книги из ГПНТБ / Рабинович А.Г. Технология производства гидроакустической аппаратуры учеб. для судостроит. техникумов
.pdfвременным воздействием электрической нагрузки и повышенной температуры (40—80°С).
Заключительной операцией изготовления микромодулей яв ляется их у п а к о в к а в индивидуальную тару. Конструкция инди
видуальной упаковочной тары предохраняет выводы |
микромодуля |
|
от деформации и повреждения. |
|
|
§ 56. Пленочные и твердые микросхемы |
|
|
П л е н о ч н а я |
м и к р о с х е м а — это несколько |
взаимосвя |
занных элементов, сформированных на одной пластине методом
пленочной технологии и составляющих законченный |
функциональ |
ный узел. Элементы такой микросхемы неотделимы |
от основания |
и несменяемы. |
|
Выполняются пленочные микросхемы на изолирующих основа ниях (подложках), на одну или обе стороны которых по опреде ленному рисунку наносятся методом осаждения или напыления тонкие (до нескольких микрон) пленки из проводящих, диэлектри ческих, магнитных и полупроводниковых материалов.
При осаждении пленки хрома, нихрома или других высокоомных металлов можно получить сопротивления величиной от 200 до 10 000 ом. Напыленные сопротивления отличаются большой ста бильностью и низким температурным коэффициентом.
Емкости получают напылением с двух сторон диэлектрических подложек проводящих пленок или многослойным напылением про
водящих и диэлектрических пленок. Методом испарения |
тантала |
|
могут |
быть изготовлены конденсаторы емкостью до 10 |
мкф на |
1 см2 |
поверхности. |
|
Проводящие пленки образуются осаждением алюминия, меди, серебра, золота. Диэлектрические пленки создаются из двуокиси кремния, окиси тантала, моноокиси кремния и др. При нанесении пленок может быть предусмотрено одновременное их использова ние в качестве, например, резисторов и обкладок конденсаторов.
Тонкопленочная технология изготовления микросхем допускает возможность создания различных комбинаций, отличающихся по рядком следования слоев, их толщиной, формой и площадью, ве личиной удельного сопротивления и емкости, а также расположе нием выводов.
Конструктивно пленочные интегральные схемы могут содержать либо одни только тонкопленочные микроэлементы (обычно пас сивные), либо включать в себя и навесные дискретные элементы (микродиоды, микротранзисторы, микроиндуктивности).
Интегральные схемы, содержащие кроме пленочных элементов также и активные дискретные элементы, носят название г и б р и д н ы х и н т е г р а л ь н ы х м и к р о с х е м .
На рис. 121 показана конструкция пленочной гибридной инте гральной схемы, в которой тонкопленочной технологией выполнены проводники и резисторы Rl—R3. Дискретными элементами в этой схеме являются транзистор Т, диод Д и конденсатор С.
По конструктивному исполнению различают бескорпусные и корпусные микросхемы. Герметизация бескорпусных микросхем осуществляется заливкой их компаундом.
Пленочные микросхемы изготовляются на основе технологии нанесения тонких пленок преимущественно методами вакуумного испарения и химического осаждения. Нанесение пленок произво дится через специальные маски (трафареты).
Технологический процесс получения многослойных пленочных
гибридных интегральных |
микросхем состоит |
из следующих |
этапов: |
|
1. Разработка геометрических |
размеров |
каждого слоя и |
после |
|
довательности нанесения |
слоев. |
Подробное |
геометрическое |
разме- |
|
Рис. 121. Конструктивное оформление гибридной интеграль |
|||||
|
ной |
пленочной |
схемы: |
а — принципиальная |
схема; б — ее |
|
|
|
|
|
оформление. |
|
|
щение |
элементов |
микросхемы |
носит название т о п о л о г и ч е |
|||
с к о г о |
п л а н а с х е м ы . |
При |
разработке топологического плана |
|||
микросхемы |
определяются |
материалы, из которых должны быть |
||||
изготовлены |
пленки, |
расположение каждого |
элемента схемы на |
подложке, конструкция площадок для присоединения дискретных
элементов и выводов схемы. Топологическим |
планом |
определяются |
||||||
также |
количество |
слоев |
микросхемы, |
их геометрические формы |
||||
и порядок нанесения. |
|
|
|
|
|
|
||
2. |
Изготовление |
масок |
(трафаретов) |
для |
нанесения |
отдельных |
||
слоев. Маски могут быть получены фотохимгравированием |
или |
|||||||
микрофрезерованием. Точность изготовления |
масок |
должна |
быть |
впределах ± 10 мкм.
