Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Важенина, З. П. Транзисторные генераторы импульсов миллисекундного диапазона

.pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
4.1 Mб
Скачать

Шеніія itèoHOBoft лампы:

 

 

Um~ Uvt2 (^сті>

(2.19)

ГДе

Uст1 = (^за>кі (^ст2 — (^гаш-

 

Так как в ГПН миллисекундного диапазона на поле­

вых

транзисторах длительность прямого хода

в ІО4...

... 10а раз больше длительности обратного хода, то с до­ статочной для практических расчетов точностью можно

считать, что ГПН

по рис. 2.18,а генерирует

импульсы

с частотой

f = / CT/HmC,

(2.20)

 

где /ст — ток стока

полевого транзистора при

напряже­

нии на затворе, равном нулю.

Частоту пилообразного напряжения можно регули­

ровать изменением напряжения на затворе.

При этом

F = icAu*)/UmC,

(2.21)

где іст(н,ч) —ток стока полевого транзистора при напря­

жении

на затворе м3< 0 и

|ы3|<|ео| для полевого тран­

зистора с управляющим

р-п переходом

с п каналом

(н3> 0

и и3< е 0 для полевого транзистора

с д-каналом).

Рис. 2.18. ГПН с полевым транзистором в цепи заряда конденсатора:

а — схема с разрядом конденсатора через неоновую лампу: б — временная диаграмма; в — схема с нстоковым повторителем.

80

Коэффициент Нелинейности Определяется выражением

£= ДІстЛ'ст Н= (іСТН-- t 'c T к)Л'сТ н,

(2.22)

где іСТІі— начальное значение тока стока (ток стока при напряжении на стоке, равном f/CTl); іотк— конечное значение тока стока (ток стока при напряжении на сто­ ке, равном Нст2). Значения /ст п и і0тю входящие

в (2.22), определяются по выходной характеристике і'ст(^ст) при рабочем значении на затворе и3.

Врассмотренной схеме при подключении ннзкоомной нагрузки коэффициент нелинейности значительно возрас­ тает по сравнению с величиной, определенной по фор­ муле (2.22).

Всхеме рис. 2.18,в с истоковым повторителем [16] роль ключа Кл может выполнять неоновая лампа [1], двухбазовый диод, транзисторный эквивалент двухба­ зового диода (см. гл. 3) или любой другой переключаю­ щий элемент [43]. В этой схеме коэффициент нелинейно­ сти £ и частота автоколебаний F не зависят от величины нагрузки; коэффициент нелинейности значительно мень­ ше, чем в схеме на рис. 2.18,а, за счет введения в истоковую цепь резистора R1, осуществляющего отрицатель­ ную обратную связь по току; введение регулируемого

резистора R1 позволяет осуществлять регулировку ча­ стоты автоколебаний ГПН за счет изменения напряже­ ния на затворе относительно истока.

В случае выбора полевого транзистора типа КП102Е при измене­ нии напряжения на затворе от и3= 0 до ы3= + 1,2 В, ист от UСті = = —10 В до Uст2= —3 В (см. рис. 2.7) и при значении емкости кон­ денсатора С=0,05 мкФ в соответствии с формулами (2.20), (2.21) и (2.19) частота автоколебании изменяется от значения ЕМакс = 1 кГц до значения Дміш=0,14 кГц, т. е. при значении емкости конденсато­ ра С=0,05 мкФ обеспечивается регулировка периода на начальном участке миллисекундного диапазона: 7’ЫПп = 1 мс, Гыако= 7 мс. Верх­ нее значение периода миллисекундного диапазона (7=1000 мс) мо­ жет быть'обеспечено лишь при значении емкости С= 7 мкФ.

Схема ГПН второго рода с отрицательной обратной связью по напряжению изображена на рис. 2.19 [16]. Схема отличается от широко известной [2, 10, 21, 22, 31, 38, 52] лишь включением вместо биполярного транзи­ стора гибридной схемы, состоящей из полевого и бипо­ лярного транзистора. В качестве полевого транзистора используется транзистор, работающий в режиме обога­ щения (на рис. 2.19 изображен МДП-транзистор с ин-

6—484

81

 

Рис.

