- •Н.А. Андреева
- •Введение
- •Сведения о материальных средах
- •1. Системы микрочастиц
- •1.1 Случай классических частиц
- •1.2. Вырожденные коллективы частиц
- •1.2.1. Фермионы
- •1.2.2 Бозоны
- •2. Кристаллические твердые тела
- •2.1 Трехмерные кристаллические системы
- •Индексы Миллера и кристаллографические направления
- •2. 2 Классификация дефектов
- •2.2.2 Дислокации и их движение
- •Плотность дислокаций
- •Взаимодействие дефектов
- •Физические свойства твердых тел
- •3. Тепловые свойства.
- •3.1. Теплоемкость твердого тела
- •3.1.1. Область низких температур
- •Теплоемкость электронного газа
- •3.2. Тепловое расширение твердых тел
- •3.3. Теплопроводность
- •4. Электрические свойства
- •4.1. Дрейф электронов
- •4.2. Время релаксации
- •4.3. Закон Видемана - Франца
- •4.4. Температурная зависимость подвижности носителей
- •4.5. Электропроводность чистых металлов
- •I II III Рис. 4. 4 Температурная зависимость удельного сопротивления металла ост
- •5. Электрон - электронное взаимодействие.
- •5.1. Взаимодействие электронов
- •5.1.1. Какие электроны участвуют во взаимодействии?
- •5.2. Основное состояние сверхпроводника
- •5.2.1. Энергия основного состояния
- •5.3. Энергетическая щель
- •6. Механические свойства.
- •6.1. Деформация растяжения
- •6.1.1. Расчет технической прочности при хрупком разрушении
- •6.2. Пути повышения прочности
- •7. Магнитные свойства твердых тел
- •7.1. Магнетизм веществ
- •7.1.1. Ферромагнетизм
- •7.1.2 Магнитные материалы
- •7.2. Парамагнетизм
- •7.2.1. Теория Ланжевена
- •7.3. Диамагнетизм
- •Получение низких и сверхнизких температур. Низкотемпературные жидкости.
- •8. Физические основы охлаждения.
- •8.1. Изоэнтропное расширение
- •8.2. Дросселирование сжатого газа
- •8.3. Расширение из постоянного объема
- •8.4. Десорбционное охлаждение
- •8.5. Откачка паров кипящей жидкости
- •9. Получение низких температур
- •Конструкция поршневого детандера
- •10. Получение сверхнизких температур
- •10.1 Метод адиабатического размагничивания
- •Криостат
- •10.2. Метод растворения 3Не в 4Не
- •1 0. 3. Метод Померанчука.
- •Энтропия
- •Криостат
- •11. Низкотемпературные жидкости.
- •11.1 Свойства криогенных жидкостей
- •1 1.2. Сверхтекучесть 4Не
- •11.3. Квантовые жидкости
- •11.4. Температурные волны
- •11.5. Квантовая жидкость 3Не
- •Библиографический список
- •Оглавление
5.1.1. Какие электроны участвуют во взаимодействии?
Прежде всего рассмотрим при каком взаимодействии электрон с волновым вектором k1 и импульсом р1 может перейти в состояние k1 или р1, которое в соответствии с принципом Паули, должно быть свободно. Это возможно только вблизи поверхности Ферми в слое толщиной 2k или 2р.
Рис. 5.2. Взаимодействуют только электроны
из слоя 2k
Закон взаимодействия электронов через фононы, который лежит в основе микроскопической теории, устанавливает, что электроны, энергии которых отличаются от энергии электрона на поверхности Ферми не больше, чем на величину , притягиваются друг к другу. Энергия взаимодействия таких двух электронов равна – V. Все остальные электроны с иными по величине энергиями не претерпевают изменений. Запишем матричный элемент взаимодействия электронов
. (5.2)
Таким образом, в этой теории устанавливается, что притягиваются только электроны, лежащие в узком сферическом слое около поверхности Ферми толщиной 2k (рис. 5.2.).
,
.
5.2. Основное состояние сверхпроводника
Нам необходимо определить состояние, соответствующее минимальной энергии сверхпроводника.
Вспомним некоторые положения квантовой механики.
Обозначим (r1 r2…rn) – полную систему функций. Если N пробегает какой-то набор значений, которыми мы нумеруем эти функции, тогда любую волновую функцию (r1 r2…rn) можно разложить по системе .