3.Изготовление пластин (подложек) из диэлектриков — стекла,
кварца, титаната бария и др. Важной операцией является очистка поверхности подложек. Способ очистки зависит от материала под ложки. Основными способами очистки подложек являются хими-
ческий и ультразвуковой. После очистки |
на |
подложку |
наносится |
|||
основа из окиси кремния путем конденсации |
паров в вакууме. |
|
||||
4. Нанесение |
контактных соединений |
на |
подложку в |
виде |
пле |
|
нок |
алюминия, |
меди или золота. Проводники выполняются |
плен |
|||
ками |
толщиной |
от 5000 до 50 ООО Л. Пленки |
проводника |
могут на |
носиться термическим испарением в вакууме или методом катод ного распыления.
Вода, для охлаж дения катода
|
|
|
|
|
|
|
|
Кманомапру К насосу |
|
|||
Рис. |
122. |
Схема |
установки |
для |
Рис. 123. Схема |
установки |
для ка |
|||||
|
вакуумного |
напыления. |
|
тодного |
распыления. |
|
||||||
/ — электрод тлеющего |
разряда; |
2— |
/ — уплотнение; |
2 — стеклянный |
колпак; |
|||||||
стальная |
|
полоса, |
поворачивающаяся |
3 — изоляционная |
|
рубашка; |
4 — катод; |
|||||
под |
действием |
магнита; |
3 — вращаю |
5 — стеклянный |
стакан; |
6 — подложка; |
||||||
щийся |
магнит; |
4 — испаритель; |
5 — |
7—анод; |
8 — плита. |
|
||||||
защитный |
экран; |
б —плита; 7 — ло |
|
|
|
|
|
|||||
вушка; |
8 — выводы |
испарителя; |
9 — |
|
|
|
|
|
||||
тепловой |
экран; |
10 — держатель |
под |
|
|
|
|
|
||||
ложки; |
|
/) — зажимное |
устройство; |
|
|
|
|
|
|
12 — подложка. |
|
|
Метод |
нанесения покрытий |
т е р м и ч е с к и м |
и с п а р е н и е м |
в в а к у у м е заключается в следующем: молекулы |
металлов и не |
||
которых |
неорганических веществ |
при глубоком вакууме 1 3 - Ю - 2 — |
|
— 1 3 - Ю - 4 |
н/м2- обладают свойством при высокой температуре испа |
ряться и перемещаться прямолинейно, оседая на холодных прегра дах. Таким образом, пары испаряемого металла осаждаются на поверхности металлизируемых деталей, помещенных над испари телем. Вследствие пониженной теплопередачи в вакууме покрывае мые детали практически не нагреваются.
На рис. 122 изображена схема установки для вакуумного на пыления. Испаритель 4 может быть выполнен с непосредственным или косвенным подогревом. При непосредственном подогреве ток пропускается через испаряемый материал. Чаще используются испарители с косвенным подогревом. В этом случае испаряемое
вещество помещается в специальные подогреватели, в которых оно подогревается до необходимой температуры.
П р и к а т о д н о м р а с п ы л е н и и в вакууме используется прямое воздействие на распыляемый металл электрического тока, при котором происходит характерное для тлеющего разряда явле ние переноса частиц металла с отрицательного электрода (катода) к аноду. Подобный перенос частиц осуществляется при напряже нии 1000—3000 в и глубоком вакууме. На рис. 123 приведена схема установки для катодного распыления. Катодом служит рас пыляемый металл, анод изготовляют из стали или алюминия. На анод помещают пластинку, подлежащую напылению.