2.19. Схема

1*ПМ с отрица­

 

тельном

обратной связью по на­

 

 

 

пряжению.

 

 

Аудированным

каналом р-

 

гипа).

Коэффициент

нели­

 

нейности варианта схемы на

 

биполярном

транзисторе

 

[52] равен

 

 

 

 

l~gR/Ki=-R/ßRK,

 

 

где g = І/Гвх — входная

про­

разрядный

водимость транзистора; R

резистор в базовой

цепи транзистора.

Для

получения

£=^5% значение R берут не

более

20...

...30 кОм.

Для осуществления работы в миллисекунд­

ном диапазоне приходится брать-значительной величины емкость конденсатора С. При этом длительность обрат­ ного хода ГПН соизмерима или даже превышает дли­ тельность прямого хода, а габариты конденсатора не­ приемлемы для использования в гибридных интеграль­ ных схемах.

В ГПН, выполненном на полевом транзисторе, коэф­ фициент нелинейности определяется формулой

• £=1/(1+Яи).

(2.23)

Если ГПН с отрицательной обратной связью собран на одном полевом транзисторе, то значение KU= S R K\ при этом, если 5 = 5мА/В и RK = 2 кОм, то £»10%.

Если применить в ГПН гибридную схему, состоящую

из полевого и биполярного транзистора

в соответствии

с рис. 2.19, то значение Ки определится формулой

КиSßRK.

(2.24)

В схеме рис. 2.19 даже в случае применения биполяр­ ного транзистора со значением ß = 10 величина коэффи­ циента нелинейности £<1%, а при значениях ß> 10 ве­ личина £< 1%.

82

3. Схемы мультивибраторов на транзисторном ЭДД с улучшенными характеристиками

3.1. Модификации простых схем мультивибраторов на ЭД Д

Из анализа, проведенного во введении, ясно, что для увеличения времязадающего сопротивления необходимо уменьшать влияние тепловых токов ЭДД на процесс за­ ряда конденсатора и на пороговое напряжение откры­ вания ЭДД; кроме того, следует добиваться возможно более полной компенсации температурного дрейфа поро­ говых напряжений транзисторов ЭДД. В настоящей гла­ ве рассмотрены схемы, с помощью которых эти проблемы решаются простыми способами.

На рис. 3.1,а изображена модифицированная схема автоколебательного мультивибратора на ЭДД с улуч­ шенными характеристиками. Здесь на входе ЭДД вклю­ чен высокоомный кремниевый диод Д1, позволяющий, как видно из нагрузочных характеристик (рис. 3.1,6), значительно уменьшить входной ток утечки ЭДД, так как /обр</аоі. Между базой и эмиттером транзистора Т2 включен резистор R3, выбираемый из условия

(/„о . макс“(-/н02 макс)

~ еог/2/ко макс»

(3.1)

где /цоі макс**/„02 макс= /ко макс максимальные для

дан­

ного типа транзисторов значения

тока До при наивыс­

шей рабочей температуре. Включение резистора R3 обес­ печивает запирание транзистора Т2 при выключенном ЭДД, так как напряжение UблгзОог. Коллекторный ток транзистора Т2 при выключенном ЭДД становится рав­ ным /к2о~/„о2, т. е. гораздо меньше, чем в исходной схе­ ме, где /к 2 о = ^ м з /к о і+ (Р м з + 1 )/к о 2 - Вследствие этого

ослабляется влияние теплового тока выключенного ЭДД /по = /коі + /ко2 на пороговое напряжение открывания

ЭДД.

Включение резистора R3 накладывает ограничение на величину зарядного сопротивления R. Ток Д ар мин дол­

жен обеспечивать возбуждение ЭДД во всем рабочем диапазоне температур, т. е. и при /комші'С/комаксПоэтог му ток Дар мин должен создавать на резисторе R3 на­

пряжение /Дэ 2в —/ківДз—СЧвДар мин/Дг^богОтсюда

ПОЛу-

чаем

(3.2)

Д ар іш ш ^ ^ о г ф ів - !- 1 )/р ід /Д .

