- •Политехнический колледж № 39
- •Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности от внешних факторов. Материал полупроводников.
- •Электронные ключи и формирование импульсов.
- •Политехнический колледж № 39
- •Задача. Изобразить схему усилительного каскада на полевом транзисторе
- •Определение и свойства p-n- перехода. Вах p-n- перехода
- •Триггеры, устройство, принцип действия, применение
- •Триггер на логических элементах. Асихронный rs-триггер.
- •Виды электронной эмиссии, применение в электронных приборах.
- •Политехнический колледж № 39
- •Выпрямительные полупроводниковые диоды (определение, уго, прямое и обратное включение)
- •Параметры ппд:
- •Стабилитроны (определение, уго, параметры, включение в цепь)
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, обозначение, принцип работы)
- •2. Режимы работы усилителя.
- •3. Задача. Коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Классификация и условное графическое обозначение на схемах полупроводниковых диодов.
- •Параметры ппд:
- •3. Задача. Для биполярного транзистора коэффициент передачи тока
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Назначение фото и светоэлементов. Условное графическое обозначение
- •2. Усилитель постоянного тока. Гальваническая межкаскадная связь.
- •3. Задача. Для схемы включения биполярного транзистора с оэ для
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Какое количество электронов вызывает фототок 100 мА,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзисторов.
- •Обратная связь в усилителях.
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1 Полевые транзисторы с управляемым p-n- переходом
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, уго, принцип работы).
- •2. Оптроны (схемы, состав, принцип действия, применение)
- •3. Задача. Подсчитать коэффициент усиления трехкаскадного усилителя,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Условное графическое обозначение на схемах биполярных
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Виды эмиссии. Работа электровакуумного диода и триода.
- •Политехнический колледж № 39
- •Упт с преобразователем и без него. Дифференциальный упт.
- •Биполярный дифференциальный каскад. Дифференциальный усилитель:
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Изобразить принципиальную электрическую
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Планарно-эпитаксиальная технология
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Характеристики фотоэлементов: вах, световая, спектральная. Фотоэлектронный умножитель.
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы (определение, уго, принцип действия, параметры и применение)
- •3. Задача. Определить угловую частоту затухающих колебаний w0 и
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Светодиоды: назначение, применение, обозначение на схемах, принцип работы.
- •2. Работа логических элементов «и», «или», «не», «и-не». Таблицы истинности логических элементов.
- •3. Задача 30. Подсчитать индуктивное и емкостное сопротивление для
1. Биполярные транзисторы (определение, структура, обозначение, принцип работы)
Т ранзисторы – это ПП приборы, имеющие три области и три вывода и предназначенные для усиления, генерирования электрического сигнала. Транзисторы бывают биполярные (два вида носителей заряда)и униполярные - полевые (один вид носителей заряда). БТ (биполярные транзисторы) имеют два p-n- перехода, три вывода: Э (эмиттер), К (коллектор), Б (база).
Ф изические процессы в биполярном транзисторе. При использовании транзистора в режиме усиления эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Назначением эмиттерного перехода является инжекция (впрыскивание) основных носителей заряда в базовую область. При прямом смещении эмиттерного перехода количество неосновных носителей в базе вблизи него возрастает. В результате в базовой области создается диффузионный ток. Неосновные носители базы под действием ускоряющего поля втягиваются в область коллектора, что приводит к созданию в его цепи управляемого коллекторного тока. Важным параметром транзистора является коэффициент передачи тока эмиттера, который равен отношению приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменном напряжении на коллекторном переходе. α = ΔIk / ΔIэ ; Данный коэффициент мало отличается от единицы α = 0,95-0,99. При малых значениях обратного тока коллекторный ток Ik = α*Iэ .Базовый ток стремятся сделать как можно малым, так как Ik = Iэ - Iб . Это достигается уменьшением ширины базовой области и концентрации в ней примеси. Поскольку коллекторный ток является частью эмиттерного, а эмиттерный ток можно изменять, регулируя потенциал базы, то транзистор является прибором, для усиления и генерирования электрических колебаний. Iэ=Iк+Iб I к=α*Iэ.
а ) общей базой, б) с общим эмиттером, в) с общим коллектором. Существуют 4 режима работы транзистора: 1)усилительный режим - в этом режиме эмиттерный переход смещается прямо, а коллекторный обратно. 2)Режим насыщения - оба перехода прямо смещены через транзистор проходят большие токи. 3)Режим отсечки - оба перехода обратно смещены. 4)Режим инверсирования. Схема включения БТ с общим эмиттером усиливает ток в сотни раз. Параметры БТ: rэ - внутреннее сопротивление эмиттерного перехода, rк - внутреннее сопротивление коллекторного перехода, rб - сопротивление базы. Предельно допустимые параметры транзистора: Tmax =(Si)150-2000C, (Ge)50-1000C. Pрассеиваемая транзистором max=Tmax-Tокр.среды/Rпри tокр.среды., где R - тепловое сопротивление. Umax (коллекторного перехода). Температурные свойства транзисторов. Основной причиной температурной нестабильности транзистора является зависимость обратного тока коллектора от температуры. При увеличении температуры на 100С коллекторный ток увеличивается в 2 раза.
2. Режимы работы усилителя.
Режим А Рабочая точка – на середине прямолинейного уч-ка х-ки подачей смещения ЕСМ ≥Umвх , а ток покоя I0 ≥ Imвых
Форма колебаний IК воспроизводит изменение сигнала выходной цепи.
Низкий КПД (20-30%). Ѳ=π = 1800
Применяется в маломощных каскадах с малыми нелинейными искажениями, КПД не очень важен (каскады предварительного усиления).
Режим В Рабочая точка выбирается так, что ток покоя I0 = 0. При подаче на вход переменного сигнала положительная полуволна вызывает появление выходного тока – импульс с углом отсечки = 900 . Форма сигнала искажена – большие нелинейные искажения. Высокий КПД (60-70%). Т.к. в отсутствии сигнала IВЫХ = 0. Ѳ=π/2=900 Используется в двухтактных схемах
Режим АВ – промежуточный между А и В. КПД = (40-50)%
Более экономичен, чем А, и характеризуется меньшими нелинейными искажениями, чем В. 1800 ≥ Ѳ ≥ 900
Применяется в двухтактных усилителях мощности.