Для получения на поверхности пластинки требуемого рисунка напыляемого вещества применяют маски (трафареты), представ
ляющие собой |
тонкие |
пластинки |
из |
медной |
фольги |
или стали |
с различными |
окнами |
(прорезями). Через эти |
окна на |
подложку |
||
ложится наносимый металл. |
|
|
|
|
||
5. Нанесение |
пленок |
диэлектрика |
из |
окиси и |
двуокиси |
кремния. |
Для обеспечения соединения проводящих слоев в пленках диэлек
трика |
предусматриваются пазы и |
отверстия. |
|
|
|
||||||
6. |
Нанесение |
проводящих |
слоев через маски |
и |
дальнейшее |
че |
|||||
редование |
слоев |
диэлектрика |
и |
проводящих |
слоев |
согласно |
то |
||||
пологии. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7. |
Монтаж навесных |
элементов |
с помощью |
пайки, термоком |
|||||||
прессионной |
сварки |
или |
других |
способов. |
|
|
|
|
|||
8. |
Герметизация |
микросхемы |
заливкой |
или |
герметичным |
ко |
|||||
жухом. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
После каждого из перечисленных переходов производится кон троль параметров путем измерения толщины и скорости напыле ния пленок и электрических характеристик с помощью электроиз мерительных приборов.
Используя свойства кристаллической решетки некоторых твер дых тел, получают так называемые т в е р д ы е с х е м ы . Такая схема представляет собой функциональное радиоэлектронное уст ройство, полученное путем создания в полупроводниковых кристал лах кремния или германия отдельных зон, слоев и участков, кото рые по своим свойствам эквивалентны пассивным или активным элементам.
Свойства кристалла кремния или германия можно в широких пределах изменять путем внесения в строго определенных местах и количествах различных неоднородностей. Путем специальной обработки можно получить в кристалле как активные, так и пас
сивные |
микроэлементы. Как известно, в полупроводниковом |
кри |
сталле |
кремния или германия преобразование энергии происходит |
|
в очень |
небольшом слое, так называемом р—/г-переходе. В |
этом |
слое толщиной в несколько микрон проходит граница между двумя
зонами с |
различной |
проводимостью — электронной и дырочной. |
|
В твердых |
схемах |
в одном кристалле можно создать |
десятки |
р—«-переходов, которые выполняют функции резисторов, |
конден |
||
саторов, диодов, транзисторов. |
|
Твердые интегральные схемы изготовляются на основе техноло гии производства полупроводниковых приборов, применяемой при изготовлении транзисторов и диодов.
Основными этапами технологии производства твердых интег ральных схем являются: окисление поверхности, создание локаль ных областей, диффузия примесей, изоляция локальных областей и соединение элементов твердой схемы.
О к и с л е н и е п о в е р х н о с т и для получения пленки дву окиси кремния производится в атмосфере влажного кислорода при
температуре |
1000—1200° С. Толщина окисной |
пленки БіОг состав |
ляет 0,5—1 |
мкм. |
|
С о з д а н и е л о к а л ь н ы х о б л а с т е й |
осуществляется облу |
чением покрытой фоторезистом заготовки через негатив ультрафио летовыми лучами. Участки заготовки под светлыми местами нега тива задубливаются, а незасвеченный слой фоторезиста легко смы вается. После этого заготовка травится в плавиковой кислоте для удаления окисной пленки в незадубленных зонах. Задубленный
слой удаляется |
после травления специальным растворителем. |
Д и ф ф у з и я |
п р и м е с е й различных соединений фосфора и |
бора производится при температуре 1000—1200° С из газовой фазы. Изменением глубины диффузии примесей можно получить области
кристалла различных |
назначений — элементы |
схемы. |
И з о л я ц и я л о к |
а л ь н ы х о б л а с т е й |
имеет целью предот |
вратить паразитные связи между элементами. Для этого на не за щищенные окисной пленкой участки наносят тонкий слой пленки БіОг так же, как при окислении.