6*

83

Рис. 3.1. Автоколебательный мультивибратор на ЭДД с улучшенны­ ми характеристиками:

а — схема;

б — нагрузочная характеристика транзистора

77; в — временная

диаграмма

ис при различных температурах; г — временная

диаграмма ис при

синхронизации положительными импульсами; д — временная диаграмма ис при синхронизации отрицательными импульсами.

Принимая /зармішяі-Б(1—t\)fR и учитывая (3.1), по­ лучаем

R <13ів£ ( 1 —Т)) /2 (Рів+1)/к0 макс-

(3-3)

Транзистор ТЗ и диод Ц2 установлены в схеме для компенсации температурного дрейфа пороговых напря­ жений открывания транзистора 77 и диода Д1. Напря­ жение открывания ЭДД в этом случае меньше напря­ жения, сформированного делителем RiRz, на величину падения напряжения на переходе эмиттер — база тран­

84

зистора ТЗ и на диоде Д2((Уд0). В то же время конден­ сатор должен быть заряжен до напряжения UCB, превы­ шающего порог открывания ЭДД на величину порого­ вых напряжений открывания транзистора Т1 и диода Д /. Вычитаемое и прибавляемое напряжения не одинаковы, но очень близки, а изменения этих напряжений под влиянием температуры практически равны и противопо­ ложны по знаку.

Для компенсации остаточного напряжения на конден­ саторе, которое в рассматриваемой схеме возрастает на

величину Uдо, к делителю RiRz добавлена

цепочка из

включенных последовательно с резистором

R2 диодов

ДЗ, Д4 и насыщенного транзистора Т4.

Насыщение

транзистора Т4 обеспечивается выбором сопротивления

резистора R5^f>mm{Ri+R2 ) ■

Эффект совместного действия цепей компенсации тем­ пературного дрейфа пороговых напряжений демонстри­ руется рис. 3.1,в. Здесь сплошная кривая соответствует температуре f 1, при которой остаточное напряжение и

напряжение возбуждения . ЭДД равны соответственно Дггн и Ucві. При повышении температуры до значения t°z указанные напряжения понижаются до UcН2 и Ucв2 в та­

кой пропорции, что длительность промежутка между

импульсами остается неизменной (tDl— tnZ= x ) .

схеме

Остаточное напряжение в модифицированной

равно

 

U'a= иови+ Д,ІЭИ+ Ддо= До+ {/до,

(3-4)

а температурное изменение его At/'o~2,l Д/Уд0. Напряже­ ние в средней точке делителя составляет

тj

__

2t/до

t/цэд) /?а

I

 

 

 

F~~

іЯ . + Л

^

 

 

+ (2Дд„ +

Дкэн) =

+ (2і/д. +

и кэа) (1 -

7,).

(3.5)

С учетом теплового

тока

ЭДД

(равного

в

данном

случае / по ~2/і;о), а также напряжений

на транзисторе

ТЗ и диоде Д2 найдем

 

 

 

 

 

 

Uпых п ~ -- ДдО—2/цо/?4

|е0|

 

 

= Дг| + (2б/д0+t/цаи) (l'—Т])—Ддо

I во]—2/доДі-

(3.6)

Напряжение на конденсаторе в момент возбуждения

ЭДД определяется величиной

 

 

 

 

 

Дсв= Двыхп-)-ДдО+ I £о| =

 

 

 

= Е ц + (2Дд0+ UKm) (1—т))—2/«oRi.

 

(3.7)

85

Влияние обратного тока /0ср диода Д1 на процесс за­ ряда конденсатора учтем, включив параллельно рези­

стору R сопротивление R0бр-

конденсатора

равна

Постоянная времени заряда

 

т' = СДДобР/ {R+RoGp),

 

 

(3.8)

а напряжение на конденсаторе определяется

 

выраже­

нием

ua(t) =

E - ( E - U ' 0) e - ih'.

 

 

(3.9)

 

 

 

Возбуждение ЭДД произойдет в момент ta при на­

пряжении

 

 

 

 

 

 

 

Псв = Пвых п+ Ндо+ I во\ =

 

 

 

 

= Ец+ (2Пдо+Дэкн) (1—г))—2IKoRi.

