Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Рабинович А.Г. Технология производства гидроакустической аппаратуры учеб. для судостроит. техникумов

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
16.15 Mб
Скачать

временным воздействием электрической нагрузки и повышенной температуры (40—80°С).

Заключительной операцией изготовления микромодулей яв­ ляется их у п а к о в к а в индивидуальную тару. Конструкция инди­

видуальной упаковочной тары предохраняет выводы

микромодуля

от деформации и повреждения.

 

§ 56. Пленочные и твердые микросхемы

 

П л е н о ч н а я

м и к р о с х е м а — это несколько

взаимосвя­

занных элементов, сформированных на одной пластине методом

пленочной технологии и составляющих законченный

функциональ­

ный узел. Элементы такой микросхемы неотделимы

от основания

и несменяемы.

 

Выполняются пленочные микросхемы на изолирующих основа­ ниях (подложках), на одну или обе стороны которых по опреде­ ленному рисунку наносятся методом осаждения или напыления тонкие (до нескольких микрон) пленки из проводящих, диэлектри­ ческих, магнитных и полупроводниковых материалов.

При осаждении пленки хрома, нихрома или других высокоомных металлов можно получить сопротивления величиной от 200 до 10 000 ом. Напыленные сопротивления отличаются большой ста­ бильностью и низким температурным коэффициентом.

Емкости получают напылением с двух сторон диэлектрических подложек проводящих пленок или многослойным напылением про­

водящих и диэлектрических пленок. Методом испарения

тантала

могут

быть изготовлены конденсаторы емкостью до 10

мкф на

1 см2

поверхности.

 

Проводящие пленки образуются осаждением алюминия, меди, серебра, золота. Диэлектрические пленки создаются из двуокиси кремния, окиси тантала, моноокиси кремния и др. При нанесении пленок может быть предусмотрено одновременное их использова­ ние в качестве, например, резисторов и обкладок конденсаторов.

Тонкопленочная технология изготовления микросхем допускает возможность создания различных комбинаций, отличающихся по­ рядком следования слоев, их толщиной, формой и площадью, ве­ личиной удельного сопротивления и емкости, а также расположе­ нием выводов.

Конструктивно пленочные интегральные схемы могут содержать либо одни только тонкопленочные микроэлементы (обычно пас­ сивные), либо включать в себя и навесные дискретные элементы (микродиоды, микротранзисторы, микроиндуктивности).

Интегральные схемы, содержащие кроме пленочных элементов также и активные дискретные элементы, носят название г и б р и д ­ н ы х и н т е г р а л ь н ы х м и к р о с х е м .

На рис. 121 показана конструкция пленочной гибридной инте­ гральной схемы, в которой тонкопленочной технологией выполнены проводники и резисторы RlR3. Дискретными элементами в этой схеме являются транзистор Т, диод Д и конденсатор С.

По конструктивному исполнению различают бескорпусные и корпусные микросхемы. Герметизация бескорпусных микросхем осуществляется заливкой их компаундом.

Пленочные микросхемы изготовляются на основе технологии нанесения тонких пленок преимущественно методами вакуумного испарения и химического осаждения. Нанесение пленок произво­ дится через специальные маски (трафареты).

Технологический процесс получения многослойных пленочных

гибридных интегральных

микросхем состоит

из следующих

этапов:

1. Разработка геометрических

размеров

каждого слоя и

после­

довательности нанесения

слоев.

Подробное

геометрическое

разме-

 

Рис. 121. Конструктивное оформление гибридной интеграль­

 

ной

пленочной

схемы:

а — принципиальная

схема; б — ее

 

 

 

 

оформление.

 

щение

элементов

микросхемы

носит название т о п о л о г и ч е ­

с к о г о

п л а н а с х е м ы .

При

разработке топологического плана

микросхемы

определяются

материалы, из которых должны быть

изготовлены

пленки,

расположение каждого

элемента схемы на

подложке, конструкция площадок для присоединения дискретных

элементов и выводов схемы. Топологическим

планом

определяются

также

количество

слоев

микросхемы,

их геометрические формы

и порядок нанесения.

 

 

 

 

 

 

2.

Изготовление

масок

(трафаретов)

для

нанесения

отдельных

слоев. Маски могут быть получены фотохимгравированием

или

микрофрезерованием. Точность изготовления

масок

должна

быть

впределах ± 10 мкм.

3.Изготовление пластин (подложек) из диэлектриков — стекла,

кварца, титаната бария и др. Важной операцией является очистка поверхности подложек. Способ очистки зависит от материала под­ ложки. Основными способами очистки подложек являются хими-

ческий и ультразвуковой. После очистки

на

подложку

наносится

основа из окиси кремния путем конденсации

паров в вакууме.