С о е д и н е н и е э л е м е н т о в т в е р д о й с х е м ы осуществ ляется избирательной металлизацией поверхности, обеспечиваю щей необходимые электрические соединения.
После проведения указанных операций интегральная твердая схема монтируется в корпусе с присоединением внешних вы водов.
Интегральные твердые схемы характеризуются чрезвычайно большой плотностью монтажа и высокой надежностью, обуслов ленной отсутствием дискретных элементов, резким сокращением числа паек, малым весом и объемом, что значительно уменьшает влияние ударов и вибрации.
Контрольные вопросы
1.Что называется печатной платой?
2.Какие способы изготовления печатных плат Вы знаете и каковы их технические характеристики?
3. Какие типы многослойных печатных плат Вам известны и каковы их достоинства
и недостатки?
4.Что такое микроминиатюризация радиоаппаратуры?
5.Как конструктивно оформлен микромодуль?
6.Как производится герметизация микромодулей?
7.Что называется гибридной пленочной интегральной микросхемой?
8.Что называется твердой микросхемой?
ГЛАВА 13
РЕГУЛИРОВАНИЕ ГИДРОАКУСТИЧЕСКОЙ АППАРАТУРЫ
§ 57. Назначение и особенности регулировочных работ
Под р е г у л и р о в а н и е м понимают комплекс работ по дове дению параметров аппаратуры с заданной степенью точности до величин, соответствующих требованиям, предъявляемым техниче скими условиями, ГОСТом или эталонным образцом. В процессе регулировочных работ проверяют правильность выполнения сбо- рочно-монтажных операций, осуществляют механическую регули ровку кинематических и электромеханических элементов, электри ческую регулировку и общий контроль.
Необходимость регулирования в условиях производства вызвана неизбежно существующими колебаниями параметров отдельных элементов, которые нарушают точность выходных данных всего устройства. Величина выходных параметров и степень их точности зависят от группы и назначения аппаратуры и задаются техниче скими требованиями. Эти требования для большинства устройств оказываются весьма высокими, так как они должны обеспечить нормальную работу аппаратуры в тяжелых климатических усло виях при значительных механических воздействиях извне. Кроме того, в процессе эксплуатации с течением времени происходит естественный процесс изменения ряда величин, которые также влияют на выходные параметры.
Регулировочные работы хотя и вызываются технической необ ходимостью, но выполнять их следует с наименьшими затратами. При выборе технологии регулировочных работ необходимо отда вать предпочтение наиболее рациональным и совершенным мето дам, последовательности и точности измерений.
Для компенсации колебаний параметров отдельных узлов и блоков аппаратуры предусматриваются различные регулировочные элементы, одни из которых выносят на переднюю панель для использования в процессе эксплуатации, а другие, размещенные внутри прибора,— в процессе изготовления и ремонта.
Впроцессе регулировочных работ обнаруживают и устраняют все неисправности, допущенные в процессе сборки и монтажа. Ха рактер и объем этих работ определяется их назначением, конструк цией аппаратуры, видом и объемом производства, оснащенностью технологического процесса.
Вединичном производстве при изготовлении опытных образцов получение оптимальных параметров может достигаться не только специально предусмотренными органами регулировки, но и частич ным изменением конструкции.
Разбивка регулировочных работ на ряд простых операций и предварительное регулирование отдельных узлов, характерные для серийного и массового производства, позволяют сократить трудо емкость и оснастить процесс специализированными регулировоч ными приборами.
Регулирование гидроакустической аппаратуры, состоящей из
большого количества связанных между собой элементов, |
разби |
||
вают на |
два |
этапа: а) регулирование отдельных приборов, |
блоков |
и узлов; |
б) |
комплексное регулирование всей аппаратуры в |
целом. |
При малом объеме производства и небольшой сложности аппа ратуры регулировочные работы целесообразно выполнять непо средственно в сборочных цехах, организуя небольшие цеховые ма стерские (лаборатории). Регулирование сложной аппаратуры при серийном производстве следует производить на отдельных участках или в специально организованных цехах. При этом большой удель ный вес приходится на узловое регулирование.
