Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Важенина, З. П. Транзисторные генераторы импульсов миллисекундного диапазона

.pdf
Скачиваний:
16
Добавлен:
19.10.2023
Размер:
4.1 Mб
Скачать

говых напряжений. Целесообразно также построить схе­ му ГПН так, чтобы при большом зарядном токе форми­ ровать значительные і'п и t'a. Это необходимо еще и по­ тому, что в таком случае выходной сигнал ГПН будет мощным и значительно упростится решение вопроса о передаче его в нагрузку. Для этой цели студент Ле­ нинградского института авиационного приборостроения Л. Я. Кацнельсон предложил использовать усилитель на транзисторах разного типа проводимости, шунтирующий конденсатор. Схема заряда конденсатора, содержащая шунтирующий стабилизированный усилитель, изображе­ на на рис. 3.9.

Рассмотрим ее работу вначале без учета обратной связи (транзистор Гос, резисторы Rfs и Дэ). Ток заряда конденсатора представляет собой ток базы транзистора

77, т. е.

/зар= /бі.

(3.104)

Считая коэффициенты ßi = ß2 =lß3='ß4= ß ,

находим, что

усилитель вычитает из тока Г'ПТ (Іо) шунтирующий ток

 

/ш «04/зар.

(3-105)

Тогда можно написать, что

 

 

 

 

7о==7зар + /щ= Дар(1 + ß4) ,

(3.106)

а ток заряда

 

 

 

 

/3ap = /o /(l+ ß 4)-/o /ß 4.

(3.107)

Задаваясь определенным током заряда конденсатора,

находим, что ток ГПТ может

быть значительно

боль­

шим.

Например, если ß= 10

и необходим

ток

/зар =

= 10

мкА, следует брать ток

/0= 10-10~в-104—100 мА.

На практике ток /0 имеет меньшую величину, так как из-за снижения ß при малых токах (см. введение) об­ щий коэффициент усиления по току не превышает 1000. Ясно, что количество транзисторов в усилителе (транзи­ сторы Т 1 ...Т 4 ) может быть любым, а значит, и коэф­ фициент усиления можно установить по желанию.

Коэффициент ß сильно зависит от температуры, что приведет при заданном токе / о к значительному измене­ нию тока /зар, т. е. к большой нестабильности ta или tu. Для стабилизации коэффициента усиления применена отрицательная обратная связь по току.

Ток Гш создает на резисторе напряжение

 

Wf>=

(3,108)

ПО

которое вызыЁаёт протекание в коллекторе транзистора Тос тока обратной связи

/ос ~ UftjRg= I'mRб/Ra— І'шП-

(3.109)

В данном случае шунтирующий ток

 

]'ш= $Чб1= КіІбі,

(3.110)

где /<i = ß4 — коэффициент усиления шунтирующего уси­ лителя по току. Ток базы / бі равен

/зар—/ос = /бі-

(3.111)

Подставляя в это выражение ток I'ш из

(3.110), получа­

ем

(3.112)

Ли= /зар/(1 + я/<і),

//ш==/(г/зар/( 1 -\-tlKi).

(3.113)

Следовательно, в результате действия отрицательной об­ ратной связи коэффициент усиления по току, который без обратной связи был равен / ш//зар=/Сг, станет рав­ ным / /ш//зар= /'Сг/(1+я/(г). Так как зарядный ток меньше /о примерно в Кі раз, можно написать

/зар= /о (1 + пКі)ІКі = Іо{п+ (1IKi) ].

(3.114)

Если n^>l/Ki, то считаем

 

/зар~/()Н.

(3.115)

Так как n=Ro/Ra есть отношениерезисторов,

кото­

рыеможно выбрать стабильными, ток / аар стабилизи­ руется.

Однако в этой схеме следует обеспечивать

/о^/кО манс/07 (1

пКі) ,

так как иначе зарядный ток не

будет стабильным. Это

значит, что условие

 

/зар /ко макс/3/»

сохраняется и в данном случае, т. е. /нмаі!С и гамаке не будут большими, чем в обычной схеме ГПН.

Диод Дѵ включается для обеспечения разряда кон­ денсатора через включенный ЭДД.

Хорошие результаты дает применение, в шунтирую­ щем усилителе полевого транзистора. В этом случае па­ раллельно диоду включается резистор, а полевой тран­ зистор работает в режиме истокового повторителя.