 

4. Нанесение

контактных соединений

на

подложку в

виде

пле­

нок

алюминия,

меди или золота. Проводники выполняются

плен­

ками

толщиной

от 5000 до 50 ООО Л. Пленки

проводника

могут на­

носиться термическим испарением в вакууме или методом катод­ ного распыления.

Вода, для охлаж­ дения катода

 

 

 

 

 

 

 

 

Кманомапру К насосу

 

Рис.

122.

Схема

установки

для

Рис. 123. Схема

установки

для ка­

 

вакуумного

напыления.

 

тодного

распыления.

 

/ — электрод тлеющего

разряда;

2—

/ — уплотнение;

2 — стеклянный

колпак;

стальная

 

полоса,

поворачивающаяся

3 — изоляционная

 

рубашка;

4 — катод;

под

действием

магнита;

3 вращаю­

5 — стеклянный

стакан;

6 — подложка;

щийся

магнит;

4 — испаритель;

5 —

7—анод;

8 плита.

 

защитный

экран;

б —плита; 7 — ло­

 

 

 

 

 

вушка;

8 — выводы

испарителя;

9 —

 

 

 

 

 

тепловой

экран;

10 — держатель

под­

 

 

 

 

 

ложки;

 

/) — зажимное

устройство;

 

 

 

 

 

 

12 — подложка.

 

 

Метод

нанесения покрытий

т е р м и ч е с к и м

и с п а р е н и е м

в в а к у у м е заключается в следующем: молекулы

металлов и не­

которых

неорганических веществ

при глубоком вакууме 1 3 - Ю - 2

— 1 3 - Ю - 4

н/м2- обладают свойством при высокой температуре испа­

ряться и перемещаться прямолинейно, оседая на холодных прегра­ дах. Таким образом, пары испаряемого металла осаждаются на поверхности металлизируемых деталей, помещенных над испари­ телем. Вследствие пониженной теплопередачи в вакууме покрывае­ мые детали практически не нагреваются.

На рис. 122 изображена схема установки для вакуумного на­ пыления. Испаритель 4 может быть выполнен с непосредственным или косвенным подогревом. При непосредственном подогреве ток пропускается через испаряемый материал. Чаще используются испарители с косвенным подогревом. В этом случае испаряемое

вещество помещается в специальные подогреватели, в которых оно подогревается до необходимой температуры.

П р и к а т о д н о м р а с п ы л е н и и в вакууме используется прямое воздействие на распыляемый металл электрического тока, при котором происходит характерное для тлеющего разряда явле­ ние переноса частиц металла с отрицательного электрода (катода) к аноду. Подобный перенос частиц осуществляется при напряже­ нии 1000—3000 в и глубоком вакууме. На рис. 123 приведена схема установки для катодного распыления. Катодом служит рас­ пыляемый металл, анод изготовляют из стали или алюминия. На анод помещают пластинку, подлежащую напылению.

Для получения на поверхности пластинки требуемого рисунка напыляемого вещества применяют маски (трафареты), представ­

ляющие собой

тонкие

пластинки

из

медной

фольги

или стали

с различными

окнами

(прорезями). Через эти

окна на

подложку

ложится наносимый металл.

 

 

 

 

5. Нанесение

пленок

диэлектрика

из

окиси и

двуокиси

кремния.

Для обеспечения соединения проводящих слоев в пленках диэлек­

трика

предусматриваются пазы и

отверстия.

 

 

 

6.

Нанесение

проводящих

слоев через маски

и

дальнейшее

че­

редование

слоев

диэлектрика

и

проводящих

слоев

согласно

то­

пологии.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

Монтаж навесных

элементов

с помощью

пайки, термоком­

прессионной

сварки

или

других

способов.

 

 

 

 

8.

Герметизация

микросхемы

заливкой

или

герметичным

ко­

жухом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

После каждого из перечисленных переходов производится кон­ троль параметров путем измерения толщины и скорости напыле­ ния пленок и электрических характеристик с помощью электроиз­ мерительных приборов.

Используя свойства кристаллической решетки некоторых твер­ дых тел, получают так называемые т в е р д ы е с х е м ы . Такая схема представляет собой функциональное радиоэлектронное уст­ ройство, полученное путем создания в полупроводниковых кристал­ лах кремния или германия отдельных зон, слоев и участков, кото­ рые по своим свойствам эквивалентны пассивным или активным элементам.

