![](/user_photo/_userpic.png)
Дегтяренко Введение в физику неупорядоченных конденсированных 2011
.pdf![](/html/611/144/html_DoPh4j5R76.fb9C/htmlconvd-d2_oMs21x1.jpg)
где сомножитель= |
sP |
очень |
сильно |
|
|
зависит |
от концентрации= |
|
||||||
примесей= kd K= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PK4K= |
Об |
электронных |
|
состояниях |
в |
= аморфн |
||||||||
полупроводникахI= |
по |
которым происходят |
прыжкиI= известно= |
|
||||||||||
значительно |
|
меньшеI= |
чем |
об |
электронных |
состояниях= |
в |
|||||||
кристаллических |
полупроводникахK= Эти |
состояния |
связаны |
не = с |
|
|||||||||
примесямиI= |
а |
с |
флуктуациями |
структуры |
и |
стехиометрического= |
|
|||||||
составаK= Как |
для |
аморфныхI= так |
|
и |
для |
|
кристаллических= |
|
||||||
полупроводниковI= при |
температурах= = |
|
T= Y= Nh= обнаруживается= |
|
||||||||||
зависимость вида== |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
ì |
|
|
N 4 |
ü |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ï æ q |
ö |
ï |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
s = sM exp í-ç |
|
M |
÷ |
ý |
=K=======================ENKTF= |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
ï è q |
ø |
ï |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
î |
|
|
|
þ |
|
|
|
|
|
Можно показатьI=что области=PKP=и=PK4==описываются теорией= перколяцииK=
4K=Рентгеновская дифракцияK=
Из данных рентгеновского спектра может быть получена так= называемая радиальная функция распределения=EрисKNKSF:=
c(R)
R1 R2 |
R |
= |
|
|
РисKNKSK= Качественные изменения радиальной функции расJ пределения при введении беспорядка=Eсплошная линияF=
Радиальная функция распределения содержит интегральную= информацию о потенциале взаимодействия атомовK= ТакI= атомы не=
ON=
=
заполняют интервал расстояний меньших=oNI=характерного расстоJ яния для первой координационной сферыK= Для неидеального тверJ
дого тела информация о второй и следующих координационных= сферах частично потерянаI=та какK=максимумы==cEoF=размазаныK==
Общие особенности неупорядоченных системK=
Все перечисленные неупорядоченные системы обладают обJ щими свойствами силового поляI=а именно:=
Отсутствием пространственной периодичности поJ тенциальной энергии носителей заряда и наличием в ней слуJ чайного слагаемогоK=
Для описания последнего необходимо задать вероятность= =Á[s ] реализации того или иного значения потенциальной энергии=
r r
носителей заряда= s ErF как функцию координаты= r K= Функционал=
=Á[s ] =– новая характеристика системы в сравнении с теорией идеJ
ального кристаллаK=
=
N.P.=Эргодическая==теорема.== Физически достоверный объем=
В макроскопическом опыте имеем дело с полным объемом= образца или с его большой макроскопической частьюK=Таким обраJ зомI= все наблюдаемые в эксперименте величины получались в Jре зультате усреднения по объему образцаK= Макроскопически больJ шой образец можно представить как совокупность большого числа= макроскопических подобластейK=Физически ясноI=что значения поJ тенциальной энергии электронов в случайном полеI=в окрестностях== точекI= значительно удаленных друг от другаI= не будут связаны= между собой= Eмежду ними не будет корреляционной связиFK= ДейJ ствительноI= при значительном удалении в каждом подобразце буJ дет наблюдаться своя случайная реализация случайного поляI= т.еK= свое расположение примесейK=
Усреднение по объему сведется к усреднению по различным= реализациям случайного поляI= т.еK= по всем возможным конфигураJ
OO=
=
![](/html/611/144/html_DoPh4j5R76.fb9C/htmlconvd-d2_oMs23x1.jpg)
циям атомов примесейK=Такая процедура усреднения не имеет анаJ логов в обычной=EзоннойF=теории идеального кристаллаK=
Усреднение по объему образца==эквивалентно==усреднению по= функционалу вероятности= =Á[s ] K=
