- •А.В. Кривошейкин, л.Х. Нурмухамедов основы компьютерного проектирования и моделирования радиоэлектронных средств
- •Isbn 5-94760-058-7
- •192102. Санкт-Петербург, ул. Бухарестская, 22.
- •192102. Санкт-Петербург, ул. Бухарестская, 22.
- •1. Цели и задачи компьютерного проектирования и моделирования радиоэлектронных средств
- •1.2. Понятие о математическом моделировании и математической модели
- •2. Математические модели компонентов
- •2.2. Математические модели диодов и транзисторов
- •2.3. Математическая модель операционного усилителя
- •2.4. Температурная зависимость параметров активных компонентов
- •2.5. Математические модели независимых и зависимых источников тока и напряжения
- •2.6. Понятие о библиотеке моделей компонентов
- •3. Параметры и характеристики радиоэлектронных средств
- •3.1. Понятие о техническом задании и технических условиях
- •3.2. Понятие о спектральном анализе
- •3.3. Понятие о шумовых характеристиках
- •3.4. Понятие о статистических параметрах
- •4. Системы компьютерного схемотехнического моделирования и их особенности
- •4.1. Исходные данные и дополнительные параметры
- •4.2. Дополнительные параметры при анализе режима по постоянному току
- •4.3. Дополнительные параметры при анализе характеристик во временной области
- •5. Моделирование в системе MicroCap 7
- •5.1. Подготовка исходной информации
- •5.2. Порядок ввода электрической принципиальной схемы исходной информации
- •5.3. Порядок проведения анализа в частотной области
- •5.4. Порядок проведения анализа во временной области
- •5.5. Порядок проведения спектрального анализа
- •5.6. Порядок проведения анализа шумовых характеристик
- •5.7. Порядок проведения статистического анализа
- •6. Синтез фильтров в системе MicroCap 7
- •6.1. Исходные данные в задачах фильтрации
- •6.2. Ввод требований к фильтру
- •6.3. Выбор схемы реализации и денормирование элементов
- •7. Оптимизация параметров в системе МicroСap 7
- •7.1. Понятие о задачах оптимизации
- •7.2. Порядок решения задачи оптимизации в системе Microcap 7
2. Математические модели компонентов
Математические модели пассивных компонентов
Резистор
Математическая модель резистора (рис. 2.1) описывается законом Ома:
UR=IR, или I=gUR, где g=1/R.
В первом случае задано падение напряжения UR на резисторе, а искомая величина – ток I через резистор. Во втором случае задан ток I через резистор, а искомая величина – это UR на резисторе.
Параметры математической модели:
номинальное значение сопротивления RН;
допуск на сопротивление R;
температурный коэффициент ТКR.
Допуск R является границей отклонений сопротивления от номинального значения, возникающих в процессе изготовления резисторов:
при этом сопротивления резисторов в процессе их производства могут принимать значения:
Если значение сопротивления R меньше номинального RH , то относительное отклонение R/ RH 0, в противном случае R/ RH 0.
Обычно допуск R задается в процентах.
Температурный коэффициент ТКR задает значение сопротивления для текущего значения температуры Т:
,
где ТН – номинальное значение температуры, принимаемое равным 270 С.
Таким образом, TKR равен относительному отклонению сопротивления от номинального значения при изменении температуры на 10 С. Иногда TKR задается в propromil (ppm):
TKRppm= TKR 106.
Конденсатор
Математическая модель конденсатора (рис. 2.2) записывается в виде:
или
В первом случае заданной величиной является падение напряжения UC(t) на конденсаторе, а искомой – ток через конденсатор I(). Во втором случае заданной величиной является ток через конденсатор I(t), а искомой – падение напряжения UC(t).
Параметры математической модели:
номинальное значение емкости CH;
допуск на емкость С;
температурный коэффициент TKC.
Понятие о допуске и температурном коэффициенте были даны при описании модели резистора.
Катушка индуктивности
Катушка индуктивности (рис. 2.3) описывается двумя математическими моделями:
или
Параметрами математической модели являются LH, L, TKL, содержание которых аналогично рассмотренным для резистора и конденсатора.
Реальные модели резистора, конденсатора, индуктивности сложнее, чем рассмотренные здесь.
Так, в модели резистора и конденсатора надо учесть индуктивность выводов, что может быть сделано последовательным включением индуктивности вывода с резистором и конденсатором. Кроме того, в конденсаторе имеются потери, задаваемые величиной tg . Влияние этих потерь учитывается включением параллельно к конденсатору сопротивления потерь. Наконец, в катушке индуктивности также имеются потери, задаваемые величиной добротности Q. Учет этих потерь производится включением резистора потерь последовательно с катушкой. Наличие паразитной межвитковой ёмкости учитывается включением суммарной паразитной ёмкости параллельно катушке.
Таким образом, модели даже простейших компонентов могут быть достаточно сложными, если требуется высокая степень адекватности параметров физического объекта и его математической модели.
Двухобмоточный трансформатор
Трансформатор (рис. 2.4) может быть представлен в виде следующей математической модели:
где L1, L2 – индуктивности обмоток,
М12 – взаимоиндуктивность.
Параметрами модели являются значения L1, L2 и коэффициента связи
Значение КСВ лежит в пределах от нуля до единицы. Значение КСВ=1 говорит о наличии жесткой связи между обмотками, что характерно для согласующих и силовых трансформаторов и для выходных трансформаторов усилителей. Значение КСВ<1 говорит о наличии в трансформаторе индуктивности рассеяния, что приводит к уменьшению коэффициента передачи на высоких частотах. Такие трансформаторы используются в резонансных контурах фильтров.
Иногда в качестве параметров задаются:
значение индуктивности L1;
коэффициент связи КСВ;
коэффициент трансформации
Кроме перечисленных параметров нужно указать способ включения обмоток - согласный или встречный.