Регулировочные рабочие места организуются таким образом, чтобы исключить влияние одних видов работ на другие, а также обеспечить наиболее полное и точное регулирование при наиболь шей производительности и экономичности. Помимо регулировочной и измерительной аппаратуры на рабочих местах должна быть необ ходимая техническая документация, которой руководствуются при выполнении работ. Регулировочную и измерительную аппаратуру, находящуюся на рабочих местах, периодически подвергают про верке, результаты которой заносят в паспорта.
Регулировочные работы начинают с проверки правильности вы полнения сборочно-монтажных операций, а затем переходят к ре гулировке питающих устройств. После этого выполняют операции, с помощью которых обеспечивают основные параметры устройства.
Основной объем регулировочных работ гидроакустической ап паратуры составляет электрическая регулировка отдельных при боров и устройства в целом.
Правильная организация регулировочных работ определяется разработкой технологического процесса. Для этого следует хорошо изучить аппаратуру, подлежащую регулированию, и выбрать наи более экономически целесообразный вариант. Основными данными для разработки технологического процесса регулировочных работ являются: а) технические условия; б) описание принципа действия аппаратуры с основными величинами выходных и промежуточных параметров; в) чертежи общего вида; г) кинематические, электри ческие, функциональные и другие схемы; д) объем производства; е) наличие и характеристика регулировочной и измерительной ап паратуры; ж) организационное построение и взаимосвязь отдель ных производственных подразделений.
§58. Основные измерительные приборы, применяемые
при регулировке гидроакустической аппаратуры
При регулировке гидроакустической аппаратуры используют разнообразные приборы, предназначенные для измерения электри ческих и акустических величин. Выбор аппаратуры, наиболее приемлемой для данного вида работ, имеет большое значение, так как технические данные измерительных приборов в значительной
А. Г. Рабинович, Л. А. Рубанов |
177 |
степени определяют не только точность измерений, но и возмож ность применения приборов для данных конкретных измерений.
Следует помнить, что при подключении измерительных прибо ров к регулируемым устройствам вносятся дополнительные сопро тивления (активные и реактивные), которые могут вызвать пара зитные процессы и исказить действительную картину.
В условиях производства могут применяться как лабораторные, так и цеховые измерительные приборы, являющиеся менее универ сальными и рассчитанные на более длительную стабильную непре рывную работу.
Специальная цеховая аппаратура состоит из генератора и индикатора, смонтированных на одном стенде. Такой аппаратурой служат эталоны регулируемых устройств, с которыми сравнивают данное устройство. Этим облегчается регулировка.
Аппаратура, применяемая при регулировке, в зависимости от назначения включает в себя приборы для измерения сопротивле ний, напряжений, токов и частоты, наблюдения форм напряжений и токов, получения различных колебаний, а также специальные приборы для проверки и регулировки блоков и приборов конкрет ной гидроакустической аппаратуры. Следует максимально исполь зовать электронные приборы с цифровой индикацией измеряемой величины.
Для измерения сопротивлений, напряжений и токов в электри ческих цепях наиболее часто применяют различные авометры (Ц4312, Ц4313 и им подобные), а также ламповые вольтметры (В7-2А и др.). Для измерения амплитудных значений импульсов используют импульсные вольтметры (В4-2 и др.), позволяющие измерять напряжения от 0 до 50 кв (с делителем) в широком диапазоне частот.
Цеховой аппаратурой для измерения сопротивления и напря жения в различных участках схемы служат специальные стенды для проверки правильности монтажа. Стенд представляет собой измерительную схему (чаще всего мостовую), к которой подклю чают участки испытуемого прибора с помощью специальных при способлений (см. § 50).