Поскольку потенциальная энергия=–=случайная величинаI=то= задача об энергетическом спектре частицы в случайном = поле должна иметь вероятностный характерK= Нет смысла спрашивать= дозволено или нет то или иное значение энергииI=принадлежит оно= дискретному или непрерывному спектруK= Ответ должен носить= вероятностный характерK= Можно говорить об энергетическом= спектре только с точки зрения теории вероятностейK=Обязательным= является предельный переход=
ln k = ` Y ¥ I=
W
W ® ¥ I= k ® ¥ = –= объем и число частиц в этом объемеI= константа=С не является функцией объемаK=
=
=
РисKNKTK= Качественная картина к определению физически=
достоверного объема образца=
=
OP=
=
![](/html/611/144/html_DoPh4j5R76.fb9C/htmlconvd-d2_oMs24x1.jpg)
ПредположимI= что прошлись по малому :=образцу встретились только три конфигурации дефектов=Eслучайного поляF=
(рисKNKTFK=
Если рассмотреть больший образецI=то там может встретитьJ ся больше конфигурацийK==
Физически достоверный объем= –= объемI= в котором вероятJ ность встретить все возможные конфигурации соответствует= представительности конфигураций в бесконечном объемеK=
=
Краткие выводы:=
В силу отсутствия==дальнего порядкаI=квазиимпульсI=характеJ
ризующий состояние системыI= не является |
хорошим |
квантовым= |
|||
числомK= Такое состояние с |
каким-либо значением= k= –= |
нестациоJ |
|||
нарноеI= оно |
разрушаетсяK= Рассеяние заряда |
на |
непериодическом= |
||
поле столь |
интенсивноI= что |
квазиимпульс |
не |
сохраняется даже= |
приближенно:==
- закон дисперсии= eEk F теряет смыслX=
- энергия Ферми=ec не определяетсяK= В ФТТ все измеряемые веJ личины определяются их значением на уровне ФермиX=
- эффективная масса носителей= m*-N = дO Е теряет смыслX=
дкO
-понятие зоны Бриллюэна отсутствуетX=
-в основе физики идеального твердого тела лежит одноэлекJ тронное приближениеK= Задача сводится к квазичастицамI= диJ намической характеристикой которых становится эффективная= масса= = EэлектронаI= дыркиFK= В идеальном кристалле инкремент= затухания одноэлектронного представления стремится к нулю= вблизи поверхности ФермиI= что обусловлено совместным выJ
полнением принципа ПаулиI= законами сохранения энергии и= квазиипмульсаK=
Когда поле непериодичноI=то инкремент затухания одноэлекJ тронного представления оказывается ненулевымK=Таким образомI=в= непериодических системахI= по сравнению с идеальным кристалJ ломI=возрастает роль многочастичных эффектовK=
O4=
=
![](/html/611/144/html_DoPh4j5R76.fb9C/htmlconvd-d2_oMs25x1.jpg)
В неидеальном кристалле= EнепериодическомF= –= необходимо= решать многочастичную задачуK=
УтверждениеW для любой системыI =как угодно взаимодейJ ствующих частицI= можно ввести понятие плотности числа состояJ нийI=и дать рецепт ее вычисленияK=Если плотность числа состояний= известнаI= то все термодинамические величины могут быть вычисJ лены и в общем случаеK=
Как известноI= для электронов= EфермионовF= вероятность засеJ ления состояний с энергией=b определяется распределением Ферми:=
f= |
(b= )Z= |
= = N= |
= |
|
K==============ENK8F= |
|
c |
|
æ b - c ö |
||||
|
N + expç |
|
|
÷ |
|
|
|
|
hq |
||||
|
è |
|
ø |
|
Функция плотности числа состояний дает информацию= о томI=существует ли такое состояние в системеI=т.еK=представлено ли= это состояниеK= НапомнимI= вывод формулы для плотности элекJ тронного газа=
|
N |
P åò |
r |
c ë |
û |
||
n = |
|
|
|
dp × f |
éb ( pIs ù)I= |
||
(Oph |
) s |
||||||
|
|
|
|
здесь сумма по=s есть суммирование по спиновым состояниямK=ПеJ реход от интегрирования по импульсному пространству к интегриJ рованию по энергии:==
|
|
|
|
|
|
|
переход |
|
¢ |
|
|
|
|
|
|||
|
px I py I pz s ¾¾¾¾®bI nI n I s = |
|
|
|
|
||||||||||||
проводится с якобианом перехода= ws (bI nIn¢)= |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
é |
|
N |
|
|
|
|
|
|
|
ù |
|
|
|
n = åò f p EbF ê |
|
|
|
òd nd n¢× ws (EInI n¢ ú)dE = åò fc (E r) E( d)E I== |
|||||||||||||
|
|
|
P |
||||||||||||||
s |
|
|
|
ëêEOphF |
|
|
|
|
|
|
ûú |
|
s |
||||
( |
|
) |
|
N |
|
|
¢ |
|
s ( |
|
|
) |
|
|
|
||
где= r b |
= |
EOphFP ò |
|
× w |
|
EInIn¢ =–= плотность состоянийK= |
|||||||||||
dndn |
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
