книги из ГПНТБ / Важенина, З. П. Транзисторные генераторы импульсов миллисекундного диапазона
.pdfШеніія itèoHOBoft лампы: |
|
|
|
Um~ Uvt2 (^сті> |
(2.19) |
ГДе |
Uст1 = (^за>кі (^ст2 — (^гаш- |
|
Так как в ГПН миллисекундного диапазона на поле |
||
вых |
транзисторах длительность прямого хода |
в ІО4... |
... 10а раз больше длительности обратного хода, то с до статочной для практических расчетов точностью можно
считать, что ГПН |
по рис. 2.18,а генерирует |
импульсы |
с частотой |
f = / CT/HmC, |
(2.20) |
|
||
где /ст — ток стока |
полевого транзистора при |
напряже |
нии на затворе, равном нулю.
Частоту пилообразного напряжения можно регули
ровать изменением напряжения на затворе. |
При этом |
F = icAu*)/UmC, |
(2.21) |
где іст(н,ч) —ток стока полевого транзистора при напря
жении |
на затворе м3< 0 и |
|ы3|<|ео| для полевого тран |
|
зистора с управляющим |
р-п переходом |
с п каналом |
|
(н3> 0 |
и и3< е 0 для полевого транзистора |
с д-каналом). |
Рис. 2.18. ГПН с полевым транзистором в цепи заряда конденсатора:
а — схема с разрядом конденсатора через неоновую лампу: б — временная диаграмма; в — схема с нстоковым повторителем.
80
Коэффициент Нелинейности Определяется выражением
£= ДІстЛ'ст Н= (іСТН-- t 'c T к)Л'сТ н, |
(2.22) |
где іСТІі— начальное значение тока стока (ток стока при напряжении на стоке, равном f/CTl); іотк— конечное значение тока стока (ток стока при напряжении на сто ке, равном Нст2). Значения /ст п и і0тю входящие
в (2.22), определяются по выходной характеристике і'ст(^ст) при рабочем значении на затворе и3.
Врассмотренной схеме при подключении ннзкоомной нагрузки коэффициент нелинейности значительно возрас тает по сравнению с величиной, определенной по фор муле (2.22).
Всхеме рис. 2.18,в с истоковым повторителем [16] роль ключа Кл может выполнять неоновая лампа [1], двухбазовый диод, транзисторный эквивалент двухба зового диода (см. гл. 3) или любой другой переключаю щий элемент [43]. В этой схеме коэффициент нелинейно сти £ и частота автоколебаний F не зависят от величины нагрузки; коэффициент нелинейности значительно мень ше, чем в схеме на рис. 2.18,а, за счет введения в истоковую цепь резистора R1, осуществляющего отрицатель ную обратную связь по току; введение регулируемого
резистора R1 позволяет осуществлять регулировку ча стоты автоколебаний ГПН за счет изменения напряже ния на затворе относительно истока.
В случае выбора полевого транзистора типа КП102Е при измене нии напряжения на затворе от и3= 0 до ы3= + 1,2 В, ист от UСті = = —10 В до Uст2= —3 В (см. рис. 2.7) и при значении емкости кон денсатора С=0,05 мкФ в соответствии с формулами (2.20), (2.21) и (2.19) частота автоколебании изменяется от значения ЕМакс = 1 кГц до значения Дміш=0,14 кГц, т. е. при значении емкости конденсато ра С=0,05 мкФ обеспечивается регулировка периода на начальном участке миллисекундного диапазона: 7’ЫПп = 1 мс, Гыако= 7 мс. Верх нее значение периода миллисекундного диапазона (7=1000 мс) мо жет быть'обеспечено лишь при значении емкости С= 7 мкФ.
Схема ГПН второго рода с отрицательной обратной связью по напряжению изображена на рис. 2.19 [16]. Схема отличается от широко известной [2, 10, 21, 22, 31, 38, 52] лишь включением вместо биполярного транзи стора гибридной схемы, состоящей из полевого и бипо лярного транзистора. В качестве полевого транзистора используется транзистор, работающий в режиме обога щения (на рис. 2.19 изображен МДП-транзистор с ин-
6—484 |
81 |
|
Рис. |
2.19. Схема |
1*ПМ с отрица |
||
|
тельном |
обратной связью по на |
|||
|
|
|
пряжению. |
|
|
|
Аудированным |
каналом р- |
|||
|
гипа). |
Коэффициент |
нели |
||
|
нейности варианта схемы на |
||||
|
биполярном |
транзисторе |
|||
|
[52] равен |
|
|
||
|
|
l~gR/Ki=-R/ßRK, |
|
||
|
где g = І/Гвх — входная |
про |
|||
разрядный |
водимость транзистора; R — |
||||
резистор в базовой |
цепи транзистора. |
Для |
|||
получения |
£=^5% значение R берут не |
более |
20... |
||
...30 кОм. |
Для осуществления работы в миллисекунд |
ном диапазоне приходится брать-значительной величины емкость конденсатора С. При этом длительность обрат ного хода ГПН соизмерима или даже превышает дли тельность прямого хода, а габариты конденсатора не приемлемы для использования в гибридных интеграль ных схемах.
