

С =-

1

 

CjC2

 

2С;С2 1

J __2^

Cj + с2

1-

А(р _1_

С -i 4- С т d

q

.С2,

d

 

 

 

В частном случае, когда проводники, образующие конденсатор, являют­ ся шарами радиусов соответственно R\ и R2, отсюда следует

Cj —i?x, С2 R2, С =

1- 2Д^ 2 1

^1+^2

i?l +i?2 fi? у

1.8.Энергия электрического поля

1.8.1.В за и м н а я эн ер ги я за р я д о в

Чтобы сблизить два заряда q\ и q2 до расстояния г12, нужно совер­

шить работу против сил поля А12 =

 

• Это значит, что рассматри­

ваемая пара зарядов обладает энергией

 

^12 =Ч\Чг!г\г • ..

Если имеется система зарядов

{qx, q2,

qn}, то их взаимная энергия

равна

 

 

 

U .. '^Jj4k_ _

1^

ЧЛк

к,

ik

2 i,£

 

i<k

 

i±k

В первом равенстве суммирование производится только по различным парам. Например, в случае системы трёх зарядов {ql , q2, <h) в сумму входят три слагаемых:

4\4i Ч\Яз ЧгЧз

'12

'13

'23

59

Во втором равенстве суммирование выполняется уже по всем парам, включая повторяющиеся. В примере системы трёх зарядов в сумму вхо­ дят шесть слагаемых:

fflg2

 

*?1?з

 

ЧгЧз

Ч3 Я2

9

3

9

1

 

9

г\2

Г2\

г13

Г31

Г23

Г32

Это привело к появлению коэффициента (1/2) перед знаком суммы. Поскольку потенциал поля в точке нахождения г-го заряда, созда­

ваемый всеми зарядами, кроме г-го, равен

то потенциальная энергия всей системы зарядов оказывается равной

(1.8.1)

(начало отсчёта потенциала выбрано в бесконечно удалённой точке, т.е.

плотностью р{г ) , а также по поверхностям — с поверхностной плотно­

стью сг(г), то вместо (1.8.1) дня энергии этой системы будем иметь вы­

ражение

(1.8.2)

V .

S

1.8.2. Примеры

При нахождении энергии системы зарядов следует иметь в виду, что энергии является функцией состояния и не зависит от того, в каком процессе это состояние получено.

1) Шар, равном ерно заряж енны й по поверхности

Пусть шар радиуса R несёт полный заряд Q, равномерно распреде­ лённый по поверхности. Для нахождения его энергии будем небольши­ ми порциями переносить заряд из бесконечности и высаживать на по­ верхности шара. Каждая новая порция перемещается в поле уже имеющихся на шаре зарядов. Если шар уже несёт заряд q, то при пере­ носе порции dq совершается работа против сил поля dA =dZJ =(pdq, где

(р =q/R — потенциал шара. Следовательно,

60

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]