- •Политехнический колледж № 39
- •Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности от внешних факторов. Материал полупроводников.
- •Электронные ключи и формирование импульсов.
- •Политехнический колледж № 39
- •Задача. Изобразить схему усилительного каскада на полевом транзисторе
- •Определение и свойства p-n- перехода. Вах p-n- перехода
- •Триггеры, устройство, принцип действия, применение
- •Триггер на логических элементах. Асихронный rs-триггер.
- •Виды электронной эмиссии, применение в электронных приборах.
- •Политехнический колледж № 39
- •Выпрямительные полупроводниковые диоды (определение, уго, прямое и обратное включение)
- •Параметры ппд:
- •Стабилитроны (определение, уго, параметры, включение в цепь)
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, обозначение, принцип работы)
- •2. Режимы работы усилителя.
- •3. Задача. Коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Классификация и условное графическое обозначение на схемах полупроводниковых диодов.
- •Параметры ппд:
- •3. Задача. Для биполярного транзистора коэффициент передачи тока
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Назначение фото и светоэлементов. Условное графическое обозначение
- •2. Усилитель постоянного тока. Гальваническая межкаскадная связь.
- •3. Задача. Для схемы включения биполярного транзистора с оэ для
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Какое количество электронов вызывает фототок 100 мА,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзисторов.
- •Обратная связь в усилителях.
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1 Полевые транзисторы с управляемым p-n- переходом
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, уго, принцип работы).
- •2. Оптроны (схемы, состав, принцип действия, применение)
- •3. Задача. Подсчитать коэффициент усиления трехкаскадного усилителя,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Условное графическое обозначение на схемах биполярных
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Виды эмиссии. Работа электровакуумного диода и триода.
- •Политехнический колледж № 39
- •Упт с преобразователем и без него. Дифференциальный упт.
- •Биполярный дифференциальный каскад. Дифференциальный усилитель:
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Изобразить принципиальную электрическую
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Планарно-эпитаксиальная технология
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Характеристики фотоэлементов: вах, световая, спектральная. Фотоэлектронный умножитель.
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы (определение, уго, принцип действия, параметры и применение)
- •3. Задача. Определить угловую частоту затухающих колебаний w0 и
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Светодиоды: назначение, применение, обозначение на схемах, принцип работы.
- •2. Работа логических элементов «и», «или», «не», «и-не». Таблицы истинности логических элементов.
- •3. Задача 30. Подсчитать индуктивное и емкостное сопротивление для
2. Виды эмиссии. Работа электровакуумного диода и триода.
Э лектрическое поле может изменять направление движения электрона. В пространстве между анодом(+) и катодом(-) создано электрическое поле напряжённостью Е=U/d, где U - напряжение, d-расстояние между пластинами (электродами). На электрон в электрическом поле действует сила F=eE, где е- заряд электрона, который равен 1,6*10-19 Кл.
F=e*E=e*U/d
Виды электронной эмиссии: 1)термоэлектронная 2)фотоэлектронная 3)вторичная 4)электростатическая. Эмиссия - процесс выхода электронов с поверхности твёрдого тела в вакуум.
Электровакуумные приборы. Электронной лампой называется прибор, в котором используется движение электронов между электродами, помещёнными в вакууме. Электронные лампы, содержащие в баллоне 2 электрода - катод (-) и анод (+), называются двухэлектродными (диодами).
Положительное напряжение на аноде: электроны, испускаемые катодом, устремляются к аноду и создают анодный ток. При отрицательном напряжении на аноде: создаётся тормозящее поле, тока нет. Следовательно, диод обладает вентильным свойством (односторонней проводимостью) и применяется для выпрямления переменного тока. Статические параметры диода: крутизна характеристики диода (до 30мА/В) S=Δla/ΔUa, внутреннее сопротивление переменному току R=1/S. Эксплуатационные параметры: номинальное напряжение и ток накала Uном и Iном, допустимое обратное напряжение на диоде Uобр.max, допустимая мощность, рассеиваемая анодом Pamax. Применение: для выпрямления переменного тока, детектирования высокочастотных модулируемых напряжений и др. Трёхэлектродная лампа, у которой между катодом и анодом расположен третий электрод-сетка, называется триодом.
3. Задача. Изобразить схему каскада усилителя на биполярном транзисторе с ОЭ.
Политехнический колледж № 39
УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР __________________ Стрельникова Т.А. |
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 20
Дисциплина: Электронная техника |
СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии ______________ Жданова И.М.
|
«___» апреля 2010 г.
|
Группы: ВМ-25, ВМ-21 |
«___» апреля 2010 г. |
Основные схемы включения биполярных транзисторов в цепь. И их параметры.
а ) общей базой, б) с общим эмиттером, в) с общим коллектором. Существуют 4 режима работы транзистора: 1)усилительный режим - в этом режиме эмиттерный переход смещается прямо, а коллекторный обратно. 2)Режим насыщения - оба перехода прямо смещены через транзистор проходят большие токи. 3)Режим отсечки - оба перехода обратно смещены. 4)Режим инверсирования. Схема включения БТ с общим эмиттером усиливает ток в сотни раз. Параметры БТ: rэ - внутреннее сопротивление эмиттерного перехода, rк - внутреннее сопротивление коллекторного перехода, rб - сопротивление базы. Предельно допустимые параметры транзистора: Tmax =(Si)150-2000C, (Ge)50-1000C. Pрассеиваемая транзистором max=Tmax-Tокр.среды/Rпри tокр.среды., где R - тепловое сопротивление. Umax (коллекторного перехода). Температурные свойства транзисторов. Основной причиной температурной нестабильности транзистора является зависимость обратного тока коллектора от температуры. При увеличении температуры на 100С коллекторный ток увеличивается в 2 раза.