В ГПН, выполненном на полевом транзисторе, коэф фициент нелинейности определяется формулой
• £=1/(1+Яи). |
(2.23) |
Если ГПН с отрицательной обратной связью собран на одном полевом транзисторе, то значение KU= S R K\ при этом, если 5 = 5мА/В и RK = 2 кОм, то £»10%.
Если применить в ГПН гибридную схему, состоящую
из полевого и биполярного транзистора |
в соответствии |
с рис. 2.19, то значение Ки определится формулой |
|
Ки—SßRK. |
(2.24) |
В схеме рис. 2.19 даже в случае применения биполяр ного транзистора со значением ß = 10 величина коэффи циента нелинейности £<1%, а при значениях ß> 10 ве личина £< 1%.
82
3. Схемы мультивибраторов на транзисторном ЭДД с улучшенными характеристиками
3.1. Модификации простых схем мультивибраторов на ЭД Д
Из анализа, проведенного во введении, ясно, что для увеличения времязадающего сопротивления необходимо уменьшать влияние тепловых токов ЭДД на процесс за ряда конденсатора и на пороговое напряжение откры вания ЭДД; кроме того, следует добиваться возможно более полной компенсации температурного дрейфа поро говых напряжений транзисторов ЭДД. В настоящей гла ве рассмотрены схемы, с помощью которых эти проблемы решаются простыми способами.
На рис. 3.1,а изображена модифицированная схема автоколебательного мультивибратора на ЭДД с улуч шенными характеристиками. Здесь на входе ЭДД вклю чен высокоомный кремниевый диод Д1, позволяющий, как видно из нагрузочных характеристик (рис. 3.1,6), значительно уменьшить входной ток утечки ЭДД, так как /обр</аоі. Между базой и эмиттером транзистора Т2 включен резистор R3, выбираемый из условия
2І(/„о . макс“(-/н02 макс) |
~ еог/2/ко макс» |
(3.1) |
где /цоі макс**/„02 макс= /ко макс максимальные для |
дан |
|
ного типа транзисторов значения |
тока До при наивыс |
шей рабочей температуре. Включение резистора R3 обес печивает запирание транзистора Т2 при выключенном ЭДД, так как напряжение UблгзОог. Коллекторный ток транзистора Т2 при выключенном ЭДД становится рав ным /к2о~/„о2, т. е. гораздо меньше, чем в исходной схе ме, где /к 2 о = ^ м з /к о і+ (Р м з + 1 )/к о 2 - Вследствие этого
ослабляется влияние теплового тока выключенного ЭДД /по = /коі + /ко2 на пороговое напряжение открывания
ЭДД.
Включение резистора R3 накладывает ограничение на величину зарядного сопротивления R. Ток Д ар мин дол
жен обеспечивать возбуждение ЭДД во всем рабочем диапазоне температур, т. е. и при /комші'С/комаксПоэтог му ток Дар мин должен создавать на резисторе R3 на
пряжение /Дэ 2в —/ківДз—СЧвДар мин/Дг^богОтсюда |
ПОЛу- |
чаем |
(3.2) |
Д ар іш ш ^ ^ о г ф ів - !- 1 )/р ід /Д . |
|
6* |
83 |
Рис. 3.1. Автоколебательный мультивибратор на ЭДД с улучшенны ми характеристиками:
а — схема; |
б — нагрузочная характеристика транзистора |
77; в — временная |
диаграмма |
ис при различных температурах; г — временная |
диаграмма ис при |
синхронизации положительными импульсами; д — временная диаграмма ис при синхронизации отрицательными импульсами.