Свойства кристалла кремния или германия можно в широких пределах изменять путем внесения в строго определенных местах и количествах различных неоднородностей. Путем специальной обработки можно получить в кристалле как активные, так и пас­

сивные

микроэлементы. Как известно, в полупроводниковом

кри­

сталле

кремния или германия преобразование энергии происходит

в очень

небольшом слое, так называемом р—/г-переходе. В

этом

слое толщиной в несколько микрон проходит граница между двумя

зонами с

различной

проводимостью — электронной и дырочной.

В твердых

схемах

в одном кристалле можно создать

десятки

р—«-переходов, которые выполняют функции резисторов,

конден­

саторов, диодов, транзисторов.

 

Твердые интегральные схемы изготовляются на основе техноло­ гии производства полупроводниковых приборов, применяемой при изготовлении транзисторов и диодов.

Основными этапами технологии производства твердых интег­ ральных схем являются: окисление поверхности, создание локаль­ ных областей, диффузия примесей, изоляция локальных областей и соединение элементов твердой схемы.

О к и с л е н и е п о в е р х н о с т и для получения пленки дву­ окиси кремния производится в атмосфере влажного кислорода при

температуре

1000—1200° С. Толщина окисной

пленки БіОг состав­

ляет 0,5—1

мкм.

 

С о з д а н и е л о к а л ь н ы х о б л а с т е й

осуществляется облу­

чением покрытой фоторезистом заготовки через негатив ультрафио­ летовыми лучами. Участки заготовки под светлыми местами нега­ тива задубливаются, а незасвеченный слой фоторезиста легко смы­ вается. После этого заготовка травится в плавиковой кислоте для удаления окисной пленки в незадубленных зонах. Задубленный

слой удаляется

после травления специальным растворителем.

Д и ф ф у з и я

п р и м е с е й различных соединений фосфора и

бора производится при температуре 1000—1200° С из газовой фазы. Изменением глубины диффузии примесей можно получить области

кристалла различных

назначений — элементы

схемы.

И з о л я ц и я л о к

а л ь н ы х о б л а с т е й

имеет целью предот­

вратить паразитные связи между элементами. Для этого на не за­ щищенные окисной пленкой участки наносят тонкий слой пленки БіОг так же, как при окислении.

С о е д и н е н и е э л е м е н т о в т в е р д о й с х е м ы осуществ­ ляется избирательной металлизацией поверхности, обеспечиваю­ щей необходимые электрические соединения.

После проведения указанных операций интегральная твердая схема монтируется в корпусе с присоединением внешних вы­ водов.

Интегральные твердые схемы характеризуются чрезвычайно большой плотностью монтажа и высокой надежностью, обуслов­ ленной отсутствием дискретных элементов, резким сокращением числа паек, малым весом и объемом, что значительно уменьшает влияние ударов и вибрации.

Контрольные вопросы

1.Что называется печатной платой?

2.Какие способы изготовления печатных плат Вы знаете и каковы их технические характеристики?

3. Какие типы многослойных печатных плат Вам известны и каковы их достоинства

и недостатки?

4.Что такое микроминиатюризация радиоаппаратуры?

5.Как конструктивно оформлен микромодуль?

6.Как производится герметизация микромодулей?

7.Что называется гибридной пленочной интегральной микросхемой?

8.Что называется твердой микросхемой?

ГЛАВА 13

РЕГУЛИРОВАНИЕ ГИДРОАКУСТИЧЕСКОЙ АППАРАТУРЫ

§ 57. Назначение и особенности регулировочных работ

Под р е г у л и р о в а н и е м понимают комплекс работ по дове­ дению параметров аппаратуры с заданной степенью точности до величин, соответствующих требованиям, предъявляемым техниче­ скими условиями, ГОСТом или эталонным образцом. В процессе регулировочных работ проверяют правильность выполнения сбо- рочно-монтажных операций, осуществляют механическую регули­ ровку кинематических и электромеханических элементов, электри­ ческую регулировку и общий контроль.

Необходимость регулирования в условиях производства вызвана неизбежно существующими колебаниями параметров отдельных элементов, которые нарушают точность выходных данных всего устройства. Величина выходных параметров и степень их точности зависят от группы и назначения аппаратуры и задаются техниче­ скими требованиями. Эти требования для большинства устройств оказываются весьма высокими, так как они должны обеспечить нормальную работу аппаратуры в тяжелых климатических усло­ виях при значительных механических воздействиях извне. Кроме того, в процессе эксплуатации с течением времени происходит естественный процесс изменения ряда величин, которые также влияют на выходные параметры.

Регулировочные работы хотя и вызываются технической необ­ ходимостью, но выполнять их следует с наименьшими затратами. При выборе технологии регулировочных работ необходимо отда­ вать предпочтение наиболее рациональным и совершенным мето­ дам, последовательности и точности измерений.

