- •М инистерство образования российской федерации
- •Глава 1. Введение в электронную теорию твердого тела 5
- •Глава 2. Теория и практика эмиссионных процессов. 21
- •Глава 3. Электронно-вакуумные приборы с электростатическими полями 69
- •Глава 4. Теория и практика фокусировки и управления электронными пучками в электромагнитных полях 95
- •Глава 5. Электронно-лучевые приборы 133
- •Глава 6. Газоразрядная и плазменная электроника 158
- •Глава 1.
- •1.1.Энергия связи в твердом теле.
- •2.1. Металлическое состояние.
- •3.1. Состояние электрона в кристаллической решетке
- •4.1.Статистика электронов в кристаллической решетке металла.
- •5.1.Энергия Ферми.
- •6.1. Плотность электронных состояний.
- •7.1. Особенности зонной структуры ионных и ковалентных кристаллов.
- •8.1.Особенности положения уровня Ферми в полупроводниках.
- •Глава 2.
- •1.2. Работа выхода электрона из твердых тел.
- •2.2. Термоэлектронная эмиссия
- •1.3. Термоэлектронные катоды.
- •1.1.3. Металлические катоды.
- •2.1.3. Пленочные катоды
- •3.1.3. Оксидные катоды.
- •4.1.3. Способы нагрева катодов.
- •4.2. Закон Лэнгмюра-Богуславского.
- •4.2. Эффект Шоттки.
- •6.2. Автоэлектронная эмиссия.
- •6.2. Взрывная эмиссия.
- •8.2 Автоэмиссионные катоды.
- •7.2. Вторичная электронная эмиссия
- •8.2. Фотоэлектронная эмиссия.
- •10.2 Фотокатоды.
- •1.10.2. Фотокатоды для видимой области спектра.
- •2.10.2 Фотокатоды для ультрафиолетовой области.
- •3.10.2. Фотокатоды для инфракрасной области.
- •11.2 Аноды электронно-вакуумных приборов.
- •12.2 Управление электронным потоком
- •Глава 3.
- •1.3.Рентгеновские трубки.
- •Длина волны характеристических линий и потенциал возбуждения к-серии ряда элементов.
- •1.1.3 Области применения и конструктивные
- •2.1.3. Двухэлектродные трубки для просвечивания.
- •3.1.3. Импульсные рентгеновские трубки.
- •4.1.3. Трубки для диагностики биологических объектов.
- •5.1.3. Трубки для рентгенотерапии.
- •6.1.3. Рентгеновские трубки для радиационной химии
- •7.1.3. Рентгеноструктурный анализ.
- •8.1.3. Рентгеноспектральный анализ
- •9.1.3. Бескристальные спектрометры
- •2.3. Электронно-ионный микроскоп.
- •3.3. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 4
- •1.4.Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Уравнения движения.
- •2.4. Аналогия между движением заряженных частиц в электростатическом поле и распространением световых лучей в прозрачной среде.
- •3.4. Центрированные электронно-оптические системы.
- •4.4. Фокусировка электронных пучков в аксиально-симметричных
- •1.4.4. Катодная линза.
- •2.4.4. Электронные пушки.
- •3.4.4. Автоэмиссионные пушки.
- •4.4.4. Электронный прожектор.
- •5.4.4. Электростатические системы управления электронным лучом.
- •6.4.4. Анализатор скорости заряженных частиц.
- •7.4.4. Осциллографическая трубка.
- •5.4. Фокусировка и управление потоком заряженных частиц в постоянных магнитных полях.
- •1.5.4. Конструкции магнитных линз.
- •2.5. 4. Дефекты электронно-оптических линз.
- •3.5.4. Отклонение заряженных частиц магнитным полем.
- •Глава 5
- •1.5. Кинескопы.
- •2.5 Электронно-оптический преобразователь.
- •3.5. Электронные микроскопы.
- •1.3.5. Принцип работы электронных микроскопов.
- •2.3.5. Просвечивающие электронные микроскопы.
- •3.3.5. Рентгеновские микроанализаторы.
- •4.3.5. Растровые электронные микроскопы.
- •Глава 6.
- •1.6. Слабоионизированные газы.
- •2.6. Ионизация газа, находящегося в термодинамическом равновесии.
- •3.6. Диффузионный ток.
- •4.6. Проводимость
- •5.6. Ударная ионизация
- •6.6. Вольтамперная характеристики газового разряда.
- •1.6.6. Несамостоятельный газовый разряд.
- •2.6.6. Самостоятельный газовый разряд.
