- •(Избранные главы)
- •Введение
- •1. Электронная структура металлов и периодическая система элементов
- •2. Атомно-кристаллическое строение металла и его значение для сварки
- •2.1. Роль атомного строения металлов
- •2.2. Роль кристаллического строения металлов.
- •3. Типы связей в кристалле
- •3.1. Ионная связь
- •3.2. Ковалентная связь
- •3.3. Связь Ван-дер-Ваальса
- •3.4. Металлическая связь
- •4. Физические свойства, определяемые силами сцепления
- •5. Твердые растворы, структура твердых растворов
- •6. Термодинамика в металлургии
- •6.1. Химический потенциал
- •6.2. Правило фаз Гиббса
- •7. Кристаллизация (затвердевание)
- •7.1. Гомогенное образование зародышей
- •7.2. Гетерогенное образование зародышей
- •7.3. Перераспределение примесей при кристаллизации
- •8. Краткий обзор фазовых превращений
- •8.1. Влияние исходного состояния на фазовые превращения
- •8.2. Процессы роста при фазовых превращениях
- •9. Базовые понятия теории дислокаций
- •9.1. Контур Бюргерса
- •9.2. Типы дислокаций и их движение
- •9.3. Дислокационные узлы и закон Кирхгофа для векторов Бюргерса
- •9.4. Точечные дефекты
- •10. Ползучесть металлов
- •10.1. Релаксация напряжений
- •10.2. Три основных вида ползучести и соответствующие им участки на диаграмме ползучести
- •10.3. Неупругая ползучесть (обратимая ползучесть)
- •10.4. Низкотемпературная ползучесть (логарифмическая ползучесть)
- •10.5. Высокотемпературная ползучесть (ползучесть Андраде)
- •Заключение
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп. 14
7. Кристаллизация (затвердевание)
7.1. Гомогенное образование зародышей
Процесс затвердевания можно разделить на две ступени: первоначальное образование зародышей кристаллов и последующий рост этих зародышей путем присоединения молекул из расплава. Принято считать, что процесс зародышеобразования заключается в возникновении и росте агрегатов молекул (предполагается, что они имеют структуру кристаллизующегося твердого вещества) в результате протекания последовательных бимолекулярных реакций по схеме
α1 + α1 ↔ α2,
α2 + α1 ↔ α3,
α3 + α1 ↔ α4,
. . . . . . . . . .
αi* + α1 ↔ αi*+1,
где агрегат, содержащий i* молекул, рассматривается как зародыш критического размера, который в общем случае будет расти, а не деградировать. Другие возможные механизмы образования стабильных агрегатов, например путем одновременного столкновения i молекул или столкновения нескольких агрегатов молекул, имеющих размеры меньше критического, очень маловероятны.
Для зародыша, содержащего i молекул, в предположении, что термодинамические константы такого малого агрегата молекул идентичны константам макрокристалла и что энергия «деформации» при рассматриваемом переходе пренебрежимо мала, стандартную свободную энергию образования ∆Gi можно представить в следующем виде:
(7.1)
Здесь суммирование производится по всем граням зародыша, причем разным граням соответствуют различные значения поверхностной энергии σ и коэффициента а, связанного с геометрией зародыша (в ряде случаев некоторые σ будут иметь отрицательную величину, например если зародыш образуется гетерогенно на инородной подложке); υ — объем, приходящийся на одну молекулу в расплаве, a ∆Gv — разность свободных энергий твердой и жидкой фаз в расчете на одну молекулу.
Если с увеличением размеров зародыша его форма остается неизменной, ∆Gi проходит через максимум при некотором значении i = i*;
(7.2)
|
Рис.4. Зависимость свободной энергии изотермического образования кристаллического зародыша ∆G от размера зародыша для различных температур. i – число атомов в зародыше; Т0 > Т1, Т2 > Т3; Т1 – температура плавления
|
Как следует из рис. 4, спонтанный рост кристалла, который должен сопровождаться уменьшением его свободной энергии, происходит только при температурах ниже температуры плавления и только для тех зародышей, в которых число молекул превышает i*.
Если предположить, что все зародыши, число молекул в которых меньше i* (т. е. зародыши докритического размера), идеально смешиваются с молекулами расплава, равновесная концентрация таких зародышей Ni будет выражаться уравнением
(7.3)
где N – общее число отдельных молекул в единице объема. При этом принимается, что общее число молекул, входящих в состав таких зародышей, гораздо меньше N, т. е.
(7.4)
где i0 — наименьшее значение i, при котором еще сохраняет физический смысл понятие зародыша. Скорость зарождения кристаллов I в единице объема дается выражением
I = vNi*; (7.5)
здесь ν – частота, с которой происходит присоединение отдельных молекул расплава к зародышам критического размера (с образованием теперь уже стабильного кристалла), так что
(7.6)
В этом уравнении ns* — число атомов расплава, находящихся в контакте с поверхностью критического зародыша (ns* ~ 100); ε – вероятность перескока атома в заданном направлении (ε ~ 1/6); vL— частота атомных колебаний (vL ~ 1013), a ∆GD — свободная энергия активации процесса диффузии в расплаве (∆GD ~ кТ). В уравнении (7.6) не учтено два фактора: 1) так называемый фактор Зельдовича, который учитывает отклонение стационарной концентрации критических зародышей от равновесной; 2) вклад в свободную энергию образования зародыша, обусловленный исчезновением некоторых вращательных степеней свободы. Учет этих двух факторов может привести к увеличению предэкспоненциального множителя приблизительно в 107 раз, чем, вероятно, и объясняется аномально высокое значение этого множителя, полученное Тернбаллом для случая затвердевания капель ртути.
Однако в некоторых случаях условие (7.4) не выполняется. Тогда вместо приближенного выражения (7.3) необходимо использовать точное уравнение, даваемое статистикой Больцмана; согласно Сандквисту и Ориани, при этом получается выражение
(7.7)
где NA — число молекул, не входящих в зародыши докритического размера:
В этих случаях уравнение (7.7) принимает следующий вид :
(7.8)
Когда поверхностные энергии достаточно малы, NA= Этот член, описывающий «заселенность докритических зародышей» молекулами по-видимому, не имеет большого значения в условиях гомогенного зародышеобразования при переходах жидкой фазы в твердую. Однако в случае гетерогенного образования зародышей при малых переохлаждениях (0 – 10°С) он будет играть важную роль.