Список литературы

(в хронологическом порядке)

1.Ко хе и Дж. Генерирование линейно-изменяющегося напряже­ ния с помощью полевых транзисторов.—«Electronic Design», 1963, V . 11, № 1.

2.Расчет и проектирование импульсных устройств на транзисторах.

М., «Сов. радио», 1964. Авт. А. М. Тишенко, Б. М. Лебедев, М. Д.. Штерк и др.

3. Г о р ю н о в Н. Н. Справочник по полупроводниковым диодам

итранзисторам. М., «Энергия», 1964.

4.Х в о л е с В. А. Время-импульсный преобразователь напряжения

на

транзисторах. — «Приборы

и средства

автоматизации», 1964,

2.

Semiconductor

Time-Delay

Circuits.— «Electronic

5. Р і п t о J. J.

Engineering»,

1964, v. 36, № 433.

 

6.В а ж е н и н а 3. П. Фантастроиные генераторы. Теория, проек­ тирование, расчет. М., «Сов. радио», 1965.

7.Л е б ед е в В. И. Особенности транзисторных схем в микроре­

жиме.— «Радиотехника и электроника», 1965, т. X, вып. 5.

8.Р а m р 1і п В. F. Unijunction Transistors. — «Electronic Equipment News», 1965, № 12.

9Уи л с о н . Схема на двух транзисторах с противоположными ти­ пами проводимости как эквивалент двухбазового диода. — «Элек­

 

троника», 1965, № 5.

10. Ф р о л к и н

В. Т. Импульсные устройства. М., «Машинострое­

11.

ние», 1966.

Г. В. Реле времени. М., «Энергия», 1966.

Д р у ж и н и н

12.

К. а с п е р о в II ч А. С. Термисторы косвенного подогрева. Минск,

 

«Наука и техника», 1966.

13.Р у с с о Дж. Схема задержки, управляемая термистором. Патент США, № 3294982, кл. 307-88,5. Официальный бюллетень, 1966, раздел III, т. 833, № 4.

14.С е й ф Е. Распределительные и кодирующие схемы с использо­ ванием цепочек нормально открытых транзисторов, в которых постоянная времени входной цепи обеспечивает получение ди­

скретной задержки. Патент США, № 3248558, кл. 307-88,5. Офи­ циальный бюллетень, 1966, раздел III, т. 833, № 4.

15. М а л и н

Б. В., С о н и н

М. С. Параметры и свойства полевых

транзисторов. М., «Энергия», 1967.

16. И л ь и н

В. Н., С о н и н

М. С. МОП-транэисторы и их примене­

ние в импульсных схемах. — В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Я. А. Федотова. Вып. 18. М., «Сов. радио», 1967.

17.С т е п а н е и к о И. П. Основы теории транзисторов и транзистор­ ных схем. М., «Энергия», 1967.

18.Полупроводниковые кодирующие и декодирующие преобразовате­ ли напряжения. М., «Энергия», 1967. Авт. В. Б. Смолов и др.

19. В о л о ш и н И. В., П а л а г и н В. А. Переходные процессы в цепях с термисторами. Минск, «Наука и техника», 1967.

112

20.

П у д р и к о в Э. В. Мультивибратор на эквиваленте

двухбазово­

 

го диода. Авт. свидетельство № 207974,

МПК

НОЗК. — «БИ»,

 

1968, № 3.

В. Н. Импульсные генераторы на транзисторах. Киев,

21. Я к о в л е в

22.

«Техника»,

1968.

 

В о с к р е с е н с к и й В. В. Транзисторные

Д о р о н к и и Е. Ф.,

23.

генераторы импульсов. М., «Связь», 1968.

 

 

 

Е р о ф е е в

Ю. Н. Работа

заторможенных генераторов при ма­

24.

лой скважности выходных импульсов. М., «Сов. радио», 1968.

К л ю е в

Л. Л., Ш п о т а

С. Д.. К а р п у ш кин

Э. М. Транзи­

 

сторный мультивибратор. Авт. свидетельство № 228072, МПК

25.

НОЗКОЗ/28'I. — «БИ»,

1968,

№ 3|.

 

 

 

С ев и и

Л. Полевые транзисторы. Пер. с англ. М., «Сов. радио»,

26.

1968.

 

 

 

А.

II.