 

(3.10)

Подставляя (3.10) в (3.9), находим

 

 

 

г/

______________ E — U„ — Uдо_____________

/о г п

£ (1 -•» !)-(2£/ді +

 

(1-ч)+2/к,Л*

 

Считая в рабочем

диапазоне

температур,

что

Е^>

> (Н„ +

Ндо) и E ( \ - j ) ^ ( 2 U M +

UaKK)(\ ті) — 2 /ко/?4,

можем написать выражение (3.11)

иначе:

 

 

 

 

U

In

1

 

 

 

 

 

— л

 

 

 

и 0 (1 -

Ч) + t/до (1■- л )

- 2^»о (1 ■- ^1) - ^ 0НН (1 ■-Т |) +

2 /„ Л ,

_

 

 

£(1--г)}

 

 

 

 

 

 

 

2/,./?♦ '

 

 

(3.12)

 

 

In 1 - 7 ,

£ ( 1 - 7 ) )

 

 

Учитывая, что согласно (3.3) при максимальной тем­ пературе /?обр>Дмакс (при + 100°С имеем Добр=ЮМОм и /?мако=100 кОм), можем при нормальной температуре пренебречь влиянием Добр на %' и считать

tmi~ T W /(І-Ч))}.

(3.13)

При а-) = т)опт = 1 —(1/е)—0,63

получим вместо

(3.12) и

(3.13) соответственно

 

 

~1 —

5-4-4^о/?4j,

(3.14)

Іпа ~

T'

(3.15)

Изменение температуры от tx до t2 вызовет

изменение

86

д л и т е л ь н о с т и и а у зы на в ел и ч и н у

 

 

Д*п ~ RC

 

R

,

5,44Д /КЛ

(3 .16)

Л’оби ЫПВ

 

 

 

 

 

 

 

ГДе А /ко :== / к0 ^2

I кО ^1’

^ об р мим :

: ^обр ^2*

 

Относительное изменение длительности паузы

 

 

М„

 

R

 

I 5,44Д/К0Я4

 

 

И

 

 

 

 

(3.17)

°<* =

,ни

 

Яобр »

 

в

 

 

 

Выразим значение R через Д4, воспользовавшись условием запирания ЭДД, которое в данном случае име­ ет вид

{ E - U \ ) < $ - \ ) l 2 R < E n l R „

(3.18)

Отсюда минимальная величина времязадающего сопро­ тивления

 

 

 

Дмин 'kRi,

 

 

(3.19)

где

 

/ е = 2^- ( l —

 

(ß— !)•

 

(3-20)

Будем полагать

R = aRMW = akRi.

 

(3.21)

 

 

 

 

 

Кроме того, воспользуемся равенством

 

 

 

 

 

Добр мин= Д/7обрмакс>

 

(3.22)

где / обр макс

обратный ток диода Д1 при температуре

t°2

и напряжении u0<jP=E. Подставляя в (3.17) формулы

(3.21) и (3.22), получаем

 

 

 

 

 

at° — (о^Дбр макс~Ь5.44Д/к0) RJ Е.

(3.23)

 

При заданной величине а(. найдем

 

 

 

RiM&KC == Eo^ej(oklобр макс-!- 3.44Д/к0),

(3.24)

 

Дмакс — akEjr /(akIo6vмакс “Н о,44Д/ко)■

(3.25)

=

Для транзисторов МП111 ... МП116 при Д =8 В, t/'0 =

(1,2... 2,0)

В,

ß == (10... 20) и г]=т|опт= 0,63

коэффи­

циент k = (5,4 ...

13). Будем

в дальнейшем • для

опреде­

ленности использовать значения

Е = 8 В,

Д'0=1,6 В и

ß= 15, при которых /г = 9. Диоды Д 1 . .. Д 4

выбираем ти­

па

Д223Б,

у

которых

при

+'20 °С

сопротивление

87

#обр мин=500

МОм,

а

при

+ :10Ö°C

сопротивление

Roup міш= 10 МОм.

а =

 

 

 

 

 

Примем также

50 и зададимся

а<о =

0,05.

Для

[г!° = + 20°С

и

=

+

100°С найдем Д/обр =

0,01

мкА

Й АД-0 == 0,09

МкА (Д/0(5р ~ ^oGp макс)-

 

 

 

Вычисления, произведенные

по срормулам

(3.25) и

(3.3), соответственно дают ^ Макс= 440 и

100 кОм. Наи­

меньшее значение принимаем за исходное, при этом, пользуясь (3.24) и (3.25), получаем Тумаке= 220 Ом и

°fo= 1,12%.

