Kirichenko_Elektrichestvo_i_Magnetizm
.pdfЕ = 3 ( p r ) r -p r 2 |
QS\, Q =~Kpa3, |
поскольку поля от каждого из шаров во внешнем пространстве совпа дают с полем точечного заряда. Величина же Я есть плечо такого диполя.
В соответствии со свойством вектора поляризации поверхностная плотность зарядов на поляризованном шаре (рис. 1.5.7) равна
-а = Рп = P c o s 0 .
Свяжем эту величину с электрическим полем внутри шара. Поскольку
Е =------4тгР ,то ег~ |
------3Еcos в (знак «—» учитывает тот факт, что внут- |
3 |
4 я |
ри шара поле Е направлено против вектора поляризации, что означает
£ < 0 ) .
1.5.8. Д и эл ек т р и ч еск и й ш а р в о д н о р о д н о м вн еш н ем эл ек т р и ч еск ом п о л е
Согласно теореме единственности электрическое поле однозначно определяется распределением свободных зарядов и значениями диэлек трической проницаемости во всех точках. Это означает, что если найти некоторое решение уравнений электростатики, удовлетворяющее всем граничным условиям, то это решение единственное. Применим сказан ное к следующей задаче.
Рис. 1.5.7. К расчёту поверхностной плотности зарядов на однородно поляризованном шаре
Пусть незаряженный шар радиуса а из вещества с диэлектрической Проницаемостью е внесён в однородное электрическое поле Е0. Требу ется найти поле внутри и вне шара.
Формально задача сводится к решению уравнения Лапласа для по тенциала Аср =0 с соответствующими граничными условиями на по-
нсрхности шара:
|
.0) |
д<р,(0 |
д(р{ |
,(0 |
|
(1.5.20) |
|
<Р |
дг |
||
|
|
дг |
51
где индексы / н е указывают на области соответственно внутри и вне шара. Второе условие означает непрерывность компоненты Dn вектора электрической индукции на границе раздела сред.
Помимо сформулированных условий нужно учесть, что на беско нечности поле должно совпадать с исходным внешним полем Е0, кото рому соответствует потенциал щ =-Е 0г :
^Uoo=^o(r) =- Eor- |
(1.5.21) |
Решение сформулированной задачи может быть получено приме нением методов математической физики. Мы, однако, поступим иначе. Учтём, что шар поляризуется, в результате чего полное поле будет складываться из внешнего поля Е0 и поля, создаваемого поляризацион ными зарядами. Проверкой убедимся, что поле вида
ЕИ ,< а =Ео - ^ Р>Е(г)]г>д =Е0 +3(РГ)Г" Р?'2-,
г |
■ (1.5.22) |
pwL=Е« pwL |
, |
где р = 4ягя3Р/з, удовлетворяет необходимым требованиям.
Поле (1.5.22) представляет собой суперпозицию внешнего поля и поля однородно поляризованного шара с поляризацией Р. Это поле удовлетворяет уравнениям
divD = 0, rotE = 0,
поскольку внутри шара оно постоянно, а во внешней области совпадает с полем точечного диполя р, расположенного в центре шара и потому потенциально. Поэтому нужно; проверить выполнение граничных усло вий.
Из (1.5.22) видно, что на больших расстояниях от шара поле одно родное и совпадает с внешним полем Е0. Как и должно быть, поскольку поляризационные заряды не меняют поле на большом расстоянии от них.
На поверхности шара должны выполняться условия непрерывно сти составляющей напряжённости электрического поля, касательной к поверхности шара, а также непрерывности нормальной к поверхности шара составляющей индукции:
Et(0 =Et(e), D® =D%\ |
. (1.5.23) |
где индексы i и е относятся соответственно к внутренней и внешней сторонам поверхности шара. Этот набор условий эквивалентен услови ям (1.5.20).
52
Используя обозначения рис. 1.5.8, можно увидеть, что с учётом выражений (1.5.22) граничные условия (1.5.23),
ЕР = > => |я0 - ^ |
p j sin 0 = |
^ sin в, |
■D® =Dn ] => ^ j + |
y i ’j c o s * ^ |
cos в + ЗРСТ &- |
удовяегворяются тождественно. Отсюда следует, что согласно теореме единственности формулы (1.5.22) дают решение поставленной задачи.
Рис. 1.5.8. К формулировке граничных условий на поверхности диэлектрического шара во внешнем поле Е0
Таким образом, поле внутри шара оказывается однородным. Най дём вектор поляризации шара, если известна диэлектрическая прони цаемость материала. Учтём, что по определению вектора индукции и диэлектрической проницаемости
Ю=Е+4жР => (£"-1)Е =4/гР.