В |
|
случае |
газа свободных |
квазичастиц= EэлектроновF= закон= |
|||||||||||||
дисперсии:= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
pO |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
bE pF = b |
|
+ |
|
= |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M |
|
Om G |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
OR=
=
![](/html/611/144/html_DoPh4j5R76.fb9C/htmlconvd-d2_oMs26x1.jpg)
ws (EIqI j =)EOm*FP L O E - EM sin q I=
а для плотности числа состояний=
ì |
m |
PL O |
× |
O |
PL O |
× b - b |
X=====b > b |
|
|||
ï |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
||||||
=rEbF=Z= í p |
O |
P |
|
|
P |
= |
M |
M |
I================ENK9F= |
||
|
h |
= |
|
O = |
|
|
|||||
ïMX====================================b < b |
|
||||||||||
î |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M |
|
где= bM = –= дно зоны проводимостиI= от которого проводится отсчет= энергии=bK=
Вся конкретная информацияI= необходимая для вычисления= термодинамических величинI=содержится в=rEbFK=
Этот результат может быть обобщен на случай наличия в сиJ стеме локальных уровнейK=Пусть= kt =–=общее число примесей в соJ стоянии с энергией= bt I= kN = –= число заселенных состоянийI= kM = –= число пустых состоянийK=Тогда=
kN |
= |
|
f |
I===где==== f = |
N |
K====================ENKNMF= |
||
|
|
|
|
b - c |
|
|||
kM |
|
N - f |
N + expE |
F |
|
|||
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
kq |
|
Обобщая на случай кратности вырождения заполненных и пустых= состояний==gNI=gMI=получим=
|
k |
|
æ c - b ö |
|
|
|
|
g |
|||||
|
N |
= gt ×expç |
|
|
÷ I===== |
gt = |
|
N |
K= |
||||
|
kM |
è |
kq |
ø |
|
|
|
|
gM |
||||
УчитываяI=что= kN + kM = kt I=получим= |
|
kt |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
nEbt F = |
|
|
|
|
|
|
|
|
K===============ENKNNF= |
||
|
|
æ |
|
|
|
b |
- c |
ö |
|||||
|
|
|
çN+ gt |
×expE |
|
|
t |
F ÷ |
|||||
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
è |
|
|
|
|
|
kq |
ø |
|
|
||
Если ввести энергию= bG = b + q ×ln g |
t |
I= то можно обобщить= |
|||||||||||
|
|
t |
t |
|
|
|
|
|
|
|
|
плотность числа состояний на локализованные== rt EbF = kt × dEb - bt F K=
Тогда плотность числа электронов=
n = åòdb × fc (b )rS (b )I== rS (b ) = r(b )+ rt (b ) ======ENKNOF=
s
OS=
=
![](/html/611/144/html_DoPh4j5R76.fb9C/htmlconvd-d2_oMs27x1.jpg)
учитывает наличие не только непрерывного спектраI= но дискретJ ных уровнейK=
Полная энергия электронов равна=
åòb × fc EbF ×rS EbF × db K================ENKNPF= s
Это термодинамические величиныK= Как известноI= система= также характеризуется кинетическими величинамиI= определяющиJ ми отклик системы на внешнее воздействиеI=напримерI=проводимоJ стьюK=
В теории идеального твердого тела существует три теоремы о= связи плотности числа состояний=rEЕF=и отклика системы на внешJ нее воздействиеK=
Напомним основные моментыI= определяющие проводимость= системы для твердого телаK= Если имеется электрическое полеI= то= расселение электронов по энергии меняетсяK= Меняется и функция=
распределения:= из равновесной= fMc (b ) она становится неравноJ весной=gEbF:=
|
|
r r |
æ |
|
¶f |
M |
|
ö |
|
gEkF = fMc EbF - ebs × t×ç |
- |
|
|
÷ K= |
|||||
¶b |
|||||||||
|
|
|
è |
|
ø |
||||
Плотность тока определяется соотношением= |
|
||||||||
r |
d Pk |
r |
|
|
|
|
|
r |
|
à = -eò |
|
×s EkF × gEk F º s × b K= |
|||||||
P |
|||||||||
|
4p |
|
|
|
|
|
|
|
Используя этот подход для кристаллического твердого телаI=можно= показать=
s ~ òrEbFtEbFs O EbF dfMc EbF × db K=====================ENKN4F= db
Из этого следуетI= что кинетический коэффициент=s также опредеJ ляется плотностью числа состояния= rEbF K=
Пусть= rEbF ¹ M в области непрерывного спектраI= имеет осоJ
бенности в точках дискретного спектра и обращается в нуль в точJ ках запрещенных значений энергииK=
Отметим следующее:=
OT=
=
![](/html/611/144/html_DoPh4j5R76.fb9C/htmlconvd-d2_oMs28x1.jpg)