Для компенсации колебаний параметров отдельных узлов и блоков аппаратуры предусматриваются различные регулировочные элементы, одни из которых выносят на переднюю панель для использования в процессе эксплуатации, а другие, размещенные внутри прибора,— в процессе изготовления и ремонта.

Впроцессе регулировочных работ обнаруживают и устраняют все неисправности, допущенные в процессе сборки и монтажа. Ха­ рактер и объем этих работ определяется их назначением, конструк­ цией аппаратуры, видом и объемом производства, оснащенностью технологического процесса.

Вединичном производстве при изготовлении опытных образцов получение оптимальных параметров может достигаться не только специально предусмотренными органами регулировки, но и частич­ ным изменением конструкции.

Разбивка регулировочных работ на ряд простых операций и предварительное регулирование отдельных узлов, характерные для серийного и массового производства, позволяют сократить трудо­ емкость и оснастить процесс специализированными регулировоч­ ными приборами.

Регулирование гидроакустической аппаратуры, состоящей из

большого количества связанных между собой элементов,

разби­

вают на

два

этапа: а) регулирование отдельных приборов,

блоков

и узлов;

б)

комплексное регулирование всей аппаратуры в

целом.

При малом объеме производства и небольшой сложности аппа­ ратуры регулировочные работы целесообразно выполнять непо­ средственно в сборочных цехах, организуя небольшие цеховые ма­ стерские (лаборатории). Регулирование сложной аппаратуры при серийном производстве следует производить на отдельных участках или в специально организованных цехах. При этом большой удель­ ный вес приходится на узловое регулирование.

Регулировочные рабочие места организуются таким образом, чтобы исключить влияние одних видов работ на другие, а также обеспечить наиболее полное и точное регулирование при наиболь­ шей производительности и экономичности. Помимо регулировочной и измерительной аппаратуры на рабочих местах должна быть необ­ ходимая техническая документация, которой руководствуются при выполнении работ. Регулировочную и измерительную аппаратуру, находящуюся на рабочих местах, периодически подвергают про­ верке, результаты которой заносят в паспорта.

Регулировочные работы начинают с проверки правильности вы­ полнения сборочно-монтажных операций, а затем переходят к ре­ гулировке питающих устройств. После этого выполняют операции, с помощью которых обеспечивают основные параметры устройства.

Основной объем регулировочных работ гидроакустической ап­ паратуры составляет электрическая регулировка отдельных при­ боров и устройства в целом.

Правильная организация регулировочных работ определяется разработкой технологического процесса. Для этого следует хорошо изучить аппаратуру, подлежащую регулированию, и выбрать наи­ более экономически целесообразный вариант. Основными данными для разработки технологического процесса регулировочных работ являются: а) технические условия; б) описание принципа действия аппаратуры с основными величинами выходных и промежуточных параметров; в) чертежи общего вида; г) кинематические, электри­ ческие, функциональные и другие схемы; д) объем производства; е) наличие и характеристика регулировочной и измерительной ап­ паратуры; ж) организационное построение и взаимосвязь отдель­ ных производственных подразделений.

§58. Основные измерительные приборы, применяемые

при регулировке гидроакустической аппаратуры

При регулировке гидроакустической аппаратуры используют разнообразные приборы, предназначенные для измерения электри­ ческих и акустических величин. Выбор аппаратуры, наиболее приемлемой для данного вида работ, имеет большое значение, так как технические данные измерительных приборов в значительной

А. Г. Рабинович, Л. А. Рубанов

177

степени определяют не только точность измерений, но и возмож­ ность применения приборов для данных конкретных измерений.

Следует помнить, что при подключении измерительных прибо­ ров к регулируемым устройствам вносятся дополнительные сопро­ тивления (активные и реактивные), которые могут вызвать пара­ зитные процессы и исказить действительную картину.

В условиях производства могут применяться как лабораторные, так и цеховые измерительные приборы, являющиеся менее универ­ сальными и рассчитанные на более длительную стабильную непре­ рывную работу.

Специальная цеховая аппаратура состоит из генератора и индикатора, смонтированных на одном стенде. Такой аппаратурой служат эталоны регулируемых устройств, с которыми сравнивают данное устройство. Этим облегчается регулировка.

Аппаратура, применяемая при регулировке, в зависимости от назначения включает в себя приборы для измерения сопротивле­ ний, напряжений, токов и частоты, наблюдения форм напряжений и токов, получения различных колебаний, а также специальные приборы для проверки и регулировки блоков и приборов конкрет­ ной гидроакустической аппаратуры. Следует максимально исполь­ зовать электронные приборы с цифровой индикацией измеряемой величины.