Подставим сюда выражение для поля Е|г<а из (1.5.22):
(й--1)(К 0 - ^ Р ^ 4 ж Р ,
ИЛИ
-л 3 £—1 |
Атт з |
з £—1 |
,л с ~ л\ |
Р =- ------- -Е0>Р “ |
^ Р =а3——Е0. |
О-5*24) |
|
\ к £ + 2 |
3 |
£ + 2 |
|
Наконец, подставляя найденное выражение для Р в формулу для |
|||
поля внутри шара, найдём |
|
|
|
Е =ЕП—^ -Р =—-—Е0. |
(1.5.25) |
||
0 3 |
s+ 2 |
0 |
|
1.5.9. Д и эл ек т р и ч еск а я п р он и ц а ем ост ь га за и з м ет а л л и ч еск и х ш а ри ков
Найдём диэлектрическую проницаемость газа, образованного ме таллическими шариками радиуса а. Концентрацию шариков в газе п
считаем малой: паъ « 1 . Взаимодействием частиц газа пренебрегаем.
53
Как показано в разделе 1.2.3, каждый шарик во внешнем поле Е
приобретает дипольный |
момент р =я3Е. Вектор |
поляризации газа |
Р =мр =паъЕ, а вектор |
электрической индукции |
D=Е + 4яР =еЕ. |
Поэтому |
|
|
|
£ =\ +4лпаъ. |
|
1.6 .0 механизмах поляризации диэлектриков
Можно выделить два основных механизма поляризации.
1)Если молекулы вещества имеют собственный дипольный мо мент, то под действием внешнего поля эти элементарные диполи начи нают ориентироваться по направлению поля. Упорядочению препятст вует тепловое движение, стремящееся разориентироватъ диполи. Конкуренция таких факторов определяет поляризацию среды в зависи мости от величины приложенного поля и температуры. В данном случае говорят о веществе с ж ёсткими диполями или с полярными молекулами.
Квеществам такого типа относятся Н20, NH3, НС1, S02.
2)Если молекулы (атомы) среды не имеют собственного дипольного момента, то под действием внешнего поля заряды внутри молеку лы могут смещаться относительно друг друга, приводя к появлению дипольного момента. В этом случае говорят о веществе, составленном изупругих диполей, или о веществе с неполярными молекулами.
Кчислу таких веществ относятся N2, С 02, СН4, CCI4. К этому же типу относятся и вещества типа NaCl, кристаллическая решётка кото рых состоит из двух ионных подрешёток — Na и С1. В отсутствие поля подрешётки вдвинуты друг в друга, и вещество не обладает дипольным моментом. Однако под действием внешнего поля происходит смещение подрешёток, приводящее к появлению дипольного момента (поляриза ции среды).
Поляризация вещества может возникать не только под действием электрического поля. Если она возникает в результате создания механи ческих усилий, то вещество называют пъезоэлектриком. Это — кри сталлические вещества, состоящие из подрешёток ионов разных знаков
заряда. В таком веществе под действием внешних сил происходит отно сительное смещение подрешёток, что ведёт к появлению поляризации. Примером пьезоэлектрика является Si02.
Если поляризация возникает в результате нагрева твёрдого вещест ва, то.говорят о пироэлектриках.
Наконец, в некоторых веществах может самопроизвольно (спон танно) возникать поляризация, направление которой в общем случае
54
случайно. Такие вещества называются сегнетоэлектриками. Примера ми являются сегнетова соль КаКСфЕ^Об^НгО и титанат бария Ва№Оз. У этих веществ спонтанная поляризация возникает при температуре ниже некоторой характерной величины Тк, называемой температурой Кюри. При Т >ТК вещество ведёт себя как обычный диэлектрик с по
лярными молекулами, причём поляризуемость зависит от температуры по закону Кюри—В ейсса
Возникновение спонтанной поляризации связано с взаимодействи ем молекул-диполей, приводящим к их взаимному ориентирующему действию: случайное усиление поля в каком-либо месте вещества при водит к тому, что другие молекулы-диполи начинают ориентироваться по направлению возникшего поля. Это приводит к усилению поля и к выстраиванию в том же направлении других молекул-диполей. Возник новению спонтанной поляризации препятствуют тепловые движения (колебания) молекул, стремящиеся разориентировать отдельные
ДИПОЛИ.
1.7.Электрическая ёмкость
1.7.1.Э л ек т р и ч еск а я ём к ост ь уед и н ён н ы х п р ов од н и к ов
Если проводник несёт заряд q, то его потенциал равен (р. Если за ряд увеличить в к раз, то в силу принципа суперпозиции в к раз увели чится и работа по перемещению пробного заряда в поле проводника от его поверхности на бесконечность. Это значит, что в к раз возрастёт и потенциал. Следовательно, отношение cpjq не зависит от заряда про водника и характеризует сам проводник. Соответственно полагают
C = q/(p, или q = C<p. |
(1-7-1) |
Введённая здесь величина С называется ёмкостью проводника. Для шара радиуса а имеем
ср = q js a => С = qjq> =га.