Принимая /зармішяі-Б(1—t\)fR и учитывая (3.1), по лучаем
R <13ів£ ( 1 —Т)) /2 (Рів+1)/к0 макс- |
(3-3) |
Транзистор ТЗ и диод Ц2 установлены в схеме для компенсации температурного дрейфа пороговых напря жений открывания транзистора 77 и диода Д1. Напря жение открывания ЭДД в этом случае меньше напря жения, сформированного делителем RiRz, на величину падения напряжения на переходе эмиттер — база тран
84
зистора ТЗ и на диоде Д2((Уд0). В то же время конден сатор должен быть заряжен до напряжения UCB, превы шающего порог открывания ЭДД на величину порого вых напряжений открывания транзистора Т1 и диода Д /. Вычитаемое и прибавляемое напряжения не одинаковы, но очень близки, а изменения этих напряжений под влиянием температуры практически равны и противопо ложны по знаку.
Для компенсации остаточного напряжения на конден саторе, которое в рассматриваемой схеме возрастает на
величину Uдо, к делителю RiRz добавлена |
цепочка из |
включенных последовательно с резистором |
R2 диодов |
ДЗ, Д4 и насыщенного транзистора Т4. |
Насыщение |
транзистора Т4 обеспечивается выбором сопротивления
резистора R5^f>mm{Ri+R2 ) ■
Эффект совместного действия цепей компенсации тем пературного дрейфа пороговых напряжений демонстри руется рис. 3.1,в. Здесь сплошная кривая соответствует температуре f 1, при которой остаточное напряжение и
напряжение возбуждения . ЭДД равны соответственно Дггн и Ucві. При повышении температуры до значения t°z указанные напряжения понижаются до UcН2 и Ucв2 в та
кой пропорции, что длительность промежутка между
импульсами остается неизменной (tDl— tnZ= x ) . |
схеме |
Остаточное напряжение в модифицированной |
|
равно |
|
U'a= иови+ Д,ІЭИ+ Ддо= До+ {/до, |
(3-4) |
а температурное изменение его At/'o~2,l Д/Уд0. Напряже ние в средней точке делителя составляет
тj |
__ (Е |
2t/до |
t/цэд) /?а |
I |
|
|
|
|
F~~ |
іЯ . + Л |
^ |
|
|
||
+ (2Дд„ + |
Дкэн) = |
+ (2і/д. + |
и кэа) (1 - |
7,). |
(3.5) |
||
С учетом теплового |
тока |
ЭДД |
(равного |
в |
данном |
||
случае / по ~2/і;о), а также напряжений |
на транзисторе |
||||||
ТЗ и диоде Д2 найдем |
|
|
|
|
|
|
|
Uпых п ~ Uу-- ДдО—2/цо/?4 |
|е0| — |
|
|
||||
= Дг| + (2б/д0+t/цаи) (l'—Т])—Ддо |
I во]—2/доДі- |
(3.6) |
|||||
Напряжение на конденсаторе в момент возбуждения |
|||||||
ЭДД определяется величиной |
|
|
|
|
|
||
Дсв= Двыхп-)-ДдО+ I £о| = |
|
|
|
||||
= Е ц + (2Дд0+ UKm) (1—т))—2/«oRi. |
|
(3.7) |
85
Влияние обратного тока /0ср диода Д1 на процесс за ряда конденсатора учтем, включив параллельно рези
стору R сопротивление R0бр- |
конденсатора |
равна |
|||||
Постоянная времени заряда |
|||||||
|
т' = СДДобР/ {R+RoGp), |
|
|
(3.8) |
|||
а напряжение на конденсаторе определяется |
|
выраже |
|||||
нием |
ua(t) = |
E - ( E - U ' 0) e - ih'. |
|
|
(3.9) |
||
|
|
|
|||||
Возбуждение ЭДД произойдет в момент ta при на |
|||||||
пряжении |
|
|
|
|
|
|
|
|
Псв = Пвых п+ Ндо+ I во\ = |
|
|
|
|||
|
= Ец+ (2Пдо+Дэкн) (1—г))—2IKoRi. |
|
(3.10) |
||||
Подставляя (3.10) в (3.9), находим |
|
|
|
||||
г/ |
______________ E — U„ — Uдо_____________ |
■ |
