- •М инистерство образования российской федерации
- •Глава 1. Введение в электронную теорию твердого тела 5
- •Глава 2. Теория и практика эмиссионных процессов. 21
- •Глава 3. Электронно-вакуумные приборы с электростатическими полями 69
- •Глава 4. Теория и практика фокусировки и управления электронными пучками в электромагнитных полях 95
- •Глава 5. Электронно-лучевые приборы 133
- •Глава 6. Газоразрядная и плазменная электроника 158
- •Глава 1.
- •1.1.Энергия связи в твердом теле.
- •2.1. Металлическое состояние.
- •3.1. Состояние электрона в кристаллической решетке
- •4.1.Статистика электронов в кристаллической решетке металла.
- •5.1.Энергия Ферми.
- •6.1. Плотность электронных состояний.
- •7.1. Особенности зонной структуры ионных и ковалентных кристаллов.
- •8.1.Особенности положения уровня Ферми в полупроводниках.
- •Глава 2.
- •1.2. Работа выхода электрона из твердых тел.
- •2.2. Термоэлектронная эмиссия
- •1.3. Термоэлектронные катоды.
- •1.1.3. Металлические катоды.
- •2.1.3. Пленочные катоды
- •3.1.3. Оксидные катоды.
- •4.1.3. Способы нагрева катодов.
- •4.2. Закон Лэнгмюра-Богуславского.
- •4.2. Эффект Шоттки.
- •6.2. Автоэлектронная эмиссия.
- •6.2. Взрывная эмиссия.
- •8.2 Автоэмиссионные катоды.
- •7.2. Вторичная электронная эмиссия
- •8.2. Фотоэлектронная эмиссия.
- •10.2 Фотокатоды.
- •1.10.2. Фотокатоды для видимой области спектра.
- •2.10.2 Фотокатоды для ультрафиолетовой области.
- •3.10.2. Фотокатоды для инфракрасной области.
- •11.2 Аноды электронно-вакуумных приборов.
- •12.2 Управление электронным потоком
- •Глава 3.
- •1.3.Рентгеновские трубки.
- •Длина волны характеристических линий и потенциал возбуждения к-серии ряда элементов.
- •1.1.3 Области применения и конструктивные
- •2.1.3. Двухэлектродные трубки для просвечивания.
- •3.1.3. Импульсные рентгеновские трубки.
- •4.1.3. Трубки для диагностики биологических объектов.
- •5.1.3. Трубки для рентгенотерапии.
- •6.1.3. Рентгеновские трубки для радиационной химии
- •7.1.3. Рентгеноструктурный анализ.
- •8.1.3. Рентгеноспектральный анализ
- •9.1.3. Бескристальные спектрометры
- •2.3. Электронно-ионный микроскоп.
- •3.3. Фотоэлектронный умножитель.
- •Глава 4
- •1.4.Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Уравнения движения.
- •2.4. Аналогия между движением заряженных частиц в электростатическом поле и распространением световых лучей в прозрачной среде.
- •3.4. Центрированные электронно-оптические системы.
- •4.4. Фокусировка электронных пучков в аксиально-симметричных
- •1.4.4. Катодная линза.
- •2.4.4. Электронные пушки.
- •3.4.4. Автоэмиссионные пушки.
- •4.4.4. Электронный прожектор.
- •5.4.4. Электростатические системы управления электронным лучом.
- •6.4.4. Анализатор скорости заряженных частиц.
- •7.4.4. Осциллографическая трубка.
- •5.4. Фокусировка и управление потоком заряженных частиц в постоянных магнитных полях.
- •1.5.4. Конструкции магнитных линз.
- •2.5. 4. Дефекты электронно-оптических линз.
- •3.5.4. Отклонение заряженных частиц магнитным полем.
- •Глава 5
- •1.5. Кинескопы.
- •2.5 Электронно-оптический преобразователь.
- •3.5. Электронные микроскопы.
- •1.3.5. Принцип работы электронных микроскопов.
- •2.3.5. Просвечивающие электронные микроскопы.
- •3.3.5. Рентгеновские микроанализаторы.
- •4.3.5. Растровые электронные микроскопы.
- •Глава 6.
- •1.6. Слабоионизированные газы.
- •2.6. Ионизация газа, находящегося в термодинамическом равновесии.
- •3.6. Диффузионный ток.
- •4.6. Проводимость
- •5.6. Ударная ионизация
- •6.6. Вольтамперная характеристики газового разряда.
- •1.6.6. Несамостоятельный газовый разряд.
- •2.6.6. Самостоятельный газовый разряд.
- •7.6. Газоразрядные приборы с холодным катодом
- •1.7.6. Дуговые разрядники.
- •2.7.6. Газоразрядные источники света.