1.7.2. Ё м кост ь к о н д ен са т о р а
Рассмотрим систему двух проводников (рис. 1.7.1). Нанесём на один проводник заряд (-<?), а на другой — заряд (+q). Разность потен
циалов проводников |
А(р = <р+-<р_ |
. |
пропорциональна заряду q. Соответственно ёмкость (точнее — взаим ная ёмкость) данной пары проводников определяется соотношением
55
С - q / Ар, или q =CA<p =C(<p+-<pJ).
Рис. 1.7.1. Конденсатор, составленный из +q двух проводников, заряженных одинако вым по величине, но противоположным
по знаку зарядом
1.7.3. Ё м кост ь п л о ск о го к о н д ен са т о р а
Плоский конденсат ор -— это две близко расположенные плоские металлические пластаны (рис. 1.7-2). Последнее означает, что поле внутри конденсатора однородное, а краевые эффекты (отклонения от однородности на краях конденсатора) слабо влияют на распределение зарядов и энергию, запасаемую в конденсаторе.
Если размеры пластин велики, то вне конденсатора поле практиче ски отсутствует, а внутри оно почти всюду однородное с напряжённо стью
Е =А л с г/ е
(по 2жсг/е от каждой пластины). Здесь s — диэлектрическая проницае
мость среды в конденсаторе, а — поверхностная плотность зарядов, <T=q/S, S — площадь одной пластины конденсатора.
+9
Рис. 1.7.2. Плоский конденсатор
- я
Разность потенциалов пластин равна
А<р = tp+ - (р_ = [ Edx = Ed =^ ^ -d = |
|
|
(О |
* |
sS |
Отсюда находим |
|
|
с = |
. |
(1.7.2) |
Аср |
47td |
|
1.7.4. Ё м кост ь сф ер и ч еск о го к о н д ен са т о р а
Сферический конденсат ор — это две концентрические проводя щие сферы, из которых одна несёт положительный зарад, а другая — такой же, но отрицательный заряд (рис. 1.7.3). Пространство между сфе рами заполнено диэлектриком (с диэлектрической проницаемостью е).
56
По теореме Гаусса поле вне такого конденсатора равно нулю, поскольку суммарный заряд системы равен нулю, а система сферически симмет рична.
Рис. 1.7.3. Сферический конденсатор
— система из двух концентрических металлических сфер
Пусть радиус внутренней сферы а внешней if2. Нанесём на внутреннюю сферу заряд (+q), а на внешнюю (-<?). Тогда между обклад ками такого конденсатора распределение потенциала при Щ< г < r2
даётся формулой <p(r) = q js r . Разность потенциалов между обкладками оказывается равной
А(р =<р+-<р_ = q q |
|
sRx sR2 |
|
Отсюда находим ёмкость: |
|
с=4 -= |
(1.7.3) |
А( р Л2 —Ri |
|
В частном случае, когда расстояние между поверхностями мало, |
|
d =R2 - i?x «с R\,R2, полученная формула переходит в |
формулу для |
ёмкости плоского конденсатора. Действительно, в |
этом пределе |
R[R2 ~ R2 = 8/4ж, где S — площадь одной обкладки |
конденсатора |
(площади обкладок мало отличаются друг от друга). Соответственно, получаем С » sS/4nd.
1.7.5. Ё м кост ь ц и л и н д р и ч еск о го к о н д ен са т о р а
Цилиндрической конденсат ор — это система из двух коаксиальных проводящих цилиндрических оболочек, между которыми находится диэлектрик (рис. 1.7.4).