Таким образом, при температурах до +100°С моди­

фицированная схема

обеспечивает получение іп (для

С=0,1 мкФ) от 0,2 до

10 мс при стабильности не хуже

1,12%. Для диапазона температур до +60°С значение („ изменяется от 1,62 до 81 мс при более высокой стабиль­ ности.

Известен способ, позволяющий обеспечить работу мультивибратора даже при таком выборе R, когда нару­ шены условия возбуждения. Для этого в схему пода­ ются небольшие по амплитуде, но достаточные для воз­ буждения ЭДД, синхронизирующие импульсы, период следования которых ГсішхрСАі. Такие импульсы отрица­ тельной полярности можно подавать на выход ЭДД, а положительной полярности — на вход через конденса­ тор С, включив дополнительный резистор R6 (рис. 3.1.а— пунктир).

При синхронизации положительными импульсами на экспоненциально-нарастающее напряжение ис наклады­ ваются суммирующиеся с ним положительные импульсы с амплитудой Uсішхр, следующие с периодом ТСШПф (рис. 3.1,а). В момент, когда сумма [НС(М +Нмшхр] пре­ высит UCB, произойдет возбуждение ЭДД за счет энергии импульса синхронизации. Параметры синхронизирующей последовательности выбираются следующим образом. Амплитуда имульса синхронизации должна быть

^ сішхе^ Т /до+ IСо].

(3.26)

Период повторения Тснихр длительности паузы без Тогда можно считать

на 2—3 порядка меньше tnо—■ воздействия синхроимпульсов.

^п^тфі — (5,44 /ко# 4+2,72 Нсинхр)/Д]

(3.27)

88

и

^пи~"г[1 — (2 ,7 2 /7 Сшкр)/-£].

(3.28)

Здесь

 

 

R

_|_ 5,44А/K0/?.t + 2,72Af/cnHXP

(3.29)

R q6V ашн

Е

 

Следовательно, амплитуда синхроимпульса должна быть весьма стабильной. Практически несложно обеспечить АÜ синхр —0,01_£ и исключить влияние его на аг .

Если синхронизация осуществляется отрицательными импульсами, то их воздействие понижает порог возбуж­ дения, что эквивалентно сложению синхроимпульса и на­ пряжения на конденсаторе. Поэтому все выражения для синхронизации положительными импульсами справед­ ливы и при синхронизации отрицательными импульсами.

При синхронизации стабильными по амплитуде им­ пульсами любой полярности с периодом повторения Т’синхр^W1000 стабильность длительности паузы tn определяется теми же процессами и выражениями, что и в схеме без синхронизации.

При наличии синхронизации, как видно из расчета по формуле (3.25), можно использовать Дмакс—440 кОм. Тогда при Псшіхр= 0,8 В получим (для С= 0,1 мкФ) мак­ симальную длительность паузы 7пмакс= 32,1 мс, т. е. в 3.21 раза больше, чем без синхронизации.

Существует возможность еще большего увеличения Ямакс и tnмакс. Для этого нужно последовательно с дио­ дом Д1 включить еще несколько диодов. Вследствие сложения сопротивлений £ 0бр ток /0бР уменьшится и со­ гласно (3.25) возрастет Дмакс-

Заметим, что в модифицированной схеме временная нестабильность частоты повторения импульсов может превысить временную нестабильность в простой схеме (она определяется среднеквадратичным отклонением AFn~ ± 3 - 1 0 -4 по результатам эксперимента) максимум в три раза. В действительности при экспериментальных исследованиях модифицированной схемы получено зна­ чение ДЕП~ ± 6 - ІО-4, т. е. в 1,7 раза больше, чем в про­ стой схеме.

В ждущем мультивибраторе, построенном по такой схеме, получаем из выражений (3.24) и (3.25) при а = 1 сопротивление Дмакс= 63 кОм, -Бамако— 7 кОм. Как видно, здесь максимальная величина R ограничена не услови­ ем (3.3), а заданной стабильностью (з1р0о с == 0,05),

7—484

89

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