= , (5.3.)
где аn – амплитуда состояния n, аn 2 – вероятность обнаружить систему в состоянии n.
Пусть оператор Гамильтона равен
= + V, (5.4.)
где – оператор кинетической энергии, V – оператор энергии взаимодействия.
Среднее значение энергии Е в состоянии можно записать
Е = . (5.5.)
Интегрирование ведется по всем N переменным. Подставляя в (5.5.) выражения (5.3.) и (5.4.) имеем
(5.6.)
где , (5.7.)
а Vnm - матричный элемент перехода из состояния m в состояние n.
Vnm = , (5.8.)
Вспомним также, что для нормального металла основное состояние (Т = 0) характеризуется тем, что все электроны в пространстве импульсов занимают состояния внутри поверхности Ферми, а состояния вне ее свободны. Потенциальная энергия отсутствует, а этому состоянию соответствует только минимальная кинетическая энергия.
Посмотрим случай сверхпроводника. Включим теперь энергию взаимодействия, о которой говорили выше. Эта энергия вызывает притяжение между электронами, поэтому она будет давать отрицательный вклад и тем самым понижать общую энергию системы. Для этого должна быть обеспечена возможность рассеяния электронов из состояния (k1 k2) в состояние ( k1 k2), т.е. состояние (k1 k2) вначале заполнено, а ( k1 k2) пустое.
Минимальной энергии при Т= 0 в случае сверхпроводника перестает соответствовать полностью заполненная сфера Ферми. Здесь природа идет на некоторый проигрыш в кинетической энергии с целью отыграться на потенциальной энергии. В этой ситуации поверхность Ферми как бы размазывается, т.е. имеются электроны над поверхностью и свободные состояния над ней. Как происходит заполнение ? Ранее мы говорили о парах электронов, но какие электроны образуют пару ?
При переходе пары электронов (k1 k2) ( k1 k2) должен выполняться закон сохранения импульса
k1 + k2 = k1 +k2
и суммирование (см. формулу 5.7.) распространяется на все такие переходы. Чем больше окажется таких разрешенных переходов, тем больше должен быть отрицательный вклад V.
Представим всю совокупность состояний в слое 2 . Занумеруем их индексом n. Они образуют полную систему функций основного состояния сверхпроводника . Это означает, что рассеяние друг на друге пар электронов из состояния (k,-k) в состояние (k,-k) означает переход n, в котором ячейки (k,-k) заняты, а (k,-k) свободны в другое состояние m, где ячейки (k,-k) свободны, а (k,-k) заняты.
Рис. 5. 3. Схема к пониманию взаимодействующих
электронов
Введем некоторую функцию 2k волнового вектора k. Пусть это будет вероятность того, что пара состояний (k,-k) занята. Амплитуду состояния (если свободны) запишем
аn =
где = 1 - 2k
Для состояния 2 аналогично запишем
аm = k .
Используя (5.6.) запишем полную энергию сверхпроводника в состоянии, описываемом распределением 2k в виде
Еs = . (5.9)
Первое слагаемое описывает полную кинетическую энергию системы, k – энергия электрона в ячейке k, отсчитанная от ЕF.
.
Второе слагаемое в уравнении (5.9.) есть средняя потенциальная энергия взаимодействия электронов, где матричный элемент Vkk определяется формулой (5.2.).
Теперь надо найти такую функцию 2k, которая будет минимизировать полную энергию ЕS, т.е. 2k должна удовлетворять условию
,
подставив сюда уравнение (5.9.) и (5.3.) получим
откуда
, (5.10)
где
. (5.11)
Штрих у знака суммы означает, что суммирование ведется только по состояниям, лежащим в сферическом слое около поверхности Ферми, где Vkk0 (см. выражение (5.2)).
Из (5.10) найдем
,
где
. (5.12)
Тогда квадратичное уравнение по преобразуем
. (5.13)
В этом равенстве стоит знак (-), так как исходя из физических соображений , а k Еk при k 0.
Г рафик от k показан на рис. 5.4. Минимума полная энергия достигает, когда распределение электронов размазано у поверхности Ферми ( при Т=0). Это и есть основное состояние сверхпроводника.