NK Если электроны и дырки в равновесных условиях занимаJ ют дискретные уровни в запрещенной зонеI= то они могут участвоJ вать в переносе заряда только путем перескока по уровням или за = счет заброса с уровня примеси в зону проводимости или валентную= (для дырокFX=
OK Вероятность таких перескоков падаетI=при=Т=®=MK=
PK Если=Т=®=M=и проводимость остается= s ¹ M I=то в зоне проJ водимости остается конечное число носителейK=
Существуют доказательства трех теорем о корреляциях для= кристаллического твердого тела:=
Теорема=NK=
Проводимость не равна нулю при=Т=Z=MI=если уровень Ферми= принадлежит областиI=где= r ¹ M и непрерывнаK=
Теорема=OK=
Если уровень Ферми попадает в областьI=где=r===MI=то при доJ статочно низких температурах проводимость=
s~ exp ìí- c - bM üý I=
îq þ
где= bM = – =ближайшая к уровню Ферми= c граница области спектраI= для которой= r ¹ M и непрерывнаK=
Теорема=PK=Eо поглощении электромагнитного излученияF= Коэффициент поглощения κ электромагнитного излучения с=
частотой= w не равен нулюI =если частота электромагнитного излуJ чения соответствует условию:==
Shw = bO - bN I=
где= bN I= bO = –= значения энергийI= для которых= r(bN ) ¹ M I= r(bO ) ¹ M =
(непрерывность=r необязательнаFK=
Можно сделать следующее обобщение на случай некристалJ лического твердого телаK==
В любой системе как угодно взаимодействующих частиц= можно ввести понятие плотности числа состояний и датьJ ре цепт ее вычисленияK= При этом связь системы с термодинамичеJ
O8=
=
скими величинами сохранитсяK= Теоремы= NI= OI= P= о корреляциях= остаются применимымиK=
Подводя итогI=можно сказать следующееK=
Запрещенной зоной называется область энергийI= где= r = M = или= r ¹ M в отдельных точкахI=где она имеет= d -образные особенJ ностиK= Этим точкам отвечают дискретные уровни=тE .еK= локалиJ зованные состояния электронаFK=Термин="запрещенная зона"=меняJ ется на более общее понятие=="щель для подвижности"K= Для опиJ сания беспорядка в системе вводят различные модели беспорядкаK= Модели вводятся с некоторыми предположения о вероятности= тех или иных событийK=
=
=
O9=
=
РАЗДЕЛ=O= МОДЕЛИ И МЕТРИКА=
ЯЧЕИСТОГО БЕСПОРЯДКА=
=
O.N.=Беспорядок замещения=
Простейший тип беспорядка реализуется в сплаве замещеJ нияK= В идеальном кристалле часто оказывается возможным замеJ нить атом элемента=А=EнапримерI= серебраF= атомом другого элеменJ та=В=EнапримерI=золотаF=почти без всякого искажения кристалличеJ ской решеткиK=Если узлыI=в которых происходит замещение атомов= А атомами= ВI =сами по себе не образуют регулярную решеткуI =то= имеем пример беспорядка замещенияK=
Это явлениеI=которое наблюдается для различных элементов= в металлахI= полупроводниках и ионных кристаллахI=играет очень= важную роль в металлургии и в других областях материаловеденияK= Иными словамиI=не выясняяI=откуда это известноI=примемI=что при= замене атома= А атомом= В в данном узле решетки изменяются знаJ чения характерных для данного атома параметров= – =массыI =конJ стант упругой связи с соседямиI=волновых функций и энергий свяJ занных электроновI=поперечного сечения рассеяния и тK=дK=Все эфJ фектыI=связанные с локальным искажением решетки или с экраниJ рованием электронамиI=считаются уже учтенными в самом опредеJ лении понятия=«замещения»K=
Эта модель снимает вопросI=будут ли упомянутые параметры= зависеть от типа атомовI =находящихся в соседних узлах: =атом= АI= окруженный атомами того же типаK=Это отнюдь не то же самоеI=что= атом= А в окружении атомов= ВK= НапримерI= хорошо известноI= что= эффективная энергия межатомной связи типа= А= –= АI= как правилоI= отличается от таковой для связей типа=А=–=В или=В=–=ВK=Для сплава= большой концентрацииI= когда нельзя пренебрегать вероятностью= найти много пар атомов примесиI= соседствующих друг с другомI= предположение об аддитивности атомных величин не выполняетсяK= ВидимоI= лучше говорить о ячеистом беспорядкеI= подчеркивая тем= самым изменение топологических свойств упорядоченной решетки= при переходе от ячейки к ячейкеX= при этом обходится вопрос об=
PM=
=