Inductance Lon

В нутренняя индуктивность Lon, в Генри. Inductance Lon не может быть установлена 0

Forward voltage Vf

Прямое напряжение IGBT прибора, в Вольтах.

Current 10% fall time

Время затухания тока Tf, в секундах.

Current tail time

Оставшееся время затухания тока, в секундах.

Initial current Ic

Начальный электрический ток Ic.

Вы можете определить начальный электрический ток, текущий в IGBT. Обычно устанавливается нулевым, чтобы начать моделирование с выключенного транзистора.

Вы можете определить начальный электрический ток Ic, соответствующий специфическому состоянию цепи. В таком случае все части линейной схемы должны быть установлены соответственно – сложная задача. Поэтому, этот вариант полезен только с простыми цепями.

Snubber resistance Rs

Сопротивление демпфирующего устройства, в Омах. Установите Snubber resistance Rs в inf чтобы не использовать демпфирующее устройство.

Snubber capacitance Cs

Емкость демпфирующего устройства, в Фарадах. Установите Snubber capacitance Cs 0, чтобы не использовать демпфирующее устройство в модели или inf, чтобы получить демпфирующее резистивное устройство.

Входы и выходы

Первое вход и вывод - IGBT выводы, связанны соответственно с коллектором (c) и эмиттером (e). Второй вход (g) - логический сигнал Simulink. Второй вывод - Simulink вектор измерений [Ic, Vce] возвращение.

Предположения и недостатки

Элемент IGBT осуществляет макромодель реального IGBT прибора и не принимает во внимание размеры прибора или сложные физические процессы.

IGBT смоделирован как нелинейный элемент, соединявший с линейной схемой, как показано ниже.

П оэтому, чтобы избегать алгебраического цикла, IGBT индуктивность Lon не может быть нулевой. Каждый IGBT прибавляет дополнительное состояние к электрической модели цепи. Поскольку IGBT смоделирован как источник тока, то не может быть связан последовательно с индуктивностью, источником тока или разомкнутой цепью, если демпфирующая цепь не используется.

Цепи, содержащие индивидуальные элементы IGBT не могут быть дискретизированы. Однако дискретность разрешается для мостиков IGBT/Diodes, имитируемых с элементами универсального моста.

Вы должны использовать жесткий алгоритм интегрирования, чтобы имитировать цепи, содержащие IGBTs. Ode23tb или Ode15s с заданными по умолчанию параметрами обычно дают лучшее быстродействие моделирования.

ПРИМЕР

Следующий пример иллюстрирует использование элемент IGBT в преобразователе постоянного тока. IGBT включается и выключается на частоте 10 кГц, чтобы перенести энергию от источника постоянного тока к нагрузке (дистанционное управление). Среднее выходное напряжение (V_R) является функцией рабочего цикла ( ) коммутатора IGBT:

Этот пример в файле psbigbtconv.mdl.

Выполните моделирование и наблюдайте ток индуктивности (I_L), IGBT ток коллектора (I_ЕC), диодный ток (I_D), IGBT напряжение эмиттера коллектора прибора (V_СЕ) и напряжение нагрузки (V_R).