- •7.6. Газоразрядные приборы с холодным катодом
- •1.7.6. Дуговые разрядники.
- •2.7.6. Газоразрядные источники света.
- •3.7.6. Лампы тлеющего свечения (лтс).
- •4.7.6. Стабилитрон тлеющего разряда.
- •5.7.6. Многоэлектродные газоразрядные приборы тлеющего разряда.
- •6.7.6. Тиратрон тлеющего разряда.
- •7.7.6. Тиратроны дугового разряда.
- •8.6. Дисплеи с плазменной панелью.
- •1.8.6.Структура ячейки
3.5.4. Отклонение заряженных частиц магнитным полем.
Рассмотрим частицу, с зарядом движущуюся параллельно оси х с начальной скоростью v0 и входящую в область однородного магнитного поля, параллельного оси z рис. 25.5. со стороны х=0. Ее отклонение УL на другой границе поля (х=L) определяется уравнением:
Рис. 26.4. Отклонение частиц магнитным полем.
УL= (55.4)
В соответствии со знаком силы Лоренца УL отрицательно для положительно заряженной частицы. Наклон траектории на выходе из локализации поля определяется первой производной у по х и определяется из равенства:
. (56.4)
Полное отклонение на экране, расположенном в области, за пределами поля, определяется равенством:
У= (57.4)
С учетом ускоряющего потенциала для скоростей много меньших чем скорость света:
. (58.4)
Из указанных равенств следует, что отклонение частицы зависит от отношения её заряда к массе (удельного заряда). В этом и заключается фундаментальное различие между магнитными и электростатическими отклоняющими системами.
а б
Рис.27.4. Магнитные катушки (дефлекторы) для отклонения (сканирования) электронных пучков: а) - седловая, б) - тороидальная.
Разброс величины отношений q/m представляет собой серьезное препятствие только в том случае, когда требуется отклонить пучок различных ионов одной и той же системы. С другой стороны магнитное поле может быть использовано для разделения частиц по массе. В этом случае эффективность отклонения в магнитном поле определяется отношением У/B и может быть увеличена уменьшением ускоряющего напряжения. Основное применение магнитных отклоняющих систем нашло при создании растровых разверток позволяющих создавать сканирующие электронные пучки. Обычно для сканирования используют два типа дефлекторов магнитных катушек (рис. 26.5,а,б), приближённые выражения для компонент вектора индукции магнитного поля даются следующими равенствами:
Bx≈−01(z), (59.4)
By≈−01(z), (60.4)
Bz≈−0[ (z)x+ (y), (61.4)]
где о=4 10-7Гн/м магнитная постоянная; (z) и (z) функции для магнитного скалярного потенциала. Данные выражения справедливы в окрестности оптической оси. Для больших отклонений потребуется включить большее количество членов. Поскольку пучок распространяется в основном вдоль оптической оси z, то компонента Вх отвечает за отклонение в направлении оси у, а компонента Ву обеспечивает отклонение в направлении оси х.
На рис. 28.4 показана схема устройства электронного прожектора с фокусировкой электронного пучка с помощью короткой магнитной линзы (ФК) и отклоняющими магнитными катушками (ОК). В данном прожекторе роль модулятора и анода выполняет внутреннее графитовое покрытие. Короткофокусная электронно оптическая система создается неоднородным электрическим полем между катодом, модулятором и анодом. При этом анодное напряжение Uа подается непосредственно на графитовое покрытие. Магнитная фокусирующая катушка, надетая на горловину трубки, играет роль длиннофокусной электронно оптической системы.
Чувствительность электронно лучевого прожектора с катушками магнитного отклонения (рис. 28.4) обратно пропорциональна корню квадратному из ускоряющего напряжения (см. формула 58.4), а не напряжению как при электростатическом отклонении. Это позволяет с помощью большого анодного напряжения получить очень яркое светящееся пятно при относительно небольшой потере чувствительности трубки. Отсутствие отклоняющих пластин в этих трубках позволяет получить больший угол отклонения электронного луча (2 =110о).
Следует отметить, что отклоняющие магнитные катушки потребляют мощность. Это существенный недостаток электронно-лучевых трубок с магнитным управлением электронного пучка. Они малопригодны для исследования периодических процессов и получения осциллограмм, так как необходимо создавать ток, протекающий по индуктивному сопротивлению Y – катушек, прямо пропорциональной анализируемой физической величине. Это же предопределяет и худшие частотные свойства электронных прожекторов с магнитным управлением пучка. Они обычно используются в устройствах, имеющих строго постоянный закон движения светящегося пятна по экрану.