Пусть радиус внутренней обкладки конденсатора равен а, а внеш ней — Ь. Длина конденсатора 1. Нанесём на внутреннюю обкладку заряд (+q), а на внешнюю (-<?). Индукцию электрического поля в пространст ве между обкладками можно найти по теореме Гаусса, учитывая, что
поле направлено по радиусу: |
|
<j) D(/S -- 4nq |
П■2nrl —4nq > D —lq/rl. |
тт .. „ D 2q
Напряженность поля Е =—=——, так что разность потенциалов между
£sr l
обкладками конденсатора оказывается равной
|
-ф |
(-) |
|
9+ |
— f Edr =— In—. |
||
|
J |
s i a |
(+)
Рис. _ 1,7.4. . Цилиндрический конденсатор — система из двух соосных металлических цилинд ров
Отсюда находим ёмкость:
С =- |
s i |
(1.7.4) |
|
2 In (Ь/а) |
|||
А (р |
|
Можно ввести ёмкость единицы длины конденсатора:
С |
- С - |
£ |
1 |
I |
21п (Ь / а )' |
. В частном случае, когда расстояние между обкладками конденса тора мало, d =b~ a< s.a,b, формула (1.7.4) переходит в формулу для ёмкости плоского конденсатора. Действительно, в пределе (b —а)/ а<с 1
имеем
ьДЫ1+Ь^ *
Таким образом, находим |
sa l |
sS |
s i |
||
С |
|
A nd’ |
2 In(ft/a) 2d |
||
где S =2л al — площадь |
боковой |
поверхности (обкладки) |
конденсатора. |
|
|
1.7.6. Ё м кост ь си ст ем ы двух п р о в о д н и к о в
Найдём (взаимную) ёмкость системы из двух металлических тел (шаров), имеющих собственные ёмкости Q и С2 и находящихся на рас-
стоянии d друг от друга, считая d » С{, d » С2. Последнее означает,
что по отношению друг к другу шары могут считаться точечными. Нанесём заряд +q на шар ёмкостью С\ и заряд —q на шар ёмко
стью С2. Запишем потенциалы шариков с учётом их взаимного влияния:
|
я |
q |
|
q |
q |
|
С, |
T* <Р 2= -Т Г +^ - |
|||
|
d |
|
|
|
|
Отсюда следует |
|
|
|
|
|
^<Р =9\~<Рг=Ч |
1 |
1 |
|
||
|
с, |
|
|||
|
|
|
|
|
|
Соответственно находим (взаимную) ёмкость системы: |
|||||
С =- |
1 |
|
CjC2 |
|
2С;С2 1 |
J __2^ |
Cj + с2 |
1- |
|||
А(р _1_ |
С -i 4- С т d |
||||
q |
.С2, |
d |
|
|
|
В частном случае, когда проводники, образующие конденсатор, являют ся шарами радиусов соответственно R\ и R2, отсюда следует
Cj —i?x, С2 —R2, С = |
1- 2Д^ 2 1 |
^1+^2 |
i?l +i?2 fi? у |
1.8.Энергия электрического поля
1.8.1.В за и м н а я эн ер ги я за р я д о в
Чтобы сблизить два заряда q\ и q2 до расстояния г12, нужно совер
шить работу против сил поля А12 = |
|
• Это значит, что рассматри |
|
ваемая пара зарядов обладает энергией |
|
||
^12 =Ч\Чг!г\г • .. |
|||
Если имеется система зарядов |
{qx, q2, |
qn}, то их взаимная энергия |
|
равна |
|
|
|
U .. '^Jj4k_ _ |
1^ |
ЧЛк |
|
к, |
ik |
2 i,£ |
|
i<k |
|
i±k |
В первом равенстве суммирование производится только по различным парам. Например, в случае системы трёх зарядов {ql , q2, <h) в сумму входят три слагаемых:
4\4i Ч\Яз ЧгЧз
'12 |
'13 |
'23 |
59
Во втором равенстве суммирование выполняется уже по всем парам, включая повторяющиеся. В примере системы трёх зарядов в сумму вхо дят шесть слагаемых:
fflg2 |
|
*?1?з |
|
ЧгЧз |
Ч3 Я2 |
9 |
3 |
9 |
1 |
|
9 |
г\2 |
Г2\ |
г13 |
Г31 |
Г23 |
Г32 |
Это привело к появлению коэффициента (1/2) перед знаком суммы. Поскольку потенциал поля в точке нахождения г-го заряда, созда
ваемый всеми зарядами, кроме г-го, равен
то потенциальная энергия всей системы зарядов оказывается равной
(1.8.1)
(начало отсчёта потенциала выбрано в бесконечно удалённой точке, т.е.
плотностью р{г ) , а также по поверхностям — с поверхностной плотно
стью сг(г), то вместо (1.8.1) дня энергии этой системы будем иметь вы
ражение
(1.8.2)
V . |
S |
1.8.2. Примеры
При нахождении энергии системы зарядов следует иметь в виду, что энергии является функцией состояния и не зависит от того, в каком процессе это состояние получено.
1) Шар, равном ерно заряж енны й по поверхности
Пусть шар радиуса R несёт полный заряд Q, равномерно распреде лённый по поверхности. Для нахождения его энергии будем небольши ми порциями переносить заряд из бесконечности и высаживать на по верхности шара. Каждая новая порция перемещается в поле уже имеющихся на шаре зарядов. Если шар уже несёт заряд q, то при пере носе порции dq совершается работа против сил поля dA =dZJ =(pdq, где
(р =q/R — потенциал шара. Следовательно,
60