Линейные

резисторы

на основе

К а р м а з и и с к и й

 

МДП-транзисторов

для

интегральных схем. — В кн.: Микроэлек­

 

троника. Под ред.

Ф. В.

Лукина. >Вып. 2.

М., «Сов. радио», 1968.

27.О терминологии и системе параметров полевых транзисторов.— В кн.: Микроэлектроника. Под ред. Ф. В. Лукина. Вып. 2. М.,

«Сов. радио», 1968. Авт.: Т. М. Агаханяп и др.

28.

П л а т о н о в А. А., П у д р и к о в Э. В., ' С а в к и и

В. Г. Бес­

 

контактное реле времени. Авт.

свидетельство № 226037, МПК,

29.

Н01, — «БИ», 1968, № 28.

 

 

Б а з а р о в Н. П., Ш т е р к Ml Д. Транзисторный генератор ЛИН.

 

Авт. свидетельство № 236521,

МПК НОЗК. — «БИ»,

1969, № 7.

30.Н и к о л а е в с к и й И. Ф. Транзисторы. Справочник. М., «Связь», 1969.

31.

Г о л ь д е и б е р г Л. М. Теория и расчет импульсных устройств

 

иа полупроводниковых приборах. М., «Связь», 1969.

32.

В а л ь к о в

А. А. и др. Кремниевые полевые транзисторы типов

 

2П102 и КП102 (ТН-1). Заочный семинар. «Тенденция развития

 

активных

радиокомпонентов малой мощности». Новосибирск,

 

«Наука», 1969.

33.Б ь ю т и н г Ф. П. Электротермическое хронирующее устройство. Патент США № 3457429, кл. 307—41. Официальный бюллетень, 1969, раздел III, т. 864, № 4.

34.X а г с Р. С. Ждущий мультивибратор с малым временем восста­ новления. Патент США № 3453453. кл. 307—273. Официальный

бюллетень, 1969, раздел III, т. 864, № 1.

35. М е л е н д о н Д.

Р. Импульсная линия задержки на активных

элементах. Патент

США № 3463941, кл. 307—298. Официальный

бюллетень, 1969, раздел III, т. 865, № 4.

36. Р о л ь ф . Триггерная ячейка по меньшей мере с одним термисто­ ром. Патент ФРГ № 1412838, кл. 21а', 26/18. Официальная газета,

 

1969, раздел III, № 37.

 

37.

В и з о р к Р. А. Схема задержки на

полевом транзисторе. Па­

 

тент США, № 3473054, кл. 307—293, Официальный бюллетень,

38.

1969.

 

Справочник по импульсной технике. Киев, «Техника», 1970. Авт:

39.

В. Н. Яковлев и др.

В. П. Ждущий мультиви­

К о м п а н и е й Л. И., Д о в ж е н к о

 

братор. Авт. свидетельство № 282412 МПК НОЗК 3/284 — «БИ»,

40.

1970, №30.

 

К о с т е р о в В. С. Термостабилизацня генераторов импульсов иа

113

транзисторах

с помощью нелинейных

емкостен. — «Радиотехни­

ка», 1970, т. 25, № 7.

Ш т е р н М, Д. Темпера­

41. Б у р а к о в

О. Н., Т н ш е н к о А. М.,

турная стабилизация длительности импульсов мультивибраторов на кремниевых транзисторах. — В кн.: Полупроводниковые при­ боры в технике электросвязи. Под ред. И. Ф. Николаевского.

42.

Вып. 6. М., «Связь», 1970.

полевых транзисторов. Пер. с

англ.

Г о з л и II г

В. Применение

43.

М., «Энергия», 1970.

Ю. Полевые транзисторы в генера­

Б у т е н к о

В., Е р о ф е е в

 

торе линейно-изменяющегося напряжения с электронной

пере­

стройкой частоты. Заочный семинар. «Тенденции развития актив­ ных радиокомпонентов малой мощности». Новосибирск, «Наука», 1970.

44.М э д л е н д Г. Р. и др. Интегральные схемы. Пер. с англ. М., «Сов. радио», 1970.

45.Н а у м о в Ю. Е. Интегральные логические.схемы. М., «Сов. ра­ дио», 1970.

46.С е м е н о в В. Н. Использование полевого транзистора в режиме переменного сопротивления, управляемого напряжением. Заочный семинар. «Тенденции развития активных раднокомпонентов ма­

47.