Измерение сопротивлений изоляции производится при помощи м е г о м м е т р а . При этом выбор типа прибора определяется в пер вую очередь напряжением, при котором необходимо проверить сопротивление изоляции. Основное применение получили мегом метры с рабочим напряжением 100, 500, 1000 и 2500 в.
Для наблюдения форм напряжений и токов, протекающих в це пях, применяется аппаратура, снабженная электронно-лучевой трубкой. В качестве самостоятельных приборов для этих целей используются о с ц и л л о г р а ф ы . Для наблюдения импульсов в осциллографах предусматривается ждущая развертка.
Выбор осциллографов определяется значениями измеряемых величин, полосой пропускания частот, входными сопротивлениями и видами разверток. Кроме того, осциллографы могут быть состав ной частью аппаратуры для визуальной настройки приборов (свип-
генераторы, измерители |
переходных и |
частотных |
характеристик |
|||||||
и др.). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Для измерения |
частоты |
пользуются |
ч а с т о т о м е р а м и |
(вол |
||||||
номерами). Выбор |
приборов |
определяется пределом и |
точностью |
|||||||
измерения. Наибольшее применение получили частотомеры |
43-7 |
|||||||||
(от 10 гц до |
500 |
кгц) |
и электронно-счетные частотомеры |
43-2, |
||||||
Ф551, |
Ф552. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Широкое |
распространение при |
регулировочных |
работах |
полу |
||||||
чили |
различные г е н е р а т о р ы , |
предназначенные |
для |
получения |
сигналов разной формы. Выбор генератора определяется диапазо ном рабочих частот, величиной и формой выходного сигнала. Большая часть генераторов звуковой и ультразвуковой частоты выдает синусоидальные колебания (ГЗ-2, ГЗ-3; ГЗ-4; ГЗ-16 и им подобные), но имеются генераторы (ГЗ-17), вырабатывающие пря моугольные, пилообразные и треугольные импульсы. Из синусои дальных генераторов наиболее универсальным является ГЗ-33, вы дающий сигналы мощностью до 5 вт.
Для проверки помехоустойчивости видеотрактов и измерения собственных шумов высокочувствительных усилителей применяются
г е н е р а т о р ы б е л о г о |
ш у м а |
(Г2-2) с |
широким |
сплошным |
спектром колебаний (до 5 |
Мгц). |
|
|
|
К специальной измерительной |
аппаратуре |
относятся |
приборы, |
позволяющие быстро проверить аппаратуру на соответствие пара
метров техническим требованиям |
(например, |
комплект |
приборов |
||||
«Измеритель»). |
|
|
|
|
|
|
|
|
§ 59. Регулировка питающих устройств |
|
|
||||
Обычно гидроакустическая |
аппаратура |
работает от |
источника |
||||
переменного |
тока, так как при этом наиболее |
рационально |
осу |
||||
ществляется |
преобразование |
одних |
величин напряжений |
в другие, |
|||
а выпрямление переменного |
напряжения |
не |
представляет |
труд |
|||
ностей. |
|
|
|
|
|
|
|
Источником энергии для питания аппаратуры может быть про мышленная электросеть, бортсеть или самостоятельный агрегат. Повышение частоты питающего напряжения, которое предусматри вается в специальных агрегатах, уменьшает габариты и вес аппа ратуры.
Применение источников |
питания постоянного тока |
ограничено |
|
вследствие неэкономичного |
преобразования |
напряжений из одной |
|
величины в другую. |
|
|
|
При работе аппаратуры |
от источника переменного тока различ |
||
ные величины напряжения |
получаются при |
помощи |
трансформа |
торов, а различные напряжения постоянного тока — при помощи выпрямительных устройств. Существует большое количество схем и конструкций питающих устройств, которые могут располагаться на одном общем шасси с аппаратом или выполняться в виде само стоятельного прибора (блока). В общем случае питающее устрой ство, состоящее из трансформатора, выпрямителя, фильтра и дру гих элементов, называют в ы п р я м и т е л е м . По степени стабили-