- •3.7.6. Лампы тлеющего свечения (лтс).
- •4.7.6. Стабилитрон тлеющего разряда.
- •5.7.6. Многоэлектродные газоразрядные приборы тлеющего разряда.
- •6.7.6. Тиратрон тлеющего разряда.
- •7.7.6. Тиратроны дугового разряда.
- •8.6. Дисплеи с плазменной панелью.
- •1.8.6.Структура ячейки
3.4.4. Автоэмиссионные пушки.
Электронные слаботочные пушки с автоэмиссионным катодом (рис. 8.4) по яркости в 103 раз превосходят яркость обычной трехэлектродной пушки стандартной конструкции, а эффективный диаметр источника электронов соответствует ≈3нм. Катод представляет собой острие из вольфрама диаметром 0,2 мкм. В пушке два анода с разными ускоряющими потенциалами: один управляет полем вблизи острия, другой ускоряет электроны. Фокус диаметром около 25 нм расположен за вторым анодом; линза уменьшает диаметр пучка до 1нм и менее.
Автоэмиссионная пушка для электронных микроскопов превосходит обычную пушку лишь в том случае, если диаметр электронного пучка менее 0,1 мкм. Наиболее важной областью применения автоэмиссионных пушек является просвечивающая электронная микроскопия и микрозондовый анализ. В этом случае применение пушек с высокой яркостью пучка наиболее эффективно.
Рис.8.4. Схема электронной пушки с автоэмиссионным катодом.
4.4.4. Электронный прожектор.
В триодных пушках изменение напряжения на электроде Венельта необходимо не только для фокусировки пучка, но и для контроля его тока одновременно. Поэтому трудно поддерживать постоянное положение и размеры кроссовера при изменении тока пучка. Эту трудность можно преодолеть, увеличив число электродов (рис.9.4).
Рис. 9.4. Схема расположения и питания электродов многоэлектронных пушек.
Отличительной чертой тетродных (четырехэлектродных) и пентодных (пяти электродных) пушек (рис.9.4) является независимость величин, характеризующих модуляции тока (изменение электронного тока по величине), от положения и размеров кроссовера. Такие пушки называют электронным прожектором.
Особенностью устройства для фокусировки и управлением интенсивностью электронного пучка, в электронном прожекторе является наличие главной проекционной линзы образованной двумя цилиндрическими электродами (рис. 9.4) анод 1 и анод 2. Данная линза прожектора по отношению к катоду настраивается таким образом, что на экране формируется не изображение катода электронной пушки, а изображения места пересечения лучей (рис.9.4) в пучке, т.е. места его максимального сжатия. Модуляция пучка по интенсивности меняется изменением напряжения на электроде Венельта. Если на электрод Венельта подано значительное отрицательное напряжение (в практике ≤ 40 В), относительно ка- тода, то электрическое поле вдоль всей поверхности катода является тормозящим (рис. 11.4,а), и ток в пучке равен нулю. По мере постепенного повышения потенциала «седловина» на потенциальном барьере (рис. 11.4, б) приближается
Рис. 10.4. Схема устройства и формирования электронного пучка в электронном прожекторе.
к катоду и при некотором значении Uв эквипотенциальная поверхность коснется катода. В этом случае на поверхности катода возникает небольшая область с ускоряющим полем перед ней и, в этот момент, появляется ток пучка (рис 10.4,б). При дальнейшем возрастании потенциала все больший участок катода начинает принимать участие в эмиссии электронов, все больших значений
Рис. 11.4. Модуляция электронного пучка по интенсивности изменением потенциала на электроде Венельта.
достигает ускоряющее поле у поверхности катода, и ток электронного пучка возрастает (рис.11.4,в). Таким образом, вариация напряжением смещения позволяет осуществлять модуляцию электронного пучка в широких пределах.
Изучение конструкций сильноточных электронных пушек и схем формирования и управления электронным лучом выходит за рамки программы настоящего пособия. Однако целесообразно отметить следующее. Из многообразия технологических высокоточных пушек электронных пушек с различными сочетаниями параметров можно выделить следующие большие группы:
1. Электронные пушки большой мощности (105 - 106 Вт) с уровнем ускоряющего напряжения до 50 кВ и плотностью мощности до 10 Вт/см2, применяемые в основном для плавки, литья и испарения материалов в непрерывном режиме.
2. Электронные пушки средней и малой мощности (103 - 105 Вт) с уровнем ускоряющего напряжения до 60 кВ и плотностью мощности пучка 103 - 107 Вт/см2, применяемые в основном для электронно-лучевой сварки, а также наплавки и термообработки.
3. Импульсные электронные пушки нано - и микросекундного диапазона, применяемые для термо- и других видов обработки.