лой мощности». Новосибирск, «Наука», 1970.

Д р у ж и и и и

А. Я. Полупроводниковые термомультнвнбрато-

 

ры. — В

кн.: Полупроводниковые приборы в технике электросвя­

48.

зи. Под ред. И. Ф. Николаевского. М., «Связь», Вып. 6, 1970.

Б р а у н ,

Б р о к е р . Подгонка резисторов в прецизионных моно­

 

литных

схемах

с помощью лазера. — «Зарубежная электронная

 

техника», 1970, № 2.

А. TL, П е р ш и н В. И. Полевой

49. А н т о н о в

М. И., К и р е е в

 

транзистор с изолированным затвором типа ТН-12М. Заочный се­

 

минар. «Тенденции развития активных раднокомпонентов малой

 

мощности». Новосибирск, «Наука», 1970.

50. Р а п п

А. К. Мультивибраторы, использующие транзисторы с про­

 

водимостью противоположного типа. Патент США, № 3509379,

 

кл. 307—279,

Официальный

бюллетень, 1970, раздел III, т. 873.

51. П у д р и к о в

Э. В. Мультивибратор на эквиваленте двухбазово­

 

го диода. Авт. свидетельство № 272358, МПК НОЗК 3/335.—«БИ»,

 

1970, № 19.

 

3,

П. Импульсные генераторы на транзисторах.

52. В а ж е н и на

 

М., «Энергия», 1971.

 

 

53.

В а ж е н и н а

3. П., В о л к о в а

Н. Н,, Ч а д о в іі ч И. И. Мето­

 

ды и схемы временной задержки импульсных сигналов. М., «Сов.

 

радио», 1971.

 

 

 

 

54.

Ф ин

В. А.,

К а з а н с к и й

Е. В. Чувствительность по запуску

 

функциональных элементов на транзисторах М., «Энергия», 1971.

55. К а р а с е в

В. П., К а р и м у л л п н Р. X. Мультивибратор на

 

транзисторах. Авт. свидетельство № 301827, МПК НОЗК 3/30. —

 

«БИ», 1971, № 14.

 

 

56. Л у ж е ц к т і й

В. Г. Мультивибратор на транзисторах. Авт. сви­

 

детельство № 305566, МПК

НОЗК 3/28. — «БИ», 1971, № 18.

57. М и т и н с к и й

Ю. Н., М а м б а

ІО. Н. Мультивибратор. Авт.

 

свидетельство №

299019, МПК НОЗК 3/281. — «БИ», 1971, № 11.

58.

'Ж о в т и с

И. М., К а з а ч к о в

Л. В. Мультивибратор. Авт. сви­

 

детельство № 306553, МПК НОЗК 3/282. — «БИ», 1971, № 1Q,

114

5§. Варикондьі в электронных импульсных схемах. ГІод ред. В. Ю. ßy-

60.

лыбенко. М., «Сов. радио», 1971.

 

Ш п о т а

С. Д. Мультивибратор. Авт. свидетельство № 292221.

61.

МПК НОЗК 3/28, — «БИ», 1971, № 4.

Д о л и и с к и й Ю. Д., М о л о д ц о в В. А. Мультивибратор. Авт.

 

свидетельство № 305567, МПК

НОЗК. 3/28. — «БИ», 1971, № 18.

62. К о м п а и и е ц и др. Ждущий

мультивибратор. Авт. свидетель­

63.

ство № 307497. МПК НОЗК 3/30. — «БИ», 1971, № 20.

З е м ц о в

И. В., К о м и с с а р о в М. А. Генератор низкочастот­

 

ных импульсов. Авт. свидетельство № 314291, МПК НОЗК 3/28.—

 

«БИ», 1971, № 27.

 

64.Б и т ч Е. Б. Генерирование двенадцати напряжении различной формы при помощи двух вентилей и транзистора. — «Электрони­ ка», 1971, № 12.

65.Гибридные схемы с применением тонкопленочных распределенных RC-структур. — В кп.: Микроэлектроника. Под ред. Т. М. Агаха-

няпа.

Вып. 1,

М., Атомиздат, 1971. Авт.: Т. М. Агаханяы,

А. С.

Васильев,

В. В. Галицкий и др.

66.А ре и к о в А. Б. Печатные и пленочные элементы радиоэлек­ тронной аппаратуры. М., «Энергия», 1971.