Для измерения сопротивлений, напряжений и токов в электри­ ческих цепях наиболее часто применяют различные авометры (Ц4312, Ц4313 и им подобные), а также ламповые вольтметры (В7-2А и др.). Для измерения амплитудных значений импульсов используют импульсные вольтметры (В4-2 и др.), позволяющие измерять напряжения от 0 до 50 кв (с делителем) в широком диапазоне частот.

Цеховой аппаратурой для измерения сопротивления и напря­ жения в различных участках схемы служат специальные стенды для проверки правильности монтажа. Стенд представляет собой измерительную схему (чаще всего мостовую), к которой подклю­ чают участки испытуемого прибора с помощью специальных при­ способлений (см. § 50).

Измерение сопротивлений изоляции производится при помощи м е г о м м е т р а . При этом выбор типа прибора определяется в пер­ вую очередь напряжением, при котором необходимо проверить сопротивление изоляции. Основное применение получили мегом­ метры с рабочим напряжением 100, 500, 1000 и 2500 в.

Для наблюдения форм напряжений и токов, протекающих в це­ пях, применяется аппаратура, снабженная электронно-лучевой трубкой. В качестве самостоятельных приборов для этих целей используются о с ц и л л о г р а ф ы . Для наблюдения импульсов в осциллографах предусматривается ждущая развертка.

Выбор осциллографов определяется значениями измеряемых величин, полосой пропускания частот, входными сопротивлениями и видами разверток. Кроме того, осциллографы могут быть состав­ ной частью аппаратуры для визуальной настройки приборов (свип-

генераторы, измерители

переходных и

частотных

характеристик

и др.).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для измерения

частоты

пользуются

ч а с т о т о м е р а м и

(вол­

номерами). Выбор

приборов

определяется пределом и

точностью

измерения. Наибольшее применение получили частотомеры

43-7

(от 10 гц до

500

кгц)

и электронно-счетные частотомеры

43-2,

Ф551,

Ф552.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Широкое

распространение при

регулировочных

работах

полу­

чили

различные г е н е р а т о р ы ,

предназначенные

для

получения

сигналов разной формы. Выбор генератора определяется диапазо­ ном рабочих частот, величиной и формой выходного сигнала. Большая часть генераторов звуковой и ультразвуковой частоты выдает синусоидальные колебания (ГЗ-2, ГЗ-3; ГЗ-4; ГЗ-16 и им подобные), но имеются генераторы (ГЗ-17), вырабатывающие пря­ моугольные, пилообразные и треугольные импульсы. Из синусои­ дальных генераторов наиболее универсальным является ГЗ-33, вы­ дающий сигналы мощностью до 5 вт.

Для проверки помехоустойчивости видеотрактов и измерения собственных шумов высокочувствительных усилителей применяются

г е н е р а т о р ы б е л о г о

ш у м а

(Г2-2) с

широким

сплошным

спектром колебаний (до 5

Мгц).

 

 

 

К специальной измерительной

аппаратуре

относятся

приборы,

позволяющие быстро проверить аппаратуру на соответствие пара­

метров техническим требованиям

(например,

комплект

приборов

«Измеритель»).

 

 

 

 

 

 

 

§ 59. Регулировка питающих устройств

 

 

Обычно гидроакустическая

аппаратура

работает от

источника

переменного

тока, так как при этом наиболее

рационально

осу­

ществляется

преобразование

одних

величин напряжений

в другие,

а выпрямление переменного

напряжения

не

представляет

труд­

ностей.

 

 

 

 

 

 

 

Источником энергии для питания аппаратуры может быть про­ мышленная электросеть, бортсеть или самостоятельный агрегат. Повышение частоты питающего напряжения, которое предусматри­ вается в специальных агрегатах, уменьшает габариты и вес аппа­ ратуры.

Применение источников

питания постоянного тока

ограничено

вследствие неэкономичного

преобразования

напряжений из одной

величины в другую.

 

 

 

При работе аппаратуры

от источника переменного тока различ­

ные величины напряжения

получаются при

помощи

трансформа­

торов, а различные напряжения постоянного тока — при помощи выпрямительных устройств. Существует большое количество схем и конструкций питающих устройств, которые могут располагаться на одном общем шасси с аппаратом или выполняться в виде само­ стоятельного прибора (блока). В общем случае питающее устрой­ ство, состоящее из трансформатора, выпрямителя, фильтра и дру­ гих элементов, называют в ы п р я м и т е л е м . По степени стабили-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