- •Политехнический колледж № 39
- •Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности от внешних факторов. Материал полупроводников.
- •Электронные ключи и формирование импульсов.
- •Политехнический колледж № 39
- •Задача. Изобразить схему усилительного каскада на полевом транзисторе
- •Определение и свойства p-n- перехода. Вах p-n- перехода
- •Триггеры, устройство, принцип действия, применение
- •Триггер на логических элементах. Асихронный rs-триггер.
- •Виды электронной эмиссии, применение в электронных приборах.
- •Политехнический колледж № 39
- •Выпрямительные полупроводниковые диоды (определение, уго, прямое и обратное включение)
- •Параметры ппд:
- •Стабилитроны (определение, уго, параметры, включение в цепь)
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, обозначение, принцип работы)
- •2. Режимы работы усилителя.
- •3. Задача. Коэффициент усиления по току для схемы с общим эмиттером
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Классификация и условное графическое обозначение на схемах полупроводниковых диодов.
- •Параметры ппд:
- •3. Задача. Для биполярного транзистора коэффициент передачи тока
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Назначение фото и светоэлементов. Условное графическое обозначение
- •2. Усилитель постоянного тока. Гальваническая межкаскадная связь.
- •3. Задача. Для схемы включения биполярного транзистора с оэ для
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Какое количество электронов вызывает фототок 100 мА,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Основные параметры биполярных транзисторов.
- •Входные и выходные характеристики транзисторов.
- •Обратная связь в усилителях.
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •1 Полевые транзисторы с управляемым p-n- переходом
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Биполярные транзисторы (определение, структура, уго, принцип работы).
- •2. Оптроны (схемы, состав, принцип действия, применение)
- •3. Задача. Подсчитать коэффициент усиления трехкаскадного усилителя,
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Условное графическое обозначение на схемах биполярных
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Виды эмиссии. Работа электровакуумного диода и триода.
- •Политехнический колледж № 39
- •Упт с преобразователем и без него. Дифференциальный упт.
- •Биполярный дифференциальный каскад. Дифференциальный усилитель:
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •3. Задача. Изобразить принципиальную электрическую
- •Политехнический колледж № 39
- •Искажения, вносимые усилителем
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Политехнический колледж № 39
- •Планарно-эпитаксиальная технология
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Характеристики фотоэлементов: вах, световая, спектральная. Фотоэлектронный умножитель.
- •Политехнический колледж № 39
- •2. Фотодиоды, фототранзисторы, фоторезисторы (определение, уго, принцип действия, параметры и применение)
- •3. Задача. Определить угловую частоту затухающих колебаний w0 и
- •Политехнический колледж № 39
- •1. Светодиоды: назначение, применение, обозначение на схемах, принцип работы.
- •2. Работа логических элементов «и», «или», «не», «и-не». Таблицы истинности логических элементов.
- •3. Задача 30. Подсчитать индуктивное и емкостное сопротивление для
Искажения, вносимые усилителем
Определяют как изменения формы выходного сигнала по сравнению с формой входного сигнала.
3. Задача. Привести принципиальную электрическую схему однополупериодного однофазного выпрямителя и его временную диаграмму.
Политехнический колледж № 39
УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР __________________ Стрельникова Т.А. |
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 22
Дисциплина: Электронная техника |
СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии _______________ Жданова И.М.
|
«___» апреля 2010 г.
|
Группы: ВМ-25, ВМ-21 |
«___» апреля 2010 г. |
Структура, УГО, принцип работы, характеристики и применение
МОП- транзисторов
ПТ с изолированным затвором и индуцированным каналом:
Индуцированный канал создаётся при напряжении положительной полярности на затворе, транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения. Из-за простоты изготовления и хороших технических характеристик эти транзисторы получили наибольшее распространение среды полевых.
П араметры ПТ. Статические параметры, соответствующие режиму насыщения. Статические параметры, соответствующие режиму насыщения 1. Крутизна характеристик S S = ΔIс / ΔUзи mA/V при Uc = const 2. Внутреннее сопротивление Ri = Δ Uc / ΔIс kOhm при Uзи = const 3. Коэффициент усиления µ = Δ Uc / ΔUзи при Iс = =const 4. Напряжение отсечки Uзи отс , емкости: входная, проходная, выходная . Достоинства ПТ: Высокое входное сопротивление (ПТ с управляемым p-n – переходом 106 – 109 Ом, у ПТ с изолированным затвором 1013 – 1015 Ом); Малый уровень собственных шумов; Высокая устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий; Высокая плотность расположения элементов при использовании приборов в интегральных схемах; Достоинства биполярных транзисторов Высокое допустимое значение напряжения между К и Э (до неск. кВ) при достаточно больших значениях тока коллектора (до 25 А) . Маркировка транзисторов: Первый элемент – буква или цифра определяет исходный полупроводниковый материал Г или 1 – германий; К или 2 – кремний; А или 3 – арсенид галлия. Второй элемент – буква, указывающая класс приборов: Т – биполярные транзисторы; П – полевые транзисторы; Третий, четвертый и пятый – трехзначное число, первая цифра которого означает классификационный номер (диапазон частот, мощность), а две последующие – порядковый номер разработки. Шестой – параметрическую группу.
МОП - метил, оксид, полупроводник. МДП - металл, диэлектрик, полупроводник.
2. Выбор рабочей точки усилителя. Режимы работы усилителя.
Выходной каскад - для отдачи в нагрузку заданной мощности сигнала при высоком КПД и минимальном уровне нелинейных и частотных искажений. Максимальная неискаженная мощность и КПД выходного каскада зависят от типа транзистора, режима работы и схемы каскада. Используются чаще схемы с общим эмиттером.
Однотактные и двухтактные.
В зависимости от положения рабочей точки на характеристике транзистора различают режимы:
А, АВ, В, С.
Удобнее рассматривать режимы с помощью проходной
динамической характеристики (зависимости выходного тока
транзистора IК от его входного напряжения UБЭ)
Режим А Рабочая точка – на середине прямолинейного уч-ка х-ки подачей смещения ЕСМ ≥Umвх , а ток покоя I0 ≥ Imвых
Форма колебаний IК воспроизводит изменение сигнала выходной цепи.
Низкий КПД (20-30%). Ѳ=π = 1800
Применяется в маломощных каскадах с малыми нелинейными искажениями, КПД не очень важен (каскады предварительного усиления).
Режим В Рабочая точка выбирается так, что ток покоя I0 = 0. При подаче на вход переменного сигнала положительная полуволна вызывает появление выходного тока – импульс с углом отсечки = 900 . Форма сигнала искажена – большие нелинейные искажения. Высокий КПД (60-70%). Т.к. в отсутствии сигнала IВЫХ = 0. Ѳ=π/2=900 Используется в двухтактных схемах
Режим АВ – промежуточный между А и В. КПД = (40-50)%
Более экономичен, чем А, и характеризуется меньшими нелинейными искажениями, чем В. 1800 ≥ Ѳ ≥ 900
Применяется в двухтактных усилителях мощности.