67.Р и ч м а н П. Физические основы полевых транзисторов с изоли­ рованным затвором. Пер. с англ. М., «Сов. радио», 1971.

68.

Полевые транзисторы. Физика, технология и применение.

Пер.

69.

с англ. Под ред. С. А. Майорова. М., «Сов. радио», 1971.

М. А.

В а л и е в

К. А., К а р м а з и н с к и й

А.

Н., К о р о л е в

 

Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах. М. «Сов.

70.

радио», 1971.

А. Я. Мультивибратор.

Авт.

свидетельство

Д р у ж и н и н

 

№ 310361, МПК НОЗК 3/02, — «БИ», 1971, № 23.

О. В. Полевые

71. Н е в е ж и н В.

К., М а р а и ц В. Г.,

С о п о в

 

транзисторы. — В ни.: Полупроводниковые

приборы и их приме­

 

нение. Под

ред. Я. А. Федотова. Вып. 25. М., «Сов. радио»,

1971.

72.С о л о м о н П. М. Расширитель импульсов на полевом транзи­ сторе. — «Электроника», 1971, т. 44, № 8.

73 Р а п п А. К. Мультивибратор на МОП-транзисторах с каналом p-типа. Патент США, № 3562559, кл. 307—279. Официальный бюллетень, 1971, раздел Н, т. 883.

74.В а ж е н и н а 3. П. Генератор пилообразного напряжения с кор­ ректирующими цепями.—-«Радиотехника», 1972, т. 27, № 4.

75. В а ж е н и н а 3.

Л.

Генератор пилообразного напряжения

с большой постоянной времени заряда конденсатора. — «Измери­

тельная техника»,

1973,

№ 10.

ПРЕДМЕТНЫ Й УКАЗАТЕЛЬ

А

Автоколебательным мультивиб­ ратор (см. мультивибратор автоколебательный)

Г

Генератор пилообразного на­ пряжения

— на ЭДД 108—111 ■— с большой постоянной вре­

мени заряда конденсатора

47

с корректирующими цепями

49

с полевым транзистором

79—82

с токостабнлнзирующим транзистором 53

Гибридная схема

интегральная 7, 52, 61

включения бпполярпого и полевого транзистора 69, 74

д

Двухбазовый диод 10 Диапазон регулировки

длительности импульса 21, 32, 49, 74

— длительности

паузы

43,

89

— периода

81

 

температур

6,

— изменения

 

31,

88

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

 

 

 

Коэффициент

 

 

временной

— относительной

погрешности

6,

30,

32,

42,

87,

89,

95,

98,

103,

107

 

— использования

напряжения

в ГПН 51

нелинейности ГПН 49, 81

М

Мнкрорежим 26, 31 Мультивибратор

— автоколебательный на ЭДД 13, S3

-----------с комплексной обрат­ ной связью 96

—' — «с триггерными связя­ ми» 100

------с улучшенными харак­ теристиками 84

— с коллекторно-базовыми связями 33

-------с коллекторно-затворны­ ми связями 71

— с мостовыми элементами

45

---— с эмиттерной емкостью 38

------с добавочным конден­

сатором 43

ждущий

— па триггере с терморезнстором 55

— на ЭДД 19

-----------

и

схемы запуска

21

-----------

с

измененными

цепя­

ми термокомпенсацшт 92

 

-----------

с

комплексной

обрат­

ной связью 99

 

 

 

— ------

с

переключаемыми

времязадающими

сопротив­

лениями 105

 

 

ха­

-----------

с

улучшенными

рактеристиками 90

 

 

 

— — с

 

коллекторно-базовыми

связями 4

емкостью

------• с

эмиттерной

35—38

'

 

 

 

— с эмиттерно-затворной емкостью 75

П

Прецизионное устройство регу­ лируемой длительности 46

116

Полевой транзистор 57

-------в ГПН 79

— в импульсных схемах 57

всхемах мультивибра­ тора 70—75

-------ь устройстве задержки 78

-------,

ключевые схемы 60, 68

-------,

обозначения и характе­

ристики 59, 63, 67

-------, радиационные свойства

62

-------с управляющим р—/і пе­ реходом 57

-------с изолированным затво-. ром 57

-------со встроенным каналом

58, 59

-------с индуцированным кана­ лом 58—60

— —, температурная стабиль­ ность 62

Пороговое напряжение (напря­

жение

отпирания)