/о г п |
||||
1П |
£ (1 -•» !)-(2£/ді + |
|
(1-ч)+2/к,Л* |
|
|||
Считая в рабочем |
диапазоне |
температур, |
что |
Е^> |
|||
> (Н„ + |
Ндо) и E ( \ - j ) ^ ( 2 U M + |
UaKK)(\ — ті) — 2 /ко/?4, |
|||||
можем написать выражение (3.11) |
иначе: |
|
|
|
|||
|
U |
In |
1 |
|
|
|
|
|
— л |
|
|
|
|||
и 0 (1 - |
Ч) + t/до (1■- л ) |
- 2^»о (1 ■- ^1) - ^ 0НН (1 ■-Т |) + |
2 /„ Л , |
_ |
|||
|
|
£(1--г)} |
|
|
|
|
|
|
|
■ |
2/,./?♦ ' |
|
|
(3.12) |
|
|
|
In 1 - 7 , |
£ ( 1 - 7 ) ) |
|
|
Учитывая, что согласно (3.3) при максимальной тем пературе /?обр>Дмакс (при + 100°С имеем Добр=ЮМОм и /?мако=100 кОм), можем при нормальной температуре пренебречь влиянием Добр на %' и считать
tmi~ T W /(І-Ч))}. |
(3.13) |
|
При а-) = т)опт = 1 —(1/е)—0,63 |
получим вместо |
(3.12) и |
(3.13) соответственно |
|
|
~1 — |
5-4-4^о/?4j, |
(3.14) |
Іпа ~ |
T' |
(3.15) |
Изменение температуры от tx до t2 вызовет |
изменение |
86
д л и т е л ь н о с т и и а у зы на в ел и ч и н у |
|
|
||||
Д*п ~ RC |
|
R |
, |
5,44Д /КЛ |
(3 .16) |
|
Л’оби ЫПВ |
|
|
||||
|
|
|
|
|
||
ГДе А /ко :== / к0 ^2 |
I кО ^1’ |
^ об р мим : |
: ^обр ^2* |
|
||
Относительное изменение длительности паузы |
|
|||||
|
М„ |
|
R |
|
I 5,44Д/К0Я4 |
|
|
И |
|
|
|
|
(3.17) |
°<* = |
,ни |
|
Яобр » |
|
в |
|
|
|
|
Выразим значение R через Д4, воспользовавшись условием запирания ЭДД, которое в данном случае име ет вид
{ E - U \ ) < $ - \ ) l 2 R < E n l R „ |
(3.18) |
Отсюда минимальная величина времязадающего сопро тивления
|
|
|
Дмин — 'kRi, |
|
|
(3.19) |
|
где |
|
/ е = 2^- ( l — |
|
(ß— !)• |
|
(3-20) |
|
Будем полагать |
R = aRMW = akRi. |
|
(3.21) |
||||
|
|
|
|
||||
|
Кроме того, воспользуемся равенством |
|
|
||||
|
|
|
Добр мин= Д/7обрмакс> |
|
(3.22) |
||
где / обр макс |
обратный ток диода Д1 при температуре |
||||||
t°2 |
и напряжении u0<jP=E. Подставляя в (3.17) формулы |
||||||
(3.21) и (3.22), получаем |
|
|
|
|
|||
|
at° — (о^Дбр макс~Ь5.44Д/к0) RJ Е. |
(3.23) |
|||||
|
При заданной величине а(. найдем |
|
|
||||
|
RiM&KC == Eo^ej(oklобр макс-!- 3.44Д/к0), |
(3.24) |
|||||
|
Дмакс — akEjr /(akIo6vмакс “Н о,44Д/ко)■ |
(3.25) |
|||||
= |
Для транзисторов МП111 ... МП116 при Д =8 В, t/'0 = |
||||||
(1,2... 2,0) |
В, |
ß == (10... 20) и г]=т|опт= 0,63 |
коэффи |
||||
циент k = (5,4 ... |
13). Будем |
в дальнейшем • для |
опреде |
||||
ленности использовать значения |
Е = 8 В, |
Д'0=1,6 В и |
|||||
ß= 15, при которых /г = 9. Диоды Д 1 . .. Д 4 |
выбираем ти |
||||||
па |
Д223Б, |
у |
которых |
при |
+'20 °С |
сопротивление |
87
#обр мин=500 |
МОм, |
а |
при |
+ :10Ö°C |
сопротивление |
|||
Roup міш= 10 МОм. |
а = |
|
|
|
|
|
||
Примем также |
50 и зададимся |
а<о = |
0,05. |
Для |
||||
[г!° = + 20°С |
и |
= |
+ |
100°С найдем Д/обр = |
0,01 |
мкА |
||
Й АД-0 == 0,09 |
МкА (Д/0(5р ~ ^oGp макс)- |
|
|
|
||||
Вычисления, произведенные |
по срормулам |
(3.25) и |
||||||
(3.3), соответственно дают ^ Макс= 440 и |
100 кОм. Наи |
меньшее значение принимаем за исходное, при этом, пользуясь (3.24) и (3.25), получаем Тумаке= 220 Ом и
°fo= 1,12%.