5,

63,

73

 

 

 

Р

 

 

 

 

Расширитель

импульсов

76

5,

Релаксационный

генератор

10

 

 

 

 

 

 

 

Режим

 

 

 

 

13,

33,

— автоколебательный

38,

43,

71,

84,

90

75,

90,

1)2

— ждущий 4, 19, 35,

С

Скважность 22, 34, 38, 43, 73

Т

Температурная стабильность 5, 10, 29, 41, 44

Терморезнстор 54 Транзистор

биполярный 8, 10, 57, 62 —• германиевый 8

кремниевый 8, 23

одиопереходной (см. двух­ базовый диод)

полевой (см. полевой тран­

зистор)

X

Хронирующая цепь 7, 34, 35,44

Э

Эквивалентная схема

— мультивибратора в момент возбуждения 8

—■ключевого каскада на поле­ вом транзисторе 68

— перезаряда

емкости

4,

13,

26,

90

рассасывания

из­

— процесса

быточных носителей

16

дио­

Эквивалент

двухбазового

да

(ЭДД)

12

 

 

О Г Л А В Л Е Н И Е

П реди слови е................................................................................

 

3

Введение .............................................................................................

 

4

]. ГЕНЕРАТОРЫ ИМПУЛЬСОВ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

 

1.1. Мультивибраторы......................................................................

23

 

1.2. Прецизионное устройство регулируемой длительности им­

46

пульса ..............................................................................................

 

1.3. Генератор импульсов с использованием терморезисторов

.

54

2. ГЕНЕРАТОРЫ ИМПУЛЬСОВ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

 

 

2.1. Полевые транзисторы в импульсных схемах . . . .

 

57

2.2. Мультивибраторы......................................................................

70

 

2.3. Генераторы пилообразного н а п р я ж е н и я ........................

79

 

3.СХЕМЫ МУЛЬТИВИБРАТОРОВ НА ТРАНЗИСТОРНОМ ЭДД

СУЛУЧШЕННЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ

3.1.Модификации простых схем мультивибраторов на ЭДД . 83

3.2.

Сложные схемы мультивибраторов на Э Д Д .......................

 

99

3.3.

Генераторы пилообразного напряжения на ЭДД

. .

108

Список л и т е р а ту р ы ......................................................................

 

112

Предметный указатель .

 

116

В а ж е н и н а 3 . П ., П у д р и к о в Э . В .

В12 Транзисторные генераторы импульсов миллисе­ кундного диапазона. М., «Сов. радио», 1974.

120 с. с ил.

Рассмотрены практические схемы релаксационных генераторов им­ пульсов большой длительности на биполярных и полевых транзисторах, а также на транзисторном эквиваленте двухбазового диода; описан их

принцип действия; дан анализ и соображения по расчету.

Кинга предназначена для инженерно-технических работников, раз­ работчиков схем и может быть также использована студентами ра­ диотехнических вузов и техникумов.

30407-017

6Ф2.1

В 046(01)-74 20-74

ЗОЯ ПАВЛОВНА ВАЖЕНИНА. ЭДУАРД ВАСИЛЬЕВИЧ ПУДРИКОВ

ТРАНЗИСТОРНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ ИМПУЛЬСОВ МИЛЛИСЕКУНДНОГО ДИАПАЗОНА

 

 

Редактор И. К- Ганин

 

 

Художественным редактор 3. Е. Вендрова

 

 

Обложка художника А. Б. Марчука

 

 

Технический

редактор Г. А. Мешкова

 

 

 

Корректор О. П. Трушкова

 

 

Сдано в набор 11 /XI 1973 г.

Подписано в печать 4/П

1974 г.

Т-00962

Формат 84х108/за.

 

 

Бумага машиномелованная

Объем 6,30 уел. п.

л.,

6,138 уч.-нзд. л.

 

 

Тираж 26 000 SK3.

 

 

Зак. 484.

Цена 33 коп.

Издательство «Советское радио», Москоа, Главпочтамт, а/я 693.

 

Московская типография № 10 Союзполиграфпрома

 

при Государственном комитете Совета Министров СССР

 

ПО делам

издательств, полиграфии и книжной

торговли,

 

 

 

Москва. М-1-14, Шлюзовая наб., 10,

 

 

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