Таким образом, при температурах до +100°С моди
фицированная схема |
обеспечивает получение іп (для |
С=0,1 мкФ) от 0,2 до |
10 мс при стабильности не хуже |
1,12%. Для диапазона температур до +60°С значение („ изменяется от 1,62 до 81 мс при более высокой стабиль ности.
Известен способ, позволяющий обеспечить работу мультивибратора даже при таком выборе R, когда нару шены условия возбуждения. Для этого в схему пода ются небольшие по амплитуде, но достаточные для воз буждения ЭДД, синхронизирующие импульсы, период следования которых ГсішхрСАі. Такие импульсы отрица тельной полярности можно подавать на выход ЭДД, а положительной полярности — на вход через конденса тор С, включив дополнительный резистор R6 (рис. 3.1.а— пунктир).
При синхронизации положительными импульсами на экспоненциально-нарастающее напряжение ис наклады ваются суммирующиеся с ним положительные импульсы с амплитудой Uсішхр, следующие с периодом ТСШПф (рис. 3.1,а). В момент, когда сумма [НС(М +Нмшхр] пре высит UCB, произойдет возбуждение ЭДД за счет энергии импульса синхронизации. Параметры синхронизирующей последовательности выбираются следующим образом. Амплитуда имульса синхронизации должна быть
^ сішхе^ Т /до+ IСо]. |
(3.26) |
Период повторения Тснихр длительности паузы без Тогда можно считать
на 2—3 порядка меньше tnо—■ воздействия синхроимпульсов.
^п^тфі — (5,44 /ко# 4+2,72 Нсинхр)/Д] |
(3.27) |
88
и
^пи~"г[1 — (2 ,7 2 /7 Сшкр)/-£]. |
(3.28) |
||
Здесь |
|
|
|
R |
_|_ 5,44А/K0/?.t + 2,72Af/cnHXP |
(3.29) |
|
R q6V ашн |
Е |
||
|
Следовательно, амплитуда синхроимпульса должна быть весьма стабильной. Практически несложно обеспечить АÜ синхр —0,01_£ и исключить влияние его на аг .
Если синхронизация осуществляется отрицательными импульсами, то их воздействие понижает порог возбуж дения, что эквивалентно сложению синхроимпульса и на пряжения на конденсаторе. Поэтому все выражения для синхронизации положительными импульсами справед ливы и при синхронизации отрицательными импульсами.
При синхронизации стабильными по амплитуде им пульсами любой полярности с периодом повторения Т’синхр^W1000 стабильность длительности паузы tn определяется теми же процессами и выражениями, что и в схеме без синхронизации.
При наличии синхронизации, как видно из расчета по формуле (3.25), можно использовать Дмакс—440 кОм. Тогда при Псшіхр= 0,8 В получим (для С= 0,1 мкФ) мак симальную длительность паузы 7пмакс= 32,1 мс, т. е. в 3.21 раза больше, чем без синхронизации.
Существует возможность еще большего увеличения Ямакс и tnмакс. Для этого нужно последовательно с дио дом Д1 включить еще несколько диодов. Вследствие сложения сопротивлений £ 0бр ток /0бР уменьшится и со гласно (3.25) возрастет Дмакс-
Заметим, что в модифицированной схеме временная нестабильность частоты повторения импульсов может превысить временную нестабильность в простой схеме (она определяется среднеквадратичным отклонением AFn~ ± 3 - 1 0 -4 по результатам эксперимента) максимум в три раза. В действительности при экспериментальных исследованиях модифицированной схемы получено зна чение ДЕП~ ± 6 - ІО-4, т. е. в 1,7 раза больше, чем в про стой схеме.
В ждущем мультивибраторе, построенном по такой схеме, получаем из выражений (3.24) и (3.25) при а = 1 сопротивление Дмакс= 63 кОм, -Бамако— 7 кОм. Как видно, здесь максимальная величина R ограничена не услови ем (3.3), а заданной стабильностью (з1р0о с == 0,05),